JP7336377B2 - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7336377B2 JP7336377B2 JP2019224740A JP2019224740A JP7336377B2 JP 7336377 B2 JP7336377 B2 JP 7336377B2 JP 2019224740 A JP2019224740 A JP 2019224740A JP 2019224740 A JP2019224740 A JP 2019224740A JP 7336377 B2 JP7336377 B2 JP 7336377B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- substrate
- laser device
- space
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1021—Coupled cavities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0207—Substrates having a special shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
- H01S5/2018—Optical confinement, e.g. absorbing-, reflecting- or waveguide-layers
- H01S5/2031—Optical confinement, e.g. absorbing-, reflecting- or waveguide-layers characterized by special waveguide layers, e.g. asymmetric waveguide layers or defined bandgap discontinuities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/02—ASE (amplified spontaneous emission), noise; Reduction thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/173—The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/18—Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field
- H01S2301/185—Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field for reduction of Astigmatism
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0287—Facet reflectivity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
- H01S5/3213—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities asymmetric clading layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
以下、本発明の一実施形態について、詳細に説明する。
本明細書では、半導体レーザ素子100が窒化物半導体レーザ素子である場合を例に挙げて説明する。
図4および図5に示されるように、実施形態1に係る半導体レーザ素子100には、溝構造を有する3つの空間部43が、それぞれ出射面1Aから異なる距離に形成されている。また、空間部43は、Y方向に沿って重畳しており、それぞれ導波路31と交差するように延在している。空間部43は、例えば、レーザスクライブによって基板2の下面に形成される。また、図6に示されるように、空間部43は、Y方向と垂直なX方向における長さWA、および、半導体レーザ素子100の基板の厚み方向(Z方向)における高さHAを有している。3つの空間部43について、各空間部43の長さWAは、半導体レーザ素子100のX方向における長さWよりも短い。
以下では、図7~図11を参照しながら、本実施形態に係る半導体レーザ素子100の製造工程について説明する。以下の説明において、工程途中のウエハ上の中間体を単にウエハ50と称する場合がある。また、ウエハ50を分割した工程途中のバー状の中間体を単にバー51と称する場合がある。図7は、本実施形態に係る半導体レーザ素子100の製造工程の一例を示すフローチャートである。図8は、本実施形態に係るウエハ50におけるチップ分割溝42の形成工程を示す下面図である。図9は、本実施形態に係るウエハ50における空間部43の形成工程を示す下面図である。図10は、本実施形態に係るウエハ50におけるバー分割溝41の形成工程を示す上面図である。図11は、本実施形態に係るバー51における端面コート膜26形成工程を示す斜視図である。
本発明の態様1に係るレーザ光を出射する半導体レーザ素子100は、基板2と、基板2上に設けられる半導体層10と、を備える。半導体層10は、Y方向(所定方向)に延在しかつ出射面1A(一端面)からレーザ光を出射する導波路31を有している。基板2は、Y方向と交差して延在する複数の空間部43を有しており、複数の空間部43の少なくとも2つの空間部43の少なくとも一部が、Y方向に沿って重畳するように、基板2に設けられている。複数の空間部43のそれぞれの、Y方向と垂直な方向(X方向)における長さWAは、半導体レーザ素子100の、X方向における長さWよりも短い。
以下では、図12を参照しながら、本発明の第2の実施形態について説明する。図12は、本発明の実施形態2に係る半導体レーザ素子101の空間部43Aの形成パターンを示す図である。なお、図12は、半導体レーザ素子101の基板2の下面図であり、基板2および空間部43A以外の部材は明確化のために省略して図示している。このことは、図13~図19においても同様である。
以下では、図13を参照しながら、本発明の第3の実施形態について説明する。図13は、本発明の実施形態3に係る半導体レーザ素子102の空間部43Bの形成パターンを示す図である。本実施形態に係る半導体レーザ素子102の空間部43Bは、空間部43BそれぞれのX方向の両端部が、半導体レーザ素子102のX方向の両端部と接していない点で、実施形態1および2と異なる。
以下では、図14を参照しながら、本発明の第4の実施形態について説明する。図14は、本発明の実施形態4に係る半導体レーザ素子103の空間部43Cの形成パターンを示す図である。本実施形態に係る半導体レーザ素子103の空間部43Cは、空間部43CがX方向に対して傾斜している点で、実施形態3と異なる。
以下では、図15を参照しながら、本発明の第5の実施形態について説明する。図15は、本発明の実施形態5に係る半導体レーザ素子104の空間部43Dの形成パターンを示す図である。本実施形態に係る半導体レーザ素子104の空間部43Dは、空間部43Dがジグザグの形状を有している点で、実施形態3と異なる。
以下では、図16を参照しながら、本発明の第6の実施形態について説明する。図16は、本発明の実施形態6に係る半導体レーザ素子105の空間部43Eの形成パターンを示す図である。本実施形態に係る半導体レーザ素子105の空間部43Eは、空間部43Eが湾曲した形状を有している点で、実施形態3と異なる。
以下では、図17を参照しながら、本発明の第7の実施形態について説明する。図17は、本発明の実施形態7に係る半導体レーザ素子106の空間部43Fの形成パターンを示す図である。本実施形態に係る半導体レーザ素子106の空間部43Fは、空間部43FそれぞれのX方向の一方の端部が基板2の側面と接している点で実施形態4と異なる。
