JP2007318077A - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
を提供する。
【解決手段】n型GaAs基板2上にn型AlGaInPクラッド層3と、活性層4と、第1のp型AlGaInPクラッド層5と、p型エッチングストップ層6と、第2のp型AlGaInPクラッド層7と、p型障壁緩和層8と、p型GaAsキャップ層9とを順次積層し、共振器端面近傍のp型GaAsキャップ層9を除去して開口部を形成した後、この開口部にZnO層11を形成し、次に、熱処理を行って、ZnO層11に含まれるZnを活性層4まで拡散を行って窓領域Mを形成し、次に、共振器長方向に窓領域Mを覆うようにしたストライプ状の絶縁膜マスクパターン16を形成し、次に選択エッチング液を用いて、p型GaAsキャップ層9のみをエッチング除去した後、リッジ部17を形成する。
【選択図】 図1
Description
特許文献1には、窓構造を有する半導体レーザ素子の製造方法について記載されている。
以下に、この半導体レーザ素子の製造方法について説明する。
n型GaAs基板上にn型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層、GaInPウェルとAlGaInPバリアとで構成される多重量子井戸活性層、第1のp型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層、p型Ga0.5In0.5Pエッチングストップ層と、第2のp型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層、GaInPからなるp型障壁緩和層、p型GaAsキャップ層を順次積層し、このp型GaAsキャップ層上に共振器端面(窓部)に相当する部分を開口したSiNx膜を形成する。
次に、ZnO膜、SiO2膜及びSiNx膜を順次取り除いた後、窓部に相当する部分を覆い共振器方向に沿ったストライプ状のSiO2膜を形成する。
次に、共振器端面に相当するSiO2膜を除去し、残ったSiO2膜をマスクとして、n型GaAsブロック層を選択成長する。この後、残ったSiO2膜も除去した後、p型GaAsコンタクト層を形成して半導体レーザ素子を作製する。
また、多重量子井戸活性層が無秩序化するだけでなく、多重量子井戸活性層よりも上にあるp型Ga0.5In0.5Pエッチングストップ層104にもZn拡散がなされているため、p型Ga0.5In0.5Pエッチングストップ層104も無秩序化して、選択エッチング液に対するエッチングストップ効果が低下してしまい、安定したリッジ部を作製することができないといった問題も生じる。
このため、半導体レーザ素子の生産歩留まりを低下させていた。
第2の発明は、前記GaAsキャップ層のみをエッチング除去する方法は、ドライエッチングであることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
第3の発明は、第1導電型GaAs基板上に第1導電型(AluGa1−u)0.5In0.5Pクラッド層(0<U<1)と、GaInP単層又は多重量子井戸活性層と、第1の第2導電型(AlvGa1−v)0.5In0.5Pクラッド層(0<V<1)と、第2導電型(AlwGa1−w)0.5In0.5P単層又は多重量子井戸エッチングストップ層(0<W<1)と、第2の第2導電型(AlxGa1−x)0.5In0.5Pクラッド層(0<X<1)と、第2導電型GaInP障壁緩和層と、第2導電型GaAsキャップ層とを順次積層し、次に、共振器端面近傍の前記第2導電型GaAsキャップ層を除去して開口部を形成して、前記第2導電型GaInP障壁緩和層を露出させ、この開口部から露出した前記第2導電型GaInP障壁緩和層上にZnO層を形成し、次に、熱処理を行って、前記ZnO層に含まれるZnを前記GaInP単層又は前記多重量子井戸活性層まで拡散を行って窓領域を形成し、次に、前記ZnO層を除去した後、前記窓領域における前記第2導電型GaInP障壁緩和層及び前記第2導電型GaAsキャップ層上に、共振器長方向に沿ったストライプ状の絶縁膜マスクパターンを形成し、次に、前記窓領域における前記ストライプ状の絶縁膜マスクパターン及び前記窓領域における前記第2導電型GaInP障壁緩和層のみを覆うフォトレジストパターンを形成し、次に、前記フォトレジストパターンで覆われていない前記窓領域以外の領域における前記ストライプ状の絶縁膜マスクパターンから露出した第2導電型GaAsキャップ層のみをエッチング除去した後、引き続いて、前記第2導電型GaInP障壁緩和層の途中までエッチングし、次に、前記フォトレジストパターンを除去した後、前記第2導電型GaInP障壁緩和層から前記第2導電型(AlwGa1−w)0.5In0.5P単層又は多重量子井戸エッチングストップ層の表面に達するまでエッチングを行ってリッジ部を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
