JP2007027803A - 化合物半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板と、少なくとも第1クラッド層を含む第1導電型の半導体層と、III族窒化物半導体からなる活性層と、少なくとも第2クラッド層を含む第2導電型の半導体層とを有する化合物半導体レーザであって、第2導電型の半導体層には、リッジ構造が設けられており、リッジ構造の外部には、少なくともZrO2を含む誘電体膜を形成する。
【選択図】 図1
Description
また、前記ZrO2は、リッジ構造の底面に設けられていることを特徴とし、
また、第2導電型の半導体層は、光ガイド層を含むことを特徴とし、
また、第1クラッド層および第2クラッド層はAlGaN層からなり、光ガイド層はGaNからなることを特徴とする。
103、403 n−GaNコンタクト層
104 n−Al0.15Ga0.85Nクラッド層
105、405、504、604 n−GaN光閉じ込め層
106、406、505、605 InGaN系多重量子井戸活性層
107、408、507、607 p−GaN光閉じ込め層
108 p−Al0.15Ga0.85Nクラッド層
109、412、511、611 p−GaNコンタクト層
110 誘電体埋込層
404、503、603 n−Al0.08Ga0.92N第1クラッド層
407、506、606 p−Al0.2Ga0.8N蒸発防止層
409、508、608 p−Al0.08Ga0.92N第2クラッド層
410、509、609 p−GaN光ガイド層
411、510、610 p−Al0.08Ga0.92N第3クラッド層
413 ClドープZnMgSSe埋込層
501 n−SiC基板
512 n−Al0.08Ga0.92N埋込層
601 n−GaN基板
612 p−Al0.08Ga0.92N埋込層
613 p−GaN層
Claims (5)
- 基板と、
少なくとも第1クラッド層を含む第1導電型の半導体層と、
III族窒化物半導体からなる活性層と、
少なくとも第2クラッド層を含む第2導電型の半導体層とを有する化合物半導体レーザであって、
第2導電型の半導体層には、リッジ構造が設けられており、
リッジ構造の外部には、少なくともZrO2を含む誘電体膜が形成されていることを特徴とする化合物半導体レーザ。 - 前記ZrO2は、リッジ構造の底面に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体レーザ。
- 第2導電型の半導体層は、光ガイド層を含むことを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体レーザ。
- 第1クラッド層および第2クラッド層はAlGaN層からなり、
光ガイド層はGaNからなることを特徴とする請求項2に記載の化合物半導体レーザ。 - 基板と、
少なくとも第1クラッド層を含む第1導電型の半導体層と、
III族窒化物半導体からなる活性層と、
少なくとも第2クラッド層を含む第2導電型の半導体層とを有する化合物半導体レーザであって、
第2導電型の半導体層は、ドライエッチングによってリッジ構造が形成されており、
リッジ構造外部の第2導電型の半導体層上に、少なくともZrO2を含む誘電体膜が形成されていることを特徴とする化合物半導体レーザ。
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