JP2007235107A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光効率が高い半導体発光素子を得る。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体発光素子であって、基板上に、第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型のInxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)からなる電子障壁層と、第2導電型の第2クラッド層とが順に積層され、前記電子障壁層は前記活性層及び前記第2クラッド層よりもバンドギャップが大きく、前記電子障壁層の厚さが2nm以上7nm以下である。
【選択図】図1
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体発光素子であって、基板上に、第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型のInxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)からなる電子障壁層と、第2導電型の第2クラッド層とが順に積層され、前記電子障壁層は前記活性層及び前記第2クラッド層よりもバンドギャップが大きく、前記電子障壁層の厚さが2nm以上7nm以下である。
【選択図】図1
Description
本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体レーザや発光ダイオードなどの半導体発光素子に関するものである。
近年、光ディスクの高密度化に必要である青色領域から紫外線領域の発光が可能な半導体レーザとして、AlInGaNなどの窒化物系III−V族化合物半導体を用いた半導体レーザの研究開発が盛んに行われ、既に実用化されている(例えば、特許文献1参照)。
これまでに報告されている窒化物系III−V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいては、活性層からp型クラッド層側に電子がオーバーフローし、発光効率が低下することを防止するため、活性層よりもp側電極に近い側に、活性層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを持ち、電子のオーバーフローを抑制する働きを持つ電子障壁層を挿入している。
電子障壁層の材料として、AlGaN又はAlInGaNが用いられる。この材料はAl組成比が大きいほどバンドギャップが大きくなり、原理的に電子に対して大きな障壁となって、電子のオーバーフローを抑制する効果が大きくなる。しかし、格子定数の小さなAl組成比が大きくなると結晶性が悪くなり、電子障壁層又はその近傍で結晶欠陥が発生する。この結晶欠陥による非発光再結合のため、実際には発光効率がかえって低下するという問題があった。
また、電子障壁層は、その上下にある層よりも大きなバンドギャップを持つため、電子のオーバーフローを抑制する一方、正孔が活性層側に注入されるのを阻害する。この悪影響を低減するために、電子障壁層は通常p型にドーピングされる。しかし、窒化ガリウム系化合物半導体ではp型ドーパントとしてMgが用いられるが、このMgに起因した大きな光吸収により、発光効率が低下するという問題があった
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、発光効率が高い半導体発光素子を得るものである。
本発明に係る半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体発光素子であって、基板上に、第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型のInxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)からなる電子障壁層と、第2導電型の第2クラッド層とが順に積層され、前記電子障壁層は前記活性層及び前記第2クラッド層よりもバンドギャップが大きく、前記電子障壁層の厚さが2nm以上7nm以下である。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
