JPS58116259U - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS58116259U JPS58116259U JP1222682U JP1222682U JPS58116259U JP S58116259 U JPS58116259 U JP S58116259U JP 1222682 U JP1222682 U JP 1222682U JP 1222682 U JP1222682 U JP 1222682U JP S58116259 U JPS58116259 U JP S58116259U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- semiconductor substrate
- semiconductor
- active region
- inp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本考案の一実施例の断面図である。 ゛図
中、１・・・・・・半導体基板、２・・・・・・活性層
、３・・・・・・クラッド層ミ４・・・・・・埋め込み
層、５・・・・・・電流狭層、６・・・・・・電極形成
層、７・・・・・・ｎ電極、８・・・・・・Ｐ電極、９
・・・・・・活性領域上部、１０・・・・・・メサエッ
チング部である。
中、１・・・・・・半導体基板、２・・・・・・活性層
、３・・・・・・クラッド層ミ４・・・・・・埋め込み
層、５・・・・・・電流狭層、６・・・・・・電極形成
層、７・・・・・・ｎ電極、８・・・・・・Ｐ電極、９
・・・・・・活性領域上部、１０・・・・・・メサエッ
チング部である。
Claims (2)
- （１）導電形がｐ形の半導体基板上に形成された埋め込
み構造を有する半導体レーザにおいて、ｎ゛ 側電極が
活性領域の上部に位置する部分において除去されている
ことを特徴とする半導体レー、 ザ。 - （２） 剪記半導体基板がＩｎＰである実用新案登録
請求の範囲第１項記載の半導体レーザ。−
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222682U JPS58116259U (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222682U JPS58116259U (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58116259U true JPS58116259U (ja) | 1983-08-08 |
Family
ID=30024814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1222682U Pending JPS58116259U (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58116259U (ja) |
-
1982
- 1982-01-29 JP JP1222682U patent/JPS58116259U/ja active Pending
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