KR20100098565A - 반도체 발광 소자 - Google Patents

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light emitting
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유키오 샤쿠다
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로무 가부시키가이샤
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Abstract

릿지 스트라이프 구조를 구비하고 있더라도, 소자의 구동 전압의 상승이나 내부 발열에 의한 수명 저하를 방지하고, 레이저 특성을 균일하게 할 수 있는 질화물 반도체 발광 소자를 제공한다. GaN 기판(1)상에 n형 GaN층(2), n형 AlGaN층(3), 활성층(4), p형 AlGaN층(5), p형 GaN층(6)이 차례로 적층되어 있다. p형 GaN층(6)상에는 절연막(7)과 투명 전극(8)이 형성되어 있다. 투명 전극(8)의 일부는, p형 GaN층(6)과 접하도록 형성되어 있다. 도파로 형성을 위한 릿지 스트라이프부 D는, 투명막(9)으로 구성되어 있다. 투명 전극(8)과 p형 GaN층(6)과 접촉하고 있는 영역이, 스트라이프 형상의 전류 주입 영역이 된다.

Description

반도체 발광 소자{SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명은, 릿지 스트라이프(ridge stripe) 구조를 갖는 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
종래, 릿지 스트라이프 구조를 갖는 반도체 발광 소자의 예로, 릿지 도파형 반도체 레이저가 제작되어 있다. 이 반도체 레이저 소자는, 일반적으로, 활성층을 n형과 p형의 클래드층 사이에 갖는 더블헤테로 구조를 구비하고 있고, p형 클래드층의 일부를 에칭하여, 릿지 스트라이프부를 형성하고 있다(예컨대, 특허 문헌 1, 2, 3 참조).
예컨대, 질화물로 구성된 릿지 도파형 반도체 레이저 소자는, 도 12에 나타내는 바와 같이, 도전성 기판(21)상에 n형 GaN층(22), n형 AlGaN층(23), 활성층(24), p형 AlGaN층(25)이 순차적으로 적층되고, p형 AlGaN층(25)의 일부를 드라이 에칭하여 볼록 형상의 릿지 스트라이프부 C를 형성한다. 릿지 스트라이프부 C의 정상에는 p형 GaN층(26)이 형성된다.
이러한 구조의 반도체 레이저 소자에서는, 광 도파로를 형성하기 위해 릿지 스트라이프부 C가 구성되어 있어, 릿지 스트라이프부 C에 의해, 활성층(24)의 가로 방향의 광 가둠(optical confinement)과 전류 협착이 행해진다. 광 가둠에 대해서는, 활성층의 릿지 스트라이프부 C 바닥부의 가로폭 Wd에 상당하는 영역과 그 양측의 영역의 실효 굴절률 차이에 의해 가둠을 행한다. 이 실효 굴절률 차이는, 메사에칭된 p형 AlGaN층 평탄부의 막 두께 t1에 따라 결정되고, 발진 파장 특성(스펙트럼 특성)을 정하는 요소가 된다. 따라서 막 두께 t1을 정밀하게 제어하는 것이 중요하다.
(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 공보 제 2002-204031 호
(특허 문헌 2) 일본 특허 공개 공보 평 11-214788 호
(특허 문헌 3) 일본 특허 공개 공보 평 10-256657 호
그러나, 상기 종래 기술과 같이, p형 AlGaN 등의 GaN계 반도체로 릿지 스트라이프 구조를 형성하기 위해서는, 통상, 드라이 에칭에 의해 제작하고 있지만, 드라이 에칭에서는 막 두께 t1을 정밀하게 제어할 수 없다. 특히, 예컨대, 10㎛×1000㎛의 영역(1소자)이나 10㎜×10㎜(작은 웨이퍼 면적) 내에서 막 두께 t1을 균일하게 하는 것이 곤란하다. 따라서, 각 소자마다 레이저 특성, 특히 발진 파장 특성의 변동을 초래하고 있었다.
또한, 릿지 스트라이프부에 있어서의 p형 AlGaN은, 세로 방향의 클래드층으로서의 역할을 발휘하고, 막 두께 t1의 값에 따라 실효 굴절률 차이를 제어하기 위해서는, 가공 전의 p형 AlGaN층(25)의 막 두께 h가 1㎛ 이상 필요하게 되어 있었다. 그러나, p형 AlGaN 등의 p형 반도체층의 막 두께를 두껍게 하면 저항이 높아지므로, 구동 전압이 상승하여, 내부 발열에 의해 소자의 수명 저하를 발생시킨다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은, 상술한 과제를 해결하기 위해 창안된 것이며, 릿지 스트라이프 구조를 구비하고 있더라도, 소자의 구동 전압의 상승이나 내부 발열에 의한 수명 저하를 방지하여, 레이저 특성을 균일하게 할 수 있는 반도체 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 1 국면은, p형 반도체층과 n형 반도체층 사이에 활성층을 갖는 적층 구조와, 상기 p형 반도체층의 가장 바깥쪽의 반도체층상에 형성된 투명 전극과, 상기 투명 전극상에 형성되고, 광 도파로를 구성하기 위한 릿지 스트라이프부를 구비하고, 상기 투명 전극 및 릿지 스트라이프부는, 상기 활성층의 발광 파장에 대하여 투명한 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자이다.
