JP2001085741A - 半導体素子および発光半導体素子 - Google Patents
半導体素子および発光半導体素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好なオーミックコンタトを得るようにした
半導体素子に係るものである。 【解決手段】 本発明は表面がn型である半導体層３４
に金属介在層４２を介して透明電極４３を備えた半導体
素子３０において、金属介在層４２をGeを含むAuまたは
GeおよびNiを含むAuとし半導体素子の半導体層と透明電
極との間のオーミックコンタクトを良好にしたものであ
る。
半導体素子に係るものである。 【解決手段】 本発明は表面がn型である半導体層３４
に金属介在層４２を介して透明電極４３を備えた半導体
素子３０において、金属介在層４２をGeを含むAuまたは
GeおよびNiを含むAuとし半導体素子の半導体層と透明電
極との間のオーミックコンタクトを良好にしたものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子および発
光半導体素子に係り、特に、半導体層と透明電極との間
のオーミックコンタクトを良好にするようにした半導体
素子および発光半導体素子に関する。
光半導体素子に係り、特に、半導体層と透明電極との間
のオーミックコンタクトを良好にするようにした半導体
素子および発光半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】半導体
素子、例えば、半導体発光素子１０は図１９に示すよう
に金属電極１１、n型GaAs基板１２、n型クラッド１３、
p型活性層１４、p型クラッド１５、p型GaAs基板１６、
金属介在層１７、ITOのような透明電極１８および金属
電極１９等を堆積したものから形成されている。
素子、例えば、半導体発光素子１０は図１９に示すよう
に金属電極１１、n型GaAs基板１２、n型クラッド１３、
p型活性層１４、p型クラッド１５、p型GaAs基板１６、
金属介在層１７、ITOのような透明電極１８および金属
電極１９等を堆積したものから形成されている。
【０００３】また、半導体素子、例えば、半導体発光素
子１０を改良した半導体発光素子２０は図２０に示すよ
うに金属電極１１、n型GaAs基板１２、n型クラッド１
３、p型活性層１４、p型クラッド１５、p型GaAs基板１
６等の上にn型InAlPからなるブロック層２１、金属介在
層１７、ITOのような透明電極１８および金属電極１９
等を堆積したものから形成したもの等がある。
子１０を改良した半導体発光素子２０は図２０に示すよ
うに金属電極１１、n型GaAs基板１２、n型クラッド１
３、p型活性層１４、p型クラッド１５、p型GaAs基板１
６等の上にn型InAlPからなるブロック層２１、金属介在
層１７、ITOのような透明電極１８および金属電極１９
等を堆積したものから形成したもの等がある。
【０００４】この種の半導体発光素子１０、２０では活
性層１４の発光がp型クラッド１５、p型GaAs基板１６、
金属介在層１７、透明電極１８等を介して直接に上部に
導かれるとともに活性層１４、n型クラッド１３、n型Ga
As基板１２を介して金属電極１１に導かれ、この金属電
極１１によって反射してn型GaAs基板１２、n型クラッド
１３、活性層１４、p型クラッド１５、p型GaAs基板１
６、透明電極１８を介して上部に導かれるがn型GaAs基
板１２を通過して反射するときに発光がこれにより吸収
され外部に導かれる発光を低下させてしまうと言う問題
があった。
性層１４の発光がp型クラッド１５、p型GaAs基板１６、
金属介在層１７、透明電極１８等を介して直接に上部に
導かれるとともに活性層１４、n型クラッド１３、n型Ga
As基板１２を介して金属電極１１に導かれ、この金属電
極１１によって反射してn型GaAs基板１２、n型クラッド
１３、活性層１４、p型クラッド１５、p型GaAs基板１
６、透明電極１８を介して上部に導かれるがn型GaAs基
板１２を通過して反射するときに発光がこれにより吸収
され外部に導かれる発光を低下させてしまうと言う問題
があった。
【０００５】また、n-GaAs基板の光の吸収を解決するた
