JP2005158953A - 半導体レーザ素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 n型GaAs基板101と、n型GaAs基板101上に形成されたn型AlGaInPクラッド層102と、ノンドープ量子井戸活性層103と、p型AlGaInP第1クラッド層104と、p型GaInPエッチングストップ層105と、p型AlGaInP第2クラッド層106と、p型GaInPキャップ層107と、p型GaAsコンタクト層108と、n型AlInPブロック層109とを備え、リッジ部およびリッジ部両側の凸部を有し、p型GaAsコンタクト層108はリッジ部上面にのみ形成される半導体レーザ素子。
【選択図】 図1
Description
抵抗値の低減には、電流注入領域におけるコンタクト層の開口面積の拡大が有効であり、従来のリッジ型半導体レーザ素子においては、例えばリッジ形成に異方性ドライエッチングを用いることでリッジ部の垂直性を向上し、リッジ部トップに形成されたコンタクト層の面積を拡大すること等が行われている。また、共振器長を長くすることでもコンタクト面積を増加できるため、抵抗値の低減には効果がある。
図11は、特許文献1、2に記載の従来のリッジ型半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。
ここで、p型GaInPエッチングストップ層1105上には、p型AlGaInP第2クラッド層1107と、p型GaInPキャップ層1108と、p型GaAs第1コンタクト層1109とが積層されてなる、所定幅のリッジ部が形成されている。また、このリッジ部のp型GaAs第1コンタクト層1109を開口した状態で、電流、光狭窄構造を形成するn型AlInPブロック層1110および容量低減層1106が形成されている。なお、容量低減層1106は低不純物濃度のGaAsあるいはAlInPからなる。
上述のように構成されたリッジ型半導体レーザ素子においては、ブロック層とクラッド層との間に、容量低減層が挿入されるので、ブロック層とクラッド層との間に形成されるpn接合に伴う容量を低減することができ、容量の低減を実現することができる。
図12は、特許文献3に記載の従来のリッジ型半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。
ここで、p型AlGaAsエッチングストップ層1205上には、p型AlGaAs第2クラッド層1206と、p型GaAsコンタクト層1207とが積層されてなる、ストライプ状で所定幅のリッジ部と凸部であるウイング部とが形成されている。また、p型GaAsコンタクト層1207を開口した状態で、SiO2やSi3N4等からなる誘電体層1208が形成され、電流、光狭窄構造が形成されている。
上述のように構成されたリッジ型半導体レーザ素子においては、素子内のブロック層付近にpn接合が形成されないので、容量の低減を実現することができる。
また、組立時のリッジ部への応力集中を低減することが可能な信頼性に優れた半導体レーザ素子を提供することを第2の目的とする。
これによって、凸部によりジャンクションダウン組立時にリッジ部にボンディング時の応力が集中するのを回避することができるので、組立時のリッジ部への応力集中を低減することが可能な信頼性に優れた半導体レーザ素子を実現することができる。
これによって、凸部においてブロック層は誘電体層上に形成され、ブロック層とクラッド層との間に形成されるpn接合に伴う容量を低減することができるので、良好な高速応答特性を有する半導体レーザ素子を実現することができる。また、凸部をリッジ部よりも高くすることができ、ジャンクションダウン組立時にリッジ部にボンディング時の応力が集中するのを回避することができるので、組立時のリッジ部への応力集中を低減することが可能な信頼性に優れた半導体レーザ素子を実現することができる。
これによって、ウイング部の幅を狭くし、ブロック層が凸部上の誘電体層上でポリ成長するのを回避することができるので、ブロック層の剥がれを防止する半導体レーザ素子を実現することができる。
これによって、ブロック層は誘電体層上に形成され、ブロック層とクラッド層との間に形成されるpn接合に伴う容量を低減することができるので、良好な高速応答特性を有する半導体レーザ素子を実現することができる。
これによって、各誘電体層の間にはブロック層が形成されるので、良好な温度特性を有する半導体レーザ素子を実現することができる。また、誘電体層の幅を狭くし、ブロック層が凸部の誘電体層上でポリ成長するのを回避することができるので、ブロック層の剥がれを防止する半導体レーザ素子を実現することができる。
また、前記第2のステップにおいて、さらに、前記リッジ部両側に位置する凸部を形成してもよい。
また、本発明は、リッジ型半導体レーザ素子の製造方法であって、第1導電型半導体基板上に第1導電型クラッド層、活性層および第2導電型クラッド層を順次堆積成長させる第1のステップと、前記第2導電型クラッド層上に誘電体層によりマスクパターンを形成した後、前記第2導電型クラッド層をエッチングしてリッジ部および前記リッジ部両側に位置する凸部を形成する第2のステップと、前記リッジ部上の前記誘電体層のみを除去する第3のステップと、前記第2導電型クラッド層上の少なくとも前記リッジ部と前記凸部との間にブロック層を形成する第4のステップとを含むことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法とすることもできる。ここで、前記第4のステップにおける前記リッジ部と凸部との間のブロック層の形成は、前記第2導電型クラッド層および前記誘電体層上に前記ブロック層を選択成長させることにより行ってもよいし、前記第2のステップにおいて、前記凸部を2以上形成し、前記第4のステップにおける前記リッジ部と凸部との間のブロック層の形成は、前記第2導電型クラッド層上に前記ブロック層を選択成長させることにより行ってもよい。
図1は、第1の実施の形態の半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。
