JPH04299591A - 半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体素子及びその製造方法Info
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- JPH04299591A JPH04299591A JP8744491A JP8744491A JPH04299591A JP H04299591 A JPH04299591 A JP H04299591A JP 8744491 A JP8744491 A JP 8744491A JP 8744491 A JP8744491 A JP 8744491A JP H04299591 A JPH04299591 A JP H04299591A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ、受光素
子、半導体光増幅器などの半導体素子及びその製造方法
に関するものである。
子、半導体光増幅器などの半導体素子及びその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、小型、高効率等の特長を有する半
導体素子は各種の分野に応用され、多目的に利用されて
いる。この半導体素子の光入出力面に誘電体膜を形成し
て、保護膜、高反射膜或は反射防止膜（ＡＲ）などとし
て用いると、例えば、半導体レーザでは、高出力化、長
寿命化等の長所が得られたり、受光素子においては、受
光効率などが向上したり、また半導体光増幅器では特性
等が向上したりする。この様に、光入力ないし出力面に
誘電体膜を施すことは半導体素子全般に重要なことであ
る。
導体素子は各種の分野に応用され、多目的に利用されて
いる。この半導体素子の光入出力面に誘電体膜を形成し
て、保護膜、高反射膜或は反射防止膜（ＡＲ）などとし
て用いると、例えば、半導体レーザでは、高出力化、長
寿命化等の長所が得られたり、受光素子においては、受
光効率などが向上したり、また半導体光増幅器では特性
等が向上したりする。この様に、光入力ないし出力面に
誘電体膜を施すことは半導体素子全般に重要なことであ
る。
【０００３】この中で、半導体光増幅器は、将来の光フ
ァイバ伝送や光データ処理のデバイスなどとして有望視
されており、そしてこれの光入出力面の反射率は特性に
大きく影響を与えるので、高品質化の為には、低反射率
等の優れた性質を持つ反射防止膜を光入出力面に施すこ
とが重要となる。
ァイバ伝送や光データ処理のデバイスなどとして有望視
されており、そしてこれの光入出力面の反射率は特性に
大きく影響を与えるので、高品質化の為には、低反射率
等の優れた性質を持つ反射防止膜を光入出力面に施すこ
とが重要となる。
【０００４】より詳しく説明すると、以下の様になる。
この半導体光増幅器は活性層を含む半導体レーザ構造を
有し、その光入出力面に反射防止膜（ＡＲ）コーティン
グを施すことによって、電流注入により高い内部ゲイン
を与えた場合にも、レーザ発振が抑えられる様な構造を
している。よって、このＡＲコーティングの良否は半導
体光増幅器の性質を左右し、入力波長スペクトルに対す
るゲインの増減（ゲインリップル）を抑えるにはＡＲコ
ーティングの反射率を低く抑える必要がある。ゲインリ
ップルを２ｄＢとした場合の単一通過ゲインＧ（１回通
過した時のゲインであり、進行波型のものではこれが即
ちゲインとなる）とＡＲ反射率Ｒとの条件は、Ｇ・Ｒ＜
０．１又はＧ・Ｒ≒０．１ で与えられる。これから、例えば、ゲイン２０ｄＢとし
た場合の反射率はＲ＜０．１％又はＲ≒０．１％となる
。
有し、その光入出力面に反射防止膜（ＡＲ）コーティン
グを施すことによって、電流注入により高い内部ゲイン
を与えた場合にも、レーザ発振が抑えられる様な構造を
している。よって、このＡＲコーティングの良否は半導
体光増幅器の性質を左右し、入力波長スペクトルに対す
るゲインの増減（ゲインリップル）を抑えるにはＡＲコ
ーティングの反射率を低く抑える必要がある。ゲインリ
ップルを２ｄＢとした場合の単一通過ゲインＧ（１回通
過した時のゲインであり、進行波型のものではこれが即
ちゲインとなる）とＡＲ反射率Ｒとの条件は、Ｇ・Ｒ＜
０．１又はＧ・Ｒ≒０．１ で与えられる。これから、例えば、ゲイン２０ｄＢとし
た場合の反射率はＲ＜０．１％又はＲ≒０．１％となる
。
【０００５】こうして反射率を低減し、波長スペクトル
に対するゲインリップルを解消した光増幅器は、多波長
多重化信号の光増幅に有用であり、進行波型光増幅器と
称される。ここで、ＡＲコーティングの手段として、通
常、光入出力面に所望の屈折率を有する誘電体膜がλ／
４（λは光波長）の厚さで形成されている。ここでの所
望の屈折率は、用いる半導体材料、導波路構造で異なる
がＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系のレーザ構造のものにおい
ては最適屈折率ｎの値はおよそｎ≒１．８５である（通
常、導波路の等価屈折率をＮｓとすると、最適屈折率ｎ
は√Ｎｓ≒ｎである）。
に対するゲインリップルを解消した光増幅器は、多波長