めに、p型クラッド層の上部に透明基板を設けて、n型Ga
As基板を除去し、n型のクラッド面から光を取り出す構
造が考えられるが、n型面側に透明電極を直接形成して
も良好なオーモミックとならないという問題があった。
めに、p型クラッド層の上部に透明基板を設けて、n型Ga
As基板を除去し、n型のクラッド面から光を取り出す構
造が考えられるが、n型面側に透明電極を直接形成して
も良好なオーモミックとならないという問題があった。
【０００６】そこで、本発明は良好なオーミックコンタ
クトが取れ、かつ、発光の低下を防止するようにした半
導体素子および発光半導体素子を提供することを目的と
するものである。
クトが取れ、かつ、発光の低下を防止するようにした半
導体素子および発光半導体素子を提供することを目的と
するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の特徴は半
導体層に金属介在層を介して透明電極を備えた半導体素
子において、金属介在層をGeを含むAu、またはGe、Niを
含むAuとしたものである。
導体層に金属介在層を介して透明電極を備えた半導体素
子において、金属介在層をGeを含むAu、またはGe、Niを
含むAuとしたものである。
【０００８】本発明の第２の特徴は半導体層に半導体部
材を介して透明電極を備えた半導体素子において、半導
体部材の濃度が５×１０１７cm−３以上５×１０２１cm
−３以下で、かつ、電子親和力が４.０７eV以上５．０e
V以下としたものである。
材を介して透明電極を備えた半導体素子において、半導
体部材の濃度が５×１０１７cm−３以上５×１０２１cm
−３以下で、かつ、電子親和力が４.０７eV以上５．０e
V以下としたものである。
【０００９】本発明の第３の特徴は半導体部材はInGaA
s、InPあるいはInGaPにしたものである。
s、InPあるいはInGaPにしたものである。
【００１０】本発明の第４の特徴はp型クラッド層、p型
活性層、n型クラッド層、n型半導体層等を順次成長させ
た発光半導体素子において、p型クラッド層の側面には
透明電極を介して金属電極を形成し、n型半導体層の側
面にはGeを含むAu、またはGe、Niを含むAuである金属介
在層を介して透明電極を介して金属電極を形成したもの
である。
活性層、n型クラッド層、n型半導体層等を順次成長させ
た発光半導体素子において、p型クラッド層の側面には
透明電極を介して金属電極を形成し、n型半導体層の側
面にはGeを含むAu、またはGe、Niを含むAuである金属介
在層を介して透明電極を介して金属電極を形成したもの
である。
【００１１】本発明の第５の特徴はn型半導体層の側面
にはブロック層、Geを含むAuまたはGe、Niを含むAuであ
る金属介層、透明電極を介して金属電極を形成したもの
である。
にはブロック層、Geを含むAuまたはGe、Niを含むAuであ
る金属介層、透明電極を介して金属電極を形成したもの
である。
【００１２】本発明の第６の特徴はp型クラッド層、p型
活性層、n型クラッド層、n型半導体層等を順次成長させ
た発光半導体素子において、p型クラッド層の側面には
透明電極を介して金属電極を形成し、n型半導体層の側
面には濃度が５×１０１７cm −３ 以上５×１０２１cm
−３以下で、かつ、電子親和力が４．０７eV以上５．０
eV以下の半導体部材を介して透明電極を備えたものであ
る。
活性層、n型クラッド層、n型半導体層等を順次成長させ
た発光半導体素子において、p型クラッド層の側面には
透明電極を介して金属電極を形成し、n型半導体層の側
面には濃度が５×１０１７cm −３ 以上５×１０２１cm
−３以下で、かつ、電子親和力が４．０７eV以上５．０
eV以下の半導体部材を介して透明電極を備えたものであ
る。
【００１３】本発明の第７の特徴は半導体部材はInGaA
s、InPあるいはInGaPとしたものである。
s、InPあるいはInGaPとしたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下本発明半導体素子を緑色半導
体発光素子について図１ないし図９を参照しながら第１
の実施の形態を説明する。
