JP2006245511A - 面発光型半導体素子及び面発光型半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 優れた反射特性を有するＤＢＲ部を備えた面発光型半導体素子及び面発光型半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 面発光レーザ１は、第１のＤＢＲ半導体層５ａと第２のＤＢＲ半導体層５ｂとが交互に配列された第１のＤＢＲ部５と、第２のＤＢＲ部１９と、ＤＢＲ部５とＤＢＲ部１９との間に設けられ活性層１３を含むメサ部９と、メサ部９の側面９ａ上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層１７とを備える。ＤＢＲ部１９は、III−Ｖ族化合物半導体層１７上に設けられている。メサ部９はIII−Ｖ族化合物半導体から構成されている。メサ部９の側面９ａと（１００）面とのなす角θは３０度以下である。
【選択図】 図１

Description

本発明は、面発光型半導体素子及び面発光型半導体素子の製造方法に関する。

面発光型半導体素子、例えば垂直共振型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）として、ポスト型の面発光レーザ及び埋め込み型の面発光レーザ（例えば、非特許文献１及び２参照）が知られている。ポスト型の面発光レーザでは、光を閉じ込めることが困難であり、単一モードの光を出射するためにはポスト径を絞る必要がある。一方、埋め込み型の面発光レーザでは、かかる問題が生じ難い。
THETRANSACTIONS OF THE IECE OF JAPAN,VOL.E 69, NO.9 SEPTEMBER 1986 p.923-924 伊賀健一・小山二三夫共著、「面発光レーザ」、オーム社、ｐ．１６１−１６８

図６は、埋め込み型の面発光レーザの一例を模式的に示す断面図である。図６に示される面発光レーザ１０１は、（１００）面を主面１０３ａとする基板１０３と、基板１０３上に設けられた半導体ＤＢＲ部１０５と、半導体ＤＢＲ部１０５上に設けられた半導体メサ部１０９と、半導体メサ部１０９の側面１０９ａ上に設けられた半導体埋め込み層１１７と、半導体埋め込み層１１７上に設けられた半導体ＤＢＲ部１１９と、を備える。半導体メサ部１０９は、半導体層１１１と、半導体層１１１上に設けられた活性層１１３と、活性層１１３上に設けられた半導体層１１５とからなる。半導体メサ部１０９は、側面１０９ａ、頂面１０９ｂ及び底面１０９ｃを有している。半導体埋め込み層１１７は、半導体メサ部１０９の頂面１０９ｂ上にも設けられている。

図７は、半導体メサ部１０９の高さ方向（＜１００＞方向）から見た半導体メサ部１０９を模式的に示す図である。半導体メサ部１０９の頂面１０９ｂ及び底面１０９ｃの形状は、＜０１１＞方向及び＜０１−１＞方向に延びる辺から構成される四角形である。底面１０９ｃは、＜１００＞方向から見て頂面１０９ｂよりも大きい。半導体メサ部１０９の頂面１０９ｂは（１００）面から構成されており、側面１０９ａは（１１１）面及び（１−１−１）面を含む。

しかしながら、本発明者らは上述の面発光レーザ１０１について以下のことを見出した。面発光レーザ１０１の場合、半導体メサ部１０９の側面１０９ａ上に半導体埋め込み層１１７を形成すると、図８(ａ)に示されるように、（１１１）面及び（１−１１）面上において半導体埋め込み層１１７が異常成長してしまう。その結果、図６に示されるように、半導体埋め込み層１１７における（１１１）面及び（１−１１）面上の部分に突起１１７ａが生じてしまう。突起１１７ａの高さは、例えば１μｍ〜数μｍ程度であり、半導体埋め込み層１１７の厚さに依存する。このような半導体埋め込み層１１７上に形成される半導体ＤＢＲ部１１９では平坦性が不十分となるので、半導体ＤＢＲ部１１９の反射特性が低下してしまう。なお、図８(ａ)は、顕微鏡を用いて＜１００＞方向から見た半導体メサ部１０９を模式的に示す図である。

