JP2006147906A - リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板2上にクラッド層3、活性層4、第1クラッド層5、エッチングストップ層6、第2クラッド層7a及びキャップ層8aを順次形成した後、所定領域のキャップ層8aと第2クラッド層7aとを除去してリッジストライプ構造9を形成し、リッジストライプ構造9とエッチングストップ層6上に電流狭窄層101A〜103A及び電流狭窄キャップ層104〜106を形成し、電流狭窄キャップ層上にレジスト19を塗布した後エッチングして電流狭窄キャップ層106の一部を露出させ、レジスト19aをマスクとして電流狭窄キャップ層106及び電流狭窄層103を順次エッチングしてキャップ層8を露出させ、レジスト19aを除去し電流狭窄キャップ層及びキャップ層8を覆ってコンタクト層11Aを形成する。
【選択図】図1
Description
従来例のリッジ導波路型半導体レ−ザ素子1は、以下に示す構造をしている。
n−GaAsからなる基板2上には、n−Al0.5Ga0.5Asからなるn型クラッド層3、活性層4、p−Al0.5Ga0.5Asからなるp型第1クラッド層5、p−Al0.7Ga0.3Asからなるエッチングストップ層6が順次積層されている。
エッチングストップ層6上には、n−Al0.6Ga0.4Asからなる電流狭窄層101、102により挟まれたp−Al0.5Ga0.5Asからなるp型第2クラッド層7とp−GaAsからなるキャップ層8とが積層されたリッジストライプ構造9が形成されている。
なお、これら積層方向と反対側の基板2の面上には、n型オ−ミック電極13が形成されている。
これらp型オ−ミック電極12及びn型オ−ミック電極13側からそれぞれ正孔、電子を注入して電流を流し、それが発振しきい値以上になるとレ−ザ発振が生じ、活性層4からレ−ザ光が放出される。
図5は、従来例のリッジ導波路型半導体レ−ザ素子の製造工程図である。
(第1工程)
まず、例えばMOCVD(Metal Oganic Chemical Vapor Depositin)法により、n−GaAsからなる基板2上に、厚さ1.5μmのn−Al0.5Ga0.5Asからなるn型クラッド層3、厚さ0.07μmのAl0.13Ga0.87Asからなる活性層4、厚さ0.3μmのp−Al0.5Ga0.5Asからなるp型第1クラッド層5、厚さ0.03μmのp−Al0.7Ga0.3Asからなるエッチングストップ層6、厚さ0.7μmのp−Al0.5Ga0.5Asからなるp型第2クラッド層7a、厚さ0.3μmのp−GaAsからなるキャップ層8aを順次積層する(図5の(A))。
次に、このp−GaAsからなるキャップ層8a上に、例えばスパッタ法によりSiO2絶縁膜を形成後、この絶縁膜上に図示しないフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法及びドライエッチング法により、SiO2からなるストライプマスク14を形成する(図5の(B))。
次に、p−Al0.5Ga0.5Asからなるp型第2クラッド層7a及びp−GaAsからなるキャップ層8を、酒石酸により、p−Al0.7Ga0.3Asからなるエッチングストップ層6までエッチングして、SiO2からなるストライプマスク14以外の領域を除去し、リッジストライプ構造9を形成する(図5の(C))。
ここで、p−Al0.7Ga0.3Asからなるエッチングストップ層6に対する酒石酸のエッチングレ−トは、p−Al0.5Ga0.5Asからなるp型第2クラッド層7aよりも2桁程度小さいので、制御性良く選択的にエッチングストップ層6でエッチングを停止することができる。
次に、例えばMOCVD法により第2回目の成長を行い、露出しているエッチングストップ層6上及びリッジストライプ構造9の両側面にn−Al0.6Ga0.4Asからなる電流狭窄層101、102を積層する(図5の(D))。
このとき、n−Al0.6Ga0.4Asからなる電流狭窄層101、102を厚く形成すると、選択成長されずにストライプマスク14上にn−Al0.6Ga0.4Asのポリ結晶が付着するため、ストライプマスク14上に成長が行われない程度の厚さ(0.3μm)までの電流狭窄層101、102を成長させる。
次に、エッチングによりSiO2からなるストライプマスク14を除去して、キャップ層8を露出させる。次いで、例えばMOCVD法により、第3回目の成長を行い、電流狭窄層101、102及びキャップ層8上にp−GaAsからなるコンタクト層11を形成する。次いで、コンタクト層11上にp型オ−ミック電極12を形成すると共に、基板2の上記した積層方向と反対側の面上に、n型オ−ミック電極13を形成して、図4に示したリッジ導波路型半導体レ−ザ素子1を得る(図5の(E))。
しかしながら、図5の(D)を参照して先に説明したように、この電流狭窄層101、102の厚さを0.3μm以上の厚さまで成長させようとすると、ストライプマスク14上にn−Al0.6Ga0.4Asのポリ結晶が付着形成されてしまう。このSiO2からなるストライプマスク14上のポリ結晶(導電性が低い)は、除去するのが困難であり、従って、また、絶縁性のストライプマスク14を除去出来ない。このため、コンタクト層11を形成しても、ポリ結晶及びストライプマスク14に遮断されて、コンタクト層11はリッジストライプ構造9と有効なコンタクトをとることができない。そのため、この電流狭窄層101、102の厚さを、0.3μmよりも厚い値に設定することが出来ないといった問題があった。
なお、説明の簡便のため、前述した従来例の構成と同一の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
(第1工程)乃至(第3工程)
本実施例の製造工程においては、まず、第1工程から第3工程までは、前述した従来例の第1工程(図5の(A))から第3工程(図5の(C))までと同様であるので、その説明を省略する。
