JP3715638B2 - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3715638B2 JP3715638B2 JP2004076564A JP2004076564A JP3715638B2 JP 3715638 B2 JP3715638 B2 JP 3715638B2 JP 2004076564 A JP2004076564 A JP 2004076564A JP 2004076564 A JP2004076564 A JP 2004076564A JP 3715638 B2 JP3715638 B2 JP 3715638B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- etching
- cladding
- cladding layer
- semiconductor light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
GaAs基板上に、第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、エッチング阻止層、第3クラッド層を順次結晶成長させる段階と、
前記第3クラッド層の所定箇所にマスクを形成する段階と、
前記マスクを用いて、前記マスクが無い部分の前記第3クラッド層を前記エッチング阻止層が表面に出るまで除去するとともに前記エッチング阻止層の表面をエッチングして、前記エッチング阻止層と前記第3クラッド層との間の境界部から前記エッチング阻止層側に延びる緩やかな傾斜面を含むリッジ形成層を形成する段階と、
前記緩やかな傾斜面を含む前記リッジ形成層の側部に、異常成長が生じずに電流ブロック層を形成する段階と、
前記マスクを除去する段階とを含むことを特徴とする。
前記第3クラッド層及び前記エッチング阻止層の表面のエッチングに使用するエッチング液として、前記エッチング阻止層の前記第3クラッド層に対する選択比が3〜10の材料を用いることを特徴とする。
GaAs基板上に、第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、エッチング阻止層、電流ブロック層を順次結晶成長させる段階と、
前記電流ブロック層の所定箇所にマスクを形成する段階と、
前記マスクを用いて、前記マスクが無い部分の電流ブロック層を前記エッチング阻止層が表面に出るまで除去するとともに前記エッチング阻止層の表面をエッチングして、前記エッチング阻止層と前記電流ブロック層との間の境界部からエッチング阻止層側に延びる緩やかな傾斜面を含むストライプ部を形成する段階と、
前記マスクを除去する段階と、
前記緩やかな傾斜面を含む前記ストライプ部に、異常成長が生じずに第3クラッド層を形成する段階とを含むことを特徴とする。
前記電流ブロック層及び前記エッチング阻止層の表面のエッチングに使用するエッチング液として、前記エッチング阻止層の前記電流ブロック層に対する選択比が3〜10の材料を用いることを特徴とする。
前記エッチング液が酒石酸系または燐酸系からなることを特徴とする。
前記エッチング阻止層の膜厚が30nm以上で形成されることを特徴とする。
2 第1クラッド層
3 量子井戸活性層
4(4a,4b) 第2クラッド層
5 グレーティング形成層
6 エッチング阻止層
7 第3クラッド層(リッジ形成層)
8 電流ブロック層(埋込成長層)
9 第4クラッド層
10 コンタクト層
Claims (6)
- GaAs基板(1)上に、第1クラッド層(2)、活性層(3)、第2クラッド層(4)、InGaAsPからなるエッチング阻止層(6)、第3クラッド層(7)を含む複数の層が順次形成され、前記第3クラッド層の側部に電流ブロック層(8)が配置されている、AlGaAs系半導体発光素子の製造方法であって、
GaAs基板上に、第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、エッチング阻止層、第3クラッド層を順次結晶成長させる段階と、
前記第3クラッド層の所定箇所にマスクを形成する段階と、
前記マスクを用いて、前記マスクが無い部分の前記第3クラッド層を前記エッチング阻止層が表面に出るまで除去するとともに前記エッチング阻止層の表面をエッチングして、前記エッチング阻止層と前記第3クラッド層との間の境界部から前記エッチング阻止層側に延びる緩やかな傾斜面を含むリッジ形成層を形成する段階と、
前記緩やかな傾斜面を含む前記リッジ形成層の側部に、異常成長が生じずに電流ブロック層を形成する段階と、
前記マスクを除去する段階とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記第3クラッド層及び前記エッチング阻止層の表面のエッチングに使用するエッチング液として、前記エッチング阻止層の前記第3クラッド層に対する選択比が3〜10の材料を用いることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子の製造方法。
- GaAs基板(1)上に、AlGaAs系材料からなる、第1クラッド層(2)、活性層(3)、及び第2クラッド層(4)、InGaAsPからなるエッチング阻止層(6)、AlGaAs系材料からなる電流ブロック層(8)を含む複数の層が順次形成され、前記電流ブロック層の一部が選択的に除去された部分およびその表面側に、第3クラッド層(7)を含む複数の層が形成された構造からなる半導体発光素子の製造方法であって、
GaAs基板上に、第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、エッチング阻止層、電流ブロック層を順次結晶成長させる段階と、
前記電流ブロック層の所定箇所にマスクを形成する段階と、
前記マスクを用いて、前記マスクが無い部分の電流ブロック層を前記エッチング阻止層が表面に出るまで除去するとともに前記エッチング阻止層の表面をエッチングして、前記エッチング阻止層と前記電流ブロック層との間の境界部からエッチング阻止層側に延びる緩やかな傾斜面を含むストライプ部を形成する段階と、
前記マスクを除去する段階と、
前記緩やかな傾斜面を含む前記ストライプ部に、異常成長が生じずに第3クラッド層を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記電流ブロック層及び前記エッチング阻止層の表面のエッチングに使用するエッチング液として、前記エッチング阻止層の前記電流ブロック層に対する選択比が3〜10の材料を用いることを特徴とする請求項3記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記エッチング液が酒石酸系または燐酸系からなることを特徴とする請求項2又は4記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記エッチング阻止層の膜厚が30nm以上で形成されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004076564A JP3715638B2 (ja) | 2004-03-17 | 2004-03-17 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004076564A JP3715638B2 (ja) | 2004-03-17 | 2004-03-17 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005268419A JP2005268419A (ja) | 2005-09-29 |
JP3715638B2 true JP3715638B2 (ja) | 2005-11-09 |
Family
ID=35092675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004076564A Expired - Fee Related JP3715638B2 (ja) | 2004-03-17 | 2004-03-17 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3715638B2 (ja) |
-
2004
- 2004-03-17 JP JP2004076564A patent/JP3715638B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005268419A (ja) | 2005-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4305554B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JP2007019492A (ja) | 単一のステップmocvdによって製造される導波格子を組み込んだ埋め込みヘテロ構造デバイス | |
JP4040192B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JPH0653619A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
US8802468B2 (en) | Semiconductor light emitting device and fabrication method for semiconductor light emitting device | |
JPH09139550A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置 | |
JPH07162095A (ja) | 半導体レーザ | |
JP3715638B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP2894186B2 (ja) | 光半導体装置 | |
US7180925B2 (en) | Semiconductor laser device and manufacturing method therefor | |
JP2010045256A (ja) | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 | |
JP5217598B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP4497606B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
KR20000053604A (ko) | 반도체광학장치 제조방법 | |
JP2000208872A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JPH11274641A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP2699662B2 (ja) | 半導体レーザとその製造方法 | |
JPH0621579A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
JP3889772B2 (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
JP4812649B2 (ja) | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP3715639B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JPH0537070A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法 | |
JP2001077466A (ja) | 半導体レーザ | |
JPH08204277A (ja) | 半導体レーザ | |
JP2003283053A (ja) | 半導体レーザ素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050816 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050825 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080902 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |