JPH04329688A - リッジ導波路型半導体レーザ素子の製作方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、リッジ導波路型半導体
レーザ素子の製作方法に関する。

【０００２】

【従来技術】従来のリッジ導波路型半導体レーザ素子は
、例えば図２（ａ）〜（ｆ）に示しす工程により製作さ
れる。即ち、 １）先ず、図２（ａ）に示すダブルヘテロ構造の半導体
層を製作する。図中、１はＧａＡｓ基板、２はＧａＡｓ
バッファ層、３はｎ−ＩｎＧａＰクラッド層、４は歪量
子井戸活性層、５ａ、５ｂはｐ−ＩｎＧａＰクラッド層
、６はＧａＡｓエッチング停止層、７はｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層である。 ２）次いで、フォトリソグラフィ技術を用いてレジスト
８をパターニングし（図２（ｂ））、それをマスクとし
て、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７をエッチングする（図
２（ｃ））。なお、このコンタクト層のエッチャントに
は酒石酸：過酸化水素＝２０：１の溶液を用いる。 ３）次いで、レジスト８をリムーバにて除去し、残った
コンタクト層７をマスクとしてクラッド層５ｂをエッチ
ング停止層６までエッチングし、リッジストライプを形
成する（図２（ｄ））。なお、このクラッド層５ｂのエ
ッチャントには、塩酸：りん酸＝１：３の溶液を用いる
。 ４）次いで、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法
などを用いて、ＳｉＯ２　、ＳｉＮＸ　などの誘電体膜
９を全面に成膜する（図２（ｅ））。 ５）次いで、フォトリソグラフィ技術を用いて、リッジ
ストライプ上に目抜き部１０が来るようにレジストをパ
ターンニングし、それをマスクにして目抜き部１０を形
成し、電流注入部とする（図２（ｆ））。なお、この目
抜き部１０のエッチングには、濃度７％のバッファード
フッ酸を用いる。 ６）最後に、エピタキシャル半導体層側にＴｉ−Ｐｔ−
Ａｕの順に電極を蒸着し、基板１側には、へき開し易い
ように厚さ１００μｍまで研磨した後、ＡｕＧｅＮｉ−
Ａｕの順に電極を蒸着する。また、半導体層と金属電極
の密着を良くする目的で、Ｈ２　雰囲気中で４２０℃の
シンタリングを行う。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
リッジ導波路型半導体レーザ素子の製作方法には次のよ
うな問題があった。この製作方法には、フォトリソグラ
フィ技術を用いて、リッジストライプ（幅は３μｍ程度
である）上に目抜き部１０（幅は１μｍ程度である）が
来るようにレジストをパターンニングし、それをマスク
にして目抜き部１０をエッチングで形成する工程がある
が、この工程は技術的に困難であった。即ち、目抜き部
１０の位置がずれてしまい、リッジストライプのコンタ
クト層７上ではなく、クラッド層５ｂ上に目抜き部１０
が形成され、信頼性が低下する恐れがあった。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決したリッジ導波路型半導体レーザ素子の製作方法を提
供するもので、半導体層上に形成されたリッジストライ
プ上に電流注入部を有するリッジ導波路型半導体レーザ
素子の製作方法において、半導体層上のリッジストライ
プを形成する部分にレジストを配置し、該レジストをマ
スクとして半導体層のエッチングを行うことによって半
導体層のリッジストライプを形成する工程と、前記工程
に次いで、リッジストライプを有する面上に誘電体膜を
成膜し、その後、リッジストライプ上の前記レジストを
除去する工程を有することを特徴とするものである。

【０００５】

【作用】上述のように、レジストをマスクとしてエッチ
ングを行いリッジストライプを形成する際、多少オーバ
ー気味にエッチングを行うと、レジストと半導体層の界
面にはサイドエッチングが起こり、レジストはリッジス
トライプ上に庇状になって載置される。次いで、スパッ
タリング法などにより、リッジストライプを有する面上
に誘電体膜を成膜すると、レジストの庇で遮られ影にな
るリッジストライプ側面部分には、誘電体膜は成膜され
ない。したがって、リムーバーを用いて、この誘電体膜
が成膜されない部分からレジストをリフトオフすると、
リッジストライプ上のみ誘電体膜を除去することができ
、リッジストライプ上に正確に電流注入部を形成するこ
とができる。

