JP4917031B2 - 窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents

窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4917031B2
JP4917031B2 JP2007521207A JP2007521207A JP4917031B2 JP 4917031 B2 JP4917031 B2 JP 4917031B2 JP 2007521207 A JP2007521207 A JP 2007521207A JP 2007521207 A JP2007521207 A JP 2007521207A JP 4917031 B2 JP4917031 B2 JP 4917031B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitride semiconductor
waveguide
electrode
insulating layer
resist mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007521207A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2006134717A1 (ja
Inventor
晋 近江
剛 神川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2007521207A priority Critical patent/JP4917031B2/ja
Publication of JPWO2006134717A1 publication Critical patent/JPWO2006134717A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4917031B2 publication Critical patent/JP4917031B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

本発明は、製造歩留まりおよび共振器端面の信頼性が高い窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法に関する。
リッジストライプ状の導波路を有する窒化物半導体レーザ装置において、基板上に形成された窒化物半導体積層部の上面に形成した導波路と、この導波路の上面に開口部を設けた絶縁性保護膜を介して、窒化物半導体積層部上に電極を形成することが一般的に行われる。このような構造の窒化物半導体レーザ装置としては、例えば特許文献１で提案された、図２３に示すものが挙げられる。
図２３は、窒化物半導体レーザ装置１００を、凸型ストライプ状（リッジストライプ型）の導波路領域１１５に対して垂直方向、すなわち共振面に対して平行な方向で切断した断面図である。窒化物半導体レーザ装置１００は、ｎ型導電性を示す窒化物半導体基板１０６上に、ｎ型クラック防止層１０７、ｎ型クラッド層１０８、光ガイド層１０９、活性層１１０、ｐ型キャップ層１１１、光ガイド層１１２、ｐ型クラッド層１１３、ｐ型コンタクト層１１４を積層し、これらの層および窒化物半導体基板１０６の一部をエッチングして凸型ストライプ状の導波路領域１１５が形成されている。窒化物半導体基板１０６の上面および導波路領域１１５の側面には、絶縁性保護膜として、導波路領域１１５の上面に開口部を有する第１の保護膜１０４が形成されており、導波路領域１１５およびその近傍はｐ型電極１０１で被覆され、さらに窒化物半導体基板１０６の上面のｐ型電極１０１以外の部分は第２の保護膜１０５が形成され、ｐ型電極１０１および第２の保護膜１０５の上にパッド電極１０２が形成されている。
特開平１１−３３０６１０号公報（第５頁、図１）
この従来の窒化物半導体レーザ装置１００は、窒化物半導体基板１０６を劈開して共振器端面が作製される。このとき第１の保護膜１０４および第２の保護膜１０５も割れるが、これらの絶縁性保護膜は固くて脆いため、細かい破片を発生する。つまり、第１の保護膜１０４および第２の保護膜１０５が発塵源となる。この破片が共振器端面のレーザの発光点またはその近傍に付着すると、窒化物半導体レーザ装置１００の光放射特性の異常を招来し、不良品となるため、製造歩留まりの低下の要因となる。
また、この破片がレーザの発光点およびその近傍以外の場所に付着した場合でも、劈開面に形成されるコート膜が剥落する基点となる可能性を包含しており、窒化物半導体レーザ装置１００の長期信頼性を低下させる要因となる。
一方、窒化ガリウム系の窒化物半導体レーザ装置においては、その発振波長が４０５ｎｍ前後と比較的短いため、駆動すると劈開面に形成されるコート膜が発振光によって活性化されて反応性が高まる。ここで、例えば絶縁性保護膜としてＳｉＯ２を用い、劈開面に形成されるコート膜がＡｌやＨｆを含む場合、絶縁性保護膜のＳｉとこれらの膜のＡｌやＨｆとが共晶を形成する。したがって、この窒化物半導体レーザ装置を連続駆動して共振器端面の温度が上昇すると、例えば１００℃以上になると、コート膜中にこの共晶が形成されることによりこれらの膜の反射率が設計値から大幅にずれ、それに伴ってレーザの駆動特性が変動する可能性もある。
そこで、本発明は、窒化物半導体基板を劈開する際に絶縁性保護膜から破片が発生せず、製造歩留まりが良好であり、また共振器端面の信頼性の高い窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、基板と、この基板上に複数の窒化物半導体層が積層されてなり、リッジストライプ状の導波路が設けられた窒化物半導体積層部と、前記窒化物半導体積層部上に形成され、前記導波路の上部に開口部を有する絶縁層と、前記導波路および前記絶縁層の上部に設けられた第１の電極と、を備える窒化物半導体レーザ装置において、前記窒化物半導体積層部の上部の、少なくとも前記導波路の長手方向の端部の近傍には前記絶縁層が配置されずに前記窒化物半導体積層部が露出している部分を有することを特徴とする。