また、窓領域におけるストライプ状の絶縁膜マスクパターン及び窓領域における第2導電型GaInP障壁緩和層のみを覆うフォトレジストパターンを形成し、次に、フォトレジストパターンで覆われていない窓領域以外の領域におけるストライプ状の絶縁膜マスクパターンから露出した第2導電型GaAsキャップ層のみをエッチング除去した後、引き続いて、第2導電型GaInP障壁緩和層の途中までエッチングし、次に、フォトレジストパターンを除去した後、第2導電型GaInP障壁緩和層から第2導電型(AlwGa1−w)0.5In0.5P単層又は多重量子井戸エッチングストップ層の表面に達するまでエッチングを行ってリッジ部を形成しても同様な効果が得られる。
図1は、本発明の第1の実施の形態における半導体レーザ素子の製造方法の(積層工程)乃至(絶縁膜形成及びZn拡散工程)の断面を示し、(A)乃至(D)は、レーザ光が出射する窓部側から見た正面図及び断面図である。
図2は、本発明の第1の実施の形態における半導体レーザ素子の製造方法の(選択的除去工程)の断面を示し、(A)乃至(D)は、レーザ光が出射する窓部側から見た正面図及び断面図である。
図3は、本発明の第1の実施の形態における半導体レーザ素子の製造方法の(リッジ部形成工程)乃至(電極形成工程)の断面を示し、(A)及び(B)は、レーザ光が出射する窓部側から見た正面図及びその断面図である。図4は、本発明の第2の実施の形態における半導体レーザ素子の製造方法の(選択的除去工程)を説明するための図である。図5は、本発明の第3の実施の形態における半導体レーザ素子の製造方法の(選択的除去工程)を示し、(A)乃至(D)は、レーザ光が出射する窓部側から見た正面図及び窓部と反対側の正面図である。
(第1の実施の形態)
(積層工程)
図1(A)に示すように、本発明における第1の実施の形態における半導体レーザ素子1は、MOVPE(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)法やMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法により、n型GaAs基板2上に厚さ3μmのn型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層3と、厚さ6nmのGa0.5In0.5Pウェルと厚さ4nmの(A0.5Ga0.5)In0.5Pバリアの多重量子井戸からなる活性層4と、厚さ0.4μmの第1のp型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層5と、厚さ2nmのp型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5Pと厚さ4nmのp型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pの多重量子井戸からなるエッチングストップ層6と、厚さ1.5μmの第2のp型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層7と、GaInP等からなるp型障壁緩和層8と、p型GaAsキャップ層9とを順次積層する。
ここで、エッチングストップ層6は、p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P単層のみでも良い。
図1(B)に示すように、p型GaAsキャップ層9上にフォトレジストを塗布し、露光・現像を行って、中央部に開口部10Aを有し、共振器長方向に沿ったストライプ状のフォトレジストパターン10を形成する。
図1(C)に示すように、フォトレジストパターン10の開口部10Aからp型GaAsキャップ層9をエッチング除去して、p型障壁緩和層8を露出する。
この後、フォトレジストパターン10を除去する。
図1(D)に示すように、p型GaAsキャップ層9及びZnO層11上に酸化珪素、窒化珪素等の絶縁膜12を形成する。この後、熱処理によって、ZnO層11に含まれるZnを活性層4に達するまで拡散して拡散層13を形成する。
こうして、共振器端面近傍のみに窓領域Mを形成する。
この後、ZnO層11及び絶縁膜12を除去する。