以下では、図18を参照しながら、本発明の第8の実施形態について説明する。図18は、本発明の実施形態8に係る半導体レーザ素子107の空間部43Gの形成パターンを示す図である。本実施形態に係る半導体レーザ素子107の空間部43Gは、空間部43GそれぞれのX方向の一方の端部が基板2の側面と接している点で、実施形態5と異なる。
以下では、図19を参照しながら、本発明の第9の実施形態について説明する。図19は、本発明の実施形態9に係る半導体レーザ素子108の空間部43Hの形成パターンを示す図である。本実施形態に係る半導体レーザ素子108の空間部43Hは、空間部43HそれぞれのX方向の一方の端部が基板2の側面と接している点で、実施形態6と異なる。
以下では、図22および図23を参照しながら、本発明の第10の実施形態について説明する。図22は、実施形態10に係る半導体レーザ素子109の空間部44を出射面1Aから見たときの構造を示す正面概略図である。図23は、実施形態10に係る半導体レーザ素子109の複数の空間部44の構造を示す斜視概略図である。
本発明の態様12に係る半導体レーザ素子109では、上記態様1または2において、複数の空間部44の少なくとも1つの空間部44は、少なくとも基板2の下面から離隔して設けられている。
ここで、本発明の一態様に係る代表的な半導体レーザ素子(半導体レーザ素子100、101、102)の効果を確認するために行った実験について、図20および図21を用いて説明する。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
10・・・半導体層
24A、25A・・・金属膜
27・・・被膜
30・・・リッジ部
31・・・導波路
31A・・・出射部
43、43A~H、44・・・空間部
45・・・凹部
46・・・凸部
100~109・・・半導体レーザ素子
Claims (12)
- レーザ光を出射する半導体レーザ素子であって、
基板と、
前記基板上に設けられる半導体層と、を備え、
前記半導体層は、所定方向に延在しかつ一端面から前記レーザ光を出射する導波路を有し、
前記基板は、前記所定方向と交差して延在する複数の空間部を有しており、
前記複数の空間部の少なくとも2つの空間部の少なくとも一部が、前記所定方向に沿って重畳するように、前記基板に設けられており、
前記複数の空間部のそれぞれの、前記所定方向と垂直な方向における長さは、前記半導体レーザ素子の、前記垂直な方向における長さよりも短く、
前記垂直な方向における前記半導体レーザ素子の全体にわたって、前記複数の空間部のいずれか1つの空間部が存在するように、前記少なくとも2つの空間部の少なくとも一部が重畳している、半導体レーザ素子。 - 前記複数の空間部の少なくとも1つの空間部は、前記基板の下面に開口部を有する溝である、請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 前記溝の深さは、前記基板の厚みの3分の1以上である、請求項2に記載の半導体レーザ素子。
- 前記溝の内壁上に金属膜が配されている、請求項2または3に記載の半導体レーザ素子。
- 前記溝の内壁と前記金属膜との間に、金属または金属酸化物の少なくとも一方を含む被膜が設けられている、請求項4に記載の半導体レーザ素子。
- 前記溝の側壁上に、少なくとも凹部または凸部が設けられている、請求項2~5のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- 前記複数の空間部の少なくとも1つの空間部は、少なくとも前記基板の下面から離隔して設けられている、請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 前記空間部の、前記基板の厚み方向の長さは、前記基板の厚みの3分の1以上である、請求項7に記載の半導体レーザ素子。
- 前記空間部の内壁上に、少なくとも凹部または凸部が設けられている、請求項7または8に記載の半導体レーザ素子。
- 前記複数の空間部の少なくとも1つの空間部における少なくとも一部は、前記半導体レーザ素子を上面側から見たときに、前記垂直な方向に対して傾斜している、請求項1~9のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- 前記複数の空間部のそれぞれの、前記垂直な方向における長さは、前記半導体レーザ素子の、前記垂直な方向における長さの80%以下である、請求項1~10のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- 前記複数の空間部は、前記一端面から、前記所定方向に沿って10μm以上離れて設けられている、請求項1~11のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019224740A JP7336377B2 (ja) | 2019-12-12 | 2019-12-12 | 半導体レーザ素子 |
CN202011463650.1A CN113067250B (zh) | 2019-12-12 | 2020-12-11 | 半导体激光元件 |
US17/119,130 US20210184428A1 (en) | 2019-12-12 | 2020-12-11 | Semiconductor laser element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019224740A JP7336377B2 (ja) | 2019-12-12 | 2019-12-12 | 半導体レーザ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021093498A JP2021093498A (ja) | 2021-06-17 |
JP7336377B2 true JP7336377B2 (ja) | 2023-08-31 |
Family
ID=76312759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019224740A Active JP7336377B2 (ja) | 2019-12-12 | 2019-12-12 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210184428A1 (ja) |
JP (1) | JP7336377B2 (ja) |
CN (1) | CN113067250B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11855411B2 (en) * | 2020-07-07 | 2023-12-26 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Nanobeam cavities having carrier-injection beams |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140315340A1 (en) | 2009-09-17 | 2014-10-23 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser diodes with scribe structures |
JP2015518280A (ja) | 2012-04-23 | 2015-06-25 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 端面放射型の半導体ボディを備えている半導体レーザ光源 |
JP2018195749A (ja) | 2017-05-19 | 2018-12-06 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3932466B2 (ja) * | 1997-09-25 | 2007-06-20 | 富士フイルム株式会社 | 半導体レーザ |
JP2002076518A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Sony Corp | 半導体レーザおよび半導体素子並びにそれらの製造方法 |