【０００６】

【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて本発明
を詳細に説明する。図１（ａ）〜（ｆ）は本発明にかか
るリッジ導波路型半導体レーザ素子の製作方法の一実施
例の製作工程説明図である。その製作は次の通りである
。即ち、 １）半導体基板（図示されず）上にＩｎＧａＰクラッド
層１３ｂ、ＧａＡｓエッチング停止層１４、ＩｎＧａＰ
クラッド層１３ａ、ＧａＡｓコンタクト層１２が順次積
層されており、このＧａＡｓコンタクト層１２にＳｉＯ
２　またはＳｉＮＸ　からなる誘電体膜１１を成膜し、
その後、フォトリソグラフィ技術を用いて２０μｍ幅で
ストライプ状に前記誘電体膜１１を目抜く（図１（ａ）
）。 ２）次いで、前記目抜いた部分に、フォトリソグラフィ
技術を用いて、レジスト１５を目抜きのほぼ中央にくる
ように配置する（図１（ｂ））。 ３）前記レジスト１５をマスクとして、ＧａＡｓコンタ
クト層１２をエッチングする。使用したエッチャントは
従来と同様に、酒石酸：過酸化水素＝２０：１の溶液で
ある（図１（ｃ））。 ４）次いで、ＩｎＧａＰクラッド層１３ａをＧａＡｓエ
ッチング停止層１４までエッチングを行いリッジストラ
イプを形成する（図１（ｄ））。使用エッチャントは従
来と同様に、塩酸：りん酸＝１：３の溶液である。この
際、多少オーバー気味にエッチングすることにより、サ
イドエッチングが起こり、レジスト１５がリッジストラ
イプ上で庇状になる。 ５）次いで、スパッタリング法によりＳｉＯ２　などの
誘電体膜１６を成膜する。この誘電体膜１６は、リッジ
ストライプのレジスト１５の庇で遮られた影の部分には
成膜されない（図１（ｅ））。 ６）次いで、リムーバーを用いて、前記誘電体膜１６が
成膜されない部分からレジスト１５をリフトオフすると
、電流注入部分をリッジストライプ上に露出させること
ができる（図１（ｆ））。 以上の製作工程では、リッジストライプの作製に用いた
レジストを、そのまま電流注入部分を露出させるための
リフトオフの工程に用いているため、従来方法で電流注
入部分を形成する際に必要となった精密な目合わせの技
術は不要となる。

【０００７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体層上に形成されたリッジストライプ上に電流注入部
を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子の製作方法に
おいて、リッジストライプを形成する部分にレジストを
配置し、該レジストをマスクとしてエッチングを行いリ
ッジストライプを形成する工程と、前記工程に次いで、
リッジストライプを有する面上に誘電体膜を成膜し、そ
の後、リッジストライプ上の前記レジストを除去する工
程を有するため、電流注入部分を形成する精密な目合わ
せの技術が不要になるという優れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明にかかるリッジ導波路
型半導体レーザ素子の製作方法の一実施例の製作工程説
明図である。

【図２】（ａ）〜（ｆ）は従来のリッジ導波路型半導体
レーザ素子の製作方法の製作工程説明図である。

【符号の説明】

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　半導体層上に形成されたリッジストラ
   イプ上に電流注入部を有するリッジ導波路型半導体レー
   ザ素子の製作方法において、半導体層上のリッジストラ
   イプを形成する部分にレジストを配置し、該レジストを
   マスクとして半導体層のエッチングを行うことによって
   半導体層のリッジストライプを形成する工程と、前記工
   程に次いで、リッジストライプを有する面上に誘電体膜
   を成膜し、その後、リッジストライプ上の前記レジスト
   を除去する工程を有することを特徴とするリッジ導波路
   型半導体レーザ素子の製作方法。