また本発明は、上記構成の半導体レーザ装置において、前記導波路と前記第１の電極との間に第２の電極を有し、この第２の電極が前記導波路の上面の全体に配置されていることを特徴とする。
また本発明は、上記構成の半導体レーザ装置において、前記窒化物半導体積層部の上部の前記絶縁層が配置されていない領域の、前記導波路の長手方向と平行な方向の長さが２μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする。
また本発明は、上記構成の半導体レーザ装置において、前記基板および前記窒化物半導体積層部の、前記導波路の長手方向に垂直な端面の少なくとも一方に、コート膜が前記窒化物半導体積層部の上部に張り出すように設けられており、このコート膜の張り出した部分と前記絶縁層とが接触しないことを特徴とする。
本発明の窒化物半導体レーザ装置の製造方法は、基板上に複数の窒化物半導体層を積層して窒化物半導体積層部を形成する第１ステップと、前記第１ステップで形成した前記窒化物半導体積層部の上面にストライプ状の第１のレジストマスクを形成する第２ステップと、前記窒化物半導体積層部の上部の、前記第２ステップで形成した前記第１のレジストマスクに覆われていない部分をエッチングすることによって前記窒化物半導体積層部にリッジストライプ状の導波路を形成する第３ステップと、前記第１のレジストマスクを含めた、前記第３ステップでエッチングした前記窒化物半導体積層部の上部に絶縁層を形成する第４ステップと、前記第１のレジストマスク上の前記第４ステップで形成した前記絶縁層と前記第１のレジストマスクとを除去して前記絶縁層に開口部を設ける第５ステップと、前記第５ステップで開口部が設けられた前記絶縁層および前記窒化物半導体積層部の上部に第１の電極を形成する第６ステップと、前記絶縁層および前記第６ステップで形成した前記電極の上部に、前記導波路の長手方向に垂直な劈開位置近傍を除いて第２のレジストマスクを形成する第７ステップと、前記絶縁層の、前記第７ステップで形成した前記第２のレジストマスクに覆われていない部分を除去する第８ステップと、前記第８ステップで前記絶縁層を除去した後、前記第２のレジストマスクを除去する第９ステップと、を備える。
また本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、前記第２ステップにおいて、前記第１ステップで形成した前記窒化物半導体積層部の上面に第２の電極を形成した後、前記第２の電極の上面にストライプ状の第１のレジストマスクを形成し、前記第３ステップにおいて、前記第２ステップで形成した前記第２の電極の前記第１のレジストマスクで覆われていない部分を除去した後、前記窒化物半導体積層部の表面の前記第２の電極と接していない部分をエッチングすることによって前記窒化物半導体積層部にリッジストライプ状の導波路を形成し、前記第６ステップにおいて、前記絶縁層および前記第２の電極の上部に第１の電極を形成し、前記第７ステップにおいて、前記絶縁層、前記第１の電極および前記第２の電極の上に、劈開位置近傍を除いて第２のレジストマスクを形成することを特徴とする。
また本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、前記第９ステップで第２のレジストマスクを除去した後、前記劈開位置で劈開する第１０ステップと、前記第１０ステップで劈開してできた劈開面の少なくとも一方に、前記絶縁層と接しないようにコート膜を形成する第１１ステップと、を有することを特徴とする。
第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の部分斜視図 第１の実施形態に係る窒化物半導体積層部周辺の部分正面図 第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の製造方法を示す部分断面図 第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の製造方法を示す部分断面図 第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の製造方法を示す部分断面図 第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の製造方法を示す部分断面図 第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の製造方法を示す部分断面図 第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の製造方法を示す部分断面図 第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の製造方法を示す部分斜視図 第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の製造方法を示す部分斜視図 第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の部分斜視図 第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザの製造方法を示す部分断面図 第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザの製造方法を示す部分断面図 第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザの製造方法を示す部分断面図 第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザの製造方法を示す部分断面図 第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザの製造方法を示す部分断面図 第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザの製造方法を示す部分断面図 第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザの製造方法を示す部分断面図 第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザの製造方法を示す部分斜視図 第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザの製造方法を示す部分斜視図 第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザの製造方法を示す部分斜視図 第３の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の部分斜視図 従来の窒化物半導体レーザ装置の概略断面図