本発明により、発光効率が高い半導体発光素子を得ることができる。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体発光素子を示す断面図である。GaN基板1上に、厚さが1.0μmのn型GaNバッファ層2、厚さが1.0μmでAl組成比が0.07のn型AlGaNクラッド層3、厚さが100nmのn型GaN光ガイド層4、厚さが7nmのアンドープInGaN光閉じ込め層5、厚さが3.5nmでIn組成比が0.14のアンドープInGaN井戸層の3層と厚さが7.0nmでIn組成比が0.02のアンドープInGaN障壁層の2層とを交互に積層した多重量子井戸活性層6、厚さが20nmでIn組成比が0.02のアンドープInGaN光閉じ込め層7、厚さが30nmでAl組成比が0.03のアンドープAlGaN中間層8、厚さが5nmでIn組成比が0.02のアンドープInGaN中間層9、厚さが4.5nm(従来は20nm)でAl組成比が0.18のp型AlGaN電子障壁層10、厚さが400nmでAl組成比が0.07のp型AlGaNクラッド層11、厚さが100nmのp型GaNコンタクト層12が順番に設けられている。
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体発光素子を示す断面図である。GaN基板1上に、厚さが1.0μmのn型GaNバッファ層2、厚さが1.0μmでAl組成比が0.07のn型AlGaNクラッド層3、厚さが100nmのn型GaN光ガイド層4、厚さが7nmのアンドープInGaN光閉じ込め層5、厚さが3.5nmでIn組成比が0.14のアンドープInGaN井戸層の3層と厚さが7.0nmでIn組成比が0.02のアンドープInGaN障壁層の2層とを交互に積層した多重量子井戸活性層6、厚さが20nmでIn組成比が0.02のアンドープInGaN光閉じ込め層7、厚さが30nmでAl組成比が0.03のアンドープAlGaN中間層8、厚さが5nmでIn組成比が0.02のアンドープInGaN中間層9、厚さが4.5nm(従来は20nm)でAl組成比が0.18のp型AlGaN電子障壁層10、厚さが400nmでAl組成比が0.07のp型AlGaNクラッド層11、厚さが100nmのp型GaNコンタクト層12が順番に設けられている。
また、p型AlGaNクラッド層11及びp型GaNコンタクト層12には、〈1−100〉方向に向かって、エッチングによりリッジ13が形成されている。このリッジ13の幅は例えば1.5μm、エッチングの深さは450nmである。このリッジ部側面部又はリッジ横底面部には、厚さ200nmのSiO2膜14がリッジ13を覆うように形成されている。このSiO2膜14のリッジ13上には開口15が設けられており、この開口によりp側電極16とp型GaNコンタクト層12との電気的接触が図られている。p側電極16は、Pd及びAu膜を順次積層した構造となっている。GaN基板1の裏面には、TiとAl膜を順次積層したn側電極17が設けられている。
また、半導体発光素子の共振器長が600μmとなるように劈開され、前端面は反射率20%の低反射コーティングが施され、後端面には反射率95%の高反射コーティングが施されている。
次に、本実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法について説明する。まず、予めサーマルクリーニングなどにより表面を清浄化したGaN基板1上に有機金属化学気相成長(MOCVD)法により、例えば1000℃の成長温度でn型GaNバッファ層2を成長させ、その後、同じくMOCVD法により、n型AlGaNクラッド層3、n型GaN光ガイド層4、アンドープInGaN光閉じ込め層5、多重量子井戸活性層6、アンドープInGaN光閉じ込め層7、アンドープAlGaN中間層8、アンドープInGaN中間層9、p型AlGaN電子障壁層10、p型AlGaNクラッド層11及びp型GaNコンタクト層12を順次積層する。
ここで、これらの層の成長温度は、例えば、n型AlGaNクラッド層3及びn型GaN光ガイド層4は1000℃、アンドープInGaN光閉じ込め層5からアンドープInGaN光閉じ込め層7までは740℃、アンドープAlGaN中間層8は1000℃、アンドープInGaN中間層9は740℃、p型AlGaN電子障壁層10からp型GaNコンタクト層12は1000℃とする。
以上の結晶成長が終了したウエハの全面に、レジストを塗布し、リソグラフィーによりメサ部の形状に対応した所定形状のレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして、例えばRIE法によりp型AlGaNクラッド層11の層内までエッチングを行う。このエッチングにより、光導波構造となるリッジ13を作製する。このRIEのエッチングガスとしては例えば塩素系ガスを用いる。
