JPH0440275Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案は格子状のエミツタ領域を有したトラン
ジスタの改良に関するものである。

(ロ) 従来の技術 従来の格子状のエミツタ領域を有するトランジ
スタは実開昭59−135652号公報（第２図イ・第２
図ロ）に示す如く、Ｎ型のシリコン半導体基板よ
りなるコレクタ領域２と、Ｐ型のベース領域３
と、格子状のＮ型エミツタ領域４とを備え、エミ
ツタ領域４はボンデイングパツドを形成するパツ
ド予定領域１０，１１を除くベース領域３のほぼ
全表面に均一に配置され、ベース領域３のベース
取出領域４′…４′は多数島状にエミツタ領域４内
に一定間隔で配置されている。そしてベース電極
８は各ベース取出領域４′…４′とオーミツク接触
し、ボンデイングパツド予定領域１０まで延在さ
れており、エミツタ電極９は格子状エミツタ領域
４にオーミツク接触してボンデイングパツド予定
領域１１まで延在される。またベース電極８およ
びエミツタ電極９は櫛歯形状を採り、ボンデイン
グパツド予定領域１０，１１上の拡張部分に金属
細線１５，１６がボンデイングされて構成されて
いる。

(ハ) 考案が解決しようとする問題点 上述した如く、従来の格子状のエミツタ領域４
を有するトランジスタ１はボンデイングパツド１
０，１１をベース領域３上のベース電極８の一部
とエミツタ電極９の一部に設けるため、エミツタ
電極９のボンデイングパツド１１はベース領域３
の一部に形成され、このベース領域３の部分はト
ランジスタ動作上不要な部分となる。

また同様にベース電極８の一部のボンデイング
パツド１０の直下にあるエミツタ領域４も動作上
不要となる。

(ニ) 問題点を解決するための手段 本考案は斯る問題点に鑑みてなされ、コレクタ
領域となる半導体基板２内に形成されるベース領
域３と該ベース領域３に格子状に形成されるエミ
ツタ領域４と前記ベース領域３および該エミツタ
領域４を被覆するように形成された第１の絶縁膜
５と該第１の絶縁膜５を介して前記ベース領域３
およびエミツタ領域４とオーミツクコンタクトす
る第１のベース電極７および第１のエミツタ電極
６と該第１のベース電極７および第１のエミツタ
電極６を被覆するように形成された第２の絶縁膜
１４と該第２の絶縁膜１４を介して前記第１のベ
ース電極７および第１のエミツタ電極６と該第１
のベース電極７および第１のエミツタ電極６を被
覆するように形成された第２の絶縁膜１４と該第
２の絶縁膜１４を介して前記第１のベース電極７
および第１のエミツタ電極６とオーミツクコンタ
クトしかつ夫々にボンデイングパツド１０，１１
を有する櫛歯状の第２のベース電極８および第２
のエミツタ電極９とを備えたトランジスタに於い
て、前記ボンデイングパツド１０、１１直下には
夫々活性なベース領域３および格子状のエミツタ
領域４を設け、該活性なベース領域３および格子
状のエミツタ領域４にオーミツクコンタクトし前
記櫛歯状の第２のベース電極８および第２のエミ
ツタ電極９とオーミツクコンタクトする接続電極
１２，１３とを設けることで解決するものであ
る。

(ホ) 作用 従来ではトランジスタの動作上不要な部分とな
るエミツタ電極９のボンデイングパツド１１下の
ベース領域３にも格子状のエミツタ領域４を設
け、第１図イ・第１図ロに示すに如く、エミツタ
電極９のボンデイングパツド１１直下のベース領
域４″…４″（ここでは島状に多数形成されたベー
ス取出領域４″…４″をいう。）と前記櫛歯状に形
成されたベース電極８とをオーミツクコンタクト
する接続電極１３を一層目の絶縁膜５上に形成す
ることで、不要となるベース領域４″…４″とベー
ス電極８とを電気的に接続可能とできる。

また同様な構造で不要となるエミツタ領域とエ
ミツタ電極９とを電気的に接続できる。

(ヘ) 実施例 以下本考案による一実施例を第１図イ・第１図
ロを参照しながら説明する。

本考案によるトランジスタ１は、Ｎ型のシリコ
ン半導体基板よりなるコレクタ領域２と、該コレ
クタ領域２内に形成されるベース領域３と、該ベ
ース領域３に格子状に形成されるエミツタ領域４
とがある。

ここでは前記ベース領域３のほぼ全面に格子状
のエミツタ領域４が形成され、ベース領域３のベ
ース取出領域４′…４′は多数島状にエミツタ領域
４内に一定間隔で配置されている。