多重化信号の光増幅に有用であり、進行波型光増幅器と
称される。ここで、ＡＲコーティングの手段として、通
常、光入出力面に所望の屈折率を有する誘電体膜がλ／
４（λは光波長）の厚さで形成されている。ここでの所
望の屈折率は、用いる半導体材料、導波路構造で異なる
がＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系のレーザ構造のものにおい
ては最適屈折率ｎの値はおよそｎ≒１．８５である（通
常、導波路の等価屈折率をＮｓとすると、最適屈折率ｎ
は√Ｎｓ≒ｎである）。
【０００６】しかし、安定した組成を示す誘電体材料の
みでこうした屈折率を達成するのは難しく、通常、電子
ビーム（ＥＢ）蒸着などで蒸着条件を制御して達成して
いる例が多い。例えば、ＳｉＯ２／ＳｉＯで酸素導入量
の制御によってＳｉＯｘ（１＜ｘ＜２）組成を実現し、
ＩｎＰ系の半導体光増幅器において反射率０．０１％以
下の無反射コーティングを達成したという報告例がある
。
みでこうした屈折率を達成するのは難しく、通常、電子
ビーム（ＥＢ）蒸着などで蒸着条件を制御して達成して
いる例が多い。例えば、ＳｉＯ２／ＳｉＯで酸素導入量
の制御によってＳｉＯｘ（１＜ｘ＜２）組成を実現し、
ＩｎＰ系の半導体光増幅器において反射率０．０１％以
下の無反射コーティングを達成したという報告例がある
。
【０００７】また、ＥＢ蒸着により、ＺｒＯ２などの材
料を、導入酸素分圧を制御してコーティングし、誘電体
層の屈折率を制御するなどの方法も検討されてきている
。以上示した材料は一例であり、酸化物のみならず窒化
物などを用いた例も考えられる。
料を、導入酸素分圧を制御してコーティングし、誘電体
層の屈折率を制御するなどの方法も検討されてきている
。以上示した材料は一例であり、酸化物のみならず窒化
物などを用いた例も考えられる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、以下の様な問題点があった。先ず、一種類の
組成から成る単層膜では、半導体素子に対応した最適屈
折率を持つ材料がなかなか無い。また、その所望の屈折
率に近いものを酸素導入、加熱等によって得ようとして
も、膜が不均質であったり、制御範囲が限定される等に
より安定した作製条件を維持するのが難しい。
来例では、以下の様な問題点があった。先ず、一種類の
組成から成る単層膜では、半導体素子に対応した最適屈
折率を持つ材料がなかなか無い。また、その所望の屈折
率に近いものを酸素導入、加熱等によって得ようとして
も、膜が不均質であったり、制御範囲が限定される等に
より安定した作製条件を維持するのが難しい。
【０００９】また、反射防止薄膜層を２層或は多層構造
にすると、半導体素子に対応した最適反射率になる様に
設計することができるが、各層の膜厚制御が非常に厳し
くなり、再現性も困難になる。
にすると、半導体素子に対応した最適反射率になる様に
設計することができるが、各層の膜厚制御が非常に厳し
くなり、再現性も困難になる。
【００１０】その上、これらの薄膜層はＥＢ蒸着によっ
て作製されることが殆どである。ＥＢ蒸着で成膜された
膜質は充填率が低く、よって、半導体端面の保護機能が
悪く、出力光の増大に伴って半導体素子の耐久性、寿命
が著しく劣化し易い等の問題点がある。
て作製されることが殆どである。ＥＢ蒸着で成膜された
膜質は充填率が低く、よって、半導体端面の保護機能が
悪く、出力光の増大に伴って半導体素子の耐久性、寿命
が著しく劣化し易い等の問題点がある。
【００１１】従って、本発明の目的は、上記課題に鑑み
、耐久性、再現性の良い半導体増幅器などの半導体素子
及びその製造方法を提供することにある。
、耐久性、再現性の良い半導体増幅器などの半導体素子
及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明による半導体素子では、半導体素子の光入ないし出力
面に誘電体薄膜層が施され、その誘電体薄膜層が、半導
体素子の光入ないし出力面側に形成され安定した組成を
示す緻密な膜質層を含むことを特徴とする。
明による半導体素子では、半導体素子の光入ないし出力
面に誘電体薄膜層が施され、その誘電体薄膜層が、半導
体素子の光入ないし出力面側に形成され安定した組成を
示す緻密な膜質層を含むことを特徴とする。
【００１３】より具体的には、前記誘電体薄膜層が、安
定した組成を示す緻密な膜質層を含む２層以上の誘電体
薄膜層から成ったり、前記誘電体薄膜層が２層からなり
、前記光入ないし出力面側の第１層目の安定した組成を
示す緻密な膜質層の屈折率Ｎ１が半導体素子の屈折率を
Ｎｓとすると√Ｎｓ＜Ｎ１の関係を満たし、第２層目に
形成される誘電体薄膜の屈折率Ｎ２が√Ｎｓ＞Ｎ２の関
係を満たしたり、前記誘電体薄膜層が２層からなり、前
記光入ないし出力面側の第１層目の安定した組成を示す
緻密な膜質層の屈折率Ｎ１が半導体素子の屈折率をＮｓ
とすると√Ｎｓ＞Ｎ１の関係を満たし、第２層目に形成
される誘電体薄膜の屈折率Ｎ２が√Ｎｓ＜Ｎ２の関係を
満たしたり、前記安定した組成を示す緻密な膜質層は高
周波スパッタ法又はプラズマＣＶＤにより形成されたり