また、図８(ｂ)に示されるように、半導体メサ部１０９の頂面１０９ｂ及び底面１０９ｃの形状が円形の場合であっても、四角形の場合と同様に、（１１１）面及び（１−１１）面上において半導体埋め込み層１１７が異常成長してしまう。その結果、半導体ＤＢＲ部１１９の反射特性はやはり低下してしまう。なお、図８(ｂ)は、顕微鏡を用いて＜１００＞方向から見た半導体メサ部を模式的に示す図である。

そこで、本発明は、優れた反射特性を有するＤＢＲ部を備えた面発光型半導体素子及び面発光型半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。

上述の課題を解決するため、本発明の面発光型半導体素子の製造方法は、第１のＤＢＲ半導体層と第２のＤＢＲ半導体層とが交互に配列された第１のＤＢＲ部上に、III−Ｖ族化合物半導体から構成される半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に形成されたマスクを用いて前記半導体層をエッチングすることにより、活性層を含むメサ部を形成する工程と、前記メサ部の側面上にIII−Ｖ族化合物半導体層を形成する工程と、前記III−Ｖ族化合物半導体層上に第２のＤＢＲ部を形成する工程と、を含み、前記メサ部を形成する工程では、前記メサ部の前記側面と（１００）面とのなす角が３０度以下となるようにエッチングする。ここで、上記「なす角」とは鈍角ではなく鋭角の方を意味する。

本発明の面発光型半導体素子の製造方法によれば、上記なす角が３０度を超える場合に比べて、III−Ｖ族化合物半導体層を形成する際にIII−Ｖ族化合物半導体層の異常成長が抑制される。これは、（１１１）面と（１００）面とのなす角及び（１−１−１）面と（１００）面とのなす角がいずれも約５５度であり、メサ部の側面と（１００）面とのなす角が３０度以下であるため、メサ部の側面が（１１１）面及び（１−１−１）面を実質的に含まないことに起因する。よって、得られる面発光型半導体素子では、III−Ｖ族化合物半導体層上に設けられた第２のＤＢＲ部が優れた反射特性を有する。

また、本発明の面発光型半導体素子は、第１のＤＢＲ半導体層と第２のＤＢＲ半導体層とが交互に配列された第１のＤＢＲ部と、第２のＤＢＲ部と、前記第１のＤＢＲ部と前記第２のＤＢＲ部との間に設けられ活性層を含むメサ部と、前記メサ部の側面上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層と、を備え、前記第２のＤＢＲ部は、前記III−Ｖ族化合物半導体層上に設けられており、前記メサ部はIII−Ｖ族化合物半導体から構成されており、前記メサ部の前記側面と（１００）面とのなす角は３０度以下である。ここで、上記「なす角」とは鈍角ではなく鋭角の方を意味する。

本発明の面発光型半導体素子によれば、上記なす角が３０度を超える場合に比べて、III−Ｖ族化合物半導体層を形成する際にIII−Ｖ族化合物半導体層の異常成長が抑制される。これは、（１１１）面と（１００）面とのなす角及び（１−１−１）面と（１００）面とのなす角がいずれも約５５度であり、メサ部の側面と（１００）面とのなす角が３０度以下であるため、メサ部の側面が（１１１）面及び（１−１−１）面を実質的に含まないことに起因する。よって、この面発光型半導体素子では、III−Ｖ族化合物半導体層上に設けられた第２のＤＢＲ部が優れた反射特性を有する。

本発明によれば、優れた反射特性を有するＤＢＲ部を備えた面発光型半導体素子及び面発光型半導体素子の製造方法が得られる。

以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。

まず、図１及び図２を参照して、実施形態に係る面発光型半導体素子について説明する。

［面発光型半導体素子］
図１は、実施形態に係る面発光型半導体素子を模式的に示す断面図である。図１には、面発光型半導体素子の一例として面発光レーザ１が示されている。なお、図１は、図２に示されるI−I線に沿った断面図に対応する。