図2(A)に示すように、p型障壁緩和層8及びp型GaAsキャップ層9上に酸化珪素、窒化珪素等の絶縁膜14を形成した後、この絶縁膜14上に共振器長方向に沿ったストライプ状のフォトレジストパターン15を形成する。
次に、図2(B)に示すように、フォトレジストパターン15から露出した絶縁膜14をエッチングして共振器長方向に沿ったストライプ状の絶縁膜マスクパターン16を形成する。次に、図2(C)に示すように、絶縁膜マスクパターン16で覆われた以外のp型GaAsキャップ層9を選択エッチング液を用いてエッチングする。選択エッチング液には、InGaP又はAlGaInPをエッチングしない燐酸と過酸化水素水の混合液が用いられる。
図2(D)に示すように、ICP−RIE(反応性エッチング)等のドライエッチングにより、絶縁膜マスクパターン16で覆われていないp型障壁緩和層8からp型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層7の途中までエッチングする。
次に、図3(A)に示すように、選択エッチング液を用いて、残りのp型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層7をエッチングストップ層6に達するまでエッチングを行って、p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層7、p型障壁緩和層8及びp型GaAsキャップ層9からなるリッジ部17を形成する。
この際、選択エッチング液には、Al組成の低いAlGaInP又はInGaPと比べて、Al組成の高いAlGaInPを比較的速くエッチングする硫酸エッチング液、酒石酸と塩酸の混合液が用いられる。
図3(B)に示すように、絶縁マスクパターン16を除去後、エッチングストップ層6、p型GaAsキャップ層9及びリッジ部17上に絶縁層18を形成した後、リッジ部17上の絶縁層18のみを除去してリッジ部17のp型GaAsキャップ層9を露出させる。
このリッジ部17から露出したp型GaAsキャップ層9上にTi/Pt/Au等からなるp型オーミック電極19を形成し、積層方向と反対側のn型GaAs基板2にn型オーミック電極20を形成して半導体レーザ素子1を作製する。
第2の実施の形態は、第1の実施の形態における工程中、(選択的除去工程)のみが異なり、それ以外は同様である。
以下では、第2の実施の形態における(選択的除去工程)について図2に図4を併せ用いて説明する。
(選択的除去工程)
第1の実施の形態の(選択的除去工程)において、図2(B)に示すように、共振器長方向に沿ったストライプ状の絶縁膜マスクパターン16を形成した後、図2(C)に示すように、絶縁膜マスクパターン16で覆われた以外のp型GaAsキャップ層9をCl2系のガスを用い、150℃未満の温度条件でドライエッチングにより選択的に行う。上記の条件でドライエッチングを行うのは、GaがCl2と反応して塩化物となると常温近傍でも容易に脱離してエッチングが進行するが、Inの塩化物は、150℃以上に加熱しないと脱離が進まないため、p型障壁緩和層8との選択性が増すからである。
以下は、(第1の実施の形態)の工程と同様である。
このため、ウェットエッチングで行う場合に比較して、p型GaAsキャップ層9の幅を広くすることができ、低抵抗なリッジ部17を形成することができる。
この結果、半導体レーザ素子を動作させた際の熱の発生が抑制されるため、半導体レーザ素子の耐熱性及び寿命をより向上させることができる。
第3の実施の形態は、第1の実施の形態における工程中、(選択的除去工程)のみが異なり、それ以外は同様である。
以下では、第3の実施の形態における(選択的除去工程)について図2に図5を併せ用いて説明する。
(選択的除去工程)
第1の実施の形態の(選択的除去工程)における図2(B)に示すように、ストライプ状の絶縁膜マスクパターン16を形成した後、図5(A)に示すように、窓領域Mにおける拡散層13上及び絶縁膜マスクパターン16上のみにフォトレジストパターン21を形成する。
選択エッチング液には、GaAsをエッチングし、GaInP又はAlGaInPをエッチングしない燐酸と過酸化水素水との混合液が用いられる。
引き続いて、図5(C)に示すように、p型障壁緩和層8の途中までエッチングして薄くする。この後、図5(D)に示すように、フォトレジストパターン21を除去する。