또한, 본 발명의 제 2 국면은, 상기 p형 반도체층, n형 반도체층, 활성층은 질화물로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 제 1 국면에 기재된 반도체 발광 소자이다.
또한, 본 발명의 제 3 국면은, 상기 릿지 스트라이프부는, 상기 투명 전극과 같은 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 제 1 국면 또는 제 2 국면에 기재된 반도체 발광 소자이다.
또한, 본 발명의 제 4 국면은, 상기 투명 전극은, 절연막에 의해, p형 반도체층과 접촉하는 영역이 제한되어 있는 것을 특징으로 하는 제 1 국면 내지 제 3 국면 중 어느 한 국면에 기재된 반도체 발광 소자이다.
또한, 본 발명의 제 5 국면은, 상기 릿지 스트라이프부에 있어서의 최대 가로폭 W1과, 상기 투명 전극과 p형 반도체층의 접촉면의 가로폭 W2는, W1≥W2의 관계를 만족시키고 있는 것을 특징으로 하는 제 1 국면 내지 제 4 국면 중 어느 한 국면에 기재된 반도체 발광 소자이다.
또한, 본 발명의 제 6 국면은, 상기 릿지 스트라이프부를 사이에 갖고 양쪽으로 노출된 투명 전극상의 한쪽 표면의 적어도 일부에, p측 전극이 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 제 1 국면 내지 제 5 국면 중 어느 한 국면에 기재된 반도체 발광 소자이다.
또한, 본 발명의 제 7 국면은, 상기 투명 전극이 노출된 표면 전부에, p측 전극이 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 제 6 국면에 기재된 반도체 발광 소자이다.
또한, 본 발명의 제 8 국면은, 상기 광 도파로의 단면보다 안쪽에 상기 투명 전극을 형성한 것을 특징으로 하는 제 1 국면 내지 제 7 국면 중 어느 한 국면에 기재된 반도체 발광 소자이다.
본 발명에 의하면, 광 도파로를 형성하기 위한 릿지 스트라이프부를 투명 절연막으로 형성하고, 이 투명 절연막을 p형 반도체층의 가장 바깥쪽의 반도체층상에 투명 전극을 사이에 두고 형성하고 있으므로, p형 반도체층을 드라이 에칭에 의해 릿지 스트라이프 형상으로 가공할 필요가 없어져, 레이저 특성의 변동을 방지할 수 있다.
또한, 광 도파로를 형성하기 위해, p형 반도체층을 가공할 필요가 없으므로, p형 반도체층을 얇게 제작할 수 있어, 구동 전압의 상승이나 내부 발열에 의한 수명 저하를 막을 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자의 전체 구조를 나타내는 사시도,
도 2는 도 1의 반도체 발광 소자의 한 제조 공정을 나타내는 도면,
도 3은 도 1의 반도체 발광 소자의 한 제조 공정을 나타내는 도면,
도 4는 도 1의 반도체 발광 소자의 한 제조 공정을 나타내는 도면,
도 5는 도 1의 반도체 발광 소자의 한 제조 공정을 나타내는 도면,
도 6은 도 1의 반도체 발광 소자의 한 제조 공정을 나타내는 도면,
도 7은 도 1과는 p 전극의 구조가 다른 반도체 발광 소자의 단면 구조를 나타내는 도면,
도 8은 투명 전극의 배치 범위가 다른 반도체 발광 소자를 나타내는 평면도,
도 9는 도 1에서 릿지 스트라이프부와 투명 전극의 재료가 같은 경우의 전체 구조를 나타내는 사시도,
도 10은 전류 주입 영역으로부터의 캐리어의 흐름을 나타내는 모식도,
도 11은 p형 GaN층의 일부를 n형 반전층으로 한 구조를 갖는 반도체 발광 소자의 단면 구조를 나타내는 도면,
도 12는 종래의 릿지 스트라이프 구조를 구비한 질화물 반도체 발광 소자의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 형태를 설명한다. 도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자의 일례인 질화물 반도체 레이저 소자의 단면 구조를 나타낸다.
질화물 반도체 레이저 소자를 구성하는 질화물 반도체는, 기지의 MOCVD법 등에 의해 형성한다. 여기서, 질화물 반도체는, AlGaInN 4원 혼정(4元混晶)을 나타내고, 이른바 III-V족 질화물 반도체라고 불리는 것으로, AlXGaYInZN(x+y+z=1, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1)으로 나타낼 수 있다. 또한, GaN계 반도체란, GaN만으로 이루어지는 반도체, 또는 구성 재료에 GaN을 포함하는 반도체이며, 상기 AlGaInN 4원 혼정에 있어서, 0<y≤1로 나타낸다.