、前記第１層目の薄膜層がＺｒＯ２であり、前記第２層
目の薄膜層がＹ２Ｏ３であったり、前記第１層目の薄膜
層がＹ２Ｏ３であり、前記第２層目の薄膜層がＡｌＮで
あったり、前記第１層目は高周波スパッタ法により形成
し、第２層目以降の薄膜は電子ビーム蒸着法により形成
されたり、半導体素子が導波路構造を有し、半導体光入
ないし出力面が導波路の端面であったり、半導体素子の
光入ないし出力面がへき開面であったりする。
定した組成を示す緻密な膜質層を含む２層以上の誘電体
薄膜層から成ったり、前記誘電体薄膜層が２層からなり
、前記光入ないし出力面側の第１層目の安定した組成を
示す緻密な膜質層の屈折率Ｎ１が半導体素子の屈折率を
Ｎｓとすると√Ｎｓ＜Ｎ１の関係を満たし、第２層目に
形成される誘電体薄膜の屈折率Ｎ２が√Ｎｓ＞Ｎ２の関
係を満たしたり、前記誘電体薄膜層が２層からなり、前
記光入ないし出力面側の第１層目の安定した組成を示す
緻密な膜質層の屈折率Ｎ１が半導体素子の屈折率をＮｓ
とすると√Ｎｓ＞Ｎ１の関係を満たし、第２層目に形成
される誘電体薄膜の屈折率Ｎ２が√Ｎｓ＜Ｎ２の関係を
満たしたり、前記安定した組成を示す緻密な膜質層は高
周波スパッタ法又はプラズマＣＶＤにより形成されたり
、前記第１層目の薄膜層がＺｒＯ２であり、前記第２層
目の薄膜層がＹ２Ｏ３であったり、前記第１層目の薄膜
層がＹ２Ｏ３であり、前記第２層目の薄膜層がＡｌＮで
あったり、前記第１層目は高周波スパッタ法により形成
し、第２層目以降の薄膜は電子ビーム蒸着法により形成
されたり、半導体素子が導波路構造を有し、半導体光入
ないし出力面が導波路の端面であったり、半導体素子の
光入ないし出力面がへき開面であったりする。
【００１４】また、本発明による半導体素子の製造方法
においては、半導体素子の光入ないし出力面に安定した
組成を示す緻密な膜質層を適当な厚さまで堆積し、その
上に薄膜層を低反射条件を満足する厚さまで堆積するこ
とを特徴とする。より具体的には、前記安定した組成を
示す緻密な膜質層は高周波スパッタ法又はプラズマＣＶ
Ｄにより形成したり、前記安定した組成を示す緻密な膜
質層は高周波スパッタ法により形成し、その上の薄膜層
は電子ビーム蒸着法により形成したりする。
においては、半導体素子の光入ないし出力面に安定した
組成を示す緻密な膜質層を適当な厚さまで堆積し、その
上に薄膜層を低反射条件を満足する厚さまで堆積するこ
とを特徴とする。より具体的には、前記安定した組成を
示す緻密な膜質層は高周波スパッタ法又はプラズマＣＶ
Ｄにより形成したり、前記安定した組成を示す緻密な膜
質層は高周波スパッタ法により形成し、その上の薄膜層
は電子ビーム蒸着法により形成したりする。
【００１５】本発明によれば、半導体素子の光入ないし
出力面に施された誘電体薄膜層が半導体光入ないし出力
面側から安定した組成を示す緻密な膜質層であることに
よって、屈折率制御、膜厚制御等の再現性が良く、耐久
性も良い半導体素子を実現することができるものである
。特に、半導体素子に適した屈折率であり、耐久性の良
い膜ができるので、反射防止膜（ＡＲ）、高反射膜、保
護膜として、光入出力半導体素子、例えば半導体レーザ
、半導体光増幅器、フォトディテクター等の応用にも有
効である。
出力面に施された誘電体薄膜層が半導体光入ないし出力
面側から安定した組成を示す緻密な膜質層であることに
よって、屈折率制御、膜厚制御等の再現性が良く、耐久
性も良い半導体素子を実現することができるものである
。特に、半導体素子に適した屈折率であり、耐久性の良
い膜ができるので、反射防止膜（ＡＲ）、高反射膜、保
護膜として、光入出力半導体素子、例えば半導体レーザ
、半導体光増幅器、フォトディテクター等の応用にも有
効である。
【００１６】
【実施例１】以下に本発明の第１実施例である光増幅器
を説明する。図１は第１実施例の特徴をよく表わす断面
図であり、同図において、１は半導体基板、２は半導体
端面（内側）の第１層目の緻密な誘電体薄膜層ＺｒＯ２
であり、３はＺｒＯ２薄膜層の上面に形成した誘電体薄
膜層Ｙ２Ｏ３を示す。本実施例において、基板１はｎ型
ＧａＡｓ結晶基板であり、６〜９はＭＢＥ或はＭＯＣＶ
Ｄで形成したエピ層である。ここで、６はｐ＋ＧａＡｓ
キャップ層、７はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、８は導
波路となるＧａＡｓ活性層、９はｎ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層、４、５はＡｕ電極である。
を説明する。図１は第１実施例の特徴をよく表わす断面
図であり、同図において、１は半導体基板、２は半導体
端面（内側）の第１層目の緻密な誘電体薄膜層ＺｒＯ２
であり、３はＺｒＯ２薄膜層の上面に形成した誘電体薄
膜層Ｙ２Ｏ３を示す。本実施例において、基板１はｎ型
ＧａＡｓ結晶基板であり、６〜９はＭＢＥ或はＭＯＣＶ
Ｄで形成したエピ層である。ここで、６はｐ＋ＧａＡｓ
キャップ層、７はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、８は導
