JP2008235442A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光素子を、GaAs基板1上に下部クラッド層2、活性層3及びAlGaAs上部クラッド層5を備え、AlGaAs上部クラッド層5を含むリッジ構造を有し、AlGaAs上部クラッド層5の下側に接するようにInGaAsエッチング停止層4を備えるものとし、InGaAsエッチング停止層4のバンドギャップを、活性層3のバンドギャップよりも大きくする。
【選択図】図1
Description
このような光ファイバ通信用レーザとしては、AlGaAsクラッド層を含むリッジ構造を持つ半導体レーザが提案されている。
このAlGaAsクラッド層を含むリッジ構造を持つ半導体レーザを単一横モード動作させるためには、リッジ構造の幅及び高さを正確に制御する必要がある。
特に、エッチング深さの制御は重要であり、設計値からの±0.1μm程度のエッチング深さのばらつきによって、リッジ導波路の横高次モードのカットオフ導波路幅が±0.5μm程度ばらついてしまうことになる。
また、このようにAlGaAsクラッド層のAl組成比を大きくすると、キャリア移動度が下がって素子抵抗が上昇したり、熱抵抗が上昇したりしてしまう。
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、AlGaAsクラッド層を含むリッジ構造を持つ半導体発光素子において、素子抵抗や熱抵抗を抑えながら、エッチング深さを正確に制御できるようにした、半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
[第1実施形態]
まず、本発明の第1実施形態にかかる半導体発光素子及びその製造方法について、図1〜図3を参照しながら説明する。
このように、本構造では、一般にAlGaAs/GaAs系半導体レーザを作製する際にAlGaAs上部クラッド層5を選択的にエッチングするエッチング液(例えばフッ酸を含むエッチング液)に対して、GaAsよりもエッチングが進行しにくいInGaAsエッチング停止層4を挿入することで、AlGaAs/InGaAs界面におけるエッチング制御を可能にしている。つまり、任意のAl組成比のAlGaAs上部クラッド層5を用いたとしても、横モード制御のための精密なエッチング深さ(リッジ深さ)制御が可能となり、設計通りに活性層直上のAlGaAs/InGaAs界面でリッジ底面を形成できることになる。
また、本半導体発光素子は、図1に示すように、AlGaAs上部クラッド層5及びGaAsコンタクト層6を含むリッジ構造を有し、動作波長が1μm以上であるリッジ導波路型半導体発光素子として構成される。
さらに、InGaAsエッチング停止層4のバンドギャップは、活性層3のバンドギャップよりも大きくなっている。このため、InGaAsエッチング停止層3による光の吸収はない。
本半導体発光素子は、図2に示すように、n−GaAs基板(n型導電性基板)1A上に、n−Al0.4Ga0.6As下部クラッド層2A(例えば厚さ1.4μm)、GaInNAs/GaAs多重量子井戸活性層3A[GaInNAs量子井戸層(例えば厚さ5nm)とGaAs障壁層(例えば厚さ10nm)とを例えば3層積層してなる]、i−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4A(例えば厚さ20nm)、p−Al0.4Ga0.6As上部クラッド層5A(例えば厚さ1μm)、p−GaAsコンタクト層6A(例えば厚さ0.2μm)を積層させ、表面からエッチングしてp−Al0.4Ga0.6As上部クラッド層5Aを含むリッジ構造(例えばリッジ幅2μm)を形成し、i−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4Aを露出させた構造のリッジ導波路型半導体レーザとして構成される。
また、図2に示すように、素子の表面にはSiO2からなる絶縁層(SiO2膜)7及び上部電極(p側電極)8が形成されており、素子の裏面には下部電極(n側電極)9が形成されている。
本構造では、フッ酸を含むエッチング液を用いてリッジ構造を形成すると、p−Al0.4Ga0.6As上部クラッド層5Aを構成するAlGaAsよりも、i−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4Aを構成するInGaAsの方がエッチングレートが遅いため、i−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4Aが露出した段階でエッチングを停止させることができる。これにより、リッジ構造の底面を設計値通りに正確に制御することができる。
さらに、GaInNAs/GaAs多重量子井戸活性層3Aの発光波長は1.3μmであり、i−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4Aのバンドギャップ波長は0.98μmであり、GaInNAs/GaAs多重量子井戸活性層3Aよりもi−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4Aの方がバンドギャップが大きいため、GaInNAs/GaAs多重量子井戸活性層3Aで発光した光がi−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4Aで吸収されることはない。