GaN 기판(1)상에 n형 GaN층(2), n형 AlGaN층(3), 활성층(4), p형 AlGaN층(5), p형 GaN층(6)이 차례로 적층되어 있다. p형 GaN층(6)의 위에는, 질화물 반도체 이외의 재료에 의한 구조가 형성된다. 구체적으로는, p형 GaN층(6)상에는 절연막(7)과 투명 전극(8)이 형성되어 있다. 절연막(7)은 볼록 형상의 릿지 스트라이프부 D에 대응하는 영역을 제외하고 p형 GaN층(6)상에 접하여 형성되어 있다. 한편, 투명 전극(8)은 릿지 스트라이프부 D에 대응하는 영역만, p형 GaN층(6)과 접하도록 형성되어 있다. 투명 전극(8)은 p형 GaN층(6)과 접촉하고 있는 영역을 제외하면, 절연막(7)상에 형성되어 있다. 투명 전극(8)과 p형 GaN층(6)이 접촉하고 있는 영역이, 스트라이프 형상의 전류 주입 영역이 된다. 또한, n형 AlGaN층(3)과 p형 AlGaN층(5)은 클래드층으로서의 역할을 한다.
GaN 기판(1)은, 도전성의 n형 GaN이 이용되고, GaN 기판(1)의 이면에는 n 전극(11)이 형성되어 있다. 또한, 투명 전극(8)상의 투명막(9)이 형성되어 있지 않은 영역의 일부에 p 전극(10)이 형성되어 있다. 투명 전극(8)에는, 활성층(4)으로부터의 발광 파장에 대하여 투명하고, 흡수나 반사가 적은 재료, 예컨대, ZnO(산화아연)나 ITO 등의 투명 도전막이 이용된다. 또한, ZnO나 ITO 이외로는, Pd, Au 등의 금속막이라도 좋고, 이 경우는 매우 얇게 형성하여 투명 전극(8)으로서 이용한다. 또한, 투명 산화물 도전막과 금속 박막을 적층하더라도 좋다. 릿지 스트라이프부 D를 구성하는 투명막(9)에는, SiO2나 ZrO2, Al2O3, SiZr 등이 이용된다. 본 실시 형태의 릿지 스트라이프부 D는, 더미의 릿지 스트라이프로, 전류가 흐르지 않는다. 투명막(9)은, 도전막 또는 전기적으로 절연성의 절연막 중 어느 것이라도 좋고, 활성층(4)으로부터의 발광 파장에 대하여 투명하고, 흡수나 반사가 적은 재료가 이용된다. 예컨대, 생산성이나 비용면에서 유리한 투명 수지를 이용하더라도 좋다. 또한, 릿지 스트라이프부 D에는, 광 가둠을 위해, GaN계 반도체보다 굴절률이 작은 재료를 이용하더라도 좋다.
한편, 도 9에 나타내는 바와 같이, 릿지 스트라이프부 D를 투명 전극(8)과 같은 투명 도전 재료로 구성하도록 하더라도 좋다. 이 경우는, 두꺼운 막이 되므로, 릿지 스트라이프부 D 또는 투명 전극(8)을 ZnO나 ITO 등의 투명 도전막으로 형성한다. 릿지 스트라이프부 D가 마련됨으로써, 활성층(4)의 가로 방향으로 굴절률 차이가 생겨, 광 도파로가 형성된다. 또한, 앞쪽의 광 도파로의 단면 D1와 반대쪽의 단면 D2로 광 공진기를 구성하고 있고, 이 공진기 내에서 증폭된 광이 유도 방출된다.
활성층(4)은, 양자 우물 구조(Quantum Well)를 갖는 활성층이며, 우물층(웰층)을, 우물층보다 밴드갭이 큰 장벽층(배리어층)으로 샌드위치한 구조로 되어 있다. 이 양자 우물 구조를 다중화한 것이, MQW(Multi Quantum Well), 즉 다중 양자 우물 구조가 된다. 또, 활성층(4)은 MQW가 아닌, 하나의 양자 우물 구조가 되는 SQW(Single Quantum Well)로 하여도 좋다.
또한, 릿지 스트라이프부 D의 바닥부의 가장 큰 가로폭을 W1, 투명 전극(8)이 p형 GaN층(6)과 접촉하고 있는 릿지 스트라이프부 D의 가로폭 방향의 길이를 W2라고 하면, W1은 W2와 같거나, 그보다 커지도록(W1≥W2) 형성된다. 예컨대, 투명막(9)을 SiO2로 형성하고, 그 가로폭 W1은 2㎛ 정도로 형성할 수 있다. 여기서, W1은, 활성층(4) 내의 광 도파로의 가로폭에 상당하고, 한편, W2는 전류 주입 영역에 상당한다. 여기서, 예컨대, 3㎛≥W1≥W2로 하는 것이 바람직하다. W1이 너무 커지면, 광 빔의 확산이 너무 작아져버리기 때문이다.