体発光素子について図１ないし図９を参照しながら第１
の実施の形態を説明する。
【００１５】緑色半導体発光素子３０を製造するには図
２に示すように厚さが２５０μmのGaAs基板３１が備え
られ、その上に厚さが０.５μmのn型GaAs層３２を成長
する。 このn型GaAs層３２の上部には厚さが０.２μm
のn型In０.５Al０.５P層３３が形成され、その上に厚さ
が０.0５μmのn型GaAs層３４を成長する。
２に示すように厚さが２５０μmのGaAs基板３１が備え
られ、その上に厚さが０.５μmのn型GaAs層３２を成長
する。 このn型GaAs層３２の上部には厚さが０.２μm
のn型In０.５Al０.５P層３３が形成され、その上に厚さ
が０.0５μmのn型GaAs層３４を成長する。
【００１６】このn型GaAs層３４の上部には厚さが０.６
μmのn型クラッド層（In０．５Al０．５P）３５が形成
され、その上に厚さが１.０μmのp型活性層（In０．５
（Ga０．５５Al０．４５）０．５P、p型濃度：５×１０
１６〜２×１０１７cm−３）３６を成長する。
μmのn型クラッド層（In０．５Al０．５P）３５が形成
され、その上に厚さが１.０μmのp型活性層（In０．５
（Ga０．５５Al０．４５）０．５P、p型濃度：５×１０
１６〜２×１０１７cm−３）３６を成長する。
【００１７】このp型活性層３６の上部には厚さが１.０
μmのp型クラッド層（In０．５Al０．５P）３７が形成
され、その上にこのp型活性層３６の安定化のための厚
さが０.０１μmのp型GaAs層（エッチングストップ）３
８および厚さが０.０２μmのn型キャップ層（In０．５
（Ga０．７Al０．３）０．５P）３９を成長する。これ
らのn型GaAs層３２、n型In０.５Al０.５P層３３、n型Ga
As層３４、n型クラッド層３５、p型活性層３６、p型ク
ラッド層３７、p型GaAs層３８およびn型キャップ層３９
はエピタキシャル成長を同一のバッチで行う。
μmのp型クラッド層（In０．５Al０．５P）３７が形成
され、その上にこのp型活性層３６の安定化のための厚
さが０.０１μmのp型GaAs層（エッチングストップ）３
８および厚さが０.０２μmのn型キャップ層（In０．５
（Ga０．７Al０．３）０．５P）３９を成長する。これ
らのn型GaAs層３２、n型In０.５Al０.５P層３３、n型Ga
As層３４、n型クラッド層３５、p型活性層３６、p型ク
ラッド層３７、p型GaAs層３８およびn型キャップ層３９
はエピタキシャル成長を同一のバッチで行う。
【００１８】このように成長した半導体層から図３に示
すようにn型キャップ層３９とp型GaAs３８がエッチング
され、p型クラッド層３７を露出させる。この露出したp
型クラッド層３７の露出面には図４に示すように厚さが
２００μm程度の透明なp型GaPからなる透明基板４０が
接着される。引き続き、GaAs基板３１およびn型GaAs層
３２が図５に示すようにエッチングより除去され、発光
を妨げるものを除去する。このようにした後、p型GaPか
らなる透明基板４０の表面の全面には図６に示すように
金属電極４１が形成され、熱処理する。
すようにn型キャップ層３９とp型GaAs３８がエッチング
され、p型クラッド層３７を露出させる。この露出したp
型クラッド層３７の露出面には図４に示すように厚さが
２００μm程度の透明なp型GaPからなる透明基板４０が
接着される。引き続き、GaAs基板３１およびn型GaAs層
３２が図５に示すようにエッチングより除去され、発光
を妨げるものを除去する。このようにした後、p型GaPか
らなる透明基板４０の表面の全面には図６に示すように
金属電極４１が形成され、熱処理する。
【００１９】金属電極４１を形成した後n型In０.５Al
０.５P層３３が図７に示すようにエッチングにより除去
される。この除去により露出したn型GaAs層３４の側面
には図８に示すように厚さが１〜２０nmのGeを含むAuの
金属介在層４２が堆積され、これによりn型GaAs層３４
の半導体層と金属介在層４２との良好なコンタクトをと
るようにする。
０.５P層３３が図７に示すようにエッチングにより除去
