JP2001024279A - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ｐ型コンタクト層と電極とのオーミック抵抗
を低減した発振特性の良い半導体レーザ素子の製造方法
を提供することを目的とする。 【解決手段】 ｐ型窒化物半導体層１３上に、ｐ型コン
タクト層１４と第１のｐ電極２０とを順に積層した後、
第１の絶縁層１５によってリッジ形状のパターンを形成
してｐ型窒化物半導体層１３とｐ型コンタクト層１４と
第１のｐ電極２０との一部を除去し、さらにこれらの上
に第２の絶縁層１６を形成し、この第２の絶縁層１６上
にネガ系レジスト１７を形成し、基板１０の反対側から
露光した後、現像及びエッチングすることにより第１の
ｐ電極２０上の第１，２の絶縁層１５，１６を除去し、
前記第１のｐ電極２０上に第２のｐ電極２１を形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子
の製造方法に関し、特に、リッジ構造の半導体レーザ素
子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光記録、光通信、光ファイバアンプ励起
用等に用いられる半導体レーザ素子は、高性能化と共に
経済化が求められている。半導体レーザ素子の量産性に
優れた構造としてストライプ状のリッジを形成させるこ
とにより、光及び電流の閉じ込めを行う導波路構造が採
用されている。このリッジ構造の半導体レーザ素子の製
作工程について、図１４〜図１６を用いて説明する。

【０００３】まず、図１４（ａ）に示すように、サファ
イア製基板１０上に、厚み２μｍの窒化物半導体よりな
るｎ型窒化物半導体層１１と、厚み０．３μｍの窒化物
半導体よりなるｎ型光閉じこめ層（図示せず）と、厚み
０．１μｍの窒化物半導体よりなる活性層１２と、厚み
０．３μｍの窒化物半導体よりなるｐ型光閉じこめ層
（図示せず）と、厚み０．１μｍの窒化物半導体よりな
るｐ型窒化物半導体層１３と、厚み０．６μｍの窒化物
半導体よりなるｐ型コンタクト層１４とを順に結晶成長
法により形成する。

【０００４】続いて、図１４（ｂ）に示すように、厚み
０．５μｍのシリコン酸化膜よりなる絶縁層４０をＣＶ
Ｄにより形成し、さらに絶縁層４０にフォトリソグラフ
ィ法で第２のｐ電極４２形成領域のパターンを形成す
る。その後、図１４（ｃ）に示すように、ｐ型コンタク
ト層１４、ｐ型窒化物半導体層１３、ｐ型光閉じこめ
層、活性層１２、ｎ型光閉じこめ層およびｎ型窒化物半
導体層１１の一部をドライエッチング法で除去してｎ型
窒化物半導体層１１が表面に露出した状態とする。さら
に、ｎ型窒化物半導体層１１を確実に露出させるため、
０．２μｍの追加のドライエッチングを行う。この一連
のドライエッチングで絶縁層４０は減膜し、厚みが０．
４μｍとなる。

【０００５】図１５（ａ）に示すように、絶縁層４０と
ｎ型窒化物半導体層１１上にポジ系レジスト１８を形成
し、フォトリソグラフィ法でコンタクトホールパターン
を形成し、バファードフッ酸により絶縁層４０をウェッ
トエッチング法で除去する。次に、図１５（ｂ）に示す
ように、ポジ系レジスト１８を除去せずにｐ型コンタク
ト層１４とポジ系レジスト１８上に厚み０．８μｍのニ
ッケル及び金よりなる第１のｐ電極４１を蒸着法で形成
する。その後、図１５（ｃ）に示すように、ポジ系レジ
スト１８とポジ系レジスト１８の上部に形成された第１
のｐ電極４１とをリフトオフ法で除去する。