도 12의 종래 구조에서는, 릿지 스트라이프 구조를 GaN계 반도체로 형성하고 있었으므로, 광 도파로의 폭과 전류 주입 영역이 일체가 되어, 각각을 별개로 제작할 수 없었다. 따라서, 전류 주입 영역은 광 도파로의 사양에 의존하는 것으로 되어 있었기 때문에, 전류 협착을 행하여 주입 전류 밀도를 높이는 것이 곤란하며, 반전 분포가 발생하기 어려운 경우도 있었다. 본 발명에서는, 광 도파로의 폭의 크기 W1과 전류 주입 영역의 폭의 크기 W2를 따로따로 설정할 수 있다. 이 때문에, 전류 주입 영역의 폭 W2를 좁게 함으로써, 주입 전류 밀도를 높게 하여, 레이저 발진의 전제가 되는 반전 분포 상태를 일으키기 쉽게 할 수 있다.
이상과 같이 구성한 질화물 반도체 레이저 소자에서는, 도파로의 형성에 관계하는 p형 AlGaN층의 치수 편차가 감소했다. 우선, 종래 구조의 도 12와 같이, 드라이 에칭으로 p형 AlGaN층(25)의 일부를 제거하여, 막 두께 t1을 제어할 필요가 없어졌으므로, 드라이 에칭 가공시의 변동의 영향이 배제되었다.
또한, 결정 성장 과정에서는, 통상, 막 두께의 10%의 범위에서 변동이 있다고 생각할 수 있지만, 종래 구조의 t1의 편차는, 전체의 막 두께 h가 최저 1㎛는 필요하므로, 1㎛의 10%인 1000Å이다. 그러나, 본 발명에서는, 후술하는 바와 같이, p형 AlGaN층(5)과 p형 GaN층(6)의 합계 막 두께는 0.3㎛ 이하이므로, 0.3㎛의 10%라고 하면, 편차는 300Å 정도가 되어 종래 구조보다는 감소하여, 레이저 특성이 향상된다.
한편, p형 GaN계 반도체층의 저항율을 1Ω·㎝라고 하면, 도 12의 종래 구조에서는, 릿지 스트라이프부 C의 형상은, 2㎛(가로폭)×1㎜(스트라이프 방향 길이)×1㎛(높이 또는 막 두께) 정도 필요하다. 이 때문에, 그 저항값은 5Ω이 되고, 100㎃의 동작 전류에서는, p형 GaN계 반도체층의 저항에 의한 전압 상승은 0.5V가 된다.
그러나, 본 발명의 도 1의 구조에서는, 전술한 바와 같이 p형 AlGaN층(5)과 p형 GaN층(6)의 합계 막 두께는 0.3㎛로 제작할 수 있다. 이에 따라, 전류 주입 영역의 가로폭 W2를 종래 구조와 같은 2㎛로 했다고 해도, 스트라이프 형상의 전류 주입 영역은, 2㎛(가로폭)×1㎜(스트라이프 방향 길이)×0.3㎛(높이 또는 막 두께)가 되고, 그 저항값은 1.5Ω이 된다. 따라서, 100㎃의 동작 전류에서는, 0.15V의 전압 상승이 되어, 종래 구조와 비교하여 구동 전압의 상승을 억제할 수 있다. 또한, 이와 같이 p형층의 저항값을 낮춤으로써, 내부 발열에 의한 수명 저하를 막을 수 있다. 본 발명에서는, 활성층상의 질화물 반도체의 p형층의 막 두께를, 예컨대, 1㎛ 이하, 보다 상세하게는, 0.5㎛ 이하 0.1㎛ 이상으로 할 수 있다. 이에 따라, p형층에 의한 저항을 충분히 저감하면서, 충분한 광 가둠이 가능해진다.
그런데, 본 발명의 반도체 발광 소자의 구조는, 질화물 반도체뿐만 아니라, 적색 레이저 등에 사용되는 InGaAlP계 화합물 반도체 등에도 적용할 수 있다. 그러나, 반도체 발광 소자를 질화물 반도체로 구성한 경우는, 다른 화합물 반도체와 비교하여, 특히 p형 반도체층의 저항이 높다고 하는 문제가 있다. 이 때문에, 실효 굴절률 차이를 제어하여 광의 가둠을 행하기 위해서는, 예컨대, p형 반도체층에 대하여 2㎛ 정도의 막 두께가 필요한 경우라도, 저항을 낮추지 않으면 안 되기 때문에 1㎛ 정도의 막 두께로 할 필요가 있었다. 그러나, 이 경우는, 광의 가둠 효과가 약해져, 레이저 특성이 변동된다. 본 발명의 반도체 발광 소자의 구조로 하면, 일정한 광의 가둠 효과를 얻을 수 있고, 또한 p형 반도체층의 저항값을 낮게 할 수도 있으므로, 질화물 반도체로 구성하는 경우의 효과는 특히 크다.
