JPS61216375A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61216375A JPS61216375A JP60027036A JP2703685A JPS61216375A JP S61216375 A JPS61216375 A JP S61216375A JP 60027036 A JP60027036 A JP 60027036A JP 2703685 A JP2703685 A JP 2703685A JP S61216375 A JPS61216375 A JP S61216375A
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- JP
- Japan
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- ridge
- electrode material
- temperature
- layer
- ohmic electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体発光装置の製造方法に係り、特にリッジ
型レーザダイオードのリッジ上への電極形成方法に関す
る。
型レーザダイオードのリッジ上への電極形成方法に関す
る。
リッジ型レーザダイオードにおいては、単一モード発振
を得るために、通常リッジ幅は３〜５μｍと狭くする必
要がある。
を得るために、通常リッジ幅は３〜５μｍと狭くする必
要がある。
このようにリッジ幅が狭いため、通常のりソゲラフイエ
程では、精度よくリッジ上にオーミック電極材料層を形
成することは困難で、再現性が乏しいため、リッジ上へ
の電極形成方法についての改善が要望されている。
程では、精度よくリッジ上にオーミック電極材料層を形
成することは困難で、再現性が乏しいため、リッジ上へ
の電極形成方法についての改善が要望されている。
（従来の技術、〕
第２図は従来例に−よるリッジ型レーザダイオードの構
造を示す基板断面図である。
造を示す基板断面図である。
図において、１はｎ型半導体層、２はｐ型半導体層、３
は絶縁層、４はオーミック電極である。
は絶縁層、４はオーミック電極である。
この場合は、ｐ型半導体層２を所定の深さにエツチング
してリッジ２Ａを形成した後、リッジ２Ａの回りに絶縁
層３を被着し、その上にオーミック電極４を被着し、オ
ーミックコンタクト形成温度で熱処理を行ってオーミッ
クコンタクトを形成していた。
してリッジ２Ａを形成した後、リッジ２Ａの回りに絶縁
層３を被着し、その上にオーミック電極４を被着し、オ
ーミックコンタクト形成温度で熱処理を行ってオーミッ
クコンタクトを形成していた。
この場合リッジの下側の１部にオーミック電極材料が被
着するため、レーザ動作時にこの部分にながれる電流は
無効（漏れ）電流となり、結果的にレーザのしきい値電
流が大きくなる。
着するため、レーザ動作時にこの部分にながれる電流は
無効（漏れ）電流となり、結果的にレーザのしきい値電
流が大きくなる。
これを避ける方法として、リッジの上部にのみオーミッ
ク電極材料を被着すれば、無効電流をなくすることがで
きる。この方法では、まず半導体基板上にオーミック電
極材料を被着し、リッジ幅に相当するホトレジストを形
成して、これをマスクにしてイオンビームエツチング（
ＩＢＥ）を行い、オーミック電極材料のパターニングと
リッジの形成が行われる。
ク電極材料を被着すれば、無効電流をなくすることがで
きる。この方法では、まず半導体基板上にオーミック電
極材料を被着し、リッジ幅に相当するホトレジストを形
成して、これをマスクにしてイオンビームエツチング（
ＩＢＥ）を行い、オーミック電極材料のパターニングと
リッジの形成が行われる。
ＩＢＥ後、ホトレジスト除去工程があり、このときにオ
ーミック電極が半導体基板表面より剥がれる等の問題が
あった。
ーミック電極が半導体基板表面より剥がれる等の問題が
あった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
リッジ型レーザダイオードのリッジ上に、精度よく、か
つ再現性よくオーミック電極を形成することは困難であ
った。
つ再現性よくオーミック電極を形成することは困難であ
った。
上記問題点の解決は、レーザ構造を有する半導体基板上
に、オーミック電極材料層を被着し、オーミックコンタ
クト形成温度より低い温度で該基板をシンタする工程を
含む本発明による半導体発光装置の製造方法、およびレ
ーザ構造を有する半導体基板上に、オーミック電極材料
層を被着し、オーミックコンタクト形成温度より低い温
度で該基板をシンタする工程と、該オーミック電極材料
層上のリッジ形成領域にホトレジストパターンを形成し
、該パターンをマスクにして、オーミック電極材料のパ
ターニングとリッジの形成を行った後、該基板を前記オ
ーミックコンタクト形成温度で熱処理する工程とを含む
本発明による半導体発光装置の製造方法により達成され
る。
に、オーミック電極材料層を被着し、オーミックコンタ
クト形成温度より低い温度で該基板をシンタする工程を
含む本発明による半導体発光装置の製造方法、およびレ
ーザ構造を有する半導体基板上に、オーミック電極材料
層を被着し、オーミックコンタクト形成温度より低い温
度で該基板をシンタする工程と、該オーミック電極材料
層上のリッジ形成領域にホトレジストパターンを形成し
、該パターンをマスクにして、オーミック電極材料のパ
ターニングとリッジの形成を行った後、該基板を前記オ
ーミックコンタクト形成温度で熱処理する工程とを含む
本発明による半導体発光装置の製造方法により達成され