符号の説明
１ 窒化物半導体レーザ装置
１０ ｎ型ＧａＮ基板
１１ 窒化物半導体積層部
１２ 導波路
１５ 劈開位置
２１ 絶縁膜
２１ａ 開口部
３１ ｐ側電極
３３ コンタクト電極
３４ パッド電極
５１ 前面コート膜
５２ 後面コート膜
６１ ギャップ
６２ ギャップ
＜第１の実施形態＞
本発明の第１の実施形態について、図１〜１０を用いて説明する。図１は第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の部分斜視図、図２は第１の実施形態に係る窒化物半導体積層部周辺の部分正面図、図３〜８は第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の製造方法を示す部分断面図、図９および図１０はその部分斜視図である。
第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置１は、図１に示すようにｎ型ＧａＮ基板（不図示）上に窒化物半導体積層部１１が形成されている。窒化物半導体積層部１１は、図２に示すようにｎ型ＧａＮ基板１０側から順に、低温成長によるＳｉドープＧａＮバッファ層１１ａ、ｎ型ＧａＮ層１１ｂ、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１１ｃ、ｎ型ＧａＮ光導波層１１ｄ、ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の活性層１１ｅ、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１１ｆ、ｐ型ＧａＮ光導波層１１ｇ、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１ｈおよびｐ型ＧａＮコンタクト層１１ｉが積層されてなるものである。
窒化物半導体積層部１１には、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１ｈの上層部およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１ｉの一部を除去して形成した幅２μｍのリッジストライプ状の導波路１２が形成されている。また、窒化物半導体積層部１１の上部には、導波路１２の上面に相当する部位に開口部２１ａを有する、厚さ３５００ÅのＳｉＯ２からなる絶縁膜２１が設けられている。絶縁膜２１の上部および導波路１２の上面には厚さ５００ÅのＰｄおよび厚さ６０００ÅのＡｕを順に積層したｐ側電極３１が設けられており、絶縁膜２１の開口部２１ａを通じて導波路１２の上面とオーミックコンタクトしている。また、絶縁膜２１は、劈開により形成された出射側劈開面１３および反射側劈開面１４から、それぞれ１０μｍ後退した位置に配置されており、出射側劈開面１３および反射側劈開面１４から１０μｍの範囲では窒化物半導体積層部１１の上面が露出している。
次に、第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置１の製造方法について図３〜１０を用いて説明する。
まず、図３に示すように、ｎ型ＧａＮ基板（不図示）上に、有機金属気相成長（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）法、分子線エピタキシャル成長（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法などの結晶成長法により、窒化物半導体積層部１１を形成する。
次に、図４に示すように、窒化物半導体積層部１１の表面に、幅２μｍのストライプ状の第１のレジストマスク４１を形成する。続いて図５に示すように、第１のレジストマスク４１をマスクとして反応性イオンエッチング法によって窒化物半導体積層部１１を上面からｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１ｈの途中までエッチングし、導波路１２を形成する（図２参照）。この場合のプロセスガスとしては、例えばＣｌ２、ＳｉＣｌ４、ＢＣｌ３などの塩素系ガスを用いる。
次に、図６に示すように、第１のレジストマスク４１を含めた窒化物半導体積層部１１の上面全体に、厚さ３５００ÅのＳｉＯ２からなる絶縁膜２１を、電子ビーム蒸着法により形成する。続いて、図７に示すように、リフトオフ法によって第１のレジストマスク４１の上部の絶縁膜２１と第１のレジストマスク４１とを除去し、絶縁膜２１に開口部２１ａを設ける。
次に、図８およびその斜視図である図９に示すように、絶縁膜２１および導波路１２の上面に厚さ５００ÅのＰｄと厚さ６０００ÅのＡｕを順に積層したｐ側電極３１を形成する。このとき、ｐ側電極３１は、共振器端面を形成する部分すなわち劈開位置１５を避けて形成する。
次に、図１０に示すように、絶縁膜２１の上部に、ｐ側電極３１を完全に覆うように第２のレジストマスク４２を形成する。このとき第２のレジストマスク４２は、出射面側、反射面側ともに、各劈開位置１５から１０μｍ後退した位置に形成する。