【０００６】さらに、図１６（ａ）に示すように、絶縁
層４０上にフォトリソグラフィ法で第２のｐ電極４２の
パターン（図示せず）を形成し、絶縁層４０と第１の電
極４１の上に厚み０．３μｍのチタンおよび金よりなる
第２のｐ電極４２を蒸着法で形成する。同様に、図１６
（ｂ）に示すように、ｎ型窒化物半導体層１１上にフォ
トリソグラフィ法でｎ電極２２のパターン（図示せず）
を形成し、ｎ型窒化物半導体層１１上に厚み０．３μｍ
のアルミニウムよりなるｎ電極２２を蒸着法で形成す
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このように、ｐ型コン
タクト層１４上部に絶縁層４０を形成し、その後、コン
タクトホールを形成してから第１のｐ電極４１を形成す
ると、ｐ型コンタクト層１４に絶縁層４０の不純物が浸
入したり、コンタクトホール形成時のバファードフッ酸
によるエッチングや洗浄によって不純物が付着するた
め、オーミック抵抗が増加し、半導体レーザ素子の特性
に悪影響を及ぼしてしまう。

【０００８】そこで、本発明においては、ｐ型コンタク
ト層と電極とのオーミック抵抗を低減した発振特性の良
い半導体レーザ素子の製造方法を提供する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ素
子の製造方法は、基板上にｎ型半導体層と活性層とｐ型
半導体層とを順に積層し、さらにｐ型半導体層上にｐ型
コンタクト層を積層した直後にｐ電極を積層するように
したものである。

【００１０】この発明によれば、ｐ型コンタクト層とｐ
電極との間に不純物が浸入したり付着したりすることが
ないため、ｐ型コンタクト層とｐ電極とのオーミック抵
抗を低減した発振特性の良い半導体レーザ素子が得られ
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、基板上に
ｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とを順に積層しリ
ッジ構造とする半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記ｐ型半導体層上にｐ型コンタクト層と第１のｐ電極
とを順に積層した後、前記ｐ型半導体層とｐ型コンタク
ト層と第１のｐ電極との一部を除去してリッジ構造を形
成し、さらに前記第１のｐ電極側の全面に絶縁層を形成
した後、前記第１のｐ電極上の前記絶縁層を除去し、前
記第１のｐ電極上に第２のｐ電極を形成することを特徴
とする半導体レーザ素子の製造方法である。これによ
り、ｐ型コンタクト層と第１のｐ電極との間に不純物が
浸入したり付着したりすることがないため、ｐ型コンタ
クト層と第１のｐ電極とのオーミック抵抗を低減した発
振特性の良い半導体レーザ素子が得られる。

【００１２】請求項２記載の発明は、前記絶縁層上にネ
ガ系レジストを形成し、前記基板の反対側から露光した
後、現像及びエッチングすることにより前記第１のｐ電
極上の絶縁層を除去することを特徴とする請求項１記載
の半導体レーザ素子の製造方法である。これにより、基
板反対側からの露光によって照射される光が第１のｐ電
極に遮られて第１のｐ電極の影となる部分以外が感光
し、これを現像するとネガ系レジストは第１のｐ電極の
影となる部分のみが除去されるため、これをエッチング
すると第１のｐ電極の影となる部分の絶縁層のみが高精
度に除去される。

【００１３】請求項３記載の発明は、基板上にｎ型半導
体層と活性層とｐ型半導体層とを順に積層しリッジ構造
とする半導体レーザ素子の製造方法であって、前記ｐ型
半導体層上にｐ型コンタクト層と第１のｐ電極とを順に
積層した後、前記ｐ型半導体層とｐ型コンタクト層と第
１のｐ電極との一部を除去してリッジ構造を形成し、さ
らに前記第１のｐ電極側の全面にポジ系レジストを形成
し、前記基板の反対側から露光した後、現像することに
より前記第１のｐ電極上以外の前記ポジ系レジストを除
去し、さらに前記第１のｐ電極側の全面に絶縁層を形成
した後、前記第１のｐ電極上の前記絶縁層を前記ポジ系
レジストと共に除去し、前記第１のｐ電極上に第２のｐ
電極を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製
造方法である。これにより、基板反対側からの露光によ
って照射される光が第１のｐ電極に遮られて第１のｐ電
極の影となる部分以外が感光し、これを現像するとポジ
系レジストは第１のｐ電極の影となる部分のみを残して
除去される。さらにこの上に絶縁層を形成した後、ポジ
系レジストを除去すると第１のｐ電極上の絶縁層のみが
ポジ系レジストと共に高精度に除去される。

