JPH0438520Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案はトランジスタ、特に高電流容量化を図
る格子状（メツシユ状）エミツタ領域を備えたト
ランジスタに関する。

(ロ) 従来技術 従来よりトランジスタの電流容量の増大を図る
構造としてはエミツタ領域の有効面積を増大させ
ることが知られている。この構造としてはメツシ
ユベース構造あるいは島状エミツタ構造がある。
この構造では多数の島状エミツタ領域をベース領
域表面に設けることによりベースエミツタ接合の
周辺長を増大でき高電流容量化を達成できる。

しかし斯るメツシユベース構造ではメツシユ状
のベース領域の面積の増加が大きく電流容量の割
合に比べてチツプ面積も増大する。しかもベース
領域の増加はコレクタ電流の１／h_FEしかベース
電流が流れないことからも無駄なことである。

そこで第１図に示す如くメツシユ状エミツタ構
造のトランジスタが考えられた。第１図に於い
て、１は半導体基板より成るコレクタ領域、２は
ベース領域、３は格子（メツシユ）状エミツタ領
域であり、点線で示す４はエミツタ領域３にオー
ミツク接触したエミツタ電極、５はエミツタ領域
４内に点在する多数の島状ベース取出領域６…６
にオーミツク接触したベース電極である。斯る構
造ではメツシユ状エミツタ領域３によりエミツタ
面積の増大のみを図ることができるので、チツプ
面積の増大防止にはかなり有効である。

なお斯るメツシユ状エミツタ構造のトランジス
タは多層配線技術と用いてボンデイングパツドを
多層化できる。しかしながら超音波ボンデイング
を採る組立方法では超音波のエネルギーで層間絶
縁膜の絶縁が破壊されることが多い。従つて第１
図に示す如くボンデイングパツドを設けるパツド
予定領域７をベース領域２上に設ける必要があ
る。この結果メツシユ状エミツタ領域３はパツド
予定領域７を除いて形成しなくてはならず、電流
容量の増大の効果が大巾に薄れてしまう。

(ハ) 考案の目的 本考案は斯る欠点に鑑みてなされ、従来の欠点
を大巾に改善した電流容量の増大を図れるメツシ
ユ状エミツタ領域を有するトランジスタを実現す
るものである。

(ニ) 考案の構成 本考案によるトランジスタは第２図の如く、コ
レクタ領域１１、ベース領域１２およびメツシユ
状エミツタ領域１３を備え、エミツタ領域１３は
ボンデイングパツドを設けるパツド予定領域１７
を除いてベース領域１２上に設けられ、パツド予
定領域１７上には各領域にオーミツク接触して延
在されたベースおよびエミツタ電極１４，１５を
設け、パツド予定領域１７間に狭まれたエミツタ
領域１３と他のエミツタ領域１３のメツシユをづ
らす様に構成される。

(ホ) 実施例 本実施例に依るトランジスタを第２図に示す。

本考案に依るトランジスタは、Ｎ型のシリコン
半導体基板より成るコレクタ領域１１と、Ｐ型の
ベース領域１２と、メツシユ状のＮ型エミツタ領
域１３とを備え、エミツタ領域１３はボンデイン
グパツドを形成するパツド予定領域１７を除くベ
ース領域１２のほぼ全表面に均一に配置され、ベ
ース領域１２のベース取出領域１６…１６は多数
島状にエミツタ領域１３内に一定間隔で配置され
ている。

本考案の特徴はこのメツシユ状エミツタ領域１
３のパターンにある。即ち対向するパツド予定領
域１７間に設けたパターンと他の部分のパターン
を第２図の如く反転させている。更に詳述すれ
ば、従来では第１図の如くベース取出領域１６…
１６が完全に行列状をなす様にしていたのを、パ
ツド予定領域１７間のパターンをずらして他の部
分のベース取出領域１６…１６の間に来る様にす
るのである。この結果メツシユ状エミツタ領域１
３の面積をあまり増加させずに一列分のベース取
出領域１６…１６を増加できる。

そして点線で示す如く基板表面の酸化膜上に蒸
着アルミニウムより成るベース電極１４およびエ
ミツタ電極１５を形成する。ベース電極１４は各
ベース取出領域１６…１６とオーミツク接触し、
パツド予定領域１７まで延在されており、エミツ
タ電極１５はメツシユ状エミツタ領域１３にオー
ミツク接触してパツド予定領域１７まで延在され
る。またベース電極１４およびエミツタ電極１５
は周知の櫛歯形状を採り、パツド予定領域１７上
の拡張部分に金属細線が超音波ボンデイングされ
る。

具体的に1.26mm角のトランジスタペレツトに
60μ角のベース取出領域１６を有するメツシユ状
エミツタ領域１３を形成した場合、第１図および
第２図から明らかな様に従来37個のベース取出領
域１６を40個に増加でき、電流容量を約８〜10％
程度増加できる。

(ヘ) 効果 本考案に依ればメツシユ状エミツタ領域１３の
パターン改良とよりメツシユ状エミツタ領域１３
内のベース取出領域１６を増加でき、この結合エ
ミツタ周辺長の増加による電流容量の増加を図れ
る。また超音波ボンデイングを行うに十分な電極
パツドも確保される。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例を説明する上面図、第２図は本
考案を説明する上面図である。 主な図番の説明、１１は半導体基板、１２はベ
ース領域、１３はメツシユ状エミツタ領域、１４
はベース電極、１５はエミツタ電極である。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 コレクタ領域となる半導体層と、 このコレクタ領域内に形成されたベース領域
   と、 このベース領域内に設けられ、且つ対向する前
   記ベース領域側辺の中央部に対応するベース領域
   のパツド予定領域を除いた領域に行列状で多数島
   状に前記ベース領域が露出するように設けられた
   格子状のエミツタ領域と、 前記半導体層上に設けられた絶縁膜と、 前記絶縁膜上に設けられ、前記多数島状のベー
   ス領域とオーミツクコンタクトし、前記一方のパ
   ツド予定領域上へ延在された櫛歯状のベース電極
   と、 前記絶縁層に設けられ、前記格子状のエミツタ
   領域とオーミツクコンタクトし、前記他方のパツ
   ド予定領域状へ延在された櫛歯状のエミツタ電極
   とを備えたトランジスタにおいて、 前記両パツド予定領域間に設けられた前記多数
   島状のベース領域を他のベース領域の間にずらす
   ことで、このずらす方向と平行な前記パツドの一
   側辺を変え、パツド面積を変えることをを特徴と
   したトランジスタ。