前記従来例と同様に第3工程を終えた後、次に、ストライプマスク14を除去し、例えばMOCVD法により第2回目の成長を行い、露出したp−Al0.7Ga0.3Asからなるエッチングストップ層6上及びリッジストライプ構造9の両側面に厚さ0.7μmのn−Al0.6Ga0.4Asからなる電流狭窄層101A、102A、103Aおよび厚さ0.5μmのn−GaAsからなる電流狭窄キャップ層104、105、106を形成する(図1の(A))。
次に、フォトレジスト19をスピンコート等の方法で全面に塗布する。このとき、フォトレジスト19は電流狭窄キャップ層106を覆ってしまうようにする(図1の(B))。
次に、フォトレジスト19をアッシング等の方法でエッチバックし、電流狭窄キャップ層106の頭部が露出するようにした、セルフアライメントで形成されたフォトレジスト19aを得る(図1の(C))。
次に、フォトレジスト19aをマスクにして、GaAsを選択的にウエットエッチングするエッチング液によってn−GaAsからなる電流狭窄キャップ層104、105、106をエッチングし、n−Al0.6Ga0.4Asからなる電流狭窄層103Aを露出させる。このときサイドエッチングによってフォトレジスト19aにマスクされている電流狭窄キャップ層106も一部エッチングされるが、電流狭窄層101A、102A、103Aが存在するため、リッジストライプ構造の側面20が露出されず、従って、p−第2クラッド層7が露出されることはない(図1の(D))。
まず、比較例1について説明する。
比較例1においては、実施例1の第1工程から第3工程までと同様に第1工程から第3工程まで行う。その後、露出しているエッチングストップ層6及びリッジストライプ構造9の両側面及び上面に所定の電流狭窄層101A、102A、103Aを形成する。次に、電流狭窄層101A、102A、103A上に、電流狭窄キャップ層を形成することなく、フォトレジストを塗布し、リッジストライプ構造9上の電流狭窄層103Aの一部が露出するように、エッチバックする。こうして、マスクとなるフォトレジスト19bが得られる(第4工程:図2の(A))。
比較例2においては、第1工程から第3工程まで、実施例と同様に行う。第4工程は比較例1と同様に行う(図3の(A))。
次に、露出したn−Al0.6Ga0.4Asからなる電流狭窄層103Aをフォトレジスト19bをマスクとしてエッチングするが、このときのエッチングを非選択的なウェットエッチング又はドライエッチングで行うと、電流狭窄層103Aの上部の形状をそのまま反映してエッチングが進み、キャップ層8Aとp型第2クラッド層7Aとなり、やはりリッジストライプ構造の側面20Bが露出してしまう(図3の(B))。
従って、図1に示すように、電流狭窄層101A、102A、103A上に、n−GaAsからなる電流狭窄キャップ層104、105、106を形成することが必要となる。
(第8工程)
次に、フォトレジスト19aをマスクにして、n−Al0.6Ga0.4Asからなる電流狭窄層103Aをドライエッチでエッチングし、p−GaAsからなるキャップ層8を露出させる(図1の(E))。このときのエッチングはエッチング形状の制御が容易なドライエッチングが好ましいが、非選択的なウェットエッチングでも、AlGaAsを選択的にエッチングするウェットエッチングでもかまわない。
次に、フォトレジスト19Aを除去し、例えばMOCVD法により、第3回目の成長を行い、電流狭窄キャップ層104、105及び前工程でエッチングされずに残って露出した電流狭窄層103A1、103A2及びキャップ層8上に、p−GaAsからなるコンタクト層11Aを形成する。このときコンタクト層11Aは直接p型第2クラッド層7に触れることがない。次いで、コンタクト層11A上にp型オ−ミック電極12を形成すると共に、n−GaAsからなる基板2の前記した積層方向と反対側の面上にn型オ−ミック電極13を形成して、リッジ導波路型半導体レ−ザ素子1Aを得る。
Claims (1)
- 半導体基板上に第1導電型クラッド層、活性層、第1の第2導電型クラッド層、第2導電型エッチングストップ層、第2の第2導電型クラッド層上に第2導電型キャップを有する矩形状のリッジ部が順次積層され、前記エッチングストップ層上及び前記リッジ部の両側面に第1導電型電流狭窄層、第1導電型電流狭窄キャップ層が形成され、更に前記第1導電型電流狭窄層及び前記リッジ部の上部に第2導電型コンタクト層が形成されたリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法において、
前記第2導電型エッチングストップ層上に前記リッジ部を形成した後、前記第2導電型エッチングストップ層上に前記リッジ部を覆うようにして前記第1導電型電流狭窄層、前記第1導電型電流狭窄キャップ層を順次形成し、
前記第1導電型電流狭窄キャップ層上に前記リッジ部の上部に対応する前記第1導電型電流狭窄キャップ層が開口するフォトレジストパターンを形成し、
前記フォトレジスパターンから開口した前記第1導電型電流狭窄キャップ層表面から前記リッジ部の第2導電型キャップ層表面に達するまでエッチングを行って前記第2の第2導電型クラッド層を露出させ、
前記フォトレジストパターンを除去後、前記第1導電型電流狭窄キャップ層及び前記リッジ部の前記第2導電型キャップ層上に第2導電型コンタクト層を形成することを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法。
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US7747128B2 (en) * | 2007-09-03 | 2010-06-29 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Waveguide device |
CN107257082A (zh) * | 2017-07-05 | 2017-10-17 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种脊波导激光器电极接触窗口的制作方法 |
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