【００１４】以下、本発明の実施の形態について、図１
〜図１３を用いて説明する。

【００１５】（実施の形態１）図１は本発明の第１実施
の形態における窒化物半導体レーザ素子の斜視図であ
る。

【００１６】図１に示すように、本発明の第１実施の形
態における窒化物半導体レーザ素子は、サファイア製基
板１０上に、窒化物半導体よりなるｎ型窒化物半導体層
１１とｎ型光閉じ込め層（図示せず）と活性層１２とｐ
型光閉じ込め層（図示せず）とｐ型窒化物半導体層１３
とｐ型コンタクト層１４が順に積層され、ｐ型窒化物半
導体層１３とｐ型コンタクト層１４の一部が除去されて
ストライプ状のリッジ構造とされている。この露出した
ｐ型窒化物半導体層１３の表面には絶縁層１６が形成さ
れ、ｐ型コンタクト層１４と電気的に接続された第１の
ｐ電極２０及び絶縁層１６上には、第２のｐ電極２１が
形成されている。さらに、ｎ型窒化物半導体層１１とｎ
型光閉じ込め層と活性層１２とｐ型光閉じ込め層とｐ型
窒化物半導体層１３の一部が除去されて、露出したｎ型
窒化物半導体層１１の表面にはｎ電極２２が形成されて
いる。

【００１７】次に、このような窒化物半導体レーザ素子
の製造方法について説明する。図２〜図５は本発明の第
１実施の形態における窒化物半導体レーザ素子の製造工
程を示す図、図６は本発明の第１実施の形態における窒
化物半導体レーザ素子の製造工程を示す詳細図であっ
て、（ａ）は露光工程を示す図、（ｂ）は現像工程を示
す図である。

【００１８】まず、図２（ａ）に示すように、サファイ
ア製基板１０上に、厚み２μｍの窒化物半導体よりなる
ｎ型窒化物半導体層１１と、厚み０．３μｍの窒化物半
導体よりなるｎ型光閉じこめ層（図示せず）と、厚み
０．１μｍの窒化物半導体よりなる活性層１２と、厚み
０．３μｍの窒化物半導体よりなるｐ型光閉じこめ層
（図示せず）と、厚み０．１μｍの窒化物半導体よりな
るｐ型窒化物半導体層１３と、厚み０．６μｍの窒化物
半導体よりなるｐ型コンタクト層１４とを順に結晶成長
法により形成する。

【００１９】ｐ型コンタクト層１４の形成直後に、図２
（ｂ）に示すように、ｐ型コンタクト層１４上に厚み
０．０８μｍのニッケル及び金よりなる第１のｐ電極２
０を形成する。その後、図２（ｃ）に示すように、第１
のｐ電極２０上に厚み０．３μｍのシリコン酸化膜より
なる第１の絶縁層１５をＣＶＤにより形成し、この第１
の絶縁層１５にフォトリソグラフィ法でリッジ形状のパ
ターンを形成する。

【００２０】次に、図３（ａ）に示すように、第１のｐ
電極２０、ｐ型コンタクト層１４およびｐ型窒化物半導
体層１３の一部をドライエッチング法で除去してｐ型窒
化物半導体層１３が表面に露出した状態とする。さら
に、ｐ型窒化物半導体層１３を確実に露出させるため、
０．０５μｍの追加のドライエッチングを行う。この一
連のドライエッチングで第１の絶縁層１５は減膜し、厚
みが０．２５μｍとなる。

