JPS63128690A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
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- JPS63128690A JPS63128690A JP27460986A JP27460986A JPS63128690A JP S63128690 A JPS63128690 A JP S63128690A JP 27460986 A JP27460986 A JP 27460986A JP 27460986 A JP27460986 A JP 27460986A JP S63128690 A JPS63128690 A JP S63128690A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は半導体レーザ素子の構造なかんずく共振面の
保護膜の構造に関する。
保護膜の構造に関する。
半導体レーザ素子はコンパクトディスクや光通信におけ
る発光素子として用いられる。このような発光素子の信
頼性を左右する因子としてはレーザ結晶中の欠陥に起因
するもの、すなわち動作中にレーザ活性層中に発生する
転位と、第２図に示すような共振器端面３の酸化による
反射率低下とがある。結晶欠陥に起因するものは低転位
密度の基板の使用あるいは活性層中ＫＡｊを加えること
により除去できることが報告されている。一方共振器端
面の酸化については実動作雰囲気中の酸素に起因するた
め共振器端面上に保護膜を設は酸素との接触を防止する
方法がとられる。
る発光素子として用いられる。このような発光素子の信
頼性を左右する因子としてはレーザ結晶中の欠陥に起因
するもの、すなわち動作中にレーザ活性層中に発生する
転位と、第２図に示すような共振器端面３の酸化による
反射率低下とがある。結晶欠陥に起因するものは低転位
密度の基板の使用あるいは活性層中ＫＡｊを加えること
により除去できることが報告されている。一方共振器端
面の酸化については実動作雰囲気中の酸素に起因するた
め共振器端面上に保護膜を設は酸素との接触を防止する
方法がとられる。
保護膜としては従来、酸化珪素膜（以下８ｉ０□膜と略
記）、酸化アルミニウム膜（以下ＡＪ２０．膜と略記）
が知られているが８ ｔ Ｏ！膜はＧａＡｓとの密着性
は良好ではあるが吸湿性があるうえ熱膨張係数がＧａＡ
ｓＫ比し約１桁小さいため熱応力によって共振器端面と
８ｉ０□反射面との界面のレーザ活性層内に転位が発生
し素子が劣化する。さらに半導体レーザ素子材料に含有
されるＧａの８ｉＯ□中への拡散が顕著であり、レーザ
活性層に格子欠陥を生成させる可能性もある。
記）、酸化アルミニウム膜（以下ＡＪ２０．膜と略記）
が知られているが８ ｔ Ｏ！膜はＧａＡｓとの密着性
は良好ではあるが吸湿性があるうえ熱膨張係数がＧａＡ
ｓＫ比し約１桁小さいため熱応力によって共振器端面と
８ｉ０□反射面との界面のレーザ活性層内に転位が発生
し素子が劣化する。さらに半導体レーザ素子材料に含有
されるＧａの８ｉＯ□中への拡散が顕著であり、レーザ
活性層に格子欠陥を生成させる可能性もある。
これに対しＡｌ２Ｏ３膜は吸湿性がないうえ、その熱膨
張率もＧ ａ Ａ ｓとほぼ等しいから、５ｉｎ２膜の
ようにレーザ活性層内に格子欠陥を生じさせることがな
い。しかしながらＡＪ２０３膜は、ＧａＡｓとの密着性
に欠け、膜厚を厚くすると共振器端面からはくりしやす
いという欠点があり、保護膜として十分機能することが
できなかった。
張率もＧ ａ Ａ ｓとほぼ等しいから、５ｉｎ２膜の
ようにレーザ活性層内に格子欠陥を生じさせることがな
い。しかしながらＡＪ２０３膜は、ＧａＡｓとの密着性
に欠け、膜厚を厚くすると共振器端面からはくりしやす
いという欠点があり、保護膜として十分機能することが
できなかった。
〔発明の目的〕
この発明は上述に鑑みてなされたものでありその目的と
するところは共損面に対する密着性に優れ、レーザ活性
層内に格子欠陥を生じさせることがなく、かつ反射率の
大きな共振器端面の保護層を提供するにある。
するところは共損面に対する密着性に優れ、レーザ活性
