JPS59135652U - トランジスタ - Google Patents
トランジスタInfo
- Publication number
- JPS59135652U JPS59135652U JP3077883U JP3077883U JPS59135652U JP S59135652 U JPS59135652 U JP S59135652U JP 3077883 U JP3077883 U JP 3077883U JP 3077883 U JP3077883 U JP 3077883U JP S59135652 U JPS59135652 U JP S59135652U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- emitter
- base
- emitter region
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来例を説明する上面図、第２図は本考案を説
明する上面図である。 主な図番の説明、１１は半導体基板、１２はベース領域
、１３はメツシュ状エミッタ領域、１４はベース電極、
１５はエミッタ電極である。
明する上面図である。 主な図番の説明、１１は半導体基板、１２はベース領域
、１３はメツシュ状エミッタ領域、１４はベース電極、
１５はエミッタ電極である。
Claims (1)
- コレクタ領域、ベース領域および格子状エミッタ領域を
備え、該エミッタ領域をポンディングパッドを設けるパ
ッド予定領域を除く前記ベース領域のほぼ全面に設け、
前記エミッタ領域に囲まれた多数のベース取出領域を設
け、前記エミッタ領域および各ベース取出領域にオーミ
ック接触し前記パッド予定領域上に設けたベースおよび
エミッタ電極とを具備するトランジスタに於いて、前記
パッド予定領域間に狭まれたエミッタ領域と他のエミッ
タ領域あ格子をずらすことを特徴とするトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3077883U JPS59135652U (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3077883U JPS59135652U (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59135652U true JPS59135652U (ja) | 1984-09-10 |
| JPH0438520Y2 JPH0438520Y2 (ja) | 1992-09-09 |
Family
ID=30161650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3077883U Granted JPS59135652U (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59135652U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596672A (en) * | 1979-01-19 | 1980-07-23 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS55138273A (en) * | 1979-04-11 | 1980-10-28 | Fujitsu Ltd | Transistor |
| JPS57141957A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-02 | Toshiba Corp | Bipolar transistor |
-
1983
- 1983-03-02 JP JP3077883U patent/JPS59135652U/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596672A (en) * | 1979-01-19 | 1980-07-23 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS55138273A (en) * | 1979-04-11 | 1980-10-28 | Fujitsu Ltd | Transistor |
| JPS57141957A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-02 | Toshiba Corp | Bipolar transistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0438520Y2 (ja) | 1992-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59135652U (ja) | トランジスタ | |
| JPS59135651U (ja) | トランジスタ | |
| JPS60153548U (ja) | ラテラル型トランジスタ | |
| JPS5892744U (ja) | 半導体素子 | |
| JPS5834751U (ja) | トランジスタ | |
| JPS5923753U (ja) | トランジスタ | |
| JPS5827936U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58168149U (ja) | トランジスタ | |
| JPS60166155U (ja) | 接合型コンデンサ | |
| JPS6115760U (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6364035U (ja) | ||
| JPS59164253U (ja) | 半導体装置の電極 | |
| JPS60125748U (ja) | ラテラル型トランジスタ | |
| JPS6138956U (ja) | サイリスタ | |
| JPS585357U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60144255U (ja) | トランジスタ | |
| JPS60125754U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5866654U (ja) | ガラスパツシベ−シヨン型半導体装置 | |
| JPS6063945U (ja) | 加圧接触型半導体装置 | |
| JPS59112955U (ja) | 半導体素子 | |
| JPS5987140U (ja) | 半導体ペレツト | |
| JPS60151154U (ja) | トランジスタ | |
| JPS6115761U (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS62114442U (ja) | ||
| JPS5846444U (ja) | 半導体装置 |