次に、マスクとして用いたレジストパターンを残したまま、再び基板全面に例えばCVD法、真空蒸着法、スパッタリング法などにより例えば厚さが0.2μmのSiO2膜14を形成し、レジスト除去と同時にリッジ上にあるSiO2膜14を除去する、いわゆるリフトオフを行う。これにより、リッジ上の開口15が形成される。
次に、基板全面に例えば真空蒸着法によりPt及びAu膜を順次形成した後、レジスト塗布、リソグラフィー及び、ウェットエッチング又はドライエッチングにより、表面のp側電極16を形成する。その後、基板の裏面前面に、真空蒸着法によりTi及びAl膜を順次形成し、n側電極17をオーミック接触させるためのアロイ処理を行う。
この後、この基板を劈開などによりバー状に加工して両共振器端面を形成し、更にこれらの共振器端面に端面コーティングを施した後、このバーを劈開などによりチップ化する。以上により、本実施の形態に係る半導体発光素子が製造される。
ここで、GaN基板上に結晶成長した場合、InGaN層は成長面内方向に圧縮歪を、AIGaN層は引張歪を受ける。そして、これらの層はウルツ鉱構造であるため、歪により結晶成長方向にピエゾ電界が発生する。InGaN層とAlGaN層では歪の方向が異なるため、ピエゾ電界の方向も異なる。このピエゾ効果を考慮して、図1中a−a´部分の発振状態におけるバンド構造をシミュレーションした結果を図2,3に示す。ただし、図2は、電子障壁層10の厚さを従来のように20nmとした場合であり、図3は、5nmと薄くした場合である。
図2に示すように、電子障壁層10では、ピエゾ効果により+の記号で示す正電荷及び、−の記号で示す負電荷が発生し、これがピエゾ電界を発生させている。これにより、電子障壁層のバンド構造が大きく曲がっている。この場合に電子のオーバーフロー割合を計算したところ25.6%となり、前端面反射率を20%、後端面反射率を95%としたときの、微分効率は1.09W/Aであった。
一方、図3に示すように、電子障壁層が薄くなると正電荷と負電荷の間隔が近くなり、電子障壁層内での電界強度が強くなる。その結果、電子障壁層にはより大きなバンド曲がりが発生し、電子障壁層のp電極側が大きく高エネルギー側に移動して実効的な電子障壁層高さ(図3中hで示す)が高くなる。その結果、電子が電子障壁層を超えてpクラッド層ヘオーバーフローする量が低減し、より多くの電子がウェル内で発光再結合するため、発光効率が高くなる。この場合に電子のオーバーフロー割合の計算結果は11.1%となり、前端面反射率を20%、後端面反射率を95%としたときの、微分効率は1.42W/Aとなり、電子障壁層の厚さが20nmの場合に比べて大きく改善する。
さらに、電子障壁層が薄くなることにより、結晶欠陥や歪による問題も大幅に緩和され、結晶欠陥による非発光再結合が低減するとともに、信頼性も大幅に向上する。
このような構造の半導体レーザにおける、75℃での光出力−電流特性の測定結果を図4に示す。しきい値は45mA、微分効率は1.45W/Aであり、電子障壁層が20nmの従来構造における49mA、1.15W/Aに比べ改善している。
次に、電子障壁層のAl組成比が0.15,0.18,0.23の場合について、電子障壁層の厚さのみを変化させて、半導体発光素子のスロープ効率を計算した結果を図5に示し、n型層から活性層へ注入された電子のうち、電子障壁層からp型クラッド層側へオーバーフローする割合を計算した結果を図6に示す。図5にあるように、電子障壁層の厚さが4から5nm程度の時に、微分効率が最大となり、電子のオーバーフロー量も少なくなる。一方、電子障壁層の厚さが2nmよりも小さいと、逆にスロープ効率が小さくなる。これは、トンネル効果により電子がpクラッド層側に移動するためと考えられる。
従って、電子障壁層が2nm以上、7nm以下の時に高い効率を得ることができる。特に、3nm以上、6nm以下の時にはさらに高い効率を得ることができる。
ここで、p型AlGaN電子障壁層10は、Al組成比が小さい場合は、バンドギャップが小さくなるため、電子のオーバーフローが増大する。一方、Al組成比が大きい場合は、結晶性の問題がある。従って、p型AlGaN電子障壁層10のAl組成比としては、0.1以上0.3以下が好ましく、さらに0.15以上0.23以下がより好ましい。
また、活性層とAlGaN電子障壁層との間に、電子障壁層よりもバンドギャップが小さい、単一の又は複数の中間層を挿入する。この中間層は、電子障壁層に接するAlを含まないInxGa1−xN(0≦x≦1)層を有する。これにより、AlGaN電子障壁層とのバンドギャップ差を大きくし実効的なAlGaN電子障壁層の高さを大きくして電子のオーバーフローを抑制し、さらにAlGaN電子障壁層と逆の歪を導入することで歪応力を低減することができる。また、p型ドーパントに起因した光吸収の観点からは、この中間層はアンドープであることが好ましい。