面発光レーザ１は、第１のＤＢＲ（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）部５と、第２のＤＢＲ部１９と、ＤＢＲ部５とＤＢＲ部１９との間に設けられ活性層１３を含むメサ部９と、メサ部９の側面９ａ上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層１７とを備える。ＤＢＲ部１９は、III−Ｖ族化合物半導体層１７上に設けられている。これにより電流狭窄構造が得られる。したがって、面発光レーザ１は埋め込み型の面発光レーザである。面発光レーザ１はメサ部９の高さ方向（例えば＜１００＞方向）にレーザ光Ｌを出射する。

本実施形態において、ＤＢＲ部５、メサ部９、III−Ｖ族化合物半導体層１７及びＤＢＲ部１９は、例えば主面３ａに（１００）面を含む基板３上に配列される。一実施例において、基板３は（１００）面を主面とするＧａＡｓ基板である。

ＤＢＲ部５は例えば第１導電型のIII−Ｖ族化合物半導体から構成される。ＤＢＲ部５では、第１のＤＢＲ半導体層５ａと第２のＤＢＲ半導体層５ｂとが、例えば＜１００＞方向に沿って交互に配列される。一実施例において、ＤＢＲ半導体層５ａ及びＤＢＲ半導体層５ｂは、それぞれｎ型のＧａＡｌＡｓ層及びｎ型のＧａＡｓ層である。

ＤＢＲ部１９は例えば第２導電型のIII−Ｖ族化合物半導体から構成される。ＤＢＲ部１９では、例えば、ＤＢＲ半導体層１９ａとＤＢＲ半導体層１９ｂとが＜１００＞方向に沿って交互に配列される。一実施例において、ＤＢＲ半導体層１９ａ及びＤＢＲ半導体層１９ｂは、それぞれｐ型のＧａＡｌＡｓ層及びｐ型のＧａＡｓ層である。ＤＢＲ部１９は、ＤＢＲ半導体層１９ａ及びＤＢＲ半導体層１９ｂに代えて第１及び第２のＤＢＲ誘電体層を有するとしてもよい。

メサ部９は、例えば、半導体層１１と、半導体層１１上に設けられた活性層１３と、活性層１３上に設けられた半導体層１５とを含む。メサ部９の高さは、例えば０．５μｍである。メサ部９はIII−Ｖ族化合物半導体から構成されている。よって、半導体層１１、活性層１３及び半導体層１５は、それぞれIII−Ｖ族化合物半導体から構成されている。活性層１３は、窒素元素（Ｎ）及びヒ素元素（Ａｓ）を含むことが好ましく、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＮＡｓを含むことがより好ましい。一実施例において、活性層１３はＧａＩｎＮＡｓ層及びＧａＡｓ層から構成される。これにより、長波長帯のレーザ光Ｌが得られる。半導体層１１，１５は、例えばＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ又はＧａＩｎＰ等から構成される。

メサ部９の側面９ａと、メサ部９を構成するIII−Ｖ族化合物半導体結晶における（１００）面とのなす角θは０度より大きく３０度以下である。メサ部９の側面９ａは、メサ部９を構成するIII−V族化合物半導体結晶の（０１−１）面に平行な面に沿ったメサ部９の断面において直線になっている。なす角θは、この直線と（１００）面とのなす角に相当する。したがって、メサ部９の側面９ａは（１１１）面及び（１−１−１）面を実質的に含んでいない。一実施例では、なす角θは３０度である。また、本実施形態では、例えば、メサ部９の頂面９ｂ及び底面９ｃは（１００）面を含む。この場合、メサ部９の側面９ａとメサ部９の頂面９ｂ及び底面９ｃとのなす角も３０度以下となる。

III−Ｖ族化合物半導体層１７は例えば第２導電型のIII−Ｖ族化合物半導体から構成される。III−Ｖ族化合物半導体層１７は、例えばメサ部９の頂面９ｂ上にも設けられており、ＤＢＲ部５とＤＢＲ部１９との間に設けられている。III−Ｖ族化合物半導体層１７は、メサ部９を埋め込む層となる。III−Ｖ族化合物半導体層１７は、複数のIII−Ｖ族化合物半導体層を有する積層体としてもよい。一実施例において、III−Ｖ族化合物半導体層１７はｐ型のＧａＩｎＰ層である。