層内に格子欠陥を生じさせることがなく、かつ反射率の
大きな共振器端面の保護層を提供するにある。
この発明は半導体レーザ素子の共振器端面に接着層、酸
化防と層、膜厚調整層の３つの薄膜層からなる保護膜を
備えるのでその目的を達する。
化防と層、膜厚調整層の３つの薄膜層からなる保護膜を
備えるのでその目的を達する。
すなわち、保護膜の接着層、酸化防止層、膜厚調整層か
らなる３層をそれぞれ薄膜層で形成するようＫし、この
とき接着層により共振器端面と保護層との密着を図るよ
うにし、酸化防止層により共振器端面の酸化を防止する
ようにし、膜厚調整層により保護層からのレーザ反射率
が最大になるように調整するとともに１この際得られる
微小の保護膜層によりレーザ活性層内に格子欠陥が生じ
ないようにしたものである。
らなる３層をそれぞれ薄膜層で形成するようＫし、この
とき接着層により共振器端面と保護層との密着を図るよ
うにし、酸化防止層により共振器端面の酸化を防止する
ようにし、膜厚調整層により保護層からのレーザ反射率
が最大になるように調整するとともに１この際得られる
微小の保護膜層によりレーザ活性層内に格子欠陥が生じ
ないようにしたものである。
次゛にこの発明の実施例を図面にもとすいて説明する。
第２図に示すような半導体レーザ素子４の共振器端面３
に保護膜を形成する。半導体レーザ素子４は第１図に示
すように約１５０μｍ厚の結晶基板８．その上に形成さ
れたｎ −Ｇａ（１−ｘ） Ａ／ｘＡｓクラッド層９．
ＧａＡｓ活性層１０．Ｐ−Ｇａ（１−ｘ）ＡＡ！ｘＡｓ
クラット層１１．およびＡｕＺｎ系電極１．ＡｕＧｅ系
電極２などから構成される。活性層１０の禁制帯巾はｎ
クラッド層、Ｐクラッド層の禁制帯巾よりせまいため電
子とホールが活性層１０内にとじ込められる。また活性
層１０の屈折率がｎクラッド層やＰクラッド層より大き
いため光が活性層内にとじこめられる。この二つのとじ
込め効果によりレーザ発振に必要なしきり電流密度が下
がり、室温連続発振がおこる。このときレーザ光は共振
器端面３において反射され共振をおこしレーザ光１２と
なってとり出される。
に保護膜を形成する。半導体レーザ素子４は第１図に示
すように約１５０μｍ厚の結晶基板８．その上に形成さ
れたｎ −Ｇａ（１−ｘ） Ａ／ｘＡｓクラッド層９．
ＧａＡｓ活性層１０．Ｐ−Ｇａ（１−ｘ）ＡＡ！ｘＡｓ
クラット層１１．およびＡｕＺｎ系電極１．ＡｕＧｅ系
電極２などから構成される。活性層１０の禁制帯巾はｎ
クラッド層、Ｐクラッド層の禁制帯巾よりせまいため電
子とホールが活性層１０内にとじ込められる。また活性
層１０の屈折率がｎクラッド層やＰクラッド層より大き
いため光が活性層内にとじこめられる。この二つのとじ
込め効果によりレーザ発振に必要なしきり電流密度が下
がり、室温連続発振がおこる。このときレーザ光は共振
器端面３において反射され共振をおこしレーザ光１２と
なってとり出される。
保護膜は共振器端面３に接着層５としてＳｉｎ。
膜、酸化防止層６としてＡｌ２Ｏ３薄膜、膜厚調整層７
としてイツトリア（以下Ｙ８０．と略記）で安定化され
た酸化ジルコニウム（以下ＺｒＯ，と略記）の薄膜の順
に積層する。保護膜の形成は、スパッタリング、電子ビ
ーム蒸着、ＣＶＤいづれの方法でも良いがここではスパ
ッタリングによる方法を述べる。
としてイツトリア（以下Ｙ８０．と略記）で安定化され
た酸化ジルコニウム（以下ＺｒＯ，と略記）の薄膜の順
に積層する。保護膜の形成は、スパッタリング、電子ビ
ーム蒸着、ＣＶＤいづれの方法でも良いがここではスパ
ッタリングによる方法を述べる。
共振器端面３をターゲットに対向させアルゴンガスをイ
オン化してＡｒを生成させこれを加速してターゲットと
衝突させターゲット物質をとび出させる。
オン化してＡｒを生成させこれを加速してターゲットと
衝突させターゲット物質をとび出させる。
ＳｉＯ□薄膜５の形成にはターゲットとして５ｉｎ２を
、人１ｘｏｓ薄膜６の形成には人１２０３のターゲット
を、Ｙ、Ｏ８で安定化させたＺｒＯ，の薄膜７にはＹ２
Ｏ３で安定化されたＺｒＯ２のターゲットをそれぞれ用
いる。とび出した各ターゲット物質をＧａＡｓの共振器
端面に蒸着させる。ＳｉＯ□薄膜５は２０ ｎＩｎ 、