波路となるＧａＡｓ活性層、９はｎ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層、４、５はＡｕ電極である。
【００１７】本実施例では、先ず半導体基板１の光入出
力面に，スパッタ法により，ＺｒＯ２膜２をＲＦパワー
２００Ｗにより４０ｎｍの厚さまで形成する。第２層目
３の膜は、Ｙ２Ｏ３を材料とし、ＥＢ蒸着により、第１
層目２と合わせてλ／４の膜厚となる様にモニターを行
ないつつ堆積し、ＡＲコーティング２、３を形成した。
力面に，スパッタ法により，ＺｒＯ２膜２をＲＦパワー
２００Ｗにより４０ｎｍの厚さまで形成する。第２層目
３の膜は、Ｙ２Ｏ３を材料とし、ＥＢ蒸着により、第１
層目２と合わせてλ／４の膜厚となる様にモニターを行
ないつつ堆積し、ＡＲコーティング２、３を形成した。
【００１８】図２は、１層目２に屈折率Ｎ１＝２．１０
のＺｒＯ２膜を形成した後に２層目としてＮ２＝１．７
５のＹ２Ｏ３膜を形成した時の、反射率Ｒ（％）と第１
層目２の厚みｄ１及び第２層目３の厚みｄ２の関係を示
す。このグラフより、第１層目２のＺｒＯ２のｄ１が３
０ｎｍ〜５０ｎｍである範囲であれば反射率０．１％以
下を達成することができ、この際の第２層目３の膜厚ｄ
２の許容範囲（±１０ｎｍ程度である）は水晶振動子等
により容易に制御できる膜厚範囲であることが分かる。
のＺｒＯ２膜を形成した後に２層目としてＮ２＝１．７
５のＹ２Ｏ３膜を形成した時の、反射率Ｒ（％）と第１
層目２の厚みｄ１及び第２層目３の厚みｄ２の関係を示
す。このグラフより、第１層目２のＺｒＯ２のｄ１が３
０ｎｍ〜５０ｎｍである範囲であれば反射率０．１％以
下を達成することができ、この際の第２層目３の膜厚ｄ
２の許容範囲（±１０ｎｍ程度である）は水晶振動子等
により容易に制御できる膜厚範囲であることが分かる。
【００１９】図３は、１層目２にＮ１＝１．９５の膜を
形成した後、２層目３としてＮ２＝１．７５の膜を形成
した時の反射率Ｒ（％）と厚みｄ１、ｄ２の関係を示す
。このグラフより、Ｎ１＝１．９５の第１層目２の厚さ
ｄ１が４０ｎｍ〜７０ｎｍである範囲であれば、反射率
０．１％以下を達成することができ、上記と同様にｄ１
、ｄ２の膜厚制御も容易に実現できる。
形成した後、２層目３としてＮ２＝１．７５の膜を形成
した時の反射率Ｒ（％）と厚みｄ１、ｄ２の関係を示す
。このグラフより、Ｎ１＝１．９５の第１層目２の厚さ
ｄ１が４０ｎｍ〜７０ｎｍである範囲であれば、反射率
０．１％以下を達成することができ、上記と同様にｄ１
、ｄ２の膜厚制御も容易に実現できる。
【００２０】図４も同様で、１層目２にＮ１＝２．００
の膜を形成した後、２層目３としてＮ２＝１．６８の膜
を形成した時の反射率Ｒ（％）と厚みｄ１、ｄ２の関係
を示す。このグラフより、Ｎ１＝２．００の第１層目２
のｄ１が５０ｎｍ〜７０ｎｍである範囲であれば、反射
率０．１％以下を達成することができ、膜厚制御ｄ１、
ｄ２も容易に実現できる。
の膜を形成した後、２層目３としてＮ２＝１．６８の膜
を形成した時の反射率Ｒ（％）と厚みｄ１、ｄ２の関係
を示す。このグラフより、Ｎ１＝２．００の第１層目２
のｄ１が５０ｎｍ〜７０ｎｍである範囲であれば、反射
率０．１％以下を達成することができ、膜厚制御ｄ１、
ｄ２も容易に実現できる。
【００２１】この実施例で１層目２はＺｒＯ２を使用し
たが、これに限ることはなく、基板１の屈折率Ｎｓ（正
確には導波路８の等価屈折率であるが、これらはほぼ等
しい。以下、同じ））と√Ｎｓ＜Ｎ１の関係を有する屈
折率Ｎ１の材料であればよく、例えばＴｉＯ２、ＡｌＮ
、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｅＯ２、Ｎｄ２Ｏ
３、Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ３、ＳｒＯ等でもよく、或は
ＴｉＯ２／ＺｒＯ２等の混合物であってもよい。
たが、これに限ることはなく、基板１の屈折率Ｎｓ（正
確には導波路８の等価屈折率であるが、これらはほぼ等
しい。以下、同じ））と√Ｎｓ＜Ｎ１の関係を有する屈
折率Ｎ１の材料であればよく、例えばＴｉＯ２、ＡｌＮ
、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｅＯ２、Ｎｄ２Ｏ
３、Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ３、ＳｒＯ等でもよく、或は
ＴｉＯ２／ＺｒＯ２等の混合物であってもよい。
【００２２】２層目３の屈折率Ｎ２は√Ｎｓ＞Ｎ２であ
ればよく、こうした材料として、例えば、Ｙ２Ｏ３、Ｍ
ｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ０２、ＭｇＦ２、ＣｅＦ３等で
もよく、或はこれらの混合物であってもよい。
ればよく、こうした材料として、例えば、Ｙ２Ｏ３、Ｍ
ｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ０２、ＭｇＦ２、ＣｅＦ３等で
もよく、或はこれらの混合物であってもよい。
【００２３】この様に半導体光素子に適したＡＲコーテ
ィング２、３を形成することができ、半導体光素子の光