また、本実施形態では、ＤＢＲ部５とメサ部９との間に例えば第１導電型のIII−Ｖ族化合物半導体層７が設けられている。III−Ｖ族化合物半導体層７は、例えば、ＤＢＲ部５とIII−Ｖ族化合物半導体層１７との間に配置されている。III−Ｖ族化合物半導体層７は、複数のIII−Ｖ族化合物半導体層を有する積層体としてもよい。一実施例において、III−Ｖ族化合物半導体層７はｎ型のＧａＩｎＰ層である。

ＤＢＲ部１９上には、必要に応じて樹脂層２１及び電極２３が設けられる。樹脂層２１は例えばポリイミド樹脂から構成される。樹脂層２１上には、電極２３に電気的に接続された電極パッド２５が設けられるとしてもよい。基板３の主面３ａと反対側の面３ｂ上には、例えば電極２７が設けられている。電極２３と電極２７との間に電圧を印加すると、活性層１３に電流が供給され、レーザ光Ｌが出射される。

図２は、メサ部９の高さ方向（例えば＜１００＞方向）から見たメサ部９の具体的な形状の一例を模式的に示す図である。メサ部９の頂面９ｂ及び底面９ｃの形状は特に限定されない。メサ部９の頂面９ｂ及び底面９ｃの形状としては、例えば三角形、四角形、五角形、六角形等の多角形、円形、楕円形等が挙げられる。一実施例では、メサ部９の頂面９ｂ及び底面９ｃの形状は互いに相似な正方形である。底面９ｃは、例えばメサ部９の高さ方向から見て頂面９ｂよりも大きい。

上記構造を有する面発光レーザ１では、なす角θが３０度を超える場合に比べて、III−Ｖ族化合物半導体層１７を形成する際に、III−Ｖ族化合物半導体層１７の異常成長が抑制される。これは、（１１１）面と（１００）面とのなす角及び（１−１−１）面と（１００）面とのなす角がいずれも約５５度であり、上記なす角θが３０度以下であるため、メサ部９の側面９ａが（１１１）面及び（１−１−１）面を実質的に含まないことに起因する。よって、面発光レーザ１では、III−Ｖ族化合物半導体層１７上に設けられたＤＢＲ部１９の平坦性が向上するので、ＤＢＲ部１９の反射率を高精度に制御することができる。したがって、ＤＢＲ部１９は優れた反射特性を有する。

続いて、図１及び図３〜図５を参照して、実施形態に係る面発光型半導体素子の製造方法について説明する。以下、実施形態に係る面発光型半導体素子の製造方法の一例として面発光レーザ１の製造方法について説明する。

［面発光型半導体素子の製造方法］
図３〜図５は、実施形態に係る面発光型半導体素子の製造方法を模式的に示す工程断面図である。

（半導体層形成工程）
まず、図３(ａ)に示されるように、第１のＤＢＲ半導体層５ａと第２のＤＢＲ半導体層５ｂとが交互に配列された第１のＤＢＲ部５上に、III−Ｖ族化合物半導体から構成される半導体層１０を形成する。半導体層１０は、例えば、半導体層１１ａと、半導体層１１ａ上に設けられた半導体層１３ａと、半導体層１３ａ上に設けられた半導体層１５ａとを備える積層体である。半導体層１３ａは活性層１３を形成するための層である。

具体的には、例えば、基板３上にＤＢＲ部５を形成した後に、ＤＢＲ部５上にIII−Ｖ族化合物半導体層７を必要に応じて形成する。その後、III−Ｖ族化合物半導体層７上に、例えば、半導体層１１ａ、半導体層１３ａ及び半導体層１５ａを順に形成する。

（マスク形成工程）
次に、図３(ｂ)に示されるように、半導体層１０上にマスクＭを形成する。マスクＭは、例えば、シリコン窒化物等の絶縁材料、フォトレジストの硬化物等から構成される。マスクＭは、例えばフォトリソグラフィー法を用いてパターニングされる。

