JPS58188159A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS58188159A JPS58188159A JP7088282A JP7088282A JPS58188159A JP S58188159 A JPS58188159 A JP S58188159A JP 7088282 A JP7088282 A JP 7088282A JP 7088282 A JP7088282 A JP 7088282A JP S58188159 A JPS58188159 A JP S58188159A
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- JP
- Japan
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- layer
- conductivity type
- electrode
- group
- bonding
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 23
- 241000218691 Cupressaceae Species 0.000 claims 1
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ハ、トランジスタ、サイリスタなどのＰ型不輛？
！Ｉ層とＮ型不純物層とによりＰＮ接合が形成された半
導体基体倉有し、これらＰ型不純物層およびＮ型不純物
層から′邂極配線會引き出し、ボンディング用電極から
金属細粉を鮭て外部電極と嵌絖されるディスクリート型
の半導体装置に関する。
！Ｉ層とＮ型不純物層とによりＰＮ接合が形成された半
導体基体倉有し、これらＰ型不純物層およびＮ型不純物
層から′邂極配線會引き出し、ボンディング用電極から
金属細粉を鮭て外部電極と嵌絖されるディスクリート型
の半導体装置に関する。
従来の多くのトランジスタにおいては、ベースやエミッ
タの’！Ｉｆ、 牛舎＠は＠画状になっているが。
タの’！Ｉｆ、 牛舎＠は＠画状になっているが。
組立の際、電極から′１流を取り出すために金桐細線全
ボンディングする。このとき、ボンディングするために
、ペースやエミ、りのｍ極の一部を広く取る必要がある
。この広いボンディング部（ポンディングパッドという
）にボンディングする金属細線も、電流容菫の大きいト
ランジスタでは太い金ｇｉｓｔ用いなけれはならず、肖
然より広いポンディングパッドが心安となる。このポン
ディングパッドに、トランジスタのベレット面積に対し
て大きな割合ケ占め、このボンディングパッドを小さく
できればトランジスタの面積効率は飛躍的［増大できる
。
ボンディングする。このとき、ボンディングするために
、ペースやエミ、りのｍ極の一部を広く取る必要がある
。この広いボンディング部（ポンディングパッドという
）にボンディングする金属細線も、電流容菫の大きいト
ランジスタでは太い金ｇｉｓｔ用いなけれはならず、肖
然より広いポンディングパッドが心安となる。このポン
ディングパッドに、トランジスタのベレット面積に対し
て大きな割合ケ占め、このボンディングパッドを小さく
できればトランジスタの面積効率は飛躍的［増大できる
。
本発明の目的は、このようなボンディングバ。
ドの問題ｆ解決して、半導体素子チャ１面槓に対し、有
＠囲槓の割合ケ大きくとれるようにして、小形化ｔ８易
にした牛導体鼓＃￥ｒ提惧するにめる。
＠囲槓の割合ケ大きくとれるようにして、小形化ｔ８易
にした牛導体鼓＃￥ｒ提惧するにめる。
本発明の牛導体装＆は、半導体基体の一主面饋の一尋電
型不Ｉ８物１−と、との−導電型不純物層中に形成され
たＩＪｌ！叙１ＦＩＡの反動導電型不純物層と、前記反
対専直型不純物層のそれぞれの上およびこれら反対４１
１型不純物層の間の罰紀−導電型不純物層の上に形成さ
れた電極と、これらｔ極を含みＭＵ記−導ｉ＆型および
反対４ｉ１１型不純物層の上に形成された絶縁膜と、こ
の絶縁膜にあけられた孔會通して４Ｊ紀−導電型不純物
層のｗｉ群および反対溝を型不糾物層の電極群にそれぞ
れ接続して前記絶縁膜の上に形成された第１および帯２
のボンディング用！極と全言む構成を有する。
型不Ｉ８物１−と、との−導電型不純物層中に形成され
たＩＪｌ！叙１ＦＩＡの反動導電型不純物層と、前記反
対専直型不純物層のそれぞれの上およびこれら反対４１
１型不純物層の間の罰紀−導電型不純物層の上に形成さ
れた電極と、これらｔ極を含みＭＵ記−導ｉ＆型および
反対４ｉ１１型不純物層の上に形成された絶縁膜と、こ
の絶縁膜にあけられた孔會通して４Ｊ紀−導電型不純物
層のｗｉ群および反対溝を型不糾物層の電極群にそれぞ
れ接続して前記絶縁膜の上に形成された第１および帯２
のボンディング用！極と全言む構成を有する。
つぎ′に本発明會実施例により説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例のトランジスタの製造
工程逆中の平面図、同図（ｂ）は図（ａ）のＡ−Ａ断１
図である。これらの図において、１ａは半導体基体のＮ
型高比抵抗層、ｌｂはＮ型低比抵抗層、２はＰ型不糾物
ノーのベース層、３はベース層２に）ｌ！ｓ訳的に伽叙