この中間層が薄い場合には、実効的なAIGaN障壁層の高さを大きくする効果が小さくなり、厚い場合には結晶性が悪化するという問題がある。このため、中間層の厚さは2nm以上20nm以下が好ましく、4nm以上10nm以下がより好ましい。また、上記構造では活性層と電子障壁層との間に中間層があるが、この中間層が無く、活性層と電子障壁層が直接接している構造でも、電子障壁層の働きやピエゾ効果などは同じであるので、上記効果があることは言うまでもない。
さらに、上記説明は半導体レーザについてのものであるが、同様の構造をもつ半導体発光ダイオードの場合であっても、同様の効果があることは言うまでもない。この場合においても、InGaN中間層9には、AlGaN電子障壁層とのバンドギャップ差を大きくすることで実効的なAlGaN電子障壁層の高さを大きくし、電子のオーバーフローを抑制するという目的を持たせる必要がある。従って、InGaN中間層9のバンドギャップを、活性層の中でAlGaN電子障壁層に最も近い層のバンドギャップよりも小さくする必要がある。
この中間層が薄い場合には、実効的なAIGaN障壁層の高さを大きくする効果が小さくなり、厚い場合には結晶性が悪化するという問題がある。このため、中間層の厚さは2nm以上20nm以下が好ましく、4nm以上10nm以下がより好ましい。また、上記構造では活性層と電子障壁層との間に中間層があるが、この中間層が無く、活性層と電子障壁層が直接接している構造でも、電子障壁層の働きやピエゾ効果などは同じであるので、上記効果があることは言うまでもない。
さらに、上記説明は半導体レーザについてのものであるが、同様の構造をもつ半導体発光ダイオードの場合であっても、同様の効果があることは言うまでもない。この場合においても、InGaN中間層9には、AlGaN電子障壁層とのバンドギャップ差を大きくすることで実効的なAlGaN電子障壁層の高さを大きくし、電子のオーバーフローを抑制するという目的を持たせる必要がある。従って、InGaN中間層9のバンドギャップを、活性層の中でAlGaN電子障壁層に最も近い層のバンドギャップよりも小さくする必要がある。
なお、本実施の形態ではGaN基板を用いたが、例えばサファイア基板などGaNに格子整合していない基板上に低温GaNバッファ層を成長した基板や、サファイア基板上に、横方向成長技術を用いて、GaNに近い格子定数を持つ下地層を作製した基板を用いても、本実施の形態と同様の効果を奏する。
また、半導体レーザの場合について説明したが、同様の構造をもつ半導体発光ダイオードの場合でも、本発明を同様に適用することができる。
また、p電子障壁層10のAl組成比が0.18の場合について説明したが、電子障壁層10がInxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)であり、かつその格子定数が、基板材料であるGaN材料よりも小さい場合には、電子障壁層10は引っ張り歪をうけ、AlGaN材料と同方向のピエゾ電界を発生し、同じ効果を奏する。ただし、電子障壁層10がAlxGa1−xN(0≦x≦1)材料の方が、格子定数が小さく、ピエゾ効果が大きいことから、発明の効果が大きい。
実施の形態2.
本実施の形態に係る半導体発光素子は、実施の形態1に比べてp型AlGaN電子障壁層10のAl組成比が0.16、厚さが5nmである点が異なる。
本実施の形態に係る半導体発光素子は、実施の形態1に比べてp型AlGaN電子障壁層10のAl組成比が0.16、厚さが5nmである点が異なる。
Al組成比が小さいため、歪による影響が小さく信頼性の向上に有効である。通常Al組成が小さくなると、電子のオーバーフローが増大するが、電子障壁層を薄膜化することにより、電子のオーバーフローを抑制することができる。このため、75℃でのしきい値は47mA、微分効率は1.42W/Aと非常に良好な特性を示す。
実施の形態3.
本実施の形態に係る半導体発光素子は、実施の形態1に比べてp型AlGaN電子障壁層10のAl組成比が0.22、厚さが3nmである点が異なる。
本実施の形態に係る半導体発光素子は、実施の形態1に比べてp型AlGaN電子障壁層10のAl組成比が0.22、厚さが3nmである点が異なる。
Al組成比が大きいため、電子障壁層10の障壁高さが大きく、さらにピエゾ電界が大きいことから、より障壁高さを大きくすることができるため、電子オーバーフロー抑制効果が大きく、非常に高効率でさらに温度特性が良好となる。
実施の形態4.