入出力面側に形成した誘電体薄膜層２は緻密な膜質で比
較的膜厚が厚い為（上記の如く、例えば、一般的に緻密
で安定な膜質が実現できるスパッタ法により、膜厚ｄ１
が４０ｎｍとなっている）、十分な耐久性を持っている
ことが確認されている。また、半導体光素子の端面側の
屈折率Ｎ１が高く空気側の屈折率Ｎ２が低くなっている
ので（即ち、Ｎ２＜√Ｎｓ＜Ｎ１）、反射成分が低減で
きる効果もある。
ィング２、３を形成することができ、半導体光素子の光
入出力面側に形成した誘電体薄膜層２は緻密な膜質で比
較的膜厚が厚い為（上記の如く、例えば、一般的に緻密
で安定な膜質が実現できるスパッタ法により、膜厚ｄ１
が４０ｎｍとなっている）、十分な耐久性を持っている
ことが確認されている。また、半導体光素子の端面側の
屈折率Ｎ１が高く空気側の屈折率Ｎ２が低くなっている
ので（即ち、Ｎ２＜√Ｎｓ＜Ｎ１）、反射成分が低減で
きる効果もある。
【００２４】
【実施例２】第２実施例は第１実施例と同様な半導体基
板１を用いている。この半導体基板１の端面（内側）の
第１層目２として、スパッタ法により、Ｙ２Ｏ３膜をＲ
Ｆパワー２００Ｗにより６０ｎｍの厚さまで形成する。 第２層目３の膜は、ＡｌＮを材料とし、ＥＢ蒸着により
、全体としてλ／４の膜厚となる様にモニターを行ない
つつ堆積し、ＡＲコーティングを形成した。
板１を用いている。この半導体基板１の端面（内側）の
第１層目２として、スパッタ法により、Ｙ２Ｏ３膜をＲ
Ｆパワー２００Ｗにより６０ｎｍの厚さまで形成する。 第２層目３の膜は、ＡｌＮを材料とし、ＥＢ蒸着により
、全体としてλ／４の膜厚となる様にモニターを行ない
つつ堆積し、ＡＲコーティングを形成した。
【００２５】図５は、１層目２に屈折率Ｎ１＝１．７０
のＹ２Ｏ３膜を形成した後に２層目３として屈折率Ｎ２
＝２．００のＡｌＮ膜を形成した時の、反射率Ｒ（％）
と第１及び第２層目２、３の厚みｄ１、ｄ２との関係を
示す。このグラフより、Ｙ２Ｏ３のｄ１が５０ｎｍ〜７
０ｎｍである範囲があれば反射率０．１％以下を達成す
ることができ、膜厚ｄ１、ｄ２の許容範囲は水晶振動子
等により容易に制御できる膜厚範囲であることが分かる
。
のＹ２Ｏ３膜を形成した後に２層目３として屈折率Ｎ２
＝２．００のＡｌＮ膜を形成した時の、反射率Ｒ（％）
と第１及び第２層目２、３の厚みｄ１、ｄ２との関係を
示す。このグラフより、Ｙ２Ｏ３のｄ１が５０ｎｍ〜７
０ｎｍである範囲があれば反射率０．１％以下を達成す
ることができ、膜厚ｄ１、ｄ２の許容範囲は水晶振動子
等により容易に制御できる膜厚範囲であることが分かる
。
【００２６】この実施例で、１層目２はＹ２Ｏ３を使用
したが、これに限ることはなく、基板の屈折率をＮｓと
すると√Ｎｓ＞Ｎ１の関係を満たす屈折率Ｎ１の材料で
あればよく、例えばＹ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓ
ｉ０２、ＭｇＦ２、ＣｅＦ３等でもよく、或はこれらの
混合物であってもよい。また、２層目３は√Ｎｓ＜Ｎ２
であればよく、例えばＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＡｌＮ、Ｓ
ｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｅＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、
Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ３、ＳｒＯ等でもよく、或はこれ
らの混合物であってもよい。
したが、これに限ることはなく、基板の屈折率をＮｓと
すると√Ｎｓ＞Ｎ１の関係を満たす屈折率Ｎ１の材料で
あればよく、例えばＹ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓ
ｉ０２、ＭｇＦ２、ＣｅＦ３等でもよく、或はこれらの
混合物であってもよい。また、２層目３は√Ｎｓ＜Ｎ２
であればよく、例えばＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＡｌＮ、Ｓ
ｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｅＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、
Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ３、ＳｒＯ等でもよく、或はこれ
らの混合物であってもよい。
【００２７】この様に、この実施例でも、半導体光素子
に適したＡＲコーティングを形成することができ、半導
体光素子の光入出力面側に形成した誘電体薄膜層２は緻
密な膜質で膜厚が厚い為、十分な耐久性を持っているこ
とが確認されている。
に適したＡＲコーティングを形成することができ、半導
体光素子の光入出力面側に形成した誘電体薄膜層２は緻
密な膜質で膜厚が厚い為、十分な耐久性を持っているこ
とが確認されている。
【００２８】以上述べた実施例では、緻密な誘電体薄膜