（エッチング工程）
次に、図４(ａ)に示されるように、マスクＭを用いて半導体層１０をエッチングすることにより、活性層１３を含むメサ部９を形成する。このとき、メサ部９の側面９ａと、メサ部９を構成するIII−Ｖ族化合物半導体結晶の（１００）面とのなす角θが０度より大きく３０度以下となるようにエッチングする。また、メサ部９を構成するIII−V族化合物半導体結晶の（０１−１）面に平行な面に沿ったメサ部９の断面において、メサ部９の側面９ａが直線になるようにエッチングする。なす角θは、この直線と（１００）面とのなす角に相当する。したがって、メサ部９は、（１１１）面及び（１−１−１）面を実質的に含まない側面９ａを有する。

具体的には、例えば、半導体層１１ａ，１３ａ，１５ａがそれぞれエッチングされることにより、半導体層１１、活性層１３及び半導体層１５が形成される。エッチング方法としては、例えば、ウエットエッチング法が挙げられる。

ウエットエッチング法を用いる場合、エッチング液として、例えばリン酸（Ｈ_３ＰＯ_４）、過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）及び水（Ｈ_２Ｏ）の混合液等が好適に用いられる。例えば、エッチング液の組成、各組成の体積比、各組成の質量比、各組成のモル比等を調整することにより、なす角θを制御することができる。また、ウエットエッチング法では等方的なエッチングが可能となる。また、リン酸の体積比を大きくすることにより、なす角θを小さくすることができる。具体的には、例えば所定の体積比（Ｈ_３ＰＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏ＝５０：１０：６００）のエッチング液を用いると、なす角θを３０度とすることができる。

（III−Ｖ族化合物半導体層形成工程）
次に、図４(ｂ)に示されるように、メサ部９の側面９ａ上にIII−Ｖ族化合物半導体層１７を形成する。本実施形態では、III−Ｖ族化合物半導体層１７は、例えば、メサ部９の頂面９ｂ及びIII−Ｖ族化合物半導体層７上にも形成される。III−Ｖ族化合物半導体層１７は、例えばＭＯＣＶＤ法等を用いてエピタキシャル成長される。

（第２のＤＢＲ部形成工程）
次に、図５(ａ)に示されるように、III−Ｖ族化合物半導体層１７上に第２のＤＢＲ部１９を形成する。具体的には、例えば、ＤＢＲ半導体層１９ａとＤＢＲ半導体層１９ｂとを交互にIII−Ｖ族化合物半導体層１７上に形成する。

（樹脂層形成工程）
次に、図５(ｂ)に示されるように、必要に応じてＤＢＲ部１９上に樹脂層２１を形成する。

（電極形成工程）
次に、図１に示されるように、必要に応じてＤＢＲ部１９上に電極２３を形成し、電極２３と電気的に接続された電極パッド２５を樹脂層２１上に形成する。その後、基板３の主面３ａと反対側の面３ｂ上に、必要に応じて電極２７を形成する。

以上の各工程を経ることによって図１に示される面発光レーザ１が製造される。本実施形態に係る面発光型半導体素子の製造方法によれば、III−Ｖ族化合物半導体層１７を形成する際にIII−Ｖ族化合物半導体層１７の異常成長が抑制される。これは、（１１１）面と（１００）面とのなす角及び（１−１−１）面と（１００）面とのなす角がいずれも約５５度であり、メサ部９の側面９ａと（１００）面とのなす角θが３０度以下であるため、メサ部９の側面９ａが（１１１）面及び（１−１−１）面を実質的に含まないことに起因する。よって、得られる面発光レーザ１では、III−Ｖ族化合物半導体層１７上に設けられたＤＢＲ部１９が優れた反射特性を有する。

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
所定のエッチング液（体積比でＨ_３ＰＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏ＝５０：１０：６００）を用いて半導体層をエッチングすることにより、高さ約０．５μｍのメサ部を形成した。メサ部は、ＧａＩｎＮＡｓ層及びＧａＡｓ層からなる活性層と、ＧａＡｓから構成される半導体層とからなる。形成されたメサ部の側面と（１００）面とのなす角は、３０度であった。その後、メサ部の側面及び頂面上にＧａＩｎＰ層をエピタキシャル成長させ、ＧａＩｎＰ層上にＤＢＲ部を形成して実施例１の面発光レーザを得た。