다음으로, 도 10은 n 전극(11)을 도시하지 않고 있지만, 도 1의 단면을 나타낸 것이며, 도면의 파선의 화살표는, 전류 주입 영역으로부터의 캐리어의 흐름을 모식적으로 나타내고 있다. 여기서, 전류 주입 영역으로부터 주입된 캐리어의 흐름은, 도면의 파선의 화살표로 나타낸 바와 같이, 활성층(4)을 향하여 확산된다. 여기서, 릿지 스트라이프부 D의 높이 H의 범위는, 3㎛≥H≥0.4㎛로 하는 것이 바람직하다. 높이 H의 하한을 상기한 바와 같이 하는 것은, 높이가 너무 낮으면, 릿지 스트라이프부 D에서 광의 도파가 행해지기 어렵게 되기 때문이다. 한편, 높이 H의 상한을 상기한 바와 같이 하는 것은, 높이를 너무 크게 하면, 비용이 증대됨과 아울러, 생산성이 떨어지기 때문이다.
또한, W1과 W2의 관계에 대해서는, (W1-W2)≥0.2×W2, 즉 W1≥1.2×W2인 것이 바람직하다. 이것은, 도 10에 나타내는 캐리어의 확산이, 전류 주입 영역의 가로폭 W2의 0.1배 정도씩 좌우로 각각 넓어지는 경향이 있기 때문이다. 따라서, 활성층(4)의 발광 영역은, 1.2×W2 정도가 된다고 생각할 수 있고, 이들 광을 릿지 스트라이프부 D에 받아들여 도파시키기 위해, 상기한 바와 같이 W1에 여유를 갖게 하는 것이 바람직하다. 또, 상기와 같은 경우를 상정하여, 절연막(7)은, 활성층(4)으로부터의 발광 파장에 대하여 투명하고, 흡수나 반사가 적은 재료로 구성하는 것이 좋다.
다음으로, 도 1의 반도체 발광 소자의 제조 방법을 도 2~도 6을 참조하면서 이하에 설명한다. 우선, 성장용 기판으로서 GaN 기판(1)을 MOCVD(유기 금속 화학 기상 성장) 장치에 넣어, 수소 가스를 흘리면서, 1050℃ 정도까지 온도를 올려, GaN 기판(1)을 열세정(thermal cleaning)한다. 온도를 그대로 유지하여, N 원료로서 이용하는 반응 가스, 예컨대 NH3와, Ga의 원료 가스, 예컨대, 트라이메틸갈륨(TMGa)을 공급하고, n형 도펀트 가스로서 실레인(SiH4)을 공급하여 n형 GaN층(2)을 5㎛ 정도 성장시킨다.
그 후, Al 원자의 원료 가스인 트라이메틸알루미늄(TMA)도 공급하여, n형 AlGaN층(3)을 0.5㎛ 정도 성장시킨다. 다음으로, TMGa, TMA, 실레인의 공급을 정지하고, 암모니아와 수소의 혼합 분위기 중에서 기판 온도를 700℃~800℃의 사이로 낮추고, 트라이에틸갈륨(TEGa)을 공급하여, 활성층(4)의 언도프 GaN으로 이루어지는 장벽층을 적층하고, 트라이메틸인듐(TMIn)을 공급하여, InGaN 우물층을 적층한다. 그리고, GaN 장벽층과 InGaN 우물층의 반복에 의해 다중 양자 우물 구조로 한다. 활성층(4)은, 예컨대, 0.1㎛ 정도 성장시킨다.
활성층(4) 성장 후, 성장 온도를 1020℃~1040℃로 상승시키고, Ga 원자의 원료 가스인 트라이메틸갈륨(TMGa), 질소 원자의 원료 가스인 암모니아(NH3), Al 원자의 원료 가스인 트라이메틸알루미늄(TMA), p형 불순물 Mg의 도펀트 재료인 CP2Mg(비스사이클로펜타다이에틸마그네슘)을 공급하여, p형 AlGaN층(5)을 예컨대, 0.15㎛ 성장시킨다. 다음으로, 성장 온도는 그대로 하고, TMA의 공급은 정지하여, p형 GaN층(6)을 예컨대, 0.1㎛ 정도 성장시킨다. 이렇게 하여, 도 2와 같이, GaN 기판(1)~p형 GaN층(6)까지가 적층된 적층체가 형성된다.
