JPH0213944B2 - - Google Patents
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- JPH0213944B2 JPH0213944B2 JP2703685A JP2703685A JPH0213944B2 JP H0213944 B2 JPH0213944 B2 JP H0213944B2 JP 2703685 A JP2703685 A JP 2703685A JP 2703685 A JP2703685 A JP 2703685A JP H0213944 B2 JPH0213944 B2 JP H0213944B2
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- ridge
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- electrode material
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Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体発光装置の製造方法に係り、特
にリツジ型レーザダイオードのリツジ上への電極
形成方法に関する。
にリツジ型レーザダイオードのリツジ上への電極
形成方法に関する。
リツジ型レーザダイオードにおいては、単一モ
ード発振を得るために、通常リツジ幅は３〜5μ
ｍと狭くする必要がある。
ード発振を得るために、通常リツジ幅は３〜5μ
ｍと狭くする必要がある。
このようにリツジ幅が狭いため、通常のリソグ
ラフイ工程では、精度よくリツジ上にオーミツク
電極材料層を形成することは困難で、再現性が乏
しいため、リツジ上への電極形成方法についての
改善が要望されている。
ラフイ工程では、精度よくリツジ上にオーミツク
電極材料層を形成することは困難で、再現性が乏
しいため、リツジ上への電極形成方法についての
改善が要望されている。
第２図は従来例によるリツジ型レーザダイオー
ドの構造を示す基板断面図である。
ドの構造を示す基板断面図である。
図において、１はｎ型半導体層、２はｐ型半導
体層、３は絶縁層、４はオーミツク電極である。
体層、３は絶縁層、４はオーミツク電極である。
この場合は、ｐ型半導体層２を所定の深さにエ
ツチングしてリツジ２Ａを形成した後、リツジ２
Ａの回りに絶縁層３を被着し、その上にオーミツ
ク電極４を被着し、オーミツクコンタクト形成温
度で熱処理を行つてオーミツクコンタクトを形成
していた。
ツチングしてリツジ２Ａを形成した後、リツジ２
Ａの回りに絶縁層３を被着し、その上にオーミツ
ク電極４を被着し、オーミツクコンタクト形成温
度で熱処理を行つてオーミツクコンタクトを形成
していた。
この場合リツジの下側の１部にオーミツク電極
材料が被着するため、レーザ動作時にこの部分に
ながれる電流は無効（漏れ）電流となり、結果的
にレーザのしきい値電流が大きくなる。
材料が被着するため、レーザ動作時にこの部分に
ながれる電流は無効（漏れ）電流となり、結果的
にレーザのしきい値電流が大きくなる。
これを避ける方法として、リツジの上部にのみ
オーミツク電極材料を被着すれば、無効電流をな
くすることができる。この方法では、まず半導体
基板上にオーミツク電極材料を被着し、リツジ幅
に相当するホトレジストを形成して、これをマス
クにしてイオンビームエツチング（IBE）を行
い、オーミツク電極材料のパターニングとリツジ
の形成が行われる。
オーミツク電極材料を被着すれば、無効電流をな
くすることができる。この方法では、まず半導体
基板上にオーミツク電極材料を被着し、リツジ幅
に相当するホトレジストを形成して、これをマス
クにしてイオンビームエツチング（IBE）を行
い、オーミツク電極材料のパターニングとリツジ
の形成が行われる。
IBE後、ホトレジスト除去工程があり、このと
きにオーミツク電極が半導体基板表面より剥がれ
る等の問題があつた。
きにオーミツク電極が半導体基板表面より剥がれ
る等の問題があつた。
リツジ型レーザダイオードのリツジ上に、精度
よく、かつ再現性よくオーミツク電極を形成する
ことは困難であつた。
よく、かつ再現性よくオーミツク電極を形成する
ことは困難であつた。
上記問題点の解決は、レーザ構造を有する半導
体基板上に、オーミツク電極材料層を被着し、オ
ーミツクコンタクト形成温度より低い温度で該基
板をシンタする工程と、該オーミツク電極材料層
上のリツジ形成領域にホトレジストパターンを形
成し、該パターンをマスクにして、該オーミツク
電極材料層のパターニングとリツジの形成を行つ
た後、該基板を前記オーミツクコンタクト形成温
度で熱処理する工程とを含む半導体発光装置の製
造方法により達成される。
体基板上に、オーミツク電極材料層を被着し、オ
ーミツクコンタクト形成温度より低い温度で該基
板をシンタする工程と、該オーミツク電極材料層
上のリツジ形成領域にホトレジストパターンを形
成し、該パターンをマスクにして、該オーミツク