この後、絶縁膜２１の第２のレジストマスク４２に覆われずに露出している部分を、反応性イオンエッチング法により窒化物半導体積層部１１に達するまでエッチングする。この場合のプロセスガスとしては、例えばＣＨＦ３、ＣＦ４などを用いる。最後に、有機溶剤によって第２のレジストマスク４２を除去し、出射側劈開面１３および反射側劈開面１４を形成するように劈開することによって、図１に示す構造の窒化物半導体レーザ装置１を得る。
このような方法で製造することにより、劈開する前の窒化物半導体レーザ装置１は、劈開位置の上部に絶縁膜２１が配置されていないため、劈開によって出射側劈開面１３および反射側劈開面１４を形成する際に、ＳｉＯ２からなる絶縁膜２１から破片が生じることがない。そのため、出射側劈開面１３および反射側劈開面１４には絶縁膜２１に由来する異物が付着することがなく、窒化物半導体レーザ装置１は、光放射特性に係る歩留まりを大きく向上させることができた。
また、図１に示す窒化物半導体レーザ装置１の出射側劈開面１３および反射側劈開面１４にコーティングを施して、後述する図２１に示す状態にしたもの長期信頼性試験においては、従来の製造方法で製造した窒化物半導体レーザ装置では散見された、劈開面に付着した異物に基点を発する端面コート膜の剥落が劇的に減少し、信頼性も向上させることができた。
第１の実施形態では、絶縁膜２１が出射側劈開面１３および反射側劈開面１４からそれぞれ１０μｍずつ後退している場合について説明したが、この後退させる部分の幅は、２μｍ以上２０μｍ以下とすることが望ましい。
この幅が２μｍよりも狭い場合、劈開する際に出射側劈開面１３および反射側劈開面１４が窒化物半導体積層部１１中のボイドなどの影響によって、劈開面が折れ曲がった場合に、劈開面が絶縁膜２１まで到達し、絶縁膜２１が割れて破片を生じさせる可能性がある。
一方、この幅が２０μｍよりも広い場合、窒化物半導体レーザ装置１の電流・光出力特性の線形性が崩れる可能性が高い。これは、図１に示した構造では絶縁膜２１を後退させた部分にはｐ側電極３１も配置されないため、この部分では導波路１２に電流が注入されないが、この電流が注入されない部分が電流・光出力特性に及ぼす影響が無視できないほど大きくなるためである。
＜第２の実施形態＞
本発明の第２の実施形態について、図１１〜２１を用いて説明する。図１１は第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の部分斜視図、図１２〜１８は第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザの製造方法を示す部分断面図、図１９〜２１はその部分斜視図である。第２の実施形態は、導波路上にコンタクト電極が設けられ、かつｐ側電極に替えてパッド電極が設けられている点以外は第１の実施形態と同じであり、実質上同一の部分には同一の符号を付してある。
第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置１は、ｎ型ＧａＮ基板（不図示）上に、図１１に示すように窒化物半導体積層部１１が形成されている。窒化物半導体積層部１１は第１の実施形態と同様の図２に示す構成である。
また、窒化物半導体積層部１１には、第１の実施形態と同様に導波路１２が形成されており、窒化物半導体積層部１１の上部には、導波路１２の上面に相当する部位に開口部２１ａを有する、絶縁膜２１が設けられている。導波路１２の上面には、厚さ５００ÅのＰｄからなるコンタクト電極３３が設けられており、導波路１２の上面とオーミックコンタクトしている。また、絶縁膜２１およびコンタクト電極３３の上部には、厚さ６０００ÅのＡｕからなるパッド電極３４が設けられている。また、絶縁膜２１は、劈開により形成された出射側劈開面１３および反射側劈開面１４から、それぞれ２５μｍ後退した位置に配置されており、出射側劈開面１３および反射側劈開面１４から２５μｍの範囲では窒化物半導体積層部１１の上面が露出している。
次に、第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置１の製造方法について図１２〜図２１を用いて説明する。
まず、ｎ型ＧａＮ基板（不図示）上に、第１の実施形態と同様の方法で窒化物半導体積層部１１を形成した後、図１２に示すように窒化物半導体積層部１１の表面にコンタクト電極３３を形成し、さらに図１３に示すようにコンタクト電極３３の上に幅２μｍのストライプ状の第１のレジストマスク４１を形成する。続いて図１４に示すように、第１のレジストマスク４１をマスクとして、反応性イオンエッチング法によってコンタクト電極３３を窒化物半導体積層部１１の表面が露出するまでエッチングする。この際、エッチングガスとしては、ＡｒやＣＨＦ３などを用いる。次に図１５に示すように、第１のレジストマスク４１をマスクとして、反応性イオンエッチング法により窒化物半導体積層部１１を上面からｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１ｈの途中までエッチングし、導波路１２を形成する。この場合のプロセスガスとしては、例えばＣｌ２、ＳｉＣｌ４、ＢＣｌ３などの塩素系ガスを用いる。
次に、図１６に示すように、第１のレジストマスク４１およびコンタクト電極３３の側面を含めた窒化物半導体積層部１１の上面全体に、厚さ３５００ÅのＳｉＯ２からなる絶縁膜２１を電子ビーム蒸着法により形成した後、リフトオフ法によって第１のレジストマスク４１の上部の絶縁膜２１と第１のレジストマスク４１とを除去して絶縁膜２１に開口部２１ａを設け、図１７に示す状態にする。
次に、図１８およびその斜視図である図１９に示すように、絶縁膜２１およびコンタクト電極３３の上部に厚さ６０００ÅのＡｕからなるパッド電極３４を形成する。このとき、パッド電極３４は、共振器端面を形成する部分すなわち劈開位置１５を避けて形成する。
次に、図２０に示すように、絶縁膜２１の上部に、コンタクト電極３３およびパッド電極３４を完全に覆うように第２のレジストマスク４２を形成する。このとき第２のレジストマスク４２は、出射面側、反射面側ともに、劈開位置１５から２５μｍ後退した位置に形成する。