Ａｌ＊Ｏａ薄膜６は３ Ｑ ｎｍの厚さに形成した。
、人１ｘｏｓ薄膜６の形成には人１２０３のターゲット
を、Ｙ、Ｏ８で安定化させたＺｒＯ，の薄膜７にはＹ２
Ｏ３で安定化されたＺｒＯ２のターゲットをそれぞれ用
いる。とび出した各ターゲット物質をＧａＡｓの共振器
端面に蒸着させる。ＳｉＯ□薄膜５は２０ ｎＩｎ 、
Ａｌ＊Ｏａ薄膜６は３ Ｑ ｎｍの厚さに形成した。
保護膜の中心である酸化防止膜６としてはＡ１２０３薄
膜が吸湿性を示さないこと、および熱膨張率がＧ ａ
Ａ ｓと近似することなどＫより好適であるが、ＡＪ２
０．薄膜は上述のようにＧ ａ Ａ ｓとの密着性が悪
いのでそのなかだちとして８ ｉ ０．薄膜５を接着層
として用いる。Ｓ ｔ Ｏ，薄膜は、Ｇ ａ Ａ ｓと
Ａ７２０ｓの双方に対して密着性がよい。このようＶｃ
ＧａＡｓの結晶に対して８ｉ０２薄膜とＡ４２０３薄膜
を組み合わせると、各薄膜の欠点を補うことができ、密
着性に優れた酸化防止層６が得られる。
膜が吸湿性を示さないこと、および熱膨張率がＧ ａ
Ａ ｓと近似することなどＫより好適であるが、ＡＪ２
０．薄膜は上述のようにＧ ａ Ａ ｓとの密着性が悪
いのでそのなかだちとして８ ｉ ０．薄膜５を接着層
として用いる。Ｓ ｔ Ｏ，薄膜は、Ｇ ａ Ａ ｓと
Ａ７２０ｓの双方に対して密着性がよい。このようＶｃ
ＧａＡｓの結晶に対して８ｉ０２薄膜とＡ４２０３薄膜
を組み合わせると、各薄膜の欠点を補うことができ、密
着性に優れた酸化防止層６が得られる。
酸化防止層６と接着層５をそれぞれ薄膜としたのは膜成
長時に膜内に発生する応力を少なくすること、保護膜の
全体の厚さを薄くして熱応力がレーザ活性層におよばな
いようにすること、ｓｉｏ。
長時に膜内に発生する応力を少なくすること、保護膜の
全体の厚さを薄くして熱応力がレーザ活性層におよばな
いようにすること、ｓｉｏ。
膜へのＧａ拡散量を減らすことなどを目的としている。
次に膜厚調整層７としてＹ２Ｏ３で安定化したＺｒＯ，
の薄膜を１６０ｎｍ蒸着させた。これは次の理由による
。
の薄膜を１６０ｎｍ蒸着させた。これは次の理由による
。
保護膜よりのレーザの反射率は保護膜厚により周期的に
変るが反射率最大となる膜厚条件は次式％式％ ここでλはレーザ波長、Ｎは整数１．２．３．・・・・
・・。
変るが反射率最大となる膜厚条件は次式％式％ ここでλはレーザ波長、Ｎは整数１．２．３．・・・・
・・。
ｎは保護膜材料の屈折率、ｄは保護膜厚である。
従って反射率最大を与える最小の保護膜厚ｄ ｍｉｎは
Ｎ＝１の場合である。レーザ発振波長１ ＝７８０ｎｍ
、屈折率は８１０．、 ｇ＊Ｏ１，ＺｒＯ２等の材料で
余り変うナイ（７）テｎ ＝１．５とするとｄｍｉｎ＝
２６０ｎｍが得られる。従って膜厚調整層７０所要厚と
して ２６０ ｎｍ−１００ｎｍ＝１６０ ｎｍが得られる。
Ｎ＝１の場合である。レーザ発振波長１ ＝７８０ｎｍ
、屈折率は８１０．、 ｇ＊Ｏ１，ＺｒＯ２等の材料で
余り変うナイ（７）テｎ ＝１．５とするとｄｍｉｎ＝
２６０ｎｍが得られる。従って膜厚調整層７０所要厚と
して ２６０ ｎｍ−１００ｎｍ＝１６０ ｎｍが得られる。
反射率最大を選んだのは反射率の大きい方がしきり電流
密度が下がるためであり、最小の保護膜厚を選んだのは
Ｇ ａ Ａ ｓ活性層１０に９及熱応力がかからないよ
うにするためである。反射率最大のときには、端面に保
護膜がない場合の反射率と同一になる。
密度が下がるためであり、最小の保護膜厚を選んだのは
Ｇ ａ Ａ ｓ活性層１０に９及熱応力がかからないよ
うにするためである。反射率最大のときには、端面に保
護膜がない場合の反射率と同一になる。
膜厚調整層７の材料としてはＺｒＯ□に限定されるもの
ではなくレーザ光に対して高い透過率を有するものであ
ればよい。この実施例でＹ２Ｏ３を固溶体化して安定化
したＺｒＯ２を選んだのは、これが蒸着初期に酸素不足
型のＺｒＯ□結晶層を形成し、ｋｌ、 ０３薄膜と強い
結合を示すことによる。Ｙ２Ｏ３で安定化したＺｒＯ２
薄膜は柱状構造に結晶成長し、熱サイクルによる応力緩
和に役立つ。膜厚調整層７の材料としては上述の他、Ｔ
ｉＯ□、ＳｉＮなどの誘電体酸化物も利用できる。膜厚