される。この除去により露出したn型GaAs層３４の側面
には図８に示すように厚さが１〜２０nmのGeを含むAuの
金属介在層４２が堆積され、これによりn型GaAs層３４
の半導体層と金属介在層４２との良好なコンタクトをと
るようにする。
【００２０】この金属介在層４２の表面には図９に示す
ようにAr：O＝１００：１、真空度が約１×１０−３Tor
r、成長した半導体層の温度が２２℃の条件下においてI
TO（In酸化膜とSn酸化膜の混合膜）がスパッタにより堆
積され、透明電極４３を形成 する。この半導体層を４
５０℃のAr雰囲気中で１５分間熱処理する。この透明電
極４３の表面には図１に示すように金属電極４４形成さ
れ、パターニングする。これらの成長した半導体層はス
クライブされチップ化され、その後図示しないが樹脂パ
ッケージに組み立てる。
ようにAr：O＝１００：１、真空度が約１×１０−３Tor
r、成長した半導体層の温度が２２℃の条件下においてI
TO（In酸化膜とSn酸化膜の混合膜）がスパッタにより堆
積され、透明電極４３を形成 する。この半導体層を４
５０℃のAr雰囲気中で１５分間熱処理する。この透明電
極４３の表面には図１に示すように金属電極４４形成さ
れ、パターニングする。これらの成長した半導体層はス
クライブされチップ化され、その後図示しないが樹脂パ
ッケージに組み立てる。
【００２１】このようにすればn型GaAs層３４の半導体
層と透明電極４３との間にGeを含むAuの金属介在層４２
を設けたのでn型GaAs層３４と透明電極４３とのコンタ
クトがよくなり良好なオーミックコンタクトとなる。そ
のため、半導体発光素子３０の電気的特性が安定し良好
な発光特性を得ることができる。
層と透明電極４３との間にGeを含むAuの金属介在層４２
を設けたのでn型GaAs層３４と透明電極４３とのコンタ
クトがよくなり良好なオーミックコンタクトとなる。そ
のため、半導体発光素子３０の電気的特性が安定し良好
な発光特性を得ることができる。
【００２２】なお、上記実施の形態の緑色半導体発光素
子３０において発光をするときp型活性層３６の発光がn
型クラッド層３５、n型GaAs層３４、金属介在層４２、
透明電極４３、金属電極４４を介して外部に導かれとと
もにp型活性層３６、p型クラッド層３７、透明基板４０
を介して金属電極４１に導かれ、この金属電極４１によ
って全面反射して透明基板４０、p型クラッド層３７、p
型活性層３６、n型クラッド層３５、n型GaAs層３４、金
属介在層４２、透明電極４３、金属電極４４を介して外
部に導かれから発光の吸収されことなく外部に導かれ
る。そのため、発光を高効率をもって外部に放出し的確
な表示をおこなうことができる。
子３０において発光をするときp型活性層３６の発光がn
型クラッド層３５、n型GaAs層３４、金属介在層４２、
透明電極４３、金属電極４４を介して外部に導かれとと
もにp型活性層３６、p型クラッド層３７、透明基板４０
を介して金属電極４１に導かれ、この金属電極４１によ
って全面反射して透明基板４０、p型クラッド層３７、p
型活性層３６、n型クラッド層３５、n型GaAs層３４、金
属介在層４２、透明電極４３、金属電極４４を介して外
部に導かれから発光の吸収されことなく外部に導かれ
る。そのため、発光を高効率をもって外部に放出し的確
な表示をおこなうことができる。
【００２３】つぎに、図１０ないし図１４を参照しなが
ら本発明半導体素子の一例である緑色半導体発光素子の
第２の実施の形態を説明する。
ら本発明半導体素子の一例である緑色半導体発光素子の
第２の実施の形態を説明する。
【００２４】この緑色半導体発光素子５０は第１の実施
の形態の形成方法を改良したものであるから第１の実施
の形態と同一部分は同一符号を付し詳細な説明を省略し
て説明する。
の形態の形成方法を改良したものであるから第１の実施
の形態と同一部分は同一符号を付し詳細な説明を省略し
て説明する。
【００２５】第１の実施の形態ではGaAs基板３１および
n型GaAs層３２をエッチングし金属電極４１を成形した
後n型In０.５Al０.５P層３３をエッチングしたが本実施
の形態ではこのn型In０.５Al０.５P層３３を図１０、図
１１に示すようにパタニングしブロック層５１を形成す