【００２１】図３（ｂ）に示すように、ｐ型窒化物半導
体層１３上と第１の絶縁層１５上を含む全面に厚み０．
５μｍのシリコン酸化膜よりなる第２の絶縁層１６をＣ
ＶＤにより形成し、この第２の絶縁層１６にフォトリソ
グラフィ法で第２のｐ電極２１形成領域のパターンを形
成する。その後、図３（ｃ）に示すように、ｐ型窒化物
半導体層１３、ｐ型光閉じこめ層、活性層１２、ｎ型光
閉じこめ層およびｎ型窒化物半導体層１１の一部をドラ
イエッチング法で除去してｎ型窒化物半導体層１１が表
面に露出した状態とする。さらに、ｎ型窒化物半導体層
１１を確実に露出させるため、０．２μｍの追加のドラ
イエッチングを行う。この一連のドライエッチングで第
２の絶縁層１６は減膜し、厚みが０．４μｍとなる。

【００２２】次に、図４（ａ）に示すように、第１のｐ
電極２０側の全面、すなわち第２の絶縁層１６とｎ型窒
化物半導体層１１上にネガ系レジスト１７を形成し、基
板１０の裏面１０ａ側、すなわち基板１０に対してネガ
系レジスト１７の反対側から露光する。これを現像し
て、図４（ｂ）に示すように、第１のｐ電極２０上方の
みが開口したネガ系レジスト１７を形成する。ここで、
図６（ａ）を参照して、サファイア製基板１０、ｎ型窒
化物半導体層１１、ｎ型光閉じこめ層、活性層１２、ｐ
型光閉じこめ層、ｐ型窒化物半導体層１３、ｐ型コンタ
クト層１４は透明であり、基板１０の裏面１０ａ側から
露光した場合、リッジ構造に形成された第１のｐ電極２
０のみが光を透過しない。

【００２３】すなわち、基板１０の裏面１０ａ側からの
露光によって照射される光が第１のｐ電極２０に遮られ
て第１のｐ電極２０の影となる部分以外が感光し、これ
を現像すると、図６（ｂ）に示すように、ネガ系レジス
ト１７は第１のｐ電極２０の影となる部分のみが除去さ
れる。したがって、基板の裏面１０ａから露光すること
で第１のｐ電極２０上部にセルフアライメントでパター
ンを正確に形成することが可能となる。ここで、第１の
ｐ電極２０の厚みは０．０２５〜０．１μｍが望まし
く、第１のｐ電極２０の厚みが０．０２５μｍ未満の場
合は光を完全に遮光せず、現像時にネガ系レジストの残
膜が発生したり、コンタクトホールパターンの精度が悪
くなる場合がある。また、０．１μｍ超になるとリッジ
構造の段差が大きくなり、リッジ構造をカバーする第２
の絶縁層１６の膜厚を大きくしなければならなくなる。
したがって、第１のｐ電極２０の厚みは０．０２５μｍ
以上０．１μｍ以下とするのが適当である。

【００２４】その後、図４（ｃ）に示すように、バファ
ードフッ酸により第２の絶縁層１６を第１の絶縁層１５
と共にウェットエッチング法で除去すると、第１のｐ電
極２０の影となる部分の第１の絶縁層１５及び第２の絶
縁層１６のみが高精度に除去され、第１のｐ電極２０が
露出する。さらに、ネガ系レジスト１７を除去する。

【００２５】図５（ａ）に示すように、第２の絶縁層１
６上にフォトリソグラフィ法で第２のｐ電極２１のパタ
ーン（図示せず）を形成し、第２の絶縁層１６と第１の
ｐ電極２０の上に厚み０．３μｍのチタンおよび金より
なる第２のｐ電極２１を蒸着法で形成する。このとき、
第１のｐ電極２０とコンタクトホールのパターンの位置
合わせがセルフアライメントであるため、コンタクトホ
ールパターンは第１のｐ電極２０上面のみに形成され、
第２のｐ電極２１は第１のｐ電極２０のみに接続され
る。すなわち、第１のｐ電極２０上面以外が第２の絶縁
層１６によって絶縁されているため、第２のｐ電極２１
は第１のｐ電極２０を通してのみｐ型コンタクト層１４
に接続されることになり、電流狭窄幅は第１のｐ電極２
０の幅によって決定される。