層を形成する方法としてスパッタ法について述べたが、
これに限ることなく、プラズマＣＶＤ等による方法でも
よく、更に緻密な誘電体薄膜層が形成されるならば他方
法でもよい。
層を形成する方法としてスパッタ法について述べたが、
これに限ることなく、プラズマＣＶＤ等による方法でも
よく、更に緻密な誘電体薄膜層が形成されるならば他方
法でもよい。
【００２９】
【実施例３】図６は、本発明による半導体光素子を、半
導体光増幅器に用いて波長多重送受信システムに適用し
た例を示す。本実施例において、ＡＲコーティングは両
面に形成されている。この半導体光増幅器１０は、ゲイ
ンリップルの測定によりＡＲコーティングの反射率が０
．１％以下であることが分かった。半導体光増幅器１０
を閾値電流より少し小さい定電流注入状態とし、外部か
らレンズ或は伝送光ファイバ１５によって光波を入力さ
せ、半導体光増幅器１０に結合させることにより、増幅
光波を得ることができる。こうして内部ゲイン２０〜３
０ｄＢを達成している。
導体光増幅器に用いて波長多重送受信システムに適用し
た例を示す。本実施例において、ＡＲコーティングは両
面に形成されている。この半導体光増幅器１０は、ゲイ
ンリップルの測定によりＡＲコーティングの反射率が０
．１％以下であることが分かった。半導体光増幅器１０
を閾値電流より少し小さい定電流注入状態とし、外部か
らレンズ或は伝送光ファイバ１５によって光波を入力さ
せ、半導体光増幅器１０に結合させることにより、増幅
光波を得ることができる。こうして内部ゲイン２０〜３
０ｄＢを達成している。
【００３０】図６のシステム概念図において、１１は送
信部、１２は受信部、１３、１４は夫々合波、分波器で
ある。こうした構成により、波長８３０ｎｍ及び８４０
ｎｍの信号を多重化し、光増幅器１０で高ゲイン、低リ
ップルで増幅し、１００Ｍｂｐｓ以上の伝送速度でクロ
ストークのない信号の授受が可能となる。
信部、１２は受信部、１３、１４は夫々合波、分波器で
ある。こうした構成により、波長８３０ｎｍ及び８４０
ｎｍの信号を多重化し、光増幅器１０で高ゲイン、低リ
ップルで増幅し、１００Ｍｂｐｓ以上の伝送速度でクロ
ストークのない信号の授受が可能となる。
【００３１】以上より、安定した組成を示す緻密な膜質
層とその上に形成される薄膜層を採用することにより、
高い光出力においても増幅動作を安定に行なうことがで
きるＡＲコーティングを有する半導体光増幅器を構成で
きることが分かった。
層とその上に形成される薄膜層を採用することにより、
高い光出力においても増幅動作を安定に行なうことがで
きるＡＲコーティングを有する半導体光増幅器を構成で
きることが分かった。
【００３２】
【実施例４】図７は、本発明による半導体光素子を外部
共振器レーザに用いた第４実施例を示す。本実施例にお
いては、ＡＲコーティング２７は片面のみとし、他面２
８はλ／２コーティング或はノンコートである。
共振器レーザに用いた第４実施例を示す。本実施例にお
いては、ＡＲコーティング２７は片面のみとし、他面２
８はλ／２コーティング或はノンコートである。
【００３３】この片面ＡＲ半導体増幅器２０の作製プロ
セスは上記実施例と全く同じである。外部共振器レーザ
は前後レンズ２２、２３、光増幅器２０、反射ブレーズ
ドグレーティング２４から構成され、グレーティング２
４への光波の入射角を変えることによって発振波長を選
択することができる。
セスは上記実施例と全く同じである。外部共振器レーザ
は前後レンズ２２、２３、光増幅器２０、反射ブレーズ
ドグレーティング２４から構成され、グレーティング２
４への光波の入射角を変えることによって発振波長を選
択することができる。
【００３４】本実施例の導波路に通常のＧａＡｓ活性層
を用いることで、波長選択幅２０ｎｍ以上を達成し、且
つ５ｍＷ以上の高出力動作が安定して行なわれる。
を用いることで、波長選択幅２０ｎｍ以上を達成し、且
つ５ｍＷ以上の高出力動作が安定して行なわれる。
【００３５】ところで、以上は基板１に垂直な端面に、
本発明によるＡＲコーティングを適用する例について述
べた。しかし、基板と平行な表面、例えば、Ｓｉ受光素
子の集積デバイスの一部や面発光型の発光素子、光導波
路の入出力部などの光入出力部に本発明を実施しても同
様の効果が得られることは言うまでもない。
本発明によるＡＲコーティングを適用する例について述
べた。しかし、基板と平行な表面、例えば、Ｓｉ受光素
子の集積デバイスの一部や面発光型の発光素子、光導波
路の入出力部などの光入出力部に本発明を実施しても同
様の効果が得られることは言うまでもない。
【００３６】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、半
導体光素子の光入ないし出力面に誘電体薄膜層を施した
半導体光素子において、その誘電体薄膜層が、半導体光
入出力面側に比較的厚い適当な膜厚まで堆積され安定し
た組成を示す緻密な膜質層であるものと、その上に形成
される薄膜層（これも安定した組成を示す緻密な膜質層
であってもよい）とにより構成されているので、低反射
条件などを満足しつつ、且つ耐久性の優れたＡＲコーテ
ィングを有する半導体光素子などの実現が可能となった