本半導体発光素子の製造方法は、GaAs基板(半導体基板)1上にAlGaAs下部クラッド層2を形成する工程と、AlGaAs下部クラッド層2上に波長1μm以上で発光する活性層3を形成する工程と、活性層3上に、活性層3のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有するInGaAsエッチング停止層4を形成する工程と、InGaAsエッチング停止層4上にAlGaAs下部クラッド層2と導電型の異なるAlGaAs上部クラッド層5を形成する工程と、リッジ導波路構造を形成すべくAlGaAs上部クラッド層5を選択的にエッチングしてリッジ底面にInGaAsエッチング停止層4を露出させる工程とを含む(図1参照)。
まず、例えば分子ビーム成長法(MBE法)によって、n−GaAs基板1A上に、n−Al0.4Ga0.6As下部クラッド層2A(例えば厚さ1.4μm)、GaInNAs/GaAs多重量子井戸活性層3A[GaInNAs量子井戸層(例えば厚さ5nm)とGaAs障壁層(例えば厚さ10nm)とを例えば3層積層してなる]、i−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4A(例えば厚さ20nm)、p−Al0.4Ga0.6As上部クラッド層5A(例えば厚さ1μm)、p−GaAsコンタクト層6A(例えば厚さ0.2μm)を順に積層させる(図2参照)。
このリッジ導波路パターンに形成されたSiO2膜をマスクとして用い、例えばフッ酸を含むエッチング液によるウェットエッチングによって、p−GaAsコンタクト層6A及びp−Al0.4Ga0.6As上部クラッド層5Aにパターンを転写して(即ち、p−GaAsコンタクト層6A及びp−Al0.4Ga0.6As上部クラッド層5AのSiO2マスクで覆われていない部分を除去して)、i−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4Aを露出させる。これにより、p−GaAsコンタクト層6A及びp−Al0.4Ga0.6As上部クラッド層5Aを含むリッジ構造が形成される(図2参照)。
その後、SiO2マスクを除去し、リッジ構造が覆われるようにSiO2パッシベーション膜(SiO2膜)7を成膜する。次いで、上部及び下部に電流注入用の電極8,9を形成する(図2参照)。また、アレー状にへき開後、端面コーティングを施す。
なお、上述の実施形態(図1参照)では、リッジ構造の両脇でInGaAsエッチング停止層4が露出するようにしているが、これに限られるものではなく、例えば図3に示すように、InGaAsエッチング停止層4が、AlGaAs上部クラッド層5の直下の領域のみに設けられるようにしても良い。この場合、リッジ構造の両側方(両脇)で活性層3の上面が露出することになる。ここでは、InGaAsエッチング停止層4は、AlGaAs上部クラッド層5の下側に接するように設け、InGaAsエッチング停止層4は、活性層3の上側に接するように設けている。
また、上述の実施形態では、アンドープのInGaAsエッチング停止層4Aとしているが、これに限られるものではなく、例えばp型の導電性を持つInGaAsエッチング停止層としても良い。但し、アンドープのInGaAsエッチング停止層4Aとした場合よりも電流の広がりが大きくなってしまうため、しきい値を下げるためにはInGaAsエッチング停止層は完全に除去することが望ましい。
また、上述の実施形態では、リッジ構造を形成するためのエッチング工程を、フッ酸系エッチング液を用いたウェットエッチング工程のみとしているが、これに限られるものではなく、エッチング工程を複数の工程に分けても良い。例えば、1回目のエッチング工程を塩素系ドライエッチング工程とし、2回目のエッチング工程を、フッ酸系エッチング液を用いたウェットエッチング工程としても良い。また、1回目のエッチング工程を、他のエッチング液(例えばリン酸系エッチング液)を用いたウェットエッチング工程とし、2回目のエッチング工程を、フッ酸系エッチング液を用いたウェットエッチング工程としても良い。
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態にかかる半導体発光素子及びその製造方法について、図4を参照しながら説明する。
つまり、本半導体発光素子は、図4に示すように、p−GaAs基板(p型導電性基板)1B上に、p−Al0.4Ga0.6As下部クラッド層2B(例えば厚さ1.4μm)、InAs量子ドット活性層3B、i−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4B(例えば厚さ20nm)、n−Al0.4Ga0.6As上部クラッド層5B(例えば厚さ1μm)、n−GaAsコンタクト層6B(例えば厚さ0.2μm)を積層させ、表面からエッチングしてn−Al0.4Ga0.6As上部クラッド層5Bを含むリッジ構造(例えばリッジ幅2μm)を形成し、i−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4Bを露出させた構造のリッジ導波路型半導体レーザとして構成される。