【００２６】同様に、図５（ｂ）に示すように、ｎ型窒
化物半導体層１１上にフォトリソグラフィ法でｎ電極２
２のパターン（図示せず）を形成し、ｎ型窒化物半導体
層１１上に厚み０．３μｍのアルミニウムよりなるｎ電
極２２を蒸着法で形成する。

【００２７】以上のように、ｐ型コンタクト層１４を形
成した直後に第１のｐ電極２０を形成し、その後の製造
工程を進めて、第２のｐ電極２１を第１のｐ電極２０に
接続する製造方法によれば、ｐ型コンタクト層１４と第
１のｐ電極２０との間に不純物が浸入したり付着したり
することがないため、ｐ型コンタクト層１４と第１，２
のｐ電極２０，２１とのオーミック抵抗を低減した発振
特性の良い半導体レーザ素子が得られる。

【００２８】また、本実施の形態においては、セルフア
ライメントにより第１のｐ電極２０が形成されているた
め、ｐ型コンタクト層１４と第１のｐ電極２０が高精度
で位置合わせされ、リッジ構造によって作りつけられた
屈折率差の分布と活性層１２への電流注入分布にずれが
発生しない。したがって、ｐ型窒化物半導体層１１への
電流供給が均一となり、閾値電流および閾値電圧が低
く、光記録等の光源として極めて発振特性の良い半導体
レーザ素子が得られる。さらに、高精度なアライメント
装置を用いなくともｐ型コンタクト層１４と第１のｐ電
極２０の位置合わせが高精度に行われるため工程及び工
賃の削減が可能となり、本実施の形態における製造方法
は量産に適している。

【００２９】（実施の形態２）図７及び図８は本発明の
第２実施の形態における窒化物半導体レーザ素子の製造
工程を示す図、図９は本発明の第２実施の形態における
窒化物半導体レーザ素子の製造工程を示す詳細図であっ
て、（ａ）は露光工程を示す図、（ｂ）は現像工程を示
す図である。

【００３０】本発明の第２実施の形態における窒化物半
導体レーザ素子の製造方法は、ｐ型窒化物半導体層１
３、ｐ型光閉じこめ層、活性層１２、ｎ型光閉じこめ層
およびｎ型窒化物半導体層１１の一部をドライエッチン
グ法で除去してｎ型窒化物半導体層１１を表面に露出さ
せる工程までは、第１実施の形態において説明した図２
〜図３に示す工程と同様につき、ここでの説明を省略す
る。

【００３１】続いて、図７（ａ）に示すように、第１の
ｐ電極２０側の全面、すなわち第２の絶縁層１６とｎ型
窒化物半導体層１１上にポジ系レジスト１８を形成し、
図７（ｂ）及び図９（ａ）に示すように、フォトマスク
３０をポジ系レジスト１８に近接または密着させフォト
マスク３０側から露光する。これを現像し、図７（ｃ）
及び図９（ｂ）に示すように、フォトマスク３０の透過
部３１に対応した部分のみが開口したポジ系レジスト１
８を形成する。その後、図８（ａ）に示すようにバファ
ードフッ酸により第２の絶縁層１６を第１の絶縁層１５
と共にウェットエッチング法で除去する。

【００３２】その後、図８（ｂ）に示すように、第２の
絶縁層１６上にフォトリソグラフィ法で第２のｐ電極２
１のパターン（図示せず）を形成し、第２の絶縁層１６
と第１のｐ電極２０の上に厚み０．３μｍのチタンおよ
び金よりなる第２のｐ電極２１を蒸着法で形成する。同
様に、図８（ｃ）に示すように、ｎ型窒化物半導体層１
１上にフォトリソグラフィ法でｎ電極２２のパターン
（図示せず）を形成し、ｎ型窒化物半導体層１１上に厚
み０．３μｍのアルミニウムよりなるｎ電極２２を蒸着
法で形成する。