本実施の形態に係る半導体発光素子は、実施の形態1に比べて、p型AlGaN電子障壁層10のAl組成比が0.22、厚さが5nmであり、InGaN中間層9が無い点が異なり、その他の構成は実施の形態1と同様である。
本実施の形態に係る半導体発光素子は、実施の形態1に比べて、p型AlGaN電子障壁層10のAl組成比が0.22、厚さが5nmであり、InGaN中間層9が無い点が異なり、その他の構成は実施の形態1と同様である。
InGaN中間層は通常その前後のAlGaN層に比べ200℃程度低温で成長する必要があり、この時の温度ストレスにより、結晶欠陥が増大する可能性がある。これに対し、本実施の形態により、電子障壁層の実効的な高さが高くなることから、InGaN中間層9が無い場合にも良好な特性を得ることができる。そして、InGaN中間層成長時の熱ストレスがないことから高信頼のLDを得ることができる。
実施の形態5.
本実施の形態に係る半導体発光素子は、実施の形態1に比べてAlGaN中間層8及びInGaN中間層9が無く、電子障壁層10と活性層が直接接している点が異なる。この場合も、電子障壁層の働きやピエゾ効果などは同じであるので、実施の形態1と同様の効果を奏する。
本実施の形態に係る半導体発光素子は、実施の形態1に比べてAlGaN中間層8及びInGaN中間層9が無く、電子障壁層10と活性層が直接接している点が異なる。この場合も、電子障壁層の働きやピエゾ効果などは同じであるので、実施の形態1と同様の効果を奏する。
1 GaN基板(基板)
2 n型GaNバッファ層
3 n型AlGaNクラッド層(第1クラッド層)
4 n型GaN光ガイド層
5 アンドープInGaN光閉じ込め層
6 多重量子井戸活性層(活性層)
7 アンドープInGaN光閉じ込め層
8 アンドープAlGaN中間層(中間層)
9 アンドープInGaN中間層(中間層)
10 p型AlGaN電子障壁層(電子障壁層)
11 p型AlGaNクラッド層(第2クラッド層)
12 p型GaNコンタクト層
13 リッジ
14 SiO2膜
15 開口
16 p側電極
17 n側電極
2 n型GaNバッファ層
3 n型AlGaNクラッド層(第1クラッド層)
4 n型GaN光ガイド層
5 アンドープInGaN光閉じ込め層
6 多重量子井戸活性層(活性層)
7 アンドープInGaN光閉じ込め層
8 アンドープAlGaN中間層(中間層)
9 アンドープInGaN中間層(中間層)
10 p型AlGaN電子障壁層(電子障壁層)
11 p型AlGaNクラッド層(第2クラッド層)
12 p型GaNコンタクト層
13 リッジ
14 SiO2膜
15 開口
16 p側電極
17 n側電極
Claims (10)
- 窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体発光素子であって、
基板上に、第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型のInxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)からなる電子障壁層と、第2導電型の第2クラッド層とが順に積層され、前記電子障壁層は前記活性層及び前記第2クラッド層よりもバンドギャップが大きく、前記電子障壁層の厚さが2nm以上7nm以下であることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記電子障壁層の厚さが3nm以上6nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記電子障壁層は、AlxGa1−xN(0≦x≦1)からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光素子。
- 前記電子障壁層のAl組成比が0.1以上0.3以下であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記活性層と前記電子障壁層の間に単一又は複数の中間層が設けられ、前記中間層は前記電子障壁層よりもバンドギャップが小さいことを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記中間層は、前記電子障壁層に接するInxGa1−xN(0≦x≦1)層を有することを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子。
- 前記活性層と前記電子障壁層は接することを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記中間層は、前記電子障壁層に接する第1の中間層と前記第1の中間層よりバンドギャップが大きい第2の中間層を有することを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子。
- 前記第1の中間層はInxGa1−xN(0≦x≦1)からなることを特徴とする請求項8に記載の半導体発光素子。
- 前記中間層はアンドープであることを特徴とする請求項5,6,8,9の何れか1項に記載の半導体発光素子。
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