この後、第１の実施形態と同様に、第２のレジストマスク４２に覆われず露出している絶縁膜２１を、反応性イオンエッチング法により窒化物半導体積層部１１に達するまでエッチングする。最後に、有機溶剤によって第２のレジストマスク４２を除去し、出射側劈開面１３および反射側劈開面１４を形成するように劈開することによって、図１１に示す構造の窒化物半導体レーザ装置１を得る。
このような方法で製造することにより、第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置１は、第１の実施形態と同様に劈開位置の上部に絶縁膜２１が配置されていないため、劈開によって出射側劈開面１３および反射側劈開面１４を形成する際に、ＳｉＯ２からなる絶縁膜２１から破片が生じることがない。そのため、出射側劈開面１３および反射側劈開面１４には絶縁膜２１に由来する異物が付着することがなく、窒化物半導体レーザ装置１は、光放射特性に係る歩留まりを大きく向上させることができた。
さらに、第１の実施形態とは異なり、コンタクト電極３３が共振器端面すなわち出射側劈開面１３および反射側劈開面１４の直上まで配置されており、導波路１２には全体に電流が注入されるため、導波路１２上に電極が設けられていない部分がある場合のように注入電流に起因して電流・光出力特性の線形性が崩れることがない。
＜第３の実施形態＞
本発明の第３の実施形態について、図２２を用いて説明する。図２２は本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の部分斜視図である。第３の実施形態は、出射側劈開面１３および反射側劈開面１４の上にコート膜による端面コーティングを施した点以外は第１の実施形態と同じであり、実質上同一の部分には同一の符号を付してある。
第３の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置１は、図２２に示すように、第１の実施形態と同様の図２に示す構成の窒化物半導体積層部１１の上に、導波路１２が形成されており、導波路１２の上面に相当する部位に開口部２１ａを有する、ＳｉＯ２からなる絶縁膜２１が設けられている。絶縁膜２１の上部および導波路１２の上面には厚さ５００ÅのＰｄおよび厚さ６０００ÅのＡｕを順に積層したｐ側電極３１が設けられている。また、絶縁膜２１は、劈開により形成された出射側劈開面１３および反射側劈開面１４から、それぞれ１８μｍ後退した位置に配置されている。
第３の実施形態において出射側劈開面１３の表面には厚さ７０ÅのＡｌ２Ｏ３からなる前面コート膜５１が、反射側劈開面１４の表面には合計９層のＳｉＯ２とＴｉＯ２を交互に積層した多層構造を有する後面コート膜５２が設けられており、それぞれ絶縁膜２１に対してギャップ６１およびギャップ６２を隔てて窒化物半導体積層部１１の上面にも一部乗り上げている。
レーザの発振波長が４０５ｎｍ前後と比較的短い場合において、この窒化物半導体レーザ装置１を連続駆動すると、発振光によって前面コート膜５１が活性化されて反応性が高まる。ここで、前面コート膜５１と絶縁膜２１とがギャップ６１を隔てずに互いに重なり合っている配置とした場合、連続駆動によって共振器端面すなわち出射側劈開面１３および反射側劈開面１４の温度が例えば１００℃以上になると、Ａｌ２Ｏ３からなる前面コート膜５１とＳｉＯ２からなる絶縁膜２１とが反応してＡｌとＳｉの共晶が前面コート膜５１中に形成される。この共晶によって、前面コート膜５１の反射率が設計値から大幅にずれ、それに伴って半導体レーザ装置１０の動作特性を変動させる可能性があり、長期信頼性に欠ける。しかし、第３の実施形態のように、前面コート膜５１と絶縁膜２１とが、ギャップ６１を隔てる配置とすることで、ＡｌとＳｉの共晶が前面コート膜５１中に形成されることがないため、長期信頼性を大幅に向上させることができた。
以上、本発明について第１〜第３の実施形態に基づいて説明したが、本発明の内容は、以上の実施形態の説明に記載した内容に限定されるものではない。
次に、本発明の変形例について説明する。本明細書において、「窒化物半導体」とは、窒化ガリウム（ＧａＮ）のＧａが部分的に他のＩＩＩ族元素に置き換えられた半導体、例えばＧａｓＡｌｔＩｎ１−ｓ−ｔＮ（０＜ｓ≦１、０≦ｔ＜１、０＜ｓ＋ｔ≦１）を含み、各構成元素の一部が不純物元素に置き換えられた半導体や、他の不純物が添加された半導体をも含むものとする。
また、第１および第３の実施形態のｐ側電極３１は、窒化物半導体積層部１１の表面側から順に、厚さ５００ÅのＰｄと厚さ６０００ÅのＡｕの２層構造からなるものであったが、ＰｄおよびＡｕに替えてＮｉやＴｉなどでも、また、Ｐｄ、Ａｕ、ＮｉおよびＴｉなどの上にＡｕ、Ｍｏなどの別の金属が積層された構造であっても、さらに厚さがこれらの実施形態の通りでなくても、本発明に係る製造方法により、同様の窒化物半導体レーザ装置を作製することが可能である。
また、第２の実施形態のコンタクト電極３３はＰｄ、パッド電極３４はＡｕからなるものであったが、コンタクト電極３３はＮｉ、Ｔｉなど、パッド電極３４はＭｏなどでも、またいずれの電極ともＰｄ、Ａｕ、Ｎｉ、ＴｉおよびＭｏなど複数の金属が積層された構造であっても、また、厚さが第２の実施形態の通りでなくても、本発明に係る製造方法により、同様の窒化物半導体レーザ装置を作成することが可能である。
また、第１〜第３の実施形態の絶縁膜２１はＳｉＯ２からなるものであったが、ＴｉＯ２、ＳｉＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮなど、他の無機誘電体や、ＡｌＧａＮなどの窒化物半導体などで置き換えても何ら問題はなく、その厚さも実施形態の説明に例示したものに限られない。また、その形成方法についても、実施形態の説明に例示した電子ビーム蒸着法によらずとも、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法などによるものであっても構わない。