る。
n型GaAs層３２をエッチングし金属電極４１を成形した
後n型In０.５Al０.５P層３３をエッチングしたが本実施
の形態ではこのn型In０.５Al０.５P層３３を図１０、図
１１に示すようにパタニングしブロック層５１を形成す
る。
【００２６】このブロック層５１を含むGaAs層３４の表
面には図１２に示すように厚さが１〜２０nmのGeを含む
Auの金属介在層４２が堆積され、これによりブロック層
５１を除きn型GaAs層３４との良好なコンタクトを図
る。この金属介在層４２の側面には図１３に示すように
ITOがスパッタにより堆積され、透明電極４３を形成す
る。これを熱処理しその下側面には図１４に示すように
金属電極４４が形成され、パターニングしスクライブし
チップ化し樹脂パッケージに組み立てる。
面には図１２に示すように厚さが１〜２０nmのGeを含む
Auの金属介在層４２が堆積され、これによりブロック層
５１を除きn型GaAs層３４との良好なコンタクトを図
る。この金属介在層４２の側面には図１３に示すように
ITOがスパッタにより堆積され、透明電極４３を形成す
る。これを熱処理しその下側面には図１４に示すように
金属電極４４が形成され、パターニングしスクライブし
チップ化し樹脂パッケージに組み立てる。
【００２７】このようにしてもブロック層５１を設けた
n型GaAs層３４の半導体層と透明電極４３との間にGeを
含むAuの金属介在層４２を設けたのでn型GaAs層３４と
透明電極４３とのコンタクトが第１の実施の形態とほぼ
同様によくなり良好なオーミックコンタクトを形成す
る。
n型GaAs層３４の半導体層と透明電極４３との間にGeを
含むAuの金属介在層４２を設けたのでn型GaAs層３４と
透明電極４３とのコンタクトが第１の実施の形態とほぼ
同様によくなり良好なオーミックコンタクトを形成す
る。
【００２８】また、緑色半導体発光素子５０において発
光をするとき緑色半導体発光素子３０の発光の場合と同
様にp型活性層３６の発光がp型クラッド層３７、透明基
板４０およびn型クラッド層３５、n型GaAs層３４、金属
介在層４２、透明電極４３、金属電極４４に吸収されな
いから良好に外部に導くことができる。
光をするとき緑色半導体発光素子３０の発光の場合と同
様にp型活性層３６の発光がp型クラッド層３７、透明基
板４０およびn型クラッド層３５、n型GaAs層３４、金属
介在層４２、透明電極４３、金属電極４４に吸収されな
いから良好に外部に導くことができる。
【００２９】なお、上記各実施の形態では緑色半導体発
光素子について説明したが他の一般的な半導体素子の半
導体層と透明電極との良好なオーミックコンタクトをと
ることができることは勿論のこと赤色、橙色等の半導体
発光素子に付いても同様に適応することができる。
光素子について説明したが他の一般的な半導体素子の半
導体層と透明電極との良好なオーミックコンタクトをと
ることができることは勿論のこと赤色、橙色等の半導体
発光素子に付いても同様に適応することができる。
【００３０】また、透明基板４０としてGaPを用いたが
これをGaN基板等の同等な基板を使用するようにしても
よい。さらに、金属介在層としてGeを含むAuを使用した
がGeとNiを含むAuの合金を用いるようにしてもよい。
これをGaN基板等の同等な基板を使用するようにしても
よい。さらに、金属介在層としてGeを含むAuを使用した
がGeとNiを含むAuの合金を用いるようにしてもよい。
【００３１】さらに、図１５ないし図１８を参照しなが
ら本発明半導体素子の一例である緑色半導体発光素子の
第３の実施の形態を説明する。
ら本発明半導体素子の一例である緑色半導体発光素子の
第３の実施の形態を説明する。
【００３２】この緑色半導体発光素子６０は第１の実施
の形態等を改良したものであるから第１の実施の形態等
と同一部分は同一符号を付し詳細な説明を省略して説明
する。
の形態等を改良したものであるから第１の実施の形態等
と同一部分は同一符号を付し詳細な説明を省略して説明
する。
【００３３】第１の実施の形態等では金属介在層４２を
設けてn型GaAs層３４と透明電極４３との間のオーミッ
クコンタクトを良好にするようにしたがこの実施の形態
