JPS5923753U - トランジスタ - Google Patents
トランジスタInfo
- Publication number
- JPS5923753U JPS5923753U JP11800982U JP11800982U JPS5923753U JP S5923753 U JPS5923753 U JP S5923753U JP 11800982 U JP11800982 U JP 11800982U JP 11800982 U JP11800982 U JP 11800982U JP S5923753 U JPS5923753 U JP S5923753U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- comb
- region
- emitter
- transistor
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図はメツシュエミッタ構造のトランジスタを説明す
る上面図、第2図は第1図の■−■線断面図、第3図は
本考案によるトランジスタを説明する断面図であり、第
1図のlll−1線断面図と対応している。 主な図番の説明、1はコレクタ領域、2はベース領域、
3は網状エミッタ領域、4は櫛歯状ベー −スミ極、
5は櫛歯状エミッタ電極、7はコンタクト孔、8はポリ
シリコン層である。
る上面図、第2図は第1図の■−■線断面図、第3図は
本考案によるトランジスタを説明する断面図であり、第
1図のlll−1線断面図と対応している。 主な図番の説明、1はコレクタ領域、2はベース領域、
3は網状エミッタ領域、4は櫛歯状ベー −スミ極、
5は櫛歯状エミッタ電極、7はコンタクト孔、8はポリ
シリコン層である。
Claims (1)
- コレクタ領域ベース領域および網状エミッタ領域と該エ
ミッタ領域に囲まれた多数の島状ベース領域にオーミッ
ク接触する櫛歯状ベース電極と前記エミッタ領域にオー
ミック接触する櫛歯状エミッタ電極とを具備するトラン
ジスタに於いて、前記エミッタ電極の各櫛歯の複数のコ
ンタクト孔のうちホンディングパッドに接近する部分に
ポリシリコン層を設けたことを特徴とするトランジスタ
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11800982U JPS5923753U (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11800982U JPS5923753U (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5923753U true JPS5923753U (ja) | 1984-02-14 |
JPH0220832Y2 JPH0220832Y2 (ja) | 1990-06-06 |
Family
ID=30271422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11800982U Granted JPS5923753U (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5923753U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06120238A (ja) * | 1992-10-07 | 1994-04-28 | Rohm Co Ltd | トランジスタ |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55158667A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Silicon transistor |
JPS56104464A (en) * | 1980-01-23 | 1981-08-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPS57168249U (ja) * | 1981-04-16 | 1982-10-23 |
-
1982
- 1982-08-02 JP JP11800982U patent/JPS5923753U/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55158667A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Silicon transistor |
JPS56104464A (en) * | 1980-01-23 | 1981-08-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPS57168249U (ja) * | 1981-04-16 | 1982-10-23 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06120238A (ja) * | 1992-10-07 | 1994-04-28 | Rohm Co Ltd | トランジスタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0220832Y2 (ja) | 1990-06-06 |
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