ここで、InAs量子ドット活性層3Bは、図4に示すように、i−GaAs層(バリア層)10(例えば厚さ33nm)、発光波長が1.3μmであるInAs量子ドット11、i−InAsウェッティング層12、InAs量子ドット11が覆われるように形成されたi−In0.2Ga0.8As歪緩和層(サイドバリア層)13、一部にp型不純物がドープされたGaAs層(バリア層)14[ここではi−GaAs層15(例えば厚さ14nm)、p−GaAs層16(例えば厚さ10nm;例えばp型不純物濃度5×1017cm-3)、i−GaAs層17(例えば厚さ9nm)]を複数回(ここでは10回)繰り返した積層構造になっている。また、InAs量子ドット活性層3Bのエネルギーバンド図は、図5(図4のA−A′線に沿う断面におけるエネルギーバンド図)に示すようになっている。
また、図4に示すように、素子の表面にはSiO2からなる絶縁層(SiO2膜)7A及び上部電極(n側電極)8Aが形成されており、素子の裏面には下部電極(p側電極)9Aが形成されている。
本構造では、上述の第1実施形態の場合と同様に、i−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4Bを備えるものとし、i−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4Bに対してn−Al0.4Ga0.6As上部クラッド層5Bを選択的にエッチングしうるエッチング液(例えばフッ酸を含むエッチング液)を用いてリッジ構造を形成すると、AlGaAsよりもInGaAsの方がエッチングレートが遅いため、i−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4Bが露出した段階でエッチングを停止させることができる。これにより、リッジ構造の底面を設計通りに精密に制御することができる。
さらに、InAs量子ドット活性層3Bの発光波長は1.3μmであり、i−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4Bのバンドギャップ波長は0.98μmであり、InAs量子ドット活性層3Bよりもi−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4Bの方がバンドギャップが大きいため、InAs量子ドット活性層3Bで発光した光がi−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4Bで吸収されることはない。
まず、例えば分子ビーム成長法(MBE法)によって、p−GaAs(001)基板1B上に、p−Al0.4Ga0.6As下部クラッド層2B(例えば厚さ1.4μm)、InAs量子ドット活性層3B、i−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層4B(例えば厚さ20nm)、n−Al0.4Ga0.6As上部クラッド層5B(例えば厚さ1μm)、n−GaAsコンタクト層6B(例えば厚さ0.2μm)を順に積層させる(図4参照)。
まず、i−GaAs層(バリア層)10(例えば厚さ33nm)を形成し、このi−GaAs層10上に、例えば自己形成法によって面密度4×1010cm-2程度のInAs量子ドット11(量子ドットの発光波長は1.3μm近傍である)を形成し、InAs量子ドット11を埋め込むようにi−In0.2Ga0.8As歪緩和層(サイドバリア層)13を形成する。なお、InAs量子ドット11は、例えば特許第3672678号公報に記載されている方法と同様の方法によって形成すれば良い。
その後、InAs量子ドット11からi−GaAs層17までを形成する工程を複数回(ここではあと9回)繰り返す。なお、ここでは、量子ドット積層数を10としているが、これに限られるものではなく、半導体発光素子の使用目的に応じて積層数を変えても良い。
次に、SiO2膜(例えば厚さ300nm)を成膜し、例えばフォトリソグラフィ技術を用いてSiO2膜上にリッジ導波路パターンを形成する。
その後、SiO2マスクを除去し、リッジ構造が覆われるようにSiO2パッシベーション膜(SiO2膜)7Aを成膜する(図4参照)。次いで、上部及び下部に電流注入用の電極8A,9Aを形成する(図4参照)。また、アレー状にへき開後、端面コーティングを施す。
したがって、本実施形態にかかる半導体発光素子及びその製造方法によれば、上述の第1実施形態のものと同様に、AlGaAsクラッド層5Bを含むリッジ構造を持つ半導体発光素子において、素子抵抗や熱抵抗を抑えながら、エッチング深さを正確に制御できるようになるという利点がある。特に、半導体レーザにおいて単一横モード動作を実現できることになる。
[その他]
なお、上述の各実施形態及び変形例では、InGaAsエッチング停止層4,4A,4Bは活性層3,3A,3Bに接するように設けられているが、これに限られるものではなく、InGaAsエッチング停止層は活性層の上方に設けられていれば良く、活性層とInGaAsエッチング停止層との間に他の層が設けられていても良い。この場合、リッジ構造の両側方でInGaAsエッチング停止層が露出するように構成しても良いし、リッジ構造の両側方で他の層が露出するように構成しても良い。ここで、InGaAsエッチング停止層を除去せずに残す場合、電流は広がってしまうが、少なくともリッジ底面を精密に制御することができるという効果はある。一方、InGaAsエッチング停止層を除去して他の層が露出するようにする場合、InGaAsエッチング停止層での電流の広がりを抑制することができ、しきい値を下げることができる。
