JP5610032B2 - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
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Description
(A)基板上に、帯状の光導波路を有するIII−V族窒化物からなる半導体層を形成したのち、へき開ラインに平行であって、かつ、基板のうち半導体層側の表面に達する第1の溝を基板のうち半導体層側の表面に形成すると共に、少なくとも第1の溝の内部に第2の溝を形成することにより第1の溝および第2の溝を含む多段溝を形成する工程
(B)多段溝を利用して基板をへき開することにより、光導波路を当該光導波路の延在方向から挟み込む一対のへき開面を有するレーザ構造部を形成する工程
本発明の半導体レーザの製造方法において、半導体層にはリッジ部が形成され、多段溝は、リッジ部の両脇に各々形成される。
1.実施の形態(第1の溝の内部にだけ第2の溝あり)
2.変形例(第1の溝と第2の溝の位置関係のバリエーション)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体レーザ1の概略構成を斜視的に表したものである。なお、図1は、模式的に表したものであり、実際の寸法,形状とは異なっている。
このような構成を有する半導体レーザ1は、例えば次のようにして製造することができる。
次に、本実施の形態の半導体レーザ1の作用および効果について説明する。
上記実施の形態では、例えばドライエッチングプロセスにおいて、開口31B内に露出している半導体層20を基板10のエッチングを遅らせるマスクとして使いながら、基板10を選択的にエッチングすることにより、溝45A,45Bを一括で形成していたが、他の方法を用いて溝45A,45Bを一括で形成することも可能である。例えば、まず、図10(A),(B)に示したように、絶縁層31上に形成したレジスト層46を多重露光したのち、例えばドライエッチングにより選択的に除去(現像)することにより、レジスト層46に多段開口46Aを形成する。ここで、多段開口46A内には、貫通孔の他に、他の部分よりも薄くなっている箇所が存在する。この薄い部分が、次のエッチングプロセスにおいて、基板10のエッチングを遅らせるマスクとして機能する。次に、例えばドライエッチングにより、多段開口46Aを介して、絶縁層31、半導体層20および基板10を選択的に除去する。このとき、多段開口46A内には、上述したように基板10のエッチングを遅らせるマスクとして機能する薄い部分があるので、この薄い部分の無いところに溝部45Bが形成され、薄い部分のあるところに溝部45Aが形成される。このように、レジスト層46に多段開口46Aを設け、その多段開口46Aを介して、絶縁層31、半導体層20および基板10を選択的に除去することによっても、溝45A,45Bを一括で形成することができる。また、この方法を用いた場合には、上記実施の形態で説明したプロセスよりも工程数を減らすことができるので、上記実施の形態で説明した方法よりも、安価に半導体レーザ1を製造することができる。
Claims (10)
- 基板上に、帯状の光導波路を有するIII−V族窒化物からなる半導体層を形成したのち、へき開ラインに平行であって、かつ、前記基板のうち前記半導体層側の表面に達する第1の溝を前記基板のうち前記半導体層側の表面に形成すると共に、少なくとも前記第1の溝の内部に第2の溝を形成することにより前記第1の溝および前記第2の溝を含む多段溝を形成する第1の工程と、
前記多段溝を利用して前記基板をへき開することにより、前記光導波路を当該光導波路の延在方向から挟み込む一対のへき開面を有するレーザ構造部を形成する第2の工程と
を含み、
前記半導体層にはリッジ部が形成され、
前記多段溝は、前記リッジ部の両脇に各々形成される
半導体レーザの製造方法。 - 前記III−V族窒化物は、GaまたはAlの少なくとも一方を含む窒化物である
請求項1記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記半導体層は、下部クラッド層、活性層と、上部クラッド層を少なくとも含み、
前記活性層は、井戸層およびバリア層を交互に積層してなる多重量子井戸構造を有する
請求項1記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記半導体層は、下部クラッド層、活性層と、上部クラッド層を少なくとも含み、
前記活性層は、井戸層およびバリア層を交互に積層してなる多重量子井戸構造を有し、
前記上部クラッド層および前記下部クラッド層は、少なくともAlおよびGaを含む窒化物半導体からなり、
前記活性層は、InGaNを含む
請求項2記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記一対のへき開面には、各々多層反射膜が形成されている
請求項1から請求項4のいずれか1項記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記第1の工程は、前記基板のうち前記半導体層側の表面に達する前記第2の溝を前記基板のうち前記半導体層側の表面に形成したのち、前記第2の溝を含む領域に前記第1の溝を形成する工程を含む
請求項1から請求項5のいずれか1項記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記第1の溝は、前記光導波路の延在方向と直交する方向に延在する多角形状となるように形成される
請求項1から請求項6のいずれか1項記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記第1の溝は、前記光導波路の延在方向と直交する方向の端部が尖形状となるように形成される
請求項1から請求項7のいずれか1項記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記第2の溝は、前記光導波路の延在方向において、前記第1の溝の中央部分に形成される
請求項1から請求項8のいずれか1項記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記第2の溝は、前記光導波路の延在方向において、前記第1の溝の中央から外れた部分に形成される
請求項1から請求項8のいずれか1項記載の半導体レーザの製造方法。
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