여기서, 종래 구조와는 달리, p형 GaN계 반도체층을 드라이 에칭 가공하여, 릿지 스트라이프 구조를 제작할 필요가 없다. 또한, p형 GaN계 반도체층은, 클래드층이나 콘택트층이 역할을 하도록 형성하는 것만으로 좋으므로, p형 GaN계 반도체층의 합계 막 두께는, 0.3㎛ 이하로 할 수 있다. 본 실시예에서는, p형 GaN계 반도체층으로서는, p형 AlGaN층(5)과 p형 GaN층(6)이 해당하고, 그 합계 막 두께는, 상기에서, 0.25㎛이다.
또, 각 반도체층의 제조에 대해서는, 캐리어 가스의 수소 또는 질소와 함께, 트라이에틸갈륨(TEGa), 트라이메틸갈륨(TMG), 암모니아(NH3), 트라이메틸알루미늄(TMA), 트라이메틸인듐(TMIn) 등의 각 반도체층의 성분에 대응하는 반응 가스, n형으로 하는 경우의 도펀트 가스로서의 실레인(SiH4), p형으로 하는 경우의 도펀트 가스로서의 CP2Mg(사이클로펜타다이엔일마그네슘) 등의 필요한 가스를 공급하고, 700℃~1200℃ 정도의 범위에서 순차적으로 성장시킴으로써, 소망하는 조성으로, 소망하는 도전형의 반도체층을, 필요한 두께로 형성할 수 있다.
다음으로, 플라즈마 CVD법을 이용하여, 절연막(7)으로서 SiO2를 막 두께 2000Å 정도, p형 GaN층(6)상에 형성한다. 포토리소그래피 기술을 이용하여, 폭 W2가 1㎛, 스트라이프 방향의 길이 1㎜가 되는 직사각형 영역의 SiO2를 BHF(buffered hydrogen fluoride)에 의해 웨트 에칭을 행하여, 전류 주입 영역을 형성한다. 그리고, 도 3과 같이, 예컨대, 1㎛×1㎜의 직사각형 영역이 제거된 절연막(7)이 형성된다.
그 후, 레이저 증착 또는 EB(전자 빔) 증착에 의해, 투명 전극(8)으로서 ZnO를 적층한다. 투명 전극(8)은, 절연막(7)이 제거되어 있는 영역에서, p형 GaN층(6)과 접촉하고, 그 밖의 영역에서는 절연막(7)상에 형성된다. ZnO는, 특히 GaN계 반도체와 오믹 접촉성이 좋아, p형 GaN층(6)에 오믹 접촉시킬 수 있다. 투명 전극(8)상에 플라즈마 CVD에 의해, SiO2 등의 투명 재료(91)를 2㎛ 정도의 막 두께로 형성한다. 그리고, 도 4와 같은 적층 구조를 얻는다.
다음으로, 도 5에 나타내는 바와 같이, 금속막(20)을 투명 재료(91)상에 형성한다. 이 금속막(20)으로는, 예컨대, Ni(니켈)를 이용한다. 포토리소그래피 기술을 이용하여, 절연막(7)의 개구부의 폭 W2와 같거나, 그보다 Ni의 가로폭이 커지도록, 스트라이프 형상으로 형성한다. 본 실시예에서는, Ni의 가로폭은 2㎛로서, 폭 W2보다 크게 했다. 스트라이프 방향의 길이는 1㎜로 하고, 증착에 의해 제작한다.
그 후, 금속막(20)을 마스크로 하여, 드라이 에칭을 이용하여, 투명 재료(91)를 메사에칭하여, 릿지 스트라이프 형상을 형성하면, 도 6과 같이, 투명막(9)으로 이루어지는 릿지 스트라이프부가 형성된다. 또한, 투명 전극(8)의 양단의 일부를 에칭에 의해 제거한다.
여기서, 도 1과 같이, 투명 전극(8)상에 p 전극(10)을 제작하는 경우는, 금속막(20)을 제거하고, p 전극(10)으로서, 예컨대, Ti/Au의 금속 다층막을, 각 막 두께 500Å/8000Å로 증착 또는 스퍼터에 의해 형성한다. 한편, n 전극(11)은, 예컨대, Ti/Al의 금속 다층막을, 각 막 두께 500Å/8000Å로 증착 또는 스퍼터에 의해 형성한다.
한편, p 전극(10)에 대해서는, 도 7과 같이 구성할 수도 있다. 도 7에서는, 금속막(20)을 남긴 채로, 릿지 스트라이프부의 상면으로부터 측면, 및 투명 전극(8)의 상면에 걸쳐, 단면 D1, D2는 제외하고 형성한다. 이 경우의, p 전극(10) 및 n 전극(11)의 재료나 막 두께에 대해서는, 상술한 도 1의 경우의 구성과 같게 할 수 있다.
