JPS58116258U - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS58116258U JPS58116258U JP1222582U JP1222582U JPS58116258U JP S58116258 U JPS58116258 U JP S58116258U JP 1222582 U JP1222582 U JP 1222582U JP 1222582 U JP1222582 U JP 1222582U JP S58116258 U JPS58116258 U JP S58116258U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- lead wire
- double heterojunction
- electrode
- double
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本考案の一実施例の断面図である。
図中、１・・・・・・半導体基板、２・・・・・・活性
層、３・・・・・・クラッド層、４・・・・・・埋め込
み層、５・・・・・・電流狭層、６・・・・・・電極形
成層、７・・・・・・Ｐ電極、８・・曲す゛−−ド線接
続パッド、９・・・・・・ｎ電極、１０・・・・・・リ
ード線、１１・・・メサエッチング部、７ａ・・曲二重
へテロ接合近傍部である。
層、３・・・・・・クラッド層、４・・・・・・埋め込
み層、５・・・・・・電流狭層、６・・・・・・電極形
成層、７・・・・・・Ｐ電極、８・・曲す゛−−ド線接
続パッド、９・・・・・・ｎ電極、１０・・・・・・リ
ード線、１１・・・メサエッチング部、７ａ・・曲二重
へテロ接合近傍部である。
Claims (2)
- （１）半導体基板主に形成された二重へテロ接合の埋め
込み構造と前記半導体基板側及び反対側の゛ 二つ
の電流注入用電極を惠する半導体レーザにおいて、前記
二つの電流注入用電極のうち前記二重へテロ接合に近い
方の電極にリード線が接、 続されており、かつその
リード線接続部位が前記二重へテロ接合近傍を除く部位
にあって、更に前記二重へテロ接合近傍の電極部が前記
り−゛′ −ド線接続部位の電極部に比べ薄い金属層
によって形成されていることを特徴とする半導体レーザ
。 - （２）前記二重へテロ接合近傍の電極部がＡｕを含まな
いＴｉ−Ｐｔの二重構造を有し、かつ苓属層の厚さが０
．１〜０．２μｍの範囲にある実用新案登録請求の範囲
第１項記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222582U JPS58116258U (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222582U JPS58116258U (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58116258U true JPS58116258U (ja) | 1983-08-08 |
Family
ID=30024813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1222582U Pending JPS58116258U (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58116258U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007188928A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
-
1982
- 1982-01-29 JP JP1222582U patent/JPS58116258U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007188928A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
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