【００３３】以上のように、第２実施の形態における半
導体レーザ素子の製造方法においても、第１実施の形態
と同様、ｐ型コンタクト層１４を形成した直後に第１の
ｐ電極２０を形成し、その後の製造工程を進めて、第２
のｐ電極２１を第１のｐ電極２０に接続するため、ｐ型
コンタクト層１４と第１のｐ電極２０との間に不純物が
浸入したり付着したりすることがなく、ｐ型コンタクト
層１４と第１，２のｐ電極２０，２１とのオーミック抵
抗を低減した発振特性の良い半導体レーザ素子が得られ
る。

【００３４】但し、第２実施の形態における半導体レー
ザ素子の製造方法によると、フォトマスク３０の合わせ
の際、なるべく第１のｐ電極２０とコンタクトホールと
の位置がずれないように高精度なアライメント装置を利
用する必要がある。したがって、第１実施の形態におけ
る半導体レーザ素子の製造方法の方が望ましい方法であ
る。

【００３５】（実施の形態３）図１０〜図１２は本発明
の第３実施の形態における窒化物半導体レーザ素子の製
造工程を示す図である。

【００３６】本発明の第３実施の形態における窒化物半
導体レーザ素子の製造方法は、ｐ型窒化物半導体層１
３、ｐ型光閉じこめ層、活性層１２、ｎ型光閉じこめ層
およびｎ型窒化物半導体層１１の一部をドライエッチン
グ法で除去してｎ型窒化物半導体層１１を表面に露出さ
せる工程までは、第１実施の形態において説明した図２
〜図３に示す工程と同様につき、ここでの説明を省略す
る。

【００３７】図１０（ａ）に示すｎ型窒化物半導体層１
１を露出させた状態から、図１０（ｂ）に示すように、
第１，２の絶縁層１５，１６を完全に除去する。

【００３８】続いて、図１０（ｃ）に示すように、第１
のｐ電極２０側の全面、すなわちｎ型窒化物半導体層１
１、ｐ型窒化物半導体層１３及び第１のｐ電極２０上に
ポジ系レジスト１８を形成し、基板１０の裏面１０ａ側
から露光する。

【００３９】このとき、第１実施の形態において説明し
たように、リッジ構造に形成された第１のｐ電極２０の
みが光を透過しない。すなわち、基板１０の裏面１０ａ
側からの露光によって照射される光が第１のｐ電極２０
に遮られて第１のｐ電極２０の影となる部分以外が感光
し、これを現像すると、図１１（ａ）に示すように、ポ
ジ系レジスト１８は第１のｐ電極２０の影となる部分の
みを残して除去される。

【００４０】その後、図１１（ｂ）に示すように、第１
のｐ電極２０側の全面、すなわちｎ型窒化物半導体層１
１、ｐ型窒化物半導体層１３及びポジ系レジスト１８の
上に再び絶縁層１９を形成する。ここでポジ系レジスト
１８を除去すると、図１１（ｃ）に示すように、第１の
ｐ電極２０上の絶縁層１９のみがポジ系レジスト１８と
共に高精度に除去され、第１のｐ電極２０が露出する。
このとき、ポジ系レジスト１８は基板１０の裏面１０ａ
側から露光しているためポジ系レジスト１８のエッジ形
状が鋭角（９０度に近い状態）となる。従って、絶縁層
１９を形成してもポジ系レジスト１８のエッジには付着
せず、ポジ系レジスト１８の剥離液でポジ系レジスト１
８とその上部に付着した絶縁層１９を一緒に除去するこ
とが可能である。

【００４１】その後、図１２（ａ）に示すように、絶縁
層１９上にフォトリソグラフィ法で第２のｐ電極２１の
パターン（図示せず）を形成し、絶縁層１９と第１のｐ
電極２０の上に厚み０．３μｍのチタンおよび金よりな
る第２のｐ電極２１を蒸着法で形成する。このとき、第
１のｐ電極２０とコンタクトホールのパターンの位置合
わせがセルフアライメントであるため、第１実施の形態
と同様、コンタクトホールパターンは第１のｐ電極２０
上面のみに形成され、第２のｐ電極２１は第１のｐ電極
２０のみに接続される。