調整層は酸化防止の働きも兼ねることができる。
ではなくレーザ光に対して高い透過率を有するものであ
ればよい。この実施例でＹ２Ｏ３を固溶体化して安定化
したＺｒＯ２を選んだのは、これが蒸着初期に酸素不足
型のＺｒＯ□結晶層を形成し、ｋｌ、 ０３薄膜と強い
結合を示すことによる。Ｙ２Ｏ３で安定化したＺｒＯ２
薄膜は柱状構造に結晶成長し、熱サイクルによる応力緩
和に役立つ。膜厚調整層７の材料としては上述の他、Ｔ
ｉＯ□、ＳｉＮなどの誘電体酸化物も利用できる。膜厚
調整層は酸化防止の働きも兼ねることができる。
保護膜は上述のようにレーザ光反射率最大になるよう膜
厚調整しているので反射率は保護膜のない場合と同一で
電流−光出力特性は保護膜の有無にかかわらず同一とな
る。共振器端面と保護膜との密着性は保護層中の接着層
であるＳｔＯ，薄膜によって強固である。また保護膜は
上述のように反射率最大を与える最小の膜厚となってい
るので膜厚はうすくレーザ活性層内に格子欠陥を生じさ
せない。保護膜内の各層は薄膜で形成されるので応力の
少ない安定した保護膜が得られる。
厚調整しているので反射率は保護膜のない場合と同一で
電流−光出力特性は保護膜の有無にかかわらず同一とな
る。共振器端面と保護膜との密着性は保護層中の接着層
であるＳｔＯ，薄膜によって強固である。また保護膜は
上述のように反射率最大を与える最小の膜厚となってい
るので膜厚はうすくレーザ活性層内に格子欠陥を生じさ
せない。保護膜内の各層は薄膜で形成されるので応力の
少ない安定した保護膜が得られる。
この発明によれば半導体レーザ素子の共振器端面に接着
層、酸化防止層、膜厚調整層の３つの薄膜層からなる保
護膜を備えたので、応力の少ない安定した保護膜が得ら
れる。同時にこの膜は、接着層により共振面に対する密
着性に優れ、膜厚調整層によりレーザ光反射率が大きく
、またその膜厚が薄いためにレーザ活性層に格子欠陥を
生じさせない。その結果半導体レーザ素子は保護膜によ
り、何らの不利を生じさせないでその共振器端面の酸化
を有効に防止することができ、その信頼性を高めること
ができる。
層、酸化防止層、膜厚調整層の３つの薄膜層からなる保
護膜を備えたので、応力の少ない安定した保護膜が得ら
れる。同時にこの膜は、接着層により共振面に対する密
着性に優れ、膜厚調整層によりレーザ光反射率が大きく
、またその膜厚が薄いためにレーザ活性層に格子欠陥を
生じさせない。その結果半導体レーザ素子は保護膜によ
り、何らの不利を生じさせないでその共振器端面の酸化
を有効に防止することができ、その信頼性を高めること
ができる。
第１図はこの発明の実施例の保護膜を備えた半導体レー
ザを示す模式断面図、第２図は従来の半導体レーザ素子
（複数個）を示す斜視図である。 ３・・・共振器端面、４・・・半導体レーザ素子、５・
・・接着層、６・・・酸化防止層、７・・・膜厚調整層
。 ＡｕＺｎ糸電圧如
ザを示す模式断面図、第２図は従来の半導体レーザ素子
（複数個）を示す斜視図である。 ３・・・共振器端面、４・・・半導体レーザ素子、５・
・・接着層、６・・・酸化防止層、７・・・膜厚調整層
。 ＡｕＺｎ糸電圧如
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体レーザ素子の共振器端面に接着層、酸化防止
層、膜厚調整層の３つの薄膜層からなる保護膜を備える
ことを特徴とする半導体レーザ素子。 ２）特許請求の範囲第１項記載のレーザ素子において、
接着層は酸化珪素の薄膜であることを特徴とする半導体
レーザ素子。 ３）特許請求の範囲第１項記載のレーザ素子において、
酸化防止層は酸化アルミニウムの薄膜であることを特徴
とする半導体レーザ素子。 ４）特許請求の範囲第１項記載のレーザ素子において、
膜厚調整層はイットリア安定化のジルコニア薄膜である
ことを特徴とする半導体レーザ素子。 ５）特許請求の範囲第１項または第４項記載のレーザ素
子において、膜厚調整層は保護膜からのレーザ反射率が
最大になるよう調整する膜であることを特徴とする半導