ではn型GaAs層３４に代わって高濃度で、かつ、電子親
和力の大きい、例えば、n型InGaAs層を用いることによ
り良好なオーミックコンタクトが得られるようにしたも
のである。
設けてn型GaAs層３４と透明電極４３との間のオーミッ
クコンタクトを良好にするようにしたがこの実施の形態
ではn型GaAs層３４に代わって高濃度で、かつ、電子親
和力の大きい、例えば、n型InGaAs層を用いることによ
り良好なオーミックコンタクトが得られるようにしたも
のである。
【００３４】第３の実施の形態の緑色半導体発光素子６
０を製造するには図１５に示すようにGaAs基板３１、n
型GaAs層３２、n型In０.５Al０.５P層３３が成長された
後この上部には厚さが０.0５μmであって５×１０１７c
m−３以上５×１０２１cm− ３以下の の高濃度であっ
て、かつ、電子親和力が４．０７eV以上の大きさであっ
て５．０ev以下のn型InGaAs層のような半導体材料６１
が形成される。この半導体部材６１の側面にはn型クラ
ッド層３５、p型活性層３６等が形成され、これらを同
一のバッチでエピタキシャル成長をさせる。
０を製造するには図１５に示すようにGaAs基板３１、n
型GaAs層３２、n型In０.５Al０.５P層３３が成長された
後この上部には厚さが０.0５μmであって５×１０１７c
m−３以上５×１０２１cm− ３以下の の高濃度であっ
て、かつ、電子親和力が４．０７eV以上の大きさであっ
て５．０ev以下のn型InGaAs層のような半導体材料６１
が形成される。この半導体部材６１の側面にはn型クラ
ッド層３５、p型活性層３６等が形成され、これらを同
一のバッチでエピタキシャル成長をさせる。
【００３５】このように成長した半導体層から第１の実
施の形態等と同様にn型キャップ層３９とp型GaAs３８が
エッチングされ、p型クラッド層３７に図１６に示すよ
うに透明基板４０を形成し金属電極４１を取り付ける。
施の形態等と同様にn型キャップ層３９とp型GaAs３８が
エッチングされ、p型クラッド層３７に図１６に示すよ
うに透明基板４０を形成し金属電極４１を取り付ける。
【００３６】また、このように成長した半導体層からGa
As基板３１、n型GaAs層３２およびn型In０.５Al１０.５
P層３３が図１６に示すようにエッチングされ、n型InGa
As層６１の表面に図１７に示すようにITOがスパッタさ
れ、透明電極４３を形成する。この透明電極４３の表面
には図１８に示すように金属電極４４形成され、パター
ニング、スクライブし、その後図しないが樹脂パッケー
ジに組み立てる。
As基板３１、n型GaAs層３２およびn型In０.５Al１０.５
P層３３が図１６に示すようにエッチングされ、n型InGa
As層６１の表面に図１７に示すようにITOがスパッタさ
れ、透明電極４３を形成する。この透明電極４３の表面
には図１８に示すように金属電極４４形成され、パター
ニング、スクライブし、その後図しないが樹脂パッケー
ジに組み立てる。
【００３７】このようにすればn型クラッド層３５と透
明電極４３との間に金属介在層４２を設けないでも半導
体材料６１を備えるだけでn型クラッド層３５と透明電
極４３とのコンタクトがよくなり良好なオーミックコン
タクトを得ることができる。そのため、半導体発光素子
６０の電気的特性が安定し良好な発光特性を得ることが
できる。また、この半導体材料６１はエピタキシャル成
長させるだけであるから緑色半導体発光素子等の製造が
熱処理をすることなく製造できるから製造が容易にでき
る。
明電極４３との間に金属介在層４２を設けないでも半導
体材料６１を備えるだけでn型クラッド層３５と透明電
極４３とのコンタクトがよくなり良好なオーミックコン
タクトを得ることができる。そのため、半導体発光素子
６０の電気的特性が安定し良好な発光特性を得ることが
できる。また、この半導体材料６１はエピタキシャル成
長させるだけであるから緑色半導体発光素子等の製造が
熱処理をすることなく製造できるから製造が容易にでき
る。
【００３８】なお、上記各実施の形態では緑色半導体発
光素子について説明したが一般の半導体素子は勿論のこ
と他の赤色、橙色等の半導体発光素子に付いても適応す