【００４２】そして、図１２（ｂ）に示すように、絶縁
層１９上にフォトリソグラフィ法でｎ電極２２のパター
ンをネガ系レジスト１７によって形成し、図１２（ｃ）
に示すようにバファードフッ酸により絶縁層１９をウェ
ットエッチング法で除去する。その後、図１３（ａ）に
示すようにｎ型窒化物半導体層１１及びネガ系レジスト
上に厚み０．３μｍのアルミニウムよりなるｎ電極２２
を蒸着法で形成し、図１３（ｂ）に示すようにネガ系レ
ジスト１７の上面に形成された余分なｎ電極２２をリフ
トオフ法で除去する。

【００４３】以上のように、第３実施の形態における半
導体レーザ素子の製造方法においても、第１実施の形態
と同様の理由により、ｐ型コンタクト層１４と第１のｐ
電極２０との間に不純物が浸入したり付着したりするこ
とがなく、ｐ型コンタクト層１４と第１，２のｐ電極２
０，２１とのオーミック抵抗を低減した発振特性の良い
半導体レーザ素子が得られる。

【００４４】また、第３実施の形態における半導体レー
ザ素子の製造方法においては、ウェットエッチング法で
のエッチング時間による微妙な制御を必要としないた
め、セルフアライメントによるさらに高精度なコンタク
トホールを形成することができる。その結果、ｐ型コン
タクト層１４と第１のｐ電極２０がより高精度に位置合
わせされるため、ｐ型窒化物半導体層１１への電流供給
が均一となり、閾値電流および閾値電圧の低い発振特性
の良い半導体レーザ素子が得られる。

【００４５】

【発明の効果】本発明により、以下の効果を奏すること
ができる。

【００４６】請求項１記載の発明によって、ｐ型コンタ
クト層と第１のｐ電極との間に不純物が浸入したり付着
したりすることがないため、ｐ型コンタクト層と第１の
ｐ電極とのオーミック抵抗を低減した発振特性の良い半
導体レーザ素子が得られる。

【００４７】請求項２記載の発明によって、基板反対側
からの露光によって照射される光が第１のｐ電極に遮ら
れて第１のｐ電極の影となる部分以外が感光し、これを
現像するとネガ系レジストは第１のｐ電極の影となる部
分のみが除去されるため、これをエッチングすると第１
のｐ電極の影となる部分の絶縁層のみが高精度に除去さ
れる。その結果、セルフアライメントにより第２のｐ電
極と第１のｐ電極とが高精度に位置合わせされ、ｐ型コ
ンタクト層と第１のｐ電極とのオーミック抵抗を低減
し、閾値電流および閾値電圧が低く発振特性の良い半導
体レーザ素子が得られる。

【００４８】請求項３記載の発明によって、基板反対側
からの露光によって照射される光が第１のｐ電極に遮ら
れて第１のｐ電極の影となる部分以外が感光し、これを
現像するとポジ系レジストは第１のｐ電極の影となる部
分のみを残して除去される。さらにこの上に絶縁層を形
成した後、ポジ系レジストを除去すると第１のｐ電極上
の絶縁層のみがポジ系レジストと共に高精度に除去され
る。このとき、ウェットエッチング法でのエッチング時
間による微妙な制御を必要としないため、セルフアライ
メントにより第２のｐ電極と第１のｐ電極とがさらに高
精度に位置合わせされ、ｐ型コンタクト層と第１のｐ電
極とのオーミック抵抗を低減し、閾値電流および閾値電
圧が低く発振特性の良い半導体レーザ素子が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施の形態における窒化物半導体
レーザ素子の斜視図