また、絶縁膜２１は、共振器端面すなわち出射側劈開面１３および反射側劈開面１４の直上にあたる部分から全て除去したが、劈開時に破砕した絶縁膜２１の破片が発光点となる導波路１２の端面およびその近傍にまでは飛散しない場合に限り、必ずしも共振器端面直上にあたる部分を全て除去する必要はなく、除去する範囲が例えば導波路１２およびその近傍だけであってもよい。
また、本発明の第３の実施形態は、第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置に端面コーティングを施した状態に相当するものであるが、第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置に同様の端面コーティングを施した場合でも、同様の効果が得られる。
また、本発明の第１〜第３の実施形態では、ドライエッチング法として反応性イオンエッチング法を用いたが、反応性イオンビームエッチング法や、誘導結合プラズマエッチング法、ＥＣＲプラズマエッチング法などでも、同様のプロセスガスを使用することによって、同様のエッチングが可能である。
また、本発明の第１〜第３の実施形態では、絶縁膜２１の第２のレジストマスク４２に覆われずに露出している部分を、反応性イオンエッチング法により掘り込む際には、窒化物半導体積層部１１に達した時点まで掘り込んでいるが、窒化物半導体積層部１１自体が一部掘り込まれていても、同様の効果が得られる。
本発明によると、絶縁性保護膜が窒化物半導体積層部の上部の少なくとも導波路の長手方向の端部の近傍には配置されておらず、窒化物半導体積層部を劈開して端面を作製する際にこの絶縁性保護膜を破砕することがないため、絶縁性保護膜の破片に起因する問題が発生することがなく、製造歩留まりの高い窒化物半導体レーザ装置を実現することができる。
また本発明によると、導波路の上面全体に第２の電極が設けられているため、導波路上に電極が設けられていない部分がある場合のように注入電流に起因して電流・光出力特性の線形性が崩れることがない。
また本発明によると、窒化物半導体積層部の上部の絶縁層が配置されていない領域の、導波路の長手方向と平行な方向の長さが２μｍ以上２０μｍ以下であるため、劈開の際に劈開面が折れ曲がっても絶縁膜が割れて破片を生じることがなく、また、絶縁層の下部にしか第２の電極が設けられていない場合でも電流・光出力特性の線形性が崩れにくい。
また本発明によると、絶縁性保護膜と劈開面に形成するコート膜とが接しないため、絶縁性保護膜として例えばＳｉＯ２を用い、コート膜がＳｉと共晶を形成するＡｌやＨｆを含む場合でもコート膜に共晶が形成されず、共晶によってコート膜の反射率が変動することがない。

Claims (7)

  1. 基板と、この基板上に複数の窒化物半導体層が積層されてなり、リッジストライプ状の導波路が設けられた窒化物半導体積層部と、前記窒化物半導体積層部上に形成され、前記導波路の上部に開口部を有する絶縁層と、前記導波路および前記絶縁層の上部に設けられた第１の電極と、を備える窒化物半導体レーザ装置において、
    前記窒化物半導体積層部の上部の、前記導波路の長手方向の端部のうちの少なくとも前記導波路の側面の第１端部及び前記導波路の上面の端部を除く前記第１端部近傍の第２端部において、前記第１端部及び前記第２端部から前記長手方向に所定距離だけ離れた位置までの領域では前記絶縁層が配置されずに前記窒化物半導体積層部が露出していることを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。
  2. 前記導波路と前記第１の電極との間に第２の電極を有し、この第２の電極が前記導波路の上面の全体に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ装置。
  3. 前記窒化物半導体積層部の上部の前記絶縁層が配置されていない前記領域の、前記導波路の長手方向と平行な方向の長さが２μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ装置。
  4. 基板と、この基板上に複数の窒化物半導体層が積層されてなり、リッジストライプ状の導波路が設けられた窒化物半導体積層部と、前記窒化物半導体積層部上に形成され、前記導波路の上部に開口部を有する絶縁層と、前記導波路および前記絶縁層の上部に設けられた第１の電極と、を備える窒化物半導体レーザ装置において、
    前記基板および前記窒化物半導体積層部の、前記導波路の長手方向に垂直な端面のうちの少なくとも一方に、前記窒化物半導体積層部の上部に張り出すように設けられるコート膜をさらに備え、
    前記窒化物半導体積層部の上部の、前記導波路の長手方向の端部のうちの少なくとも前記導波路の側面の第１端部及び前記導波路の上面の端部を除く前記第１端部近傍の第２端部において、前記第１端部及び前記第２端部から前記長手方向に所定距離だけ離れた位置までの領域では前記絶縁層が配置されず、
    前記領域のうちの一部では前記コート膜が張り出し、残りの一部では前記窒化物半導体積層部が露出しており、
    前記コート膜の張り出した部分と前記絶縁層とが接触しないことを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。
  5. 基板上に複数の窒化物半導体層を積層して窒化物半導体積層部を形成する第１ステップと、
    前記第１ステップで形成した前記窒化物半導体積層部の上面にストライプ状の第１のレジストマスクを形成する第２ステップと、
    前記窒化物半導体積層部の上部の、前記第２ステップで形成した前記第１のレジストマスクに覆われていない部分をエッチングすることによって前記窒化物半導体積層部にリッジストライプ状の導波路を形成する第３ステップと、
    前記第１のレジストマスクを含めた、前記第３ステップでエッチングした前記窒化物半導体積層部の上部に絶縁層を形成する第４ステップと、
    前記第１のレジストマスク上の前記第４ステップで形成した前記絶縁層と前記第１のレジストマスクとを除去して前記絶縁層に開口部を設ける第５ステップと、