ここで、InGaAsエッチング停止層4を除去せずに残す場合、電流は広がってしまうが、少なくともリッジ底面を精密に制御することができるという効果はある。一方、InGaAsエッチング停止層4を除去して他のAlGaAs上部クラッド層20が露出するようにする場合、InGaAsエッチング停止層4での電流の広がりを抑制することができ、しきい値を下げることができる。
また、上述の各実施形態及び変形例では、活性層3として量子井戸活性層3A又は量子ドット活性層3Bを持つものを例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば量子細線活性層やバルク活性層を用いても良い。
例えばGaAs基板上に作製できるInGaAs系化合物半導体材料からなる活性層(量子井戸活性層)、さらにSbを含むInGaAsSb系化合物半導体材料からなる活性層(量子井戸活性層)、GaAs基板上に作製できるInNAs系化合物半導体材料からなる活性層(量子ドット活性層)、InAsSb系化合物半導体材料からなる活性層(量子ドット活性層)、InNAsSb系化合物半導体材料からなる活性層(量子ドット活性層)などの他の半導体材料からなる活性層(例えば半導体レーザを構成可能な他の材料系の半導体材料からなる活性層)を持つものとして構成することもできる。また、コンタクト層や下部クラッド層を形成する材料も上述の各実施形態及び変形例のものに限られない。
ここで、横電流注入型半導体発光素子は、例えば図8に示すように、高抵抗GaAs基板1C上に、p−AlGaAs下部クラッド層2C、p−GaAsコンタクト層21、活性層3C、i−InGaAsエッチング停止層4C、n−AlGaAs上部クラッド層5C、n−GaAsコンタクト層6Cを順に積層した構造を備え、n−AlGaAs上部クラッド層5Cを含むリッジ構造を有し、素子の表面にSiO2からなる絶縁層(SiO2膜)7B、n側電極8B、p側電極9Bが形成されている。つまり、上述の第2実施形態の具体例の構成(図4参照)に対し、高抵抗GaAs基板1Cを用い、高抵抗GaAs基板1C及びp−AlGaAs下部クラッド層2Cを延ばし、p−AlGaAs下部クラッド層2Cと活性層3Cとの間にp−GaAsコンタクト層21を設け、このp−GaAsコンタクト層21上にp側電極9Bを設けたものとして構成される。
また、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することができる。
GaAs基板上に、下部クラッド層、活性層及びAlGaAs上部クラッド層を備え、
前記AlGaAs上部クラッド層を含むリッジ構造を有し、
前記AlGaAs上部クラッド層の下側に接するようにInGaAsエッチング停止層を備え、
前記InGaAsエッチング停止層のバンドギャップは、前記活性層のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする半導体発光素子。
前記リッジ構造の両側方で前記InGaAsエッチング停止層が露出していることを特徴とする、付記1記載の半導体発光素子。
(付記3)
前記活性層の上側に接するように設けられた他のAlGaAs上部クラッド層を備え、
前記InGaAsエッチング停止層が、前記他のAlGaAs上部クラッド層の上側に接するように設けられていることを特徴とする、付記1又は2記載の半導体発光素子。
前記InGaAsエッチング停止層が、前記AlGaAs上部クラッド層の直下の領域のみに設けられていることを特徴とする、付記1記載の半導体発光素子。
(付記5)
前記リッジ構造の両側方で前記活性層が露出していることを特徴とする、付記4記載の半導体発光素子。
前記InGaAsエッチング停止層が、前記活性層の上側に接するように設けられていることを特徴とする、付記1、2、4、5のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
(付記7)
前記活性層と前記InGaAsエッチング停止層との間に他のAlGaAs上部クラッド層を備え、
前記リッジ構造の両側方で前記他のAlGaAs上部クラッド層が露出していることを特徴とする、付記4記載の半導体発光素子。
前記他のAlGaAs上部クラッド層が、前記活性層の上側に接し、かつ、前記InGaAsエッチング停止層の下側に接するように設けられていることを特徴とする、付記7記載の半導体発光素子。
(付記9)
前記GaAs基板は、p型導電性基板、n型導電性基板、高抵抗基板のいずれかであることを特徴とする、付記1〜8のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
前記活性層は、量子井戸活性層、量子細線活性層、量子ドット活性層のいずれかであることを特徴とする、付記1〜9のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
(付記11)
前記活性層は、GaInNAs、InAs、InGaAs、InGaAsSbのいずれかの半導体材料からなることを特徴とする、付記1〜10のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
GaAs基板上に下部クラッド層を形成する工程と、
前記下部クラッド層上に活性層を形成する工程と、
前記活性層上に、前記活性層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有するInGaAsエッチング停止層を形成する工程と、