。
導体光素子の光入ないし出力面に誘電体薄膜層を施した
半導体光素子において、その誘電体薄膜層が、半導体光
入出力面側に比較的厚い適当な膜厚まで堆積され安定し
た組成を示す緻密な膜質層であるものと、その上に形成
される薄膜層（これも安定した組成を示す緻密な膜質層
であってもよい）とにより構成されているので、低反射
条件などを満足しつつ、且つ耐久性の優れたＡＲコーテ
ィングを有する半導体光素子などの実現が可能となった
。
【００３７】今まで、耐久性については、パッシベーシ
ョン機能の高い材料にのみ耐久性向上機能があると思わ
れていたが、本発明の構成によれば、緻密で厚めに薄膜
を形成することによって耐久性が向上するので、材料の
選択範囲が拡大され、半導体光素子の性能を著しく向上
させる等の効果がある。また、比較的厚い２層以上の薄
膜層でＡＲコーティングなどを構成するので、屈折率制
御、膜厚制御等も向上し、素子作製の再現性も良くなっ
た。
ョン機能の高い材料にのみ耐久性向上機能があると思わ
れていたが、本発明の構成によれば、緻密で厚めに薄膜
を形成することによって耐久性が向上するので、材料の
選択範囲が拡大され、半導体光素子の性能を著しく向上
させる等の効果がある。また、比較的厚い２層以上の薄
膜層でＡＲコーティングなどを構成するので、屈折率制
御、膜厚制御等も向上し、素子作製の再現性も良くなっ
た。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例である半導体基板に誘電体
薄膜層を形成した半導体光増幅器の断面図である。
薄膜層を形成した半導体光増幅器の断面図である。
【図２】本発明の第１実施例の反射率と膜厚の関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図３】本発明の第１実施例の反射率と膜厚の関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図４】本発明の第１実施例の反射率と膜厚の関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図５】本発明の第２実施例の反射率と膜厚の関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図６】本発明の第３実施例を示す図である。
【図７】本発明の第４実施例を示す図である。
Claims (15)
- 【請求項１】 半導体素子の光入ないし出力面に誘電
体薄膜層を施した半導体素子において、その誘電体薄膜
層が、半導体素子の光入ないし出力面側に形成され安定
した組成を示す緻密な膜質層を含むことを特徴とする半
導体素子。 - 【請求項２】 前記誘電体薄膜層が、安定した組成を
示す緻密な膜質層を含む２層以上の誘電体薄膜層から成
る請求項１記載の半導体素子。 - 【請求項３】 前記誘電体薄膜層が２層からなり、前
記光入ないし出力面側の第１層目の安定した組成を示す
緻密な膜質層の屈折率Ｎ１が半導体素子の屈折率をＮｓ
とすると√Ｎｓ＜Ｎ１の関係を満たし、第２層目に形成
される誘電体薄膜の屈折率Ｎ２が√Ｎｓ＞Ｎ２の関係を
満たす請求項１記載の半導体素子。 - 【請求項４】 前記誘電体薄膜層が２層からなり、前
記光入ないし出力面側の第１層目の安定した組成を示す
緻密な膜質層の屈折率Ｎ１が半導体素子の屈折率をＮｓ
とすると√Ｎｓ＞Ｎ１の関係を満たし、第２層目に形成
される誘電体薄膜の屈折率Ｎ２が√Ｎｓ＜Ｎ２の関係を
満たす請求項１記載の半導体素子。 - 【請求項５】 前記安定した組成を示す緻密な膜質層
は高周波スパッタ法により形成される請求項１記載の半
導体素子。 - 【請求項６】 前記安定した組成を示す緻密な膜質層
はプラズマＣＶＤにより形成される請求項１記載の半導
体素子。 - 【請求項７】 前記第１層目の薄膜層がＺｒＯ２であ
り、前記第２層目の薄膜層がＹ２Ｏ３である請求項２又
は３記載の半導体素子。 - 【請求項８】 前記第１層目の薄膜層がＹ２Ｏ３であ
り、前記第２層目の薄膜層がＡｌＮである請求項２又は
４記載の半導体素子。 - 【請求項９】 前記第１層目は高周波スパッタ法によ
り形成し、第２層目以降の薄膜は電子ビーム蒸着法によ
り形成される請求項２、３、４、５、７又は８記載の半
導体素子。 - 【請求項１０】 半導体素子が導波路構造を有し、半
導体光入ないし出力面が導波路の端面である請求項１記
載の半導体素子。 - 【請求項１１】 半導体素子の光入ないし出力面がへ
き開面である請求項１記載の半導体素子。 - 【請求項１２】 請求項１記載の半導体素子の製造方
法において、半導体素子の光入ないし出力面に安定した
組成を示す緻密な膜質層を適当な厚さまで堆積し、その
上に薄膜層を低反射条件を満足する厚さまで堆積するこ
とを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項１３】 前記安定した組成を示す緻密な膜質
層は高周波スパッタ法により形成する請求項１２記載の
半導体素子の製造方法。 - 【請求項１４】 前記安定した組成を示す緻密な膜質
層はプラズマＣＶＤにより形成する請求項１２記載の半