る。
本発明は、オーミック電極材料層を半導体基板上に被着
し、オーミックコンタクト形成温度より低い温度でシン
タすることにより、オーミック電極材料と半導体基板と
の密着を良くした後、オーミック電極材料のパターニン
グとリッジの形成を行い、最後にオーミックコンタクト
形成温度まで上げて電極を形成するものである。
し、オーミックコンタクト形成温度より低い温度でシン
タすることにより、オーミック電極材料と半導体基板と
の密着を良くした後、オーミック電極材料のパターニン
グとリッジの形成を行い、最後にオーミックコンタクト
形成温度まで上げて電極を形成するものである。
この際、オーミック電極材料層を半導体基板上に被着直
後に低い温度でシンタして、この時点で一気にオーミッ
クコンタクト形成温度（略合金温度）まで上昇できない
のはつぎの理由による。
後に低い温度でシンタして、この時点で一気にオーミッ
クコンタクト形成温度（略合金温度）まで上昇できない
のはつぎの理由による。
すなわち、リッジを形成するとき、上層に位置するｐ型
半導体層（光を閉じ込めるためのクラッド層）の残厚を
精度よく制御して、発光領域周辺の屈折率を下げて、屈
折率分布をつくり、所望の波長の単一モードの発振が得
られるようにする。
半導体層（光を閉じ込めるためのクラッド層）の残厚を
精度よく制御して、発光領域周辺の屈折率を下げて、屈
折率分布をつくり、所望の波長の単一モードの発振が得
られるようにする。
ところが、オーミック電極材料層をオーミックコンタク
ト形成温度まで上げると表面が凸凹になり、上記のリッ
ジ形成を精度よくできないためである。
ト形成温度まで上げると表面が凸凹になり、上記のリッ
ジ形成を精度よくできないためである。
第１図＜１）〜（５）は本発明によるリッジ型レーザダ
イオードの製造方法を工程順に示す基板断面図である。
イオードの製造方法を工程順に示す基板断面図である。
第１図（１）において、ｎ“型ガリウム砒素（ｎ ＋−
ＧａＡｓ ）基板１１上に、バッファ層としてｎ”−Ｇ
。
ＧａＡｓ ）基板１１上に、バッファ層としてｎ”−Ｇ
。
Ａｓ層１２、クラッド層としてｎ型アルミニウムガリウ
ム砒素（ｎ−ＡＩＧａＡｓ）層１３、活性層としてｎ−
ＧａＡｓ層１４、ｐ型クラッド層としてｐ −ＡＩＧａ
Ａｓ層１５、コンタクト層としてｐ”−ＧａＡｓ層１６
を順次連続的にエピタキシャル成長する。
ム砒素（ｎ−ＡＩＧａＡｓ）層１３、活性層としてｎ−
ＧａＡｓ層１４、ｐ型クラッド層としてｐ −ＡＩＧａ
Ａｓ層１５、コンタクト層としてｐ”−ＧａＡｓ層１６
を順次連続的にエピタキシャル成長する。
つぎにオーミック電極材料層として金／亜鉛／金（Ａｕ
／Ｚｎ／Ａｕ）層１７をｎ ” −ＧａＡｓ層１６上に
蒸着し、温度３００℃、時間１分のシンタを行う。
／Ｚｎ／Ａｕ）層１７をｎ ” −ＧａＡｓ層１６上に
蒸着し、温度３００℃、時間１分のシンタを行う。
この場合１．シンタ温度はＡｕ／Ｚｎ／ＡＵ層１７がｐ
型のオーミックコンタクトを形成する温度の４６０℃よ
り低い温度で、しかもこの層と基板との密着性をよくす
るために２５０℃以上の温度で行うと良い結果が得られ
る。
型のオーミックコンタクトを形成する温度の４６０℃よ
り低い温度で、しかもこの層と基板との密着性をよくす
るために２５０℃以上の温度で行うと良い結果が得られ
る。
第１図（２）において、ホトレジスト１８としてＡＺ−
１３５０Ｊ （シプレ社製）を厚さ２部μｍ被着し、
発光領域上のリッジ形成領域に３μｍ幅のストライプを
形成する。
１３５０Ｊ （シプレ社製）を厚さ２部μｍ被着し、
発光領域上のリッジ形成領域に３μｍ幅のストライプを
形成する。
第１図（３）において、ホトレジスト１８をマスクにし
てＩＢＨにより、Ａｕ／Ｚｎ／Ａｕ層１７とｐ”−Ｇａ
Ａｓ層１６とｐ−ＡｌＧａＡｓ層１５をエツチングして
リッジを形成し、ｐ −ＡｌＧａＡｓ層１５を〜０．３
μｍ残す。
てＩＢＨにより、Ａｕ／Ｚｎ／Ａｕ層１７とｐ”−Ｇａ
Ａｓ層１６とｐ−ＡｌＧａＡｓ層１５をエツチングして
リッジを形成し、ｐ −ＡｌＧａＡｓ層１５を〜０．３
μｍ残す。
第１図（４）において、ＯＭＲ剥離液、またはＪｌｏｏ
等を用いて、ホトレジスト１８を除去する。
等を用いて、ホトレジスト１８を除去する。
つぎに、窒素（Ｎ２）雰囲気中で４６０℃、５分間の熱
処理を行い、ｐ型のオーミツクコンタクトを形成する。
処理を行い、ｐ型のオーミツクコンタクトを形成する。
第１図（５）において、ｎ ” −ＧａＡｓ基板１１を
裏面より研磨して厚さ１００μｍにし、ｎ型オーミック
電極として金ゲルマニウム−ニッケル（ＡｕＧｅ−Ｎｉ
）層１９をｎ”−ＧａＡｓ基板１１の裏面に蒸着し、Ｎ
ｔ雰囲気中で４２０℃、１分間の熱処理を行い、ｎ型の
オーミックコンタクトを形成する。
裏面より研磨して厚さ１００μｍにし、ｎ型オーミック
電極として金ゲルマニウム−ニッケル（ＡｕＧｅ−Ｎｉ
）層１９をｎ”−ＧａＡｓ基板１１の裏面に蒸着し、Ｎ
ｔ雰囲気中で４２０℃、１分間の熱処理を行い、ｎ型の
オーミックコンタクトを形成する。
以上詳細に説明したように本発明によれば、ｐ型オーミ
ック電極材料を蒸着後、シンタ処理することにより、ｐ
”−ＧａＡｓ層とｐ型オーミック電極材料との密着がよ
くなり、リッジ形成後のレジスト剥離液でリッジ上の電
極が剥離することを防止することができる。
ック電極材料を蒸着後、シンタ処理することにより、ｐ
”−ＧａＡｓ層とｐ型オーミック電極材料との密着がよ
くなり、リッジ形成後のレジスト剥離液でリッジ上の電
極が剥離することを防止することができる。
すなわち、リッジ型レーザダイオードのリッジ上に、精
度よく、かつ再現性よくオーミック電極を形成すること
ができる。