    前記第５ステップで開口部が設けられた前記絶縁層および前記窒化物半導体積層部の上部に第１の電極を形成する第６ステップと、
    前記絶縁層および前記第６ステップで形成した前記電極の上部に、前記導波路の長手方向に垂直な劈開位置のうちの少なくとも前記導波路の側面の端部にある第１劈開位置、前記第１劈開位置近傍且つ前記導波路の上面の端部以外にある第２劈開位置、及び前記導波路の上面の端部にある第３劈開位置から前記長手方向に所定距離だけ離れた位置までの領域を除いて第２のレジストマスクを形成する第７ステップと、
    前記絶縁層の、前記第７ステップで形成した前記第２のレジストマスクに覆われていない部分を除去する第８ステップと、
    前記第８ステップで前記絶縁層を除去した後、前記第２のレジストマスクを除去する第９ステップと、を備える、窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
  6. 前記第２ステップにおいて、前記第１ステップで形成した前記窒化物半導体積層部の上面に第２の電極を形成した後、前記第２の電極の上面にストライプ状の第１のレジストマスクを形成し、
    前記第３ステップにおいて、前記第２ステップで形成した前記第２の電極の前記第１のレジストマスクで覆われていない部分を除去した後、前記窒化物半導体積層部の表面の前記第２の電極と接していない部分をエッチングすることによって前記窒化物半導体積層部にリッジストライプ状の導波路を形成し、
    前記第６ステップにおいて、前記絶縁層および前記第２の電極の上部に第１の電極を形成し、
    前記第７ステップにおいて、前記絶縁層、前記第１の電極および前記第２の電極の上部に、前記導波路の長手方向に垂直な劈開位置のうちの少なくとも前記第１劈開位置及び前記第２劈開位置において、前記第１劈開位置及び前記第２劈開位置から前記長手方向に所定距離だけ離れた位置までの領域を除いて第２のレジストマスクを形成することを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
  7. 前記第９ステップで第２のレジストマスクを除去した後、前記劈開位置で劈開する第１０ステップと、
    前記第１０ステップで劈開してできた劈開面の少なくとも一方に、前記絶縁層と接しないようにコート膜を形成する第１１ステップと、を有することを特徴とする、請求項５または請求項６に記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
JP2007521207A 2005-06-16 2006-04-12 窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法 Active JP4917031B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007521207A JP4917031B2 (ja) 2005-06-16 2006-04-12 窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005175906 2005-06-16
JP2005175906 2005-06-16
JP2007521207A JP4917031B2 (ja) 2005-06-16 2006-04-12 窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法
PCT/JP2006/307771 WO2006134717A1 (ja) 2005-06-16 2006-04-12 窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2006134717A1 JPWO2006134717A1 (ja) 2009-01-08
JP4917031B2 true JP4917031B2 (ja) 2012-04-18

Family

ID=37532084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007521207A Active JP4917031B2 (ja) 2005-06-16 2006-04-12 窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4917031B2 (ja)
WO (1) WO2006134717A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009078482A1 (ja) * 2007-12-19 2009-06-25 Rohm Co., Ltd. 半導体発光素子
WO2009085050A1 (en) * 2007-12-28 2009-07-09 Agere Systems Inc. Waveguide device having delta doped active region
JP2009200478A (ja) * 2008-01-21 2009-09-03 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP5786548B2 (ja) * 2011-08-15 2015-09-30 住友電気工業株式会社 窒化物半導体発光素子を作製する方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003332674A (ja) * 2002-05-10 2003-11-21 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ素子
JP2004022989A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ及びその製造方法
JP2004111997A (ja) * 2001-05-31 2004-04-08 Nichia Chem Ind Ltd 半導体レーザ素子