도 1, 7에 나타내는 바와 같이, 투명 전극(8)상 중, 릿지 스트라이프부 D를 구성하고 있는 투명막(9)이 형성되어 있지 않은 영역에, 적어도 p측 전극의 p 전극(10)이 접하여 형성되어 있다. 바꿔 말하면, 릿지 스트라이프부 D를 사이에 두고 양측에 노출된 투명 전극(8)상의 한 쪽 표면의 적어도 일부에, p 전극(10)이 접하여 형성된다. 그러나, 도 1과 도 7을 비교하면, 도 7은 릿지 스트라이프부 D를 사이에 두고 좌우의 투명 전극(8)상에 전면에 걸쳐 접촉하여 p 전극(10)이 제작되어 있다. 따라서, 이하와 같이 말할 수 있다. 도 7에서는, 전류 주입 영역 W2에 있어서, 전류 밀도가 좌우 대칭이 되지만, 도 1에서는, 좌우 대칭이 되지 않을 가능성이 있어, 레이저 특성에 영향을 줄 가능성이 있다.
또한, 투명 전극(8)과 p 전극(10) 사이의 콘택트 저항이 낮아지지 않는 경우, 도 7은 도 1보다, 투명 전극(8)과 p 전극(10)의 접촉 면적이 커지므로, 도 7의 구성 쪽이 동작 전압이 낮아질 가능성이 있다. p 전극(10)으로부터의 방열이 디바이스 전체 중에서 비율이 많으면, 도 7 쪽이 방열성이 좋아진다.
그런데, 도 1이나 도 7과 같은 릿지 스트라이프부를 갖는 레이저 소자가, 공통의 기판에 다수 형성되어 있는 경우에는, 이것을 벽개(劈開) 등에 의해, 칩화한다.
이상과 같이 제작된 질화물 반도체 레이저 소자를 상면으로부터 본 평면도를 도 8에 나타낸다. 도 8(a)는, p 전극(10)을 제거한 상태로, 도 1 또는 도 7을 상방향으로부터 본 평면도이다. p 전극으로부터 투명 전극(8)을 통해 전류가 주입되지만, 반도체 레이저 칩 단면에서의 방열성은 일반적으로 나쁘고, 도 8(a)와 같이, 투명 전극(8)이 공진기를 구성하는 단면 D1 및 D2까지 가득 형성되어 있으면, 단면에도 전류가 흘러 발열한다. 이 열에 의한 융해나 COD(Catastrophic Optical Damage) 파괴가 발생하기 쉬워져, 단면(端面) 열화가 발생할 가능성이 있다. 단면 열화는 단면 반사율을 저하시켜, 레이저 동작을 불가능하게 하는 경우도 있다.
그래서, 도 8(b)와 같이, 투명 전극(8b)을 단면 D1, D2로부터 후퇴시켜, 일정한 스페이스를 갖게 하여 형성하도록 하더라도 좋다. 이와 같이 하면, 스페이스가 열린 단면 영역에는, 전류가 흐르지 않게 되므로, 열의 발생을 억제할 수 있어, 단면 열화를 방지할 수 있다.
또, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한하는 것이 아니라, 도 11에 나타내는 구성으로 하여도 좋다. 도 6은 도 1의 반도체 발광 소자의 일 제조 공정을 나타내는 도면이지만, 도 6의 공정도에 대응하는 구성으로서 도 11을 나타내고 있다. 예컨대, 도 6의 절연막(7) 대신에, p형 GaN층(16)의 일부를 플라즈마 이온 충격에 의해 n형 GaN층(17)에 반전 형성하고, 투명 전극(18)을 n형 GaN층(17) 표면 및 p형 GaN층(16) 표면에 걸쳐 적층한다. 이와 같이, np 접합을 제작하여, 전류 협착을 행하도록 하더라도 좋다. 또한, 다른 방법으로서, 도시하지 않는 마스크를 이용하여 p형 GaN층(16)의 전류 주입 영역에 상당하는 부분을 덮고, 예컨대, Si 등의 n형 불순물을 p형 GaN층(16)의 일부에 이온 주입함으로써 n형 GaN층(17)을 제작하여 전류 협착을 행하도록 하더라도 좋다.