度よく、かつ再現性よくオーミック電極を形成すること
ができる。
第１図（１）〜（５）は本発明によるリッジ型レーザダ
イオードの製造方法を工程順に示す基板断面図、第２図
は従来例にょろりッジ型レーザダイオードの構造を示す
基板断面図である。 図において、 １１はｎ ” −Ｇ、ａＡａ基板、 １２はバッファ層でｎ”−ＧａＡｓｌｉ、１３はクラン
ド層でｎ −ＡＩＧａＡｓ層、１４は活性層でｎ−Ｇａ
Ａｓ層、 １５はクラフト層でｐ −ＡＩＧａＡｓ層、１６はコン
タクト層でｐ”−ＧａＡｓ層、１７はオーミック電極材
料層でＡｕ／Ｚｎ／Ａｕ層、１８はホトレジスト、 １９はオーミック電極材料層でＡｕＧｅ−Ｎｉ１５券
ｌ 図
イオードの製造方法を工程順に示す基板断面図、第２図
は従来例にょろりッジ型レーザダイオードの構造を示す
基板断面図である。 図において、 １１はｎ ” −Ｇ、ａＡａ基板、 １２はバッファ層でｎ”−ＧａＡｓｌｉ、１３はクラン
ド層でｎ −ＡＩＧａＡｓ層、１４は活性層でｎ−Ｇａ
Ａｓ層、 １５はクラフト層でｐ −ＡＩＧａＡｓ層、１６はコン
タクト層でｐ”−ＧａＡｓ層、１７はオーミック電極材
料層でＡｕ／Ｚｎ／Ａｕ層、１８はホトレジスト、 １９はオーミック電極材料層でＡｕＧｅ−Ｎｉ１５券
ｌ 図
Claims (2)
- （１）レーザ構造を有する半導体基板上に、オーミック
電極材料層を被着し、オーミックコンタクト形成温度よ
り低い温度で該基板をシンタする工程を含むことを特徴
とする半導体発光装置の製造方法。 - （２）レーザ構造を有する半導体基板上に、オーミック
電極材料層を被着し、オーミックコンタクト形成温度よ
り低い温度で該基板をシンタする工程と、該オーミック
電極材料層上のリッジ形成領域にホトレジストパターン
を形成し、該パターンをマスクにして、オーミック電極
材料のパターニングとリッジの形成を行った後、該基板
を前記オーミックコンタクト形成温度で熱処理する工程
とを含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60027036A JPS61216375A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60027036A JPS61216375A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61216375A true JPS61216375A (ja) | 1986-09-26 |
| JPH0213944B2 JPH0213944B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=12209838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60027036A Granted JPS61216375A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61216375A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04247670A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-09-03 | Telefunken Electronic Gmbh | 半導体装置 |
| JP2005167118A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-23 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2010287913A (ja) * | 2010-08-25 | 2010-12-24 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系半導体レーザ及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-02-14 JP JP60027036A patent/JPS61216375A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04247670A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-09-03 | Telefunken Electronic Gmbh | 半導体装置 |
| JP2005167118A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-23 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP4640752B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2011-03-02 | シャープ株式会社 | 窒化ガリウム系半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2010287913A (ja) * | 2010-08-25 | 2010-12-24 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系半導体レーザ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0213944B2 (ja) | 1990-04-05 |
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