導体素子の製造方法。 - 【請求項１５】 前記安定した組成を示す緻密な膜質
層は高周波スパッタ法により形成し、その上の薄膜層は
電子ビーム蒸着法により形成する請求項１２記載の半導
体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8744491A JPH04299591A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 半導体素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8744491A JPH04299591A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 半導体素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04299591A true JPH04299591A (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=13915035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8744491A Pending JPH04299591A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 半導体素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04299591A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000174379A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | 化合物半導体発光素子 |
| JP2000174377A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | 化合物半導体発光素子 |
| JP2000232253A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光素子 |
| US6798811B1 (en) | 1999-11-30 | 2004-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device, method for fabricating the same, and optical disk apparatus |
| JP2007027803A (ja) * | 2006-11-06 | 2007-02-01 | Sharp Corp | 化合物半導体レーザ |
| WO2021200550A1 (ja) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ素子、量子カスケードレーザ装置及び量子カスケードレーザ装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP8744491A patent/JPH04299591A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000174379A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | 化合物半導体発光素子 |
| JP2000174377A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | 化合物半導体発光素子 |
| JP2000232253A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光素子 |
| US6798811B1 (en) | 1999-11-30 | 2004-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device, method for fabricating the same, and optical disk apparatus |
| US7292615B2 (en) | 1999-11-30 | 2007-11-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device, method for fabricating the same, and optical disk apparatus |
| JP2007027803A (ja) * | 2006-11-06 | 2007-02-01 | Sharp Corp | 化合物半導体レーザ |
| WO2021200550A1 (ja) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ素子、量子カスケードレーザ装置及び量子カスケードレーザ装置の製造方法 |
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