1 : GaN 기판 2 : n형 GaN층
3 : n형 AlGaN층 4 : 활성층
5 : p형 AlGaN층 6 : p형 GaN층
7 : 절연막 8 : 투명 전극
9 : 투명막 10 : p 전극
11 : n 전극 16 : p형 GaN층
17 : n형 GaN층 18 : 투명 전극

Claims (8)

  1. p형 반도체층과 n형 반도체층 사이에 활성층을 갖는 적층 구조와,
    상기 p형 반도체층의 가장 바깥쪽의 반도체층상에 형성된 투명 전극과,
    상기 투명 전극상에 형성되어, 광 도파로를 구성하기 위한 릿지 스트라이프부
    를 구비하고,
    상기 투명 전극 및 릿지 스트라이프부는, 상기 활성층의 발광 파장에 대하여 투명한 것
    을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 p형 반도체층, n형 반도체층, 활성층은 질화물로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 릿지 스트라이프부는, 상기 투명 전극과 같은 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명 전극은, 절연막에 의해, p형 반도체층과 접촉하는 영역이 제한되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 릿지 스트라이프부에 있어서의 최대 가로폭 W1과, 상기 투명 전극과 p형 반도체층의 접촉면의 가로폭 W2는, W1≥W2의 관계를 만족시키고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 릿지 스트라이프부를 사이에 두고 양쪽에 노출된 투명 전극상의 한쪽 표면의 적어도 일부에, p측 전극이 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 투명 전극이 노출된 표면 전부에, p측 전극이 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 도파로의 단면보다 안쪽에 상기 투명 전극을 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4566253B2 (ja) * 2008-07-09 2010-10-20 シャープ株式会社 窒化物半導体レーザ素子
JPWO2012101686A1 (ja) * 2011-01-26 2014-06-30 パナソニック株式会社 半導体発光素子及び発光装置
CN103380551A (zh) * 2011-03-17 2013-10-30 松下电器产业株式会社 半导体发光元件以及使用它的发光装置
DE102012106687B4 (de) * 2012-07-24 2019-01-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Steglaser
JP2014170825A (ja) * 2013-03-04 2014-09-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 量子カスケード半導体レーザ
JP6430317B2 (ja) * 2014-08-25 2018-11-28 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP6700019B2 (ja) * 2015-10-20 2020-05-27 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
JP6700027B2 (ja) 2015-11-20 2020-05-27 スタンレー電気株式会社 垂直共振器型発光素子
JP6990499B2 (ja) * 2016-04-18 2022-01-12 スタンレー電気株式会社 垂直共振器型発光素子及び垂直共振型発光素子の製造方法
CN109346578B (zh) * 2018-12-04 2023-07-07 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 形成半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件的方法
JP2020126995A (ja) * 2019-02-06 2020-08-20 シャープ株式会社 半導体レーザ素子及びその製造方法
US20210313760A1 (en) * 2020-04-06 2021-10-07 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Method for manufacturing semiconductor laser diode and semiconductor laser diode
US20230327405A1 (en) * 2020-11-06 2023-10-12 Mitsubishi Electric Corporation Optical semiconductor device

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US245540A (en) * 1881-08-09 Table
US26307A (en) * 1859-11-29 Alfred f
US4930132A (en) * 1987-12-28 1990-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Second harmonic wave generating device having active layer and second harmonic wave generating layer on same substrate
JPH04103187A (ja) * 1990-08-22 1992-04-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ及びその製造方法
US5394421A (en) 1993-01-11 1995-02-28 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser device including a step electrode in a form of eaves
JP3387976B2 (ja) * 1993-07-14 2003-03-17 ローム株式会社 半導体レーザ
JP3464853B2 (ja) * 1995-09-06 2003-11-10 株式会社東芝 半導体レーザ
JP3688843B2 (ja) * 1996-09-06 2005-08-31 株式会社東芝 窒化物系半導体素子の製造方法
JP4365898B2 (ja) 1997-03-07 2009-11-18 シャープ株式会社 窒化ガリウム系半導体レーザ素子、及び半導体レーザ光源装置
JP3653169B2 (ja) 1998-01-26 2005-05-25 シャープ株式会社 窒化ガリウム系半導体レーザ素子
JP3533995B2 (ja) * 1999-07-01 2004-06-07 住友電気工業株式会社 発光ダイオードおよびその製造方法
JP2001223384A (ja) 2000-02-08 2001-08-17 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2004048080A (ja) * 2000-05-17 2004-02-12 Sony Corp 半導体レーザの製造方法
JP2001339121A (ja) * 2000-05-29 2001-12-07 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子とそれを含む光学装置
KR100378352B1 (ko) 2000-12-20 2003-03-29 삼성전기주식회사 리지 웨이브 가이드를 구비하는 반도체 레이저 다이오드및 그 제조 방법
JP2003046197A (ja) 2001-08-01 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザおよびその製造方法
US7372077B2 (en) 2003-02-07 2008-05-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device
US6990132B2 (en) * 2003-03-20 2006-01-24 Xerox Corporation Laser diode with metal-oxide upper cladding layer
US7279751B2 (en) * 2004-06-21 2007-10-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
JP4909533B2 (ja) * 2004-06-21 2012-04-04 パナソニック株式会社 半導体レーザ素子及びその製造方法
JP4917031B2 (ja) * 2005-06-16 2012-04-18 シャープ株式会社 窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法
KR101124290B1 (ko) * 2005-11-03 2012-03-27 삼성엘이디 주식회사 질화물 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법
JP5521478B2 (ja) * 2008-10-22 2014-06-11 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法及び窒化物半導体発光素子

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Publication number Publication date
EP2237382A1 (en) 2010-10-06
CN101904064A (zh) 2010-12-01
US20110121337A1 (en) 2011-05-26
US8411718B2 (en) 2013-04-02
EP2237382A4 (en) 2011-01-26
JPWO2009078482A1 (ja) 2011-05-06
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