JP3660569B2 (ja) * | 2000-08-17 | 2005-06-15 | 日本電信電話株式会社 | 結晶性基板の劈開方法 |
CN100587560C (zh) * | 2003-04-01 | 2010-02-03 | 夏普株式会社 | 发光装置用组件、发光装置、背侧光照射装置、显示装置 |
JP4665394B2 (ja) * | 2003-12-09 | 2011-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP2006287137A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP4948307B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2012-06-06 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
CA2754572C (en) * | 2009-03-05 | 2017-10-24 | Pressco Technology, Inc. | Digital heat injection by way of surface emitting semi-conductor devices |
JP5664627B2 (ja) * | 2012-10-16 | 2015-02-04 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法、iii族窒化物半導体レーザ素子の光共振器のための端面を評価する方法、スクライブ溝を評価する方法 |
JP2014167971A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Japan Oclaro Inc | 波長可変レーザ素子、及び光モジュール |
-
2019
- 2019-12-12 JP JP2019224740A patent/JP7336377B2/ja active Active
-
2020
- 2020-12-11 CN CN202011463650.1A patent/CN113067250B/zh active Active
- 2020-12-11 US US17/119,130 patent/US20210184428A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140315340A1 (en) | 2009-09-17 | 2014-10-23 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser diodes with scribe structures |
JP2015518280A (ja) | 2012-04-23 | 2015-06-25 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 端面放射型の半導体ボディを備えている半導体レーザ光源 |
JP2018195749A (ja) | 2017-05-19 | 2018-12-06 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113067250A (zh) | 2021-07-02 |
CN113067250B (zh) | 2024-07-23 |
US20210184428A1 (en) | 2021-06-17 |
JP2021093498A (ja) | 2021-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4614988B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP4963060B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP4446315B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子の製造方法 | |
US11309688B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element, and nitride semiconductor light-emitting device | |
KR101413860B1 (ko) | 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 | |
CN111525391B (zh) | 半导体激光元件 | |
US20210167582A1 (en) | Semiconductor laser element | |
JP7336377B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP4966591B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP2011124521A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP5273459B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JP2009099958A (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子 | |
JP6894761B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP2012142504A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP4613395B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP4984514B2 (ja) | 半導体発光素子および該半導体発光素子の製造方法 | |
JP5247630B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2015159193A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法、並びに半導体発光素子用ウエハ | |
JP2008311547A (ja) | 半導体レーザ素子及び製造方法 | |
JP5610032B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JP2008066571A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP4314758B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2008141039A (ja) | 端面発光型半導体レーザ | |
JP2013171883A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP2010129887A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20220921 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230523 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230608 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230808 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230821 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7336377 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |