JP3950473B2 - 化合物半導体レーザ - Google Patents
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Description
また、前記第2導電型の半導体層は、光ガイド層を含むことを特徴とし、
また、前記第1クラッド層および前記第2クラッド層はAlGaN層からなり、光ガイド層はGaNからなることを特徴とする。
また、本願の化合物半導体レーザの製造方法は、基板と、少なくとも第1クラッド層を含む第1導電型の半導体層と、III族窒化物半導体からなる活性層と、少なくとも第2クラッド層を含むIII族窒化物半導体からなる第2導電型の半導体層とを形成する工程を含む化合物半導体レーザの製造方法であって、前記第2導電型の半導体層に、ドライエッチングによってリッジ構造を形成する工程と、前記リッジ構造のリッジ状ストライプ外部の第2導電型の半導体層上面に、少なくともZrO 2 を含む誘電体層を形成する工程と、前記リッジ構造のリッジ状ストライプ及び前記誘電体層の上部に、電極を形成する工程を含むことを特徴とする。
103、403 n−GaNコンタクト層
104 n−Al0.15Ga0.85Nクラッド層
105、405、504、604 n−GaN光閉じ込め層
106、406、505、605 InGaN系多重量子井戸活性層
107、408、507、607 p−GaN光閉じ込め層
108 p−Al0.15Ga0.85Nクラッド層
109、412、511、611 p−GaNコンタクト層
110 誘電体埋込層
404、503、603 n−Al0.08Ga0.92N第1クラッド層
407、506、606 p−Al0.2Ga0.8N蒸発防止層
409、508、608 p−Al0.08Ga0.92N第2クラッド層
410、509、609 p−GaN光ガイド層
411、510、610 p−Al0.08Ga0.92N第3クラッド層
413 ClドープZnMgSSe埋込層
501 n−SiC基板
512 n−Al0.08Ga0.92N埋込層
601 n−GaN基板
612 p−Al0.08Ga0.92N埋込層
613 p−GaN層
Claims (5)
- 基板と、
少なくとも第1クラッド層を含む第1導電型の半導体層と、
III族窒化物半導体からなる活性層と、
少なくとも第2クラッド層を含むIII族窒化物半導体からなる第2導電型の半導体層とを有する化合物半導体レーザであって、
前記第2導電型の半導体層には、リッジ構造が設けられており、
前記リッジ構造のリッジ状ストライプ外部の第2導電型の半導体層上面には、
少なくともZrO2を含む誘電体層が形成されており、
前記リッジ構造のリッジ状ストライプ及び前記誘電体層の上部に、電極が形成されていることを特徴とする化合物半導体レーザ。 - 前記第2導電型の半導体層は、光ガイド層を含むことを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体レーザ。
- 前記第1クラッド層および前記第2クラッド層はAlGaN層からなり、
前記光ガイド層はGaNからなることを特徴とする請求項2に記載の化合物半導体レーザ。 - 基板と、
少なくとも第1クラッド層を含む第1導電型の半導体層と、
III族窒化物半導体からなる活性層と、
少なくとも第2クラッド層を含むIII族窒化物半導体からなる第2導電型の半導体層とを有する化合物半導体レーザであって、
前記第2導電型の半導体層は、ドライエッチングによってリッジ構造が形成されており、
前記リッジ構造のリッジ状ストライプ外部の第2導電型の半導体層上面に、少なくともZrO2を含む誘電体層が形成されており、
前記リッジ構造のリッジ状ストライプ及び前記誘電体層の上部に、電極が形成されていることを特徴とする化合物半導体レーザ。 - 基板と、
少なくとも第1クラッド層を含む第1導電型の半導体層と、
III族窒化物半導体からなる活性層と、
少なくとも第2クラッド層を含むIII族窒化物半導体からなる第2導電型の半導体層とを形成する工程を含む化合物半導体レーザの製造方法であって、
前記第2導電型の半導体層に、ドライエッチングによってリッジ構造を形成する工程と、
前記リッジ構造のリッジ状ストライプ外部の第2導電型の半導体層上面に、少なくともZrO 2 を含む誘電体層を形成する工程と、
前記リッジ構造のリッジ状ストライプ及び前記誘電体層の上部に、電極を形成する工程を含むことを特徴とする化合物半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006300411A JP3950473B2 (ja) | 2006-11-06 | 2006-11-06 | 化合物半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006300411A JP3950473B2 (ja) | 2006-11-06 | 2006-11-06 | 化合物半導体レーザ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07477997A Division JP3897186B2 (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 化合物半導体レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007027803A JP2007027803A (ja) | 2007-02-01 |
JP3950473B2 true JP3950473B2 (ja) | 2007-08-01 |
Family
ID=37788037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006300411A Expired - Lifetime JP3950473B2 (ja) | 2006-11-06 | 2006-11-06 | 化合物半導体レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3950473B2 (ja) |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2846086B2 (ja) * | 1990-09-06 | 1999-01-13 | キヤノン株式会社 | 半導体素子の保護膜形成方法 |
JPH04177783A (ja) * | 1990-11-11 | 1992-06-24 | Canon Inc | 半導体素子 |
JPH04299591A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-22 | Canon Inc | 半導体素子及びその製造方法 |
JPH06125149A (ja) * | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Canon Inc | 半導体素子及びその製造方法 |
JPH07321407A (ja) * | 1993-04-05 | 1995-12-08 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止形レーザーダイオード装置 |
JPH0730196A (ja) * | 1993-07-08 | 1995-01-31 | Canon Inc | 半導体素子の保護膜形成方法 |
US5451548A (en) * | 1994-03-23 | 1995-09-19 | At&T Corp. | Electron beam deposition of gallium oxide thin films using a single high purity crystal source |
US5550089A (en) * | 1994-03-23 | 1996-08-27 | Lucent Technologies Inc. | Gallium oxide coatings for optoelectronic devices using electron beam evaporation of a high purity single crystal Gd3 Ga5 O12 source. |
JP3333356B2 (ja) * | 1995-07-12 | 2002-10-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007027803A (ja) | 2007-02-01 |
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