本実施の形態の半導体レーザ素子は、リッジ型半導体レーザ素子であって、同半導体レーザ素子においては、n型GaAs基板101上に、n型不純物を1×1018cm-3の濃度でドープして形成される膜厚2μmのn型AlGaInPクラッド層102と、ノンドープ量子井戸活性層103と、p型不純物を1×1018cm-3の濃度でドープして形成される膜厚0.2μmのp型AlGaInP第1クラッド層104と、p型不純物を1×1018cm-3の濃度でドープして形成される膜厚10nmのp型GaInPエッチングストップ層105とが順次積層されている。
また、ノンドープ量子井戸活性層103は、膜厚6nmのGaInP井戸層と、膜厚4nmのAlGaInP障壁層と、膜厚35nmのAlGaInPガイド層とが積層されて成る3重量子井戸構造を有する。
まず、図2(a)に示すように、n型GaAs基板101を結晶成長装置内に設置し、第1回目の結晶成長により、n型GaAs基板101上に、n型AlGaInPクラッド層102と、ノンドープ量子井戸活性層103と、p型AlGaInP第1クラッド層104と、p型GaInPエッチングストップ層105と、p型AlGaInP第2クラッド層106と、p型GaInPキャップ層107と、p型GaAsコンタクト層108とを順次堆積成長させる。
次に、図2(d)に示すように、第2回目の結晶成長により、p型GaInPエッチングストップ層105上にn型AlInPブロック層109を成長させた後、リッジ部上のSiO2マスク201を除去する。このとき、リッジ部の幅が狭いため、n型AlInPブロック層109はリッジ部上のSiO2マスク201以外の領域に選択成長する。
図3は、第2の実施の形態の半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。なお、図1と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明はここでは省略する。
なお、本実施の形態の半導体レーザ素子において、SiO2マスク301はp型GaAsコンタクト層108上に形成されるとしたが、p型GaInPキャップ層上に形成されてもよいし、また、p型AlGaInP第2クラッド層上に形成されてもよい。
また、ウイング部に形成される誘電体層としてSiO2層を例示したがこれに限られない。
図5は、第3の実施の形態の半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。なお、図3と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明はここでは省略する。
図7は、第4の実施の形態の半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。なお、図1と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明はここでは省略する。
次に、以上のような構造を有する半導体レーザ素子の製造方法について図8に示す断面図に沿って説明する。なお、図7と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明はここでは省略する。
次に、図8(d)に示すように、フォトリソグラフィーによりリッジ部付近のSiO2マスク701をエッチングする。
また、リッジ部両側に形成される誘電体層としてSiO2層を例示したがこれに限られない。
図9は、第5の実施の形態の半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。なお、図7と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明はここでは省略する。
次に、図10(d)に示すように、フォトリソグラフィーによりSiO2マスク901をエッチングし、島状のSiO2マスク901を複数形成する。
102、1102 n型AlGaInPクラッド層
103 ノンドープ量子井戸活性層
104、1104 p型AlGaInP第1クラッド層
105、1105 p型GaInPエッチングストップ層
106、1107 p型AlGaInP第2クラッド層
107、1108 p型GaInPキャップ層
108、1207 p型GaAsコンタクト層
109、1110 n型AlInPブロック層
110、1209 p型オーミック電極
111、1210 n型オーミック電極
201、301、501、701、801、901、1001 SiO2マスク
1103、1203 活性層
1106 容量低減層
1109 p型GaAs第1コンタクト層
1111 p型GaAs第2コンタクト層
1202 n型AlGaAsクラッド層
1204 p型AlGaAs第1クラッド層
1205 p型AlGaAsエッチングストップ層
1206 p型AlGaAs第2クラッド層
1208 誘電体層
Claims (18)
- リッジ型半導体レーザ素子であって、
第1導電型半導体基板と、
前記第1導電型半導体基板上に形成された第1導電型クラッド層と、
前記第1導電型クラッド層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成され、ストライプ状のリッジ部を有する第2導電型クラッド層と、
前記第2導電型クラッド層の上面のうち前記リッジ部上面にのみ形成されたコンタクト層と、
前記第2導電型クラッド層および前記コンタクト層上に形成された第1導電型ブロック層とを備える
ことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記第2導電型クラッド層は、さらに、前記リッジ部両側にストライプ状の凸部を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。 - 前記半導体レーザ素子は、さらに、前記凸部上面の前記第2導電型クラッド層と前記第1導電型ブロック層との間に形成された誘電体層を備える
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ素子。 - 前記第2導電型クラッド層は、前記凸部を2以上有し、
前記半導体レーザ素子は、さらに、前記凸部上面の前記第2導電型クラッド層上に形成された誘電体層を備える
