JPS58188159A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS58188159A JPS58188159A JP7088282A JP7088282A JPS58188159A JP S58188159 A JPS58188159 A JP S58188159A JP 7088282 A JP7088282 A JP 7088282A JP 7088282 A JP7088282 A JP 7088282A JP S58188159 A JPS58188159 A JP S58188159A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductivity type
- electrode
- group
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 23
- 241000218691 Cupressaceae Species 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- 241000190020 Zelkova serrata Species 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ハ、トランジスタ、サイリスタなどのP型不輛?
!I層とN型不純物層とによりPN接合が形成された半
導体基体倉有し、これらP型不純物層およびN型不純物
層から′邂極配線會引き出し、ボンディング用電極から
金属細粉を鮭て外部電極と嵌絖されるディスクリート型
の半導体装置に関する。
!I層とN型不純物層とによりPN接合が形成された半
導体基体倉有し、これらP型不純物層およびN型不純物
層から′邂極配線會引き出し、ボンディング用電極から
金属細粉を鮭て外部電極と嵌絖されるディスクリート型
の半導体装置に関する。
従来の多くのトランジスタにおいては、ベースやエミッ
タの’!If、 牛舎@は@画状になっているが。
タの’!If、 牛舎@は@画状になっているが。
組立の際、電極から′1流を取り出すために金桐細線全
ボンディングする。このとき、ボンディングするために
、ペースやエミ、りのm極の一部を広く取る必要がある
。この広いボンディング部(ポンディングパッドという
)にボンディングする金属細線も、電流容菫の大きいト
ランジスタでは太い金gist用いなけれはならず、肖
然より広いポンディングパッドが心安となる。このポン
ディングパッドに、トランジスタのベレット面積に対し
て大きな割合ケ占め、このボンディングパッドを小さく
できればトランジスタの面積効率は飛躍的[増大できる
。
ボンディングする。このとき、ボンディングするために
、ペースやエミ、りのm極の一部を広く取る必要がある
。この広いボンディング部(ポンディングパッドという
)にボンディングする金属細線も、電流容菫の大きいト
ランジスタでは太い金gist用いなけれはならず、肖
然より広いポンディングパッドが心安となる。このポン
ディングパッドに、トランジスタのベレット面積に対し
て大きな割合ケ占め、このボンディングパッドを小さく
できればトランジスタの面積効率は飛躍的[増大できる
。
本発明の目的は、このようなボンディングバ。
ドの問題f解決して、半導体素子チャ1面槓に対し、有
@囲槓の割合ケ大きくとれるようにして、小形化t8易
にした牛導体鼓#¥r提惧するにめる。
@囲槓の割合ケ大きくとれるようにして、小形化t8易
にした牛導体鼓#¥r提惧するにめる。
本発明の牛導体装&は、半導体基体の一主面饋の一尋電
型不I8物1−と、との−導電型不純物層中に形成され
たIJl!叙1FIAの反動導電型不純物層と、前記反
対専直型不純物層のそれぞれの上およびこれら反対41
1型不純物層の間の罰紀−導電型不純物層の上に形成さ
れた電極と、これらt極を含みMU記−導i&型および
反対4i11型不純物層の上に形成された絶縁膜と、こ
の絶縁膜にあけられた孔會通して4J紀−導電型不純物
層のwi群および反対溝を型不糾物層の電極群にそれぞ
れ接続して前記絶縁膜の上に形成された第1および帯2
のボンディング用!極と全言む構成を有する。
型不I8物1−と、との−導電型不純物層中に形成され
たIJl!叙1FIAの反動導電型不純物層と、前記反
対専直型不純物層のそれぞれの上およびこれら反対41
1型不純物層の間の罰紀−導電型不純物層の上に形成さ
れた電極と、これらt極を含みMU記−導i&型および
反対4i11型不純物層の上に形成された絶縁膜と、こ
の絶縁膜にあけられた孔會通して4J紀−導電型不純物
層のwi群および反対溝を型不糾物層の電極群にそれぞ
れ接続して前記絶縁膜の上に形成された第1および帯2
のボンディング用!極と全言む構成を有する。
つぎ′に本発明會実施例により説明する。
第1図(a)は本発明の一実施例のトランジスタの製造
工程逆中の平面図、同図(b)は図(a)のA−A断1
図である。これらの図において、1aは半導体基体のN
型高比抵抗層、lbはN型低比抵抗層、2はP型不糾物
ノーのベース層、3はベース層2に)l!s訳的に伽叙
1−彫叡されたN型不糾吻層のエミッタ鳩、4に半導体
基体衣閤を蝋う第1層の絶縁膜、5は絶縁膜4にvこめ
けられた窓ケ堰してベースI曽2Vc嬢kit、されて
いるアルミニウムのへ゛−ス1凱6はエミ、り膚3VC
1杷豚朕4の窓ゲ遡して接続されているアルミニウムの
エミッタ′[極でおる。この以南のトフンシスタrユ、
従来のものの%菫と101−であるが、ボンディング川
に広い一極ゲもつ重惨は有してあ・らす、ベース2の上
Vc均一にエミッタ3ケ配−している、また、エミッタ
1に惨はそれぞれ独立して岨気的にも独立しているが、
髪枡していることもあり侍る。
工程逆中の平面図、同図(b)は図(a)のA−A断1
図である。これらの図において、1aは半導体基体のN
型高比抵抗層、lbはN型低比抵抗層、2はP型不糾物
ノーのベース層、3はベース層2に)l!s訳的に伽叙
1−彫叡されたN型不糾吻層のエミッタ鳩、4に半導体
基体衣閤を蝋う第1層の絶縁膜、5は絶縁膜4にvこめ