この結果、エッチングストップ層6からの高さは、窓領域Mでは、第2のp型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層7と、p型障壁緩和層8とからなるのに対して、窓領域M以外では、第2のp型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層7と、途中までエッチングされた薄いp型障壁緩和層8とからなるので、窓領域Mの方が高くなる。即ち、エッチングストップ層6からの第2のp型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層7と、p型障壁緩和層8の合計厚さは、窓領域Mの方が窓領域M以外の領域よりも厚くなっている。
以下は、(第1の実施の形態)の工程と同様である。
このため、第1の実施の形態と同様の効果が得られる。
Claims (3)
- 第1導電型GaAs基板上に第1導電型(AluGa1−u)0.5In0.5Pクラッド層(0<U<1)と、GaInP単層又は多重量子井戸活性層と、第1の第2導電型(AlvGa1−v)0.5In0.5Pクラッド層(0<V<1)と、第2導電型(AlwGa1−w)0.5In0.5P単層又は多重量子井戸エッチングストップ層(0<W<1)と、第2の第2導電型(AlxGa1−x)0.5In0.5Pクラッド層(0<X<1)と、第2導電型GaInP障壁緩和層と、第2導電型GaAsキャップ層とを順次積層し、
次に、共振器端面近傍の前記第2導電型GaAsキャップ層を除去して開口部を形成して、前記第2導電型GaInP障壁緩和層を露出させ、この開口部から露出した前記第2導電型GaInP障壁緩和層上にZnO層を形成し、
次に、熱処理を行って、前記ZnO層に含まれるZnを前記GaInP単層又は前記多重量子井戸活性層まで拡散を行って窓領域を形成し、
次に、前記ZnO層を除去した後、前記第2導電型GaInP障壁緩和層及び前記第2導電型GaAsキャップ層上に共振器長方向にストライプ状の絶縁膜マスクパターンを形成し、更に前記ストライプ状の絶縁膜マスクパターンから露出した前記第2導電型GaAsキャップ層のみをエッチング除去し、
次に、前記第2導電型GaInP障壁緩和層から前記第2導電型(AlwGa1−w)0.5In0.5P単層又は多重量子井戸エッチングストップ層の表面に達するまでエッチングを行ってリッジ部を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記GaAsキャップ層のみをエッチング除去する方法は、ドライエッチングであることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ素子の製造方法。
- 第1導電型GaAs基板上に第1導電型(AluGa1−u)0.5In0.5Pクラッド層(0<U<1)と、GaInP単層又は多重量子井戸活性層と、第1の第2導電型(AlvGa1−v)0.5In0.5Pクラッド層(0<V<1)と、第2導電型(AlwGa1−w)0.5In0.5P単層又は多重量子井戸エッチングストップ層(0<W<1)と、第2の第2導電型(AlxGa1−x)0.5In0.5Pクラッド層(0<X<1)と、第2導電型GaInP障壁緩和層と、第2導電型GaAsキャップ層とを順次積層し、
次に、共振器端面近傍の前記第2導電型GaAsキャップ層を除去して開口部を形成して、前記第2導電型GaInP障壁緩和層を露出させ、この開口部から露出した前記第2導電型GaInP障壁緩和層上にZnO層を形成し、
次に、熱処理を行って、前記ZnO層に含まれるZnを前記GaInP単層又は前記多重量子井戸活性層まで拡散を行って窓領域を形成し、
次に、前記ZnO層を除去した後、前記窓領域における前記第2導電型GaInP障壁緩和層及び前記第2導電型GaAsキャップ層上に、共振器長方向に沿ったストライプ状の絶縁膜マスクパターンを形成し、
次に、前記窓領域における前記ストライプ状の絶縁膜マスクパターン及び前記窓領域における前記第2導電型GaInP障壁緩和層のみを覆うフォトレジストパターンを形成し、
次に、前記フォトレジストパターンで覆われていない前記窓領域以外の領域における前記ストライプ状の絶縁膜マスクパターンから露出した第2導電型GaAsキャップ層のみをエッチング除去した後、引き続いて、前記第2導電型GaInP障壁緩和層の途中までエッチングし、
次に、前記フォトレジストパターンを除去した後、前記第2導電型GaInP障壁緩和層から前記第2導電型(AlwGa1−w)0.5In0.5P単層又は多重量子井戸エッチングストップ層の表面に達するまでエッチングを行ってリッジ部を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
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