JPS5923753U - トランジスタ - Google Patents

トランジスタ

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Publication number
JPS5923753U
JPS5923753U JP11800982U JP11800982U JPS5923753U JP S5923753 U JPS5923753 U JP S5923753U JP 11800982 U JP11800982 U JP 11800982U JP 11800982 U JP11800982 U JP 11800982U JP S5923753 U JPS5923753 U JP S5923753U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
comb
region
emitter
transistor
base
Prior art date
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Granted
Application number
JP11800982U
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English (en)
Other versions
JPH0220832Y2 (ja
Inventor
田中 忠彦
重田 典博
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
Priority to JP11800982U priority Critical patent/JPS5923753U/ja
Publication of JPS5923753U publication Critical patent/JPS5923753U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はメツシュエミッタ構造のトランジスタを説明す
る上面図、第2図は第1図の■−■線断面図、第3図は
本考案によるトランジスタを説明する断面図であり、第
1図のlll−1線断面図と対応している。 主な図番の説明、1はコレクタ領域、2はベース領域、
3は網状エミッタ領域、4は櫛歯状ベー  −スミ極、
5は櫛歯状エミッタ電極、7はコンタクト孔、8はポリ
シリコン層である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. コレクタ領域ベース領域および網状エミッタ領域と該エ
    ミッタ領域に囲まれた多数の島状ベース領域にオーミッ
    ク接触する櫛歯状ベース電極と前記エミッタ領域にオー
    ミック接触する櫛歯状エミッタ電極とを具備するトラン
    ジスタに於いて、前記エミッタ電極の各櫛歯の複数のコ
    ンタクト孔のうちホンディングパッドに接近する部分に
    ポリシリコン層を設けたことを特徴とするトランジスタ
JP11800982U 1982-08-02 1982-08-02 トランジスタ Granted JPS5923753U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11800982U JPS5923753U (ja) 1982-08-02 1982-08-02 トランジスタ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11800982U JPS5923753U (ja) 1982-08-02 1982-08-02 トランジスタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5923753U true JPS5923753U (ja) 1984-02-14
JPH0220832Y2 JPH0220832Y2 (ja) 1990-06-06

Family

ID=30271422

Family Applications (1)

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JP11800982U Granted JPS5923753U (ja) 1982-08-02 1982-08-02 トランジスタ

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Country Link
JP (1) JPS5923753U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06120238A (ja) * 1992-10-07 1994-04-28 Rohm Co Ltd トランジスタ

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55158667A (en) * 1979-05-29 1980-12-10 Shindengen Electric Mfg Co Ltd Silicon transistor
JPS56104464A (en) * 1980-01-23 1981-08-20 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS57168249U (ja) * 1981-04-16 1982-10-23

Patent Citations (3)

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Publication number Publication date
JPH0220832Y2 (ja) 1990-06-06

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