１−彫叡されたＮ型不糾吻層のエミッタ鳩、４に半導体
基体衣閤を蝋う第１層の絶縁膜、５は絶縁膜４にｖこめ
けられた窓ケ堰してベースＩ曽２Ｖｃ嬢ｋｉｔ、されて
いるアルミニウムのへ゛−ス１凱６はエミ、り膚３ＶＣ
１杷豚朕４の窓ゲ遡して接続されているアルミニウムの
エミッタ′［極でおる。この以南のトフンシスタｒユ、
従来のものの％菫と１０１−であるが、ボンディング川
に広い一極ゲもつ重惨は有してあ・らす、ベース２の上
Ｖｃ均一にエミッタ３ケ配−している、また、エミッタ
１に惨はそれぞれ独立して岨気的にも独立しているが、
髪枡していることもあり侍る。
工程逆中の平面図、同図（ｂ）は図（ａ）のＡ−Ａ断１
図である。これらの図において、１ａは半導体基体のＮ
型高比抵抗層、ｌｂはＮ型低比抵抗層、２はＰ型不糾物
ノーのベース層、３はベース層２に）ｌ！ｓ訳的に伽叙
１−彫叡されたＮ型不糾吻層のエミッタ鳩、４に半導体
基体衣閤を蝋う第１層の絶縁膜、５は絶縁膜４にｖこめ
けられた窓ケ堰してベースＩ曽２Ｖｃ嬢ｋｉｔ、されて
いるアルミニウムのへ゛−ス１凱６はエミ、り膚３ＶＣ
１杷豚朕４の窓ゲ遡して接続されているアルミニウムの
エミッタ′［極でおる。この以南のトフンシスタｒユ、
従来のものの％菫と１０１−であるが、ボンディング川
に広い一極ゲもつ重惨は有してあ・らす、ベース２の上
Ｖｃ均一にエミッタ３ケ配−している、また、エミッタ
１に惨はそれぞれ独立して岨気的にも独立しているが、
髪枡していることもあり侍る。
第２図に完成図で、（ａ）に平面図、（ｂ）と（ｃ）は
それぞれ図（ａ）のＡ−ＡおよびＢ−８断面図である。
それぞれ図（ａ）のＡ−ＡおよびＢ−８断面図である。
これらの図において７は−／＊目絶縁族４および箪欅硅
５．６の上に形成された二層目絶縁族、８は基体の表面
の図上のほぼ上半分の領域で二層目絶縁７１１ｉｉＬ７
の上に形成されたベースのボンディング相電惨で、ベー
スボンディング用１．極８は、二層目絶縁膜７にあけら
れた１＆低管膚谷蓄に必要な大きさの孔１ｒ遥して谷ベ
ース電欅５に接続されている。
５．６の上に形成された二層目絶縁族、８は基体の表面
の図上のほぼ上半分の領域で二層目絶縁７１１ｉｉＬ７
の上に形成されたベースのボンディング相電惨で、ベー
スボンディング用１．極８は、二層目絶縁膜７にあけら
れた１＆低管膚谷蓄に必要な大きさの孔１ｒ遥して谷ベ
ース電欅５に接続されている。
９に基体上向のほぼ上半分の広い［Ｉｋｉ槓にわたり二
ｊ−目ｅ−族７の上に形成され几エミ、りのボンディン
グ用電極で、ペースボンディング用ｔ４ｆｉ８と四憬に
絶縁ＰＭ７にあけられた孔を通して各エミ。
ｊ−目ｅ−族７の上に形成され几エミ、りのボンディン
グ用電極で、ペースボンディング用ｔ４ｆｉ８と四憬に
絶縁ＰＭ７にあけられた孔を通して各エミ。
夕電極６に共通に接続されている。
このような構造をとることにより、ボンディング用電極
の位１ｍ、大きさ會自由に設計する仁とが口」能となり
、ま九、ベレット内にエミッタ？すべて無駄なく有効に
配置することが、できる、よって。
の位１ｍ、大きさ會自由に設計する仁とが口」能となり
、ま九、ベレット内にエミッタ？すべて無駄なく有効に
配置することが、できる、よって。
従来のベース、エミッタおよびボンディング用の谷！極
か同−千（２）にあって、広い面積の必要なボンディン
グ用電極のため大きなチャ面積槓全必要としたものが、
ベース、エミ、４の有効面積だけの小さなチップ開極で
同一性能のトランジスタが小形で侍られる。
か同−千（２）にあって、広い面積の必要なボンディン
グ用電極のため大きなチャ面積槓全必要としたものが、
ベース、エミ、４の有効面積だけの小さなチップ開極で
同一性能のトランジスタが小形で侍られる。
なお、上汐り汀ＮＰＮ）ランジスタについて説明したが
、ＰＮＰ）ランジスタについても本発明は同僚に成り立
つものであり、また、サイリスタについても同様に通用
できるのはいうまでもない。
、ＰＮＰ）ランジスタについても本発明は同僚に成り立
つものであり、また、サイリスタについても同様に通用
できるのはいうまでもない。
第１図（ａ）はＸ発明の一実施例の製造工程途中の平１
図、同ＩＷ（ｂ）は図−）のＡ−人ｖｇｒｘ＋図、第２
図（ａ）に第１図の完成した平面図、同図（ｂ）と（Ｃ
）はそれぞれ図（ａ）のＡ−ＡおよびＢ−８断面図であ
る。 １ａ・・・・・・Ｎ型高比抵抗層、ｌｂ・・・Ｎ型低比
砥抗）曽、２・・・・・・Ｐ型代−ス層、３・・・・・
・Ｎ型エミ、、夕層、４・・・・・・一層目絶縁族、５
・・・・・・ペース物、極、６・・・・・・エミ、り１
惨、７・・・・・・二層目絶縁族、８・・・・・・ペー
スボンディング用１１８．９・・・・・・エミ、ツタボ
ンディング用１．欅。
図、同ＩＷ（ｂ）は図−）のＡ−人ｖｇｒｘ＋図、第２
図（ａ）に第１図の完成した平面図、同図（ｂ）と（Ｃ
）はそれぞれ図（ａ）のＡ−ＡおよびＢ−８断面図であ
る。 １ａ・・・・・・Ｎ型高比抵抗層、ｌｂ・・・Ｎ型低比
砥抗）曽、２・・・・・・Ｐ型代−ス層、３・・・・・
・Ｎ型エミ、、夕層、４・・・・・・一層目絶縁族、５
・・・・・・ペース物、極、６・・・・・・エミ、り１
惨、７・・・・・・二層目絶縁族、８・・・・・・ペー
スボンディング用１１８．９・・・・・・エミ、ツタボ