次に前記半導体基板２上に熱酸化法等で形成さ
れる第１のシリコン酸化膜５と、該第１のシリコ
ン酸化膜５を介して、前記格子状のエミツタ領域
４および島状に形成されるベース取出領域４′…
４′とオーミツクコンタクトされる格子状の第１
のエミツタ電極６および島状の第１のベース電極
７と、前記櫛歯状の第２のベース電極８および第
２のエミツタ電極９のボンデイングパツド１０，
１１の直下の第１のエミツタ電極６および第１の
ベース電極７と第２のエミツタ電極９および第２
のベース電極８とをオーミツクコンタクトする接
続電極１２，１３と、前記第１のベース電極７、
第１のエミツタ電極６および接続電極１２，１３
とを被覆する第２のシリコン酸化膜１４と、該第
２のシリコン酸化膜１４を介して、第１のベース
電極７、島状のベース領域４′と接続されている
接続電極１３とオーミツクコンタクトする第２の
ベース電極８と、第１のエミツタ電極６、格子状
のエミツタ領域４と接続されている接続電極１２
とオーミツクコンタクトする第２のエミツタ電極
９と、前記第２のベース電極８および第２のエミ
ツタ電極９のボンデイングパツド部１０，１１に
形成されるボンデイングワイヤ１５，１６とによ
り構成されている。

本構成は本考案の特徴とする所であり、第１図
イ・第１図ロで図示されている如く、櫛歯状の第
２のエミツタ電極９におけるボンデイングパツド
部直下の複数の島状のベース取出領域４″…４″は
従来例で説明した様に不要な部分であつたが、前
記複数の島状のベース取出領域４″…４″と第２の
ベース電極８とをオーミツクコンタクトするため
に接続電極１３を第１の絶縁膜５上に形成するこ
とで、多数島状にエミツタ領域４内に一定間隔で
配置されているベース取出領域４′…４′をほとん
ど全て有効に活用できる。

また前述と同様に櫛歯状の第２のベース電極８
におけるボンデイングパツド部１０直下のエミツ
タ領域も、接続電極１２を介して第２のエミツタ
電極９と接続することで格子状のエミツタ領域４
をほとんど全て有効に活用できる。

(ト) 考案の効果 以上の説明からも明らかな如くボンデイングパ
ツド部１０，１１直下の領域も有効に活用でき
る。またボンデイングパツド部１０，１１直下に
第２の絶縁膜１４や第１のベース電極７および第
１のエミツタ電極６が更に被覆されているため、
ボンデイングの際、半導体基板２に直接悪影響を
与えることなく良好にボンデイングできる。

【図面の簡単な説明】

第１図イは本考案によるトランジスタの平面
図、第１図ロは第１図イにおける−′線の断
面図、第２図イは従来のトランジスタの平面図、
第２図ロは第２図イにおける−′線の断面図
である。 １はトランジスタ、２はコレクタ領域、３はベ
ース領域、４はエミツタ領域、４′はベース取出
領域、５は第１のシリコン酸化膜、６は第１のエ
ミツタ電極、７は第１のベース電極、８は第２の
ベース電極、９は第２のエミツタ電極、１０，１
１はボンデイングパツド部、１２，１３は接続電
極、１４は第２のシリコン酸化膜、１５，１６は
ボンデイングワイヤである。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. コレクタ領域となる半導体基板内に形成したベ
   ース領域と、前記ベース領域のほぼ全面に格子状
   に形成したエミツタ領域と、前記格子状パターン
   の交点に露出する前記ベース領域の取り出し領域
   と、前記半導体基板の表面を被覆する第１の絶縁
   膜と、前記エミツタ領域にコンタクトとする格子
   状エミツタ電極と、前記ベース領域の取り出し領
   域にコンタクトとする島状ベース電極と、前記エ
   ミツタ電極と前記ベース電極とを被覆する第２の
   絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に配置したベース
   パツドおよびエミツタパツドと、前記第２の絶縁
   膜上を櫛歯状に互いに対向するように延在して前
   記ベースパツドおよびエミツタパツドに各々が連
   続し、前記ベースおよびエミツタ電極と各々コン
   タクトする第２のベース電極および第２のエミツ
   タ電極と、前記ベースパツド直下の活性なエミツ
   タ領域表面にコンタクトし、前記ベースパツドの
   端部付近まで前記第１の絶縁膜上を延在すると共
   に前記ベースパツドの近傍で前記櫛歯状第２のエ
   ミツタ電極に接続するエミツタ補助電極と、前記
   エミツタパツド直下の活性なベース取り出し領域
   表面にコンタクトし、前記エミツタパツドの端部
   付近まで前記第１の絶縁膜上を延在すると共に前
   記エミツタパツド近傍で前記櫛歯状第２のベース
   電極に接続するベース補助電極とを具備すること
   を特徴とするトランジスタ。