けられた窓ケ堰してベースI曽2Vc嬢kit、されて
いるアルミニウムのへ゛−ス1凱6はエミ、り膚3VC
1杷豚朕4の窓ゲ遡して接続されているアルミニウムの
エミッタ′[極でおる。この以南のトフンシスタrユ、
従来のものの%菫と101−であるが、ボンディング川
に広い一極ゲもつ重惨は有してあ・らす、ベース2の上
Vc均一にエミッタ3ケ配−している、また、エミッタ
1に惨はそれぞれ独立して岨気的にも独立しているが、
髪枡していることもあり侍る。
第2図に完成図で、(a)に平面図、(b)と(c)は
それぞれ図(a)のA−AおよびB−8断面図である。
それぞれ図(a)のA−AおよびB−8断面図である。
これらの図において7は−/*目絶縁族4および箪欅硅
5.6の上に形成された二層目絶縁族、8は基体の表面
の図上のほぼ上半分の領域で二層目絶縁711iiL7
の上に形成されたベースのボンディング相電惨で、ベー
スボンディング用1.極8は、二層目絶縁膜7にあけら
れた1&低管膚谷蓄に必要な大きさの孔1r遥して谷ベ
ース電欅5に接続されている。
5.6の上に形成された二層目絶縁族、8は基体の表面
の図上のほぼ上半分の領域で二層目絶縁711iiL7
の上に形成されたベースのボンディング相電惨で、ベー
スボンディング用1.極8は、二層目絶縁膜7にあけら
れた1&低管膚谷蓄に必要な大きさの孔1r遥して谷ベ
ース電欅5に接続されている。
9に基体上向のほぼ上半分の広い[Iki槓にわたり二
j−目e−族7の上に形成され几エミ、りのボンディン
グ用電極で、ペースボンディング用t4fi8と四憬に
絶縁PM7にあけられた孔を通して各エミ。
j−目e−族7の上に形成され几エミ、りのボンディン
グ用電極で、ペースボンディング用t4fi8と四憬に
絶縁PM7にあけられた孔を通して各エミ。
夕電極6に共通に接続されている。
このような構造をとることにより、ボンディング用電極
の位1m、大きさ會自由に設計する仁とが口」能となり
、ま九、ベレット内にエミッタ?すべて無駄なく有効に
配置することが、できる、よって。
の位1m、大きさ會自由に設計する仁とが口」能となり
、ま九、ベレット内にエミッタ?すべて無駄なく有効に
配置することが、できる、よって。
従来のベース、エミッタおよびボンディング用の谷!極
か同−千(2)にあって、広い面積の必要なボンディン
グ用電極のため大きなチャ面積槓全必要としたものが、
ベース、エミ、4の有効面積だけの小さなチップ開極で
同一性能のトランジスタが小形で侍られる。
か同−千(2)にあって、広い面積の必要なボンディン
グ用電極のため大きなチャ面積槓全必要としたものが、
ベース、エミ、4の有効面積だけの小さなチップ開極で
同一性能のトランジスタが小形で侍られる。
なお、上汐り汀NPN)ランジスタについて説明したが
、PNP)ランジスタについても本発明は同僚に成り立
つものであり、また、サイリスタについても同様に通用
できるのはいうまでもない。
、PNP)ランジスタについても本発明は同僚に成り立
つものであり、また、サイリスタについても同様に通用
できるのはいうまでもない。
第1図(a)はX発明の一実施例の製造工程途中の平1
図、同IW(b)は図−)のA−人vgrx+図、第2
図(a)に第1図の完成した平面図、同図(b)と(C
)はそれぞれ図(a)のA−AおよびB−8断面図であ
る。 1a・・・・・・N型高比抵抗層、lb・・・N型低比
砥抗)曽、2・・・・・・P型代−ス層、3・・・・・
・N型エミ、、夕層、4・・・・・・一層目絶縁族、5
・・・・・・ペース物、極、6・・・・・・エミ、り1
惨、7・・・・・・二層目絶縁族、8・・・・・・ペー
スボンディング用118.9・・・・・・エミ、ツタボ
ンディング用1.欅。
図、同IW(b)は図−)のA−人vgrx+図、第2
図(a)に第1図の完成した平面図、同図(b)と(C
)はそれぞれ図(a)のA−AおよびB−8断面図であ
る。 1a・・・・・・N型高比抵抗層、lb・・・N型低比
砥抗)曽、2・・・・・・P型代−ス層、3・・・・・
・N型エミ、、夕層、4・・・・・・一層目絶縁族、5
・・・・・・ペース物、極、6・・・・・・エミ、り1
惨、7・・・・・・二層目絶縁族、8・・・・・・ペー
スボンディング用118.9・・・・・・エミ、ツタボ
ンディング用1.欅。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基体の一生面側の一導電型不純物層と、この−導
電型不純物層中に形成された俵数個の反対導電型不純物
層と、前記反対導電型不純層のそれぞれの上およびこれ
ら反対導電型不純物層の間の@配−導を型不純物層の上
に形成された!檜と。 これら電極を含み前記−導電型および反対導電型不純物
層の上に形成された絶#l膜と、この絶縁族にあけられ
た孔を通して前記−導電型不純物層の電極群と接続して
前記絶縁膜の上に形成され次第1のボンディング用電極
と、前記絶縁膜にあけられた孔f通して前記反射溝を型
の電極群と接続して前記絶縁族の上に形成された第2の
ボンディング用電極とを含むことf%黴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7088282A JPS58188159A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7088282A JPS58188159A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58188159A true JPS58188159A (ja) | 1983-11-02 |
Family
ID=13444347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7088282A Pending JPS58188159A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58188159A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62151766U (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-26 | ||