電極材料層のパターニングとリツジの形成を行つ
た後、該基板を前記オーミツクコンタクト形成温
度で熱処理する工程とを含む半導体発光装置の製
造方法により達成される。
本発明は、オーミツク電極材料層を半導体基板
上に被着し、オーミツクコンタクト形成温度より
低い温度でシンタすることにより、オーミツク電
極材料と半導体基板との密着を良くした後、オー
ミツク電極材料のパターニングとリツジの形成を
行い、最後にオーミツクコンタクト形成温度まで
上げて電極を形成するものである。
上に被着し、オーミツクコンタクト形成温度より
低い温度でシンタすることにより、オーミツク電
極材料と半導体基板との密着を良くした後、オー
ミツク電極材料のパターニングとリツジの形成を
行い、最後にオーミツクコンタクト形成温度まで
上げて電極を形成するものである。
この際、オーミツク電極材料層を半導体基板上
に被着直後に低い温度でシンタして、この時点で
一気にオーミツクコンタクト形成温度（略合金温
度）まで上昇できないのはつぎの理由による。
に被着直後に低い温度でシンタして、この時点で
一気にオーミツクコンタクト形成温度（略合金温
度）まで上昇できないのはつぎの理由による。
すなわち、リツジを形成するとき、上位に位置
するｐ型半導体層（光を閉じ込めるためのクラツ
ド層）の残厚を精度よく制御して、発光領域周辺
の屈折率を下げて、屈折率分布をつくり、所望の
波長の単一モードの発振が得られるようにする。
するｐ型半導体層（光を閉じ込めるためのクラツ
ド層）の残厚を精度よく制御して、発光領域周辺
の屈折率を下げて、屈折率分布をつくり、所望の
波長の単一モードの発振が得られるようにする。
ところが、オーミツク電極材料層をオーミツク
コンタクト形成温度まで上げると表面が凸凹にな
り、上記のリツジ形成を精度よくできないためで
ある。
コンタクト形成温度まで上げると表面が凸凹にな
り、上記のリツジ形成を精度よくできないためで
ある。
第１図１〜５は本発明によるリツジ型レーザダ
イオードの製造方法を工程順に示す基板断面図で
ある。
イオードの製造方法を工程順に示す基板断面図で
ある。
第１図１において、n+型ガリウム砒素（n+−
GaAs）基板１１上に、バツフア層としてｎ−
GaAs層１２、クラツド層としてｎ型アルミニウ
ムガリウム砒素（ｎ−AlGaAs）層１３、活性層
としてｎ−GaAs層１４、ｐ型クラツド層として
ｐ−AlGaAs層１５、コンタクト層としてp+−
GaAs層１６を順次連続的にエピタキシヤル成長
する。
GaAs）基板１１上に、バツフア層としてｎ−
GaAs層１２、クラツド層としてｎ型アルミニウ
ムガリウム砒素（ｎ−AlGaAs）層１３、活性層
としてｎ−GaAs層１４、ｐ型クラツド層として
ｐ−AlGaAs層１５、コンタクト層としてp+−
GaAs層１６を順次連続的にエピタキシヤル成長
する。
つぎにオーミツク電極材料層として金／亜鉛／
金（Au／Zn／Au）層１７をn+−GaAs層１６上
に蒸着し、温度300℃、時間１分のシンタを行う。
金（Au／Zn／Au）層１７をn+−GaAs層１６上
に蒸着し、温度300℃、時間１分のシンタを行う。
この場合、シンタ温度はAu／Zn／Au層１７が
ｐ型のオーミツクコンタクトを形成する温度の
460℃より低い温度で、しかもこの層と基板との
密着性をよくするために250℃以上の温度で行う
と良い結果が得られる。
ｐ型のオーミツクコンタクトを形成する温度の
460℃より低い温度で、しかもこの層と基板との
密着性をよくするために250℃以上の温度で行う
と良い結果が得られる。
第１図２において、ホトレジスト１８として
AZ−1350J（ジプレ社製）を厚さ2μｍ被着し、発
光領域上のリツジ形成領域に3μｍ幅のストライ
プを形成する。
AZ−1350J（ジプレ社製）を厚さ2μｍ被着し、発
光領域上のリツジ形成領域に3μｍ幅のストライ
プを形成する。
第１図３において、ホトレジスト１８をマスク
にしてIBEにより、Au／Zn／Au層１７と
p+GaAs層１６とｐ−AlGaAs層１５をエツチン
グしてリツジを形成し、ｐ−AlGaAs層１５を〜
0.3μｍ残す。
にしてIBEにより、Au／Zn／Au層１７と
p+GaAs層１６とｐ−AlGaAs層１５をエツチン
グしてリツジを形成し、ｐ−AlGaAs層１５を〜
0.3μｍ残す。
第１図４において、OMR剥離液、またはJ100
等を用いて、ホトレジスト１８を除去する。
等を用いて、ホトレジスト１８を除去する。
つぎ、窒素（N2）雰囲気中で460℃、５分間の
熱処理を行い、ｐ型のオーミツクコンタクトを形
成する。
熱処理を行い、ｐ型のオーミツクコンタクトを形
成する。
第１図５において、n+−GaAs基板１１を裏面
より研磨して厚さ100μｍにし、ｎ型オーミツク
電極として金ゲルマニウム−ニツケル（AuGe−
Ni）層１９をn+−GaAs基板１１の裏面に蒸着
し、N2雰囲気中で420℃、１分間の熱処理を行
い、ｎ型のオーミツクコンタクトを形成する。
より研磨して厚さ100μｍにし、ｎ型オーミツク
電極として金ゲルマニウム−ニツケル（AuGe−