JP2004134701A (ja) * 2002-10-15 2004-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5376582A (en) * 1993-10-15 1994-12-27 International Business Machines Corporation Planar, topology-free, single-mode, high-power semiconductor quantum-well laser with non-absorbing mirrors and current confinement
JP3334624B2 (ja) * 1998-06-19 2002-10-15 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004111997A (ja) * 2001-05-31 2004-04-08 Nichia Chem Ind Ltd 半導体レーザ素子
JP2003332674A (ja) * 2002-05-10 2003-11-21 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ素子
JP2004022989A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ及びその製造方法
JP2004134701A (ja) * 2002-10-15 2004-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2006134717A1 (ja) 2009-01-08
WO2006134717A1 (ja) 2006-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7995632B2 (en) Nitride semiconductor laser chip and fabrication method thereof
CN100524986C (zh) 集成型半导体激光元件及其制造方法
JP4948307B2 (ja) 半導体レーザ素子およびその製造方法
US7924898B2 (en) Nitride based semiconductor laser device with oxynitride protective coatings on facets
US7518162B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP2007027260A (ja) 半導体素子およびその製造方法
US7978744B2 (en) Nitride based semiconductor laser device with oxynitride protective films on facets
JP2007180522A (ja) 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法
US20080304528A1 (en) Nitride semiconductor laser device and fabrication method thereof
JP4535997B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法
JP5127644B2 (ja) 窒化物系半導体レーザ素子
JP4917031B2 (ja) 窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2008034587A (ja) 半導体レーザの製造方法、半導体素子の製造方法および素子の製造方法
US20200251884A1 (en) Semiconductor laser element and method of manufacturing the same
US20090323746A1 (en) Nitride Semiconductor Laser and Method for Fabricating Same
JP2009212386A (ja) 半導体光素子の製造方法
JP5273459B2 (ja) 半導体レーザの製造方法
JP2009152276A (ja) 窒化物半導体レーザの製造方法
JPH11177184A (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP5079297B2 (ja) 化合物半導体レーザの作製方法
JP2011258883A (ja) 半導体レーザ
JP4983398B2 (ja) 半導体レーザ素子
JP2003347658A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
US20240162686A1 (en) Semiconductor laser
JP5610032B2 (ja) 半導体レーザの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110510

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110628

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111011

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111017

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120124

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120125

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4917031

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350