体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27460986A JPS63128690A (ja) | 1986-11-18 | 1986-11-18 | 半導体レ−ザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27460986A JPS63128690A (ja) | 1986-11-18 | 1986-11-18 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128690A true JPS63128690A (ja) | 1988-06-01 |
Family
ID=17544114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27460986A Pending JPS63128690A (ja) | 1986-11-18 | 1986-11-18 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63128690A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0451581A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-20 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH04177783A (ja) * | 1990-11-11 | 1992-06-24 | Canon Inc | 半導体素子 |
| JP2006278999A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Eudyna Devices Inc | 半導体基板、半導体結晶成長用基板、半導体装置、光半導体装置およびそれらの製造方法 |
| JP2006351566A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Sharp Corp | 窒化物系半導体レーザ素子 |
| JP2015208778A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-24 | 三菱重工業株式会社 | レーザ受光装置及びレーザ加工ユニット |
-
1986
- 1986-11-18 JP JP27460986A patent/JPS63128690A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0451581A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-20 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH04177783A (ja) * | 1990-11-11 | 1992-06-24 | Canon Inc | 半導体素子 |
| JP2006278999A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Eudyna Devices Inc | 半導体基板、半導体結晶成長用基板、半導体装置、光半導体装置およびそれらの製造方法 |
| JP4522301B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2010-08-11 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体基板および半導体装置 |
| JP2006351566A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Sharp Corp | 窒化物系半導体レーザ素子 |
| JP2015208778A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-24 | 三菱重工業株式会社 | レーザ受光装置及びレーザ加工ユニット |
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