前記InGaAsエッチング停止層上にAlGaAs上部クラッド層を形成する工程と、
前記AlGaAs上部クラッド層を選択的にエッチングして前記InGaAsエッチング停止層を露出させる工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
前記InGaAsエッチング停止層形成工程が、前記活性層上に他のAlGaAs上部クラッド層を形成し、前記他のAlGaAs上部クラッド層上に前記InGaAsエッチング停止層を形成する工程を含むことを特徴とする、付記12記載の半導体発光素子の製造方法。
エッチングによって露出したInGaAsエッチング停止層を除去する工程を含むことを特徴とする、付記12又は13記載の半導体発光素子の製造方法。
1A n−GaAs基板(n型導電性基板)
1B p−GaAs基板(p型導電性基板)
1C 高抵抗GaAs基板
2 AlGaAs下部クラッド層
2A n−Al0.4Ga0.6As下部クラッド層
2B p−Al0.4Ga0.6As下部クラッド層
2C p−AlGaAs下部クラッド層
3 活性層
3A GaInNAs/GaAs多重量子井戸活性層
3B InAs量子ドット活性層
3C 活性層
4 InGaAsエッチング停止層
4A i−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層
4B i−In0.15Ga0.85Asエッチング停止層
4C i−InGaAsエッチング停止層
5 AlGaAs上部クラッド層
5A p−Al0.4Ga0.6As上部クラッド層
5B n−Al0.4Ga0.6As上部クラッド層
5C n−AlGaAs上部クラッド層
6 GaAsコンタクト層
6A p−GaAsコンタクト層
6B n−GaAsコンタクト層
6C n−GaAsコンタクト層
7,7A,7B SiO2膜
8,8A,8B p側電極(上部電極)
9,9A,9B n側電極(下部電極)
10 i−GaAs層(バリア層)
11 InAs量子ドット
12 i−InAsウェッティング層
13 i−In0.2Ga0.8As歪緩和層(サイドバリア層)
14 GaAs層(バリア層)
15,17 i−GaAs層
16 p−GaAs層
20 AlGaAs上部クラッド層
21 p−GaAsコンタクト層
Claims (10)
- GaAs基板上に、下部クラッド層、活性層及びAlGaAs上部クラッド層を備え、
前記AlGaAs上部クラッド層を含むリッジ構造を有し、
前記AlGaAs上部クラッド層の下側に接するようにInGaAsエッチング停止層を備え、
前記InGaAsエッチング停止層のバンドギャップは、前記活性層のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記リッジ構造の両側方で前記InGaAsエッチング停止層が露出していることを特徴とする、請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記活性層の上側に接するように設けられた他のAlGaAs上部クラッド層を備え、
前記InGaAsエッチング停止層が、前記他のAlGaAs上部クラッド層の上側に接するように設けられていることを特徴とする、請求項1又は2記載の半導体発光素子。 - 前記InGaAsエッチング停止層が、前記AlGaAs上部クラッド層の直下の領域のみに設けられていることを特徴とする、請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記リッジ構造の両側方で前記活性層が露出していることを特徴とする、請求項4記載の半導体発光素子。
- 前記InGaAsエッチング停止層が、前記活性層の上側に接するように設けられていることを特徴とする、請求項1、2、4、5のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記活性層と前記InGaAsエッチング停止層との間に他のAlGaAs上部クラッド層を備え、
前記リッジ構造の両側方で前記他のAlGaAs上部クラッド層が露出していることを特徴とする、請求項4記載の半導体発光素子。 - GaAs基板上に下部クラッド層を形成する工程と、
前記下部クラッド層上に活性層を形成する工程と、
前記活性層上に、前記活性層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有するInGaAsエッチング停止層を形成する工程と、
前記InGaAsエッチング停止層上にAlGaAs上部クラッド層を形成する工程と、
前記AlGaAs上部クラッド層を選択的にエッチングして前記InGaAsエッチング停止層を露出させる工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記InGaAsエッチング停止層形成工程が、前記活性層上に他のAlGaAs上部クラッド層を形成し、前記他のAlGaAs上部クラッド層上に前記InGaAsエッチング停止層を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項8記載の半導体発光素子の製造方法。
- エッチングによって露出したInGaAsエッチング停止層を除去する工程を含むことを特徴とする、請求項8又は9記載の半導体発光素子の製造方法。
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