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ素子。 - 前記半導体レーザ素子は、さらに、前記リッジ部両側における前記第2導電型クラッド層と前記第1導電型ブロック層との間に形成された島状の誘電体層を備える
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。 - 前記半導体レーザ素子は、さらに、前記リッジ部両側における前記第2導電型クラッド層上に形成された2以上の島状の誘電体層を備える
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。 - リッジ型半導体レーザ素子であって、
第1導電型半導体基板と、
前記第1導電型半導体基板上に形成された第1導電型クラッド層と、
前記第1導電型クラッド層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成され、ストライプ状のリッジ部と前記リッジ部両側に形成されたストライプ状の凸部とを有する第2導電型クラッド層と、
前記第2導電型クラッド層の上面のうち前記凸部上面にのみ形成された誘電体層と、
前記第2導電型クラッド層上の少なくとも前記リッジ部と前記凸部との間に形成された第1導電型ブロック層とを備える
ことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記第1導電型ブロック層は、さらに、前記誘電体層上に形成される
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザ素子。 - 前記第2導電型クラッド層は、前記凸部を2以上有し、
前記第1導電型ブロック層は、さらに、前記第2導電型クラッド層上の前記2以上の凸部の間に形成される
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザ素子。 - リッジ型半導体レーザ素子の製造方法であって、
第1導電型半導体基板上に第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層およびコンタクト層を順次堆積成長させる第1のステップと、
前記第2導電型クラッド層および前記コンタクト層の所定領域をエッチングして、少なくともリッジ部を形成する第2のステップと、
前記第2導電型クラッド層上にブロック層を選択成長させる第3のステップと、
前記ブロック層および前記リッジ部上面の前記コンタクト層上に電極を形成する第4のステップとを含む
ことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記第2のステップにおいて、さらに、前記リッジ部両側に位置する凸部を形成する
ことを特徴とする請求項10に記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記第2のステップにおける前記第2導電型クラッド層およびコンタクト層の所定領域のエッチングは、誘電体層により前記コンタクト層上にマスクパターンを形成し、前記第2導電型クラッド層および前記コンタクト層をエッチングした後、前記リッジ部上の前記誘電体層のみを除去することにより行い、
前記第3のステップにおいて、さらに、前記凸部上の前記誘電体層上にブロック層を選択成長させる
ことを特徴とする請求項11に記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記第2のステップにおいて、前記凸部を2以上形成し、
前記第2のステップにおける前記第2導電型クラッド層およびコンタクト層の所定領域のエッチングは、前記コンタクト層上に誘電体層によりマスクパターンを形成し、前記第2導電型クラッド層および前記コンタクト層をエッチングした後、前記リッジ部上の前記誘電体層のみを除去することにより行う
ことを特徴とする請求項11に記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記第2のステップは、さらに、前記リッジ部の両側における前記第2導電型クラッド層上に島状の誘電体層を形成するサブステップを含み、
前記第3のステップにおいて、さらに、前記誘電体層上に前記ブロック層を選択成長させる
ことを特徴とする請求項10に記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記第2のステップは、さらに、前記リッジ部の両側における前記第2導電型クラッド層上に島状の誘電体層を複数形成する第1のサブステップを含む
ことを特徴とする請求項10に記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - リッジ型半導体レーザ素子の製造方法であって、
第1導電型半導体基板上に第1導電型クラッド層、活性層および第2導電型クラッド層を順次堆積成長させる第1のステップと、
前記第2導電型クラッド層上に誘電体層によりマスクパターンを形成した後、前記第2導電型クラッド層をエッチングしてリッジ部および前記リッジ部両側に位置する凸部を形成する第2のステップと、
前記リッジ部上の前記誘電体層のみを除去する第3のステップと、
前記第2導電型クラッド層上の少なくとも前記リッジ部と前記凸部との間にブロック層を形成する第4のステップとを含む
ことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記第4のステップにおける前記リッジ部と凸部との間のブロック層の形成は、前記第2導電型クラッド層および前記誘電体層上に前記ブロック層を選択成長させることにより行う
ことを特徴とする請求項16に記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記第2のステップにおいて、前記凸部を2以上形成し、
前記第4のステップにおける前記リッジ部と凸部との間のブロック層の形成は、前記第2導電型クラッド層上に前記ブロック層を選択成長させることにより行う
ことを特徴とする請求項16に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
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