JPS63179572A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-23 | Nec Corp | バイポ−ラトランジスタ |
JPH053201A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-01-08 | Nec Corp | バイポーラトランジスタ |
US5723897A (en) * | 1995-06-07 | 1998-03-03 | Vtc Inc. | Segmented emitter low noise transistor |
JP2003133321A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-05-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | バイポーラトランジスタ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55150271A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPS5757559B2 (ja) * | 1974-11-11 | 1982-12-04 | Gen Electric |
-
1982
- 1982-04-27 JP JP7088282A patent/JPS58188159A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5757559B2 (ja) * | 1974-11-11 | 1982-12-04 | Gen Electric | |
JPS55150271A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62151766U (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-26 | ||
JPH0440275Y2 (ja) * | 1986-03-17 | 1992-09-21 | ||
JPS63179572A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-23 | Nec Corp | バイポ−ラトランジスタ |
JPH053201A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-01-08 | Nec Corp | バイポーラトランジスタ |
US5723897A (en) * | 1995-06-07 | 1998-03-03 | Vtc Inc. | Segmented emitter low noise transistor |
JP2003133321A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-05-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | バイポーラトランジスタ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3388301A (en) | Multichip integrated circuit assembly with interconnection structure | |
US4236171A (en) | High power transistor having emitter pattern with symmetric lead connection pads | |
US4803541A (en) | Semiconductor device | |
US4286280A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JPH05152574A (ja) | 半導体装置 | |
JP5486807B2 (ja) | スタック化集積回路チップ・アセンブリ | |
JP2987088B2 (ja) | Mos技術電力デバイスチィップ及びパッケージ組立体 | |
JPS58188159A (ja) | 半導体装置 | |
JP2009164288A (ja) | 半導体素子及び半導体装置 | |
US3581166A (en) | Gold-aluminum leadout structure of a semiconductor device | |
JPS6156628B2 (ja) | ||
JP3375560B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH01202867A (ja) | 半導体装置 | |
CN207818562U (zh) | 半导体元件和半导体装置 | |
WO2020017382A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2824329B2 (ja) | 可変容量ダイオード装置 | |
JP3000809B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH0553303B2 (ja) | ||
CN219371033U (zh) | 栅极边缘化igbt芯片 | |
JPH0997901A (ja) | 半導体装置 | |
JP7180842B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2664911B2 (ja) | 半導体装置 | |
US3784886A (en) | Bidirectional switching semiconductor device | |
JPS5845830B2 (ja) | 集積回路とその製法 | |
JPS60225467A (ja) | 縦型mosゲ−ト入力半導体装置 |