【図２】本発明の第１実施の形態における窒化物半導体
レーザ素子の製造工程を示す図

【図３】本発明の第１実施の形態における窒化物半導体
レーザ素子の製造工程を示す図

【図４】本発明の第１実施の形態における窒化物半導体
レーザ素子の製造工程を示す図

【図５】本発明の第１実施の形態における窒化物半導体
レーザ素子の製造工程を示す図

【図６】（ａ）本発明の第１実施の形態における窒化物
半導体レーザ素子の露光工程を示す図 （ｂ）本発明の第１実施の形態における窒化物半導体レ
ーザ素子の現像工程を示す図

【図７】本発明の第２実施の形態における窒化物半導体
レーザ素子の製造工程を示す図

【図８】本発明の第２実施の形態における窒化物半導体
レーザ素子の製造工程を示す図

【図９】（ａ）本発明の第２実施の形態における窒化物
半導体レーザ素子の露光工程を示す図 （ｂ）本発明の第２実施の形態における窒化物半導体レ
ーザ素子の現像工程を示す図

【図１０】本発明の第３実施の形態における窒化物半導
体レーザ素子の製造工程を示す図

【図１１】本発明の第３実施の形態における窒化物半導
体レーザ素子の製造工程を示す図

【図１２】本発明の第３実施の形態における窒化物半導
体レーザ素子の製造工程を示す図

【図１３】本発明の第３実施の形態における窒化物半導
体レーザ素子の製造工程を示す図

【図１４】従来の窒化物半導体レーザ素子の製造工程を
示す図

【図１５】従来の窒化物半導体レーザ素子の製造工程を
示す図

【図１６】従来の窒化物半導体レーザ素子の製造工程を
示す図

【符号の説明】

１０ 基板 １０ａ 裏面 １１ ｎ型窒化物半導体層 １２ 活性層 １３ ｐ型窒化物半導体層 １４ ｐ型コンタクト層 １５ 第１の絶縁層 １６ 第２の絶縁層 １７ ネガ系レジスト １８ ポジ系レジスト １９ 絶縁層 ２０ 第１のｐ電極 ２１ 第２のｐ電極 ２２ ｎ電極 ３０ フォトマスク ３１ 透過部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢野 振一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 AA13 BA02 BA06 BA07 CB05 DA21 EA23

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上にｎ型半導体層と活性層とｐ型半導
   体層とを順に積層しリッジ構造とする半導体レーザ素子
   の製造方法であって、前記ｐ型半導体層上にｐ型コンタ
   クト層と第１のｐ電極とを順に積層した後、前記ｐ型半
   導体層とｐ型コンタクト層と第１のｐ電極との一部を除
   去してリッジ構造を形成し、さらに前記第１のｐ電極側
   の全面に絶縁層を形成した後、前記第１のｐ電極上の前
   記絶縁層を除去し、前記第１のｐ電極上に第２のｐ電極
   を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方
   法。
2. 【請求項２】前記絶縁層上にネガ系レジストを形成し、
   前記基板の反対側から露光した後、現像及びエッチング
   することにより前記第１のｐ電極上の絶縁層を除去する
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子の製
   造方法。
3. 【請求項３】基板上にｎ型半導体層と活性層とｐ型半導
   体層とを順に積層しリッジ構造とする半導体レーザ素子
   の製造方法であって、前記ｐ型半導体層上にｐ型コンタ
   クト層と第１のｐ電極とを順に積層した後、前記ｐ型半
   導体層とｐ型コンタクト層と第１のｐ電極との一部を除
   去してリッジ構造を形成し、さらに前記第１のｐ電極側
   の全面にポジ系レジストを形成し、前記基板の反対側か
   ら露光した後、現像することにより前記第１のｐ電極上
   以外の前記ポジ系レジストを除去し、さらに前記第１の
   ｐ電極側の全面に絶縁層を形成した後、前記第１のｐ電
   極上の前記絶縁層を前記ポジ系レジストと共に除去し、
   前記第１のｐ電極上に第２のｐ電極を形成することを特
   徴とする半導体レーザ素子の製造方法。