JPS59135651U - トランジスタ - Google Patents
トランジスタInfo
- Publication number
- JPS59135651U JPS59135651U JP3077683U JP3077683U JPS59135651U JP S59135651 U JPS59135651 U JP S59135651U JP 3077683 U JP3077683 U JP 3077683U JP 3077683 U JP3077683 U JP 3077683U JP S59135651 U JPS59135651 U JP S59135651U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- emitter
- base
- area
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来例を説明する上面図、第２図は本考案を説
明する上面図である。 主な図番の説明、１１は半導体基板、１２・・・ベース
領域、１３はエミッタ領域、１４はエミッタ電極、１５
はベース電極である。
明する上面図である。 主な図番の説明、１１は半導体基板、１２・・・ベース
領域、１３はエミッタ領域、１４はエミッタ電極、１５
はベース電極である。
Claims (1)
- コレクタ領域、ベース領域および行列状に配置した多数
の島状エミッタ領域を備え、該エミッタ領域をホンディ
ングパッドを設けるパッド予定領域を除く前記ベース領
域のほぼ全面に設け、前記ベース領域および各エミッタ
領域にオーミック接触し前記バット予定領域上にまで延
在して設けたベースおよびエミッタ電極とを具備するト
ランジスタに於いて、前記バット予定領域間に狭まれた
エミッタ領域と他のエミッタ領域との行列をずらすこと
を特徴とするトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3077683U JPS59135651U (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3077683U JPS59135651U (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59135651U true JPS59135651U (ja) | 1984-09-10 |
| JPH0438519Y2 JPH0438519Y2 (ja) | 1992-09-09 |
Family
ID=30161648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3077683U Granted JPS59135651U (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59135651U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596672A (en) * | 1979-01-19 | 1980-07-23 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS55138273A (en) * | 1979-04-11 | 1980-10-28 | Fujitsu Ltd | Transistor |
| JPS57141957A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-02 | Toshiba Corp | Bipolar transistor |
-
1983
- 1983-03-02 JP JP3077683U patent/JPS59135651U/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596672A (en) * | 1979-01-19 | 1980-07-23 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS55138273A (en) * | 1979-04-11 | 1980-10-28 | Fujitsu Ltd | Transistor |
| JPS57141957A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-02 | Toshiba Corp | Bipolar transistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0438519Y2 (ja) | 1992-09-09 |
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