ンディング用１．欅。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基体の一生面側の一導電型不純物層と、この−導
電型不純物層中に形成された俵数個の反対導電型不純物
層と、前記反対導電型不純層のそれぞれの上およびこれ
ら反対導電型不純物層の間の＠配−導を型不純物層の上
に形成された！檜と。 これら電極を含み前記−導電型および反対導電型不純物
層の上に形成された絶＃ｌ膜と、この絶縁族にあけられ
た孔を通して前記−導電型不純物層の電極群と接続して
前記絶縁膜の上に形成され次第１のボンディング用電極
と、前記絶縁膜にあけられた孔ｆ通して前記反射溝を型
の電極群と接続して前記絶縁族の上に形成された第２の
ボンディング用電極とを含むことｆ％黴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7088282A JPS58188159A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7088282A JPS58188159A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58188159A true JPS58188159A (ja) | 1983-11-02 |
Family
ID=13444347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7088282A Pending JPS58188159A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58188159A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62151766U (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-26 | ||
| JPS63179572A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-23 | Nec Corp | バイポ−ラトランジスタ |
| JPH053201A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-01-08 | Nec Corp | バイポーラトランジスタ |
| US5723897A (en) * | 1995-06-07 | 1998-03-03 | Vtc Inc. | Segmented emitter low noise transistor |
| JP2003133321A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-05-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | バイポーラトランジスタ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150271A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS5757559B2 (ja) * | 1974-11-11 | 1982-12-04 | Gen Electric |
-
1982
- 1982-04-27 JP JP7088282A patent/JPS58188159A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5757559B2 (ja) * | 1974-11-11 | 1982-12-04 | Gen Electric | |
| JPS55150271A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62151766U (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-26 | ||
| JPH0440275Y2 (ja) * | 1986-03-17 | 1992-09-21 | ||
| JPS63179572A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-23 | Nec Corp | バイポ−ラトランジスタ |
| JPH053201A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-01-08 | Nec Corp | バイポーラトランジスタ |
| US5723897A (en) * | 1995-06-07 | 1998-03-03 | Vtc Inc. | Segmented emitter low noise transistor |
| JP2003133321A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-05-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | バイポーラトランジスタ |
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