Ni）層１９をn+−GaAs基板１１の裏面に蒸着
し、N2雰囲気中で420℃、１分間の熱処理を行
い、ｎ型のオーミツクコンタクトを形成する。
以上詳細に説明したように本発明によれば、ｐ
型オーミツク電極材料を蒸着後、シンタ処理する
ことにより、p+−GaAs層とｐ型オーミツク電極
材料との密着がよくなり、リツジ形成後のレジス
ト剥離液でリツジ上の電極が剥離することを防止
することができる。
型オーミツク電極材料を蒸着後、シンタ処理する
ことにより、p+−GaAs層とｐ型オーミツク電極
材料との密着がよくなり、リツジ形成後のレジス
ト剥離液でリツジ上の電極が剥離することを防止
することができる。
すなわち、リツジ型レーザダイオードのリツジ
上に、精度よく、かつ再現性よくオーミツク電極
を形成することができる。
上に、精度よく、かつ再現性よくオーミツク電極
を形成することができる。
第１図１〜５は本発明によるリツジ型レーザダ
イオードの製造方法を工程順に示す基板断面図、
第２図は従来例によるリツジ型レーザダイオード
の構造を示す基板断面図である。 図において、１１はn+−GaAs基板、１２はバ
ツフア層でn+−GaAs層、１３はクラツド層でｎ
−AlGaAs層、１４は活性層でｎ−GaAs層、１
５はクラツド層でｐ−AlGaAs層、１６はコンタ
クト層でp+−GaAs層、１７はオーミツク電極材
料層でAu／Zn／Au層、１８はホトレジスト、１
９はオーミツク電極材料層でAuGe−Ni層を示
す。
イオードの製造方法を工程順に示す基板断面図、
第２図は従来例によるリツジ型レーザダイオード
の構造を示す基板断面図である。 図において、１１はn+−GaAs基板、１２はバ
ツフア層でn+−GaAs層、１３はクラツド層でｎ
−AlGaAs層、１４は活性層でｎ−GaAs層、１
５はクラツド層でｐ−AlGaAs層、１６はコンタ
クト層でp+−GaAs層、１７はオーミツク電極材
料層でAu／Zn／Au層、１８はホトレジスト、１
９はオーミツク電極材料層でAuGe−Ni層を示
す。
Claims (1)
- １ レーザ構造を有する半導体基板上に、オーミ
ツク電極材料層を被着し、オーミツクコンタクト
形成温度より低い温度で該基板をシンタする工程
と、該オーミツク電極材料層上のリツジ形成領域
にホトレジストパターンを形成し、該パターンを
マスクにして、該オーミツク電極材料層のパター
ニングとリツジの形成を行つた後、該基板を前記
オーミツクコンタクト形成温度で熱処理する工程
とを含むことを特徴とする半導体発光装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60027036A JPS61216375A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60027036A JPS61216375A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61216375A JPS61216375A (ja) | 1986-09-26 |
| JPH0213944B2 true JPH0213944B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=12209838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60027036A Granted JPS61216375A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61216375A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4031290C2 (de) * | 1990-10-04 | 1994-09-08 | Telefunken Microelectron | Halbleiteranordnung, insbesondere Infrarotdiode und Verfahren zum Herstellen |
| JP4640752B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2011-03-02 | シャープ株式会社 | 窒化ガリウム系半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP5204170B2 (ja) * | 2010-08-25 | 2013-06-05 | シャープ株式会社 | 窒化ガリウム系半導体レーザ及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-02-14 JP JP60027036A patent/JPS61216375A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61216375A (ja) | 1986-09-26 |
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