（比較例１）
所定のエッチング液（体積比でＨ_３ＰＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏ＝３００：１５：１８５）を用いたこと以外は実施例１と同様に比較例１の面発光レーザを得た。形成されたメサ部の側面と（１００）面とのなす角は、約５５度であった。

（比較例２）
所定のエッチング液（体積比でＨ_２ＳＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏ＝１：８：１６０）を用いたこと以外は実施例１と同様に比較例２の面発光レーザを得た。形成されたメサ部の側面と（１００）面とのなす角は、約５５度であった。

（比較例３）
所定のエッチング液（体積比でＨ_２ＳＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏ＝８：１：１）を用いたこと以外は実施例１と同様に比較例３の面発光レーザを得た。形成されたメサ部の側面と（１００）面とのなす角は、約５５度であった。

（評価結果）
ＳＥＭ及び顕微鏡を用いて実施例１及び比較例１〜３の面発光レーザのメサ部を観察した。その結果、実施例１の面発光レーザでは、メサ部の側面上に形成されるＧａＩｎＰ層の異常成長が確認されなかった。一方、比較例１〜３の面発光レーザでは、メサ部の側面上に形成されるＧａＩｎＰ層の異常成長（例えば、図８(ａ)及び図８(ｂ)参照）が確認された。以上より、実施例１の面発光レーザが、比較例１〜３の面発光レーザに比べて、優れた反射特性を有するＤＢＲ部を備えることが確認された。

実施形態に係る面発光型半導体素子を模式的に示す断面図である。 メサ部の高さ方向（例えば＜１００＞方向）から見たメサ部の具体的な形状の一例を模式的に示す図である。 図３(ａ)及び図３(ｂ)は、実施形態に係る面発光型半導体素子の製造方法を模式的に示す工程断面図である。 図４(ａ)及び図４(ｂ)は、実施形態に係る面発光型半導体素子の製造方法を模式的に示す工程断面図である。 図５(ａ)及び図５(ｂ)は、実施形態に係る面発光型半導体素子の製造方法を模式的に示す工程断面図である。 埋め込み型の面発光レーザの一例を模式的に示す断面図である。 半導体メサ部の高さ方向（＜１００＞方向）から見た半導体メサ部を模式的に示す図である。 顕微鏡を用いて＜１００＞方向から見た半導体メサ部を模式的に示す図である。

符号の説明

１…面発光レーザ（面発光型半導体素子）、５…第１のＤＢＲ部、５ａ…第１のＤＢＲ半導体層、５ｂ…第２のＤＢＲ半導体層、９…メサ部、９ａ…メサ部の側面、１０…半導体層、１３…活性層、１７…III−Ｖ族化合物半導体層、１９…第２のＤＢＲ部、Ｍ…マスク。

Claims (2)

1. 第１のＤＢＲ半導体層と第２のＤＢＲ半導体層とが交互に配列された第１のＤＢＲ部上に、III−Ｖ族化合物半導体から構成される半導体層を形成する工程と、
   前記半導体層上に形成されたマスクを用いて前記半導体層をエッチングすることにより、活性層を含むメサ部を形成する工程と、
   前記メサ部の側面上にIII−Ｖ族化合物半導体層を形成する工程と、
   前記III−Ｖ族化合物半導体層上に第２のＤＢＲ部を形成する工程と、
   を含み、
   前記メサ部を形成する工程では、前記メサ部の前記側面と（１００）面とのなす角が３０度以下となるようにエッチングする、面発光型半導体素子の製造方法。
2. 第１のＤＢＲ半導体層と第２のＤＢＲ半導体層とが交互に配列された第１のＤＢＲ部と、
   第２のＤＢＲ部と、
   前記第１のＤＢＲ部と前記第２のＤＢＲ部との間に設けられ活性層を含むメサ部と、
   前記メサ部の側面上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層と、
   を備え、
   前記第２のＤＢＲ部は、前記III−Ｖ族化合物半導体層上に設けられており、
   前記メサ部はIII−Ｖ族化合物半導体から構成されており、
   前記メサ部の前記側面と（１００）面とのなす角は３０度以下である、面発光型半導体素子。

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