ることができる。また、透明電極と接触する半導体部材
としてはInGaAsを用いるだけでなくInGaP、InP等も適宜
使用することができる。
光素子について説明したが一般の半導体素子は勿論のこ
と他の赤色、橙色等の半導体発光素子に付いても適応す
ることができる。また、透明電極と接触する半導体部材
としてはInGaAsを用いるだけでなくInGaP、InP等も適宜
使用することができる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は半導体層に
金属介在層を介して透明電極を備えた半導体素子におい
て、金属介在層をGeを含むAuまたはGe、Niを含むAuとし
たから半導体素子の半導体層と透明電極との間のオーミ
ックコンタクトを良好なものとすることができる。
金属介在層を介して透明電極を備えた半導体素子におい
て、金属介在層をGeを含むAuまたはGe、Niを含むAuとし
たから半導体素子の半導体層と透明電極との間のオーミ
ックコンタクトを良好なものとすることができる。
【００４０】また、本発明は半導体層に半導体部材を介
して透明電極を備えた半導体素子において、半導体部材
の濃度が５×１０１７cm−３以上５×１０２０cm−３以
下で、かつ、電子親和力が４.０７eV以上５．０eV以下
としたから金属介在層と同様に半導体 素子の半導体層
と透明電極との間のオーミックコンタクトを良好なもの
とすることができる。
して透明電極を備えた半導体素子において、半導体部材
の濃度が５×１０１７cm−３以上５×１０２０cm−３以
下で、かつ、電子親和力が４.０７eV以上５．０eV以下
としたから金属介在層と同様に半導体 素子の半導体層
と透明電極との間のオーミックコンタクトを良好なもの
とすることができる。
【００４１】さらに、本発明はp型クラッド層、p型活性
層、n型クラッド層、n型半導体層等を順次成長させた発
光半導体素子において、p型クラッド層の側面には透明
電極を介して金属電極を形成し、n型半導体層の側面に
はGeあるいはNiまたはGe、Niを含むAuである金属介層を
介して透明電極を介して金属電極を形成したから半導体
発光素子の良好なオーミックコンタクトをとることがで
きる。
層、n型クラッド層、n型半導体層等を順次成長させた発
光半導体素子において、p型クラッド層の側面には透明
電極を介して金属電極を形成し、n型半導体層の側面に
はGeあるいはNiまたはGe、Niを含むAuである金属介層を
介して透明電極を介して金属電極を形成したから半導体
発光素子の良好なオーミックコンタクトをとることがで
きる。
【００４２】さらに、本発明はp型クラッド層、p型活性
層、n型クラッド層、n型半導体層等を順次成長させた発
光半導体素子において、p型クラッド層の表面には透明
基板を介して金属電極を形成し、n型半導体層の側面に
は濃度が５×１０１７cm−３以上 ５×１０２０cm−３
以下で、かつ、電子親和力が４.０７eV以上５．０７eV
以下の半 導体部材を介して透明電極を備えたから金属
介在層と同様に半導体発光素子の半導体層と透明電極と
の間のオーミックコンタクトを良好なものとすることが
できる。
層、n型クラッド層、n型半導体層等を順次成長させた発
光半導体素子において、p型クラッド層の表面には透明
基板を介して金属電極を形成し、n型半導体層の側面に
は濃度が５×１０１７cm−３以上 ５×１０２０cm−３
以下で、かつ、電子親和力が４.０７eV以上５．０７eV
以下の半 導体部材を介して透明電極を備えたから金属
介在層と同様に半導体発光素子の半導体層と透明電極と
の間のオーミックコンタクトを良好なものとすることが
できる。
【図１】本発明に係る第１の実施の形態の半導体発光素
子の概要を示す断面図。
子の概要を示す断面図。
【図２】図１の半導体発光素子を形成する第１の工程を
示す断面図。
示す断面図。
【図３】図１の半導体発光素子を形成する第２の工程を
示す断面図。
示す断面図。
【図４】図１の半導体発光素子を形成する第３の工程を
示す断面図。
示す断面図。
【図５】図１の半導体発光素子を形成する第４の工程を
示す断面図。
示す断面図。
【図６】図１の半導体発光素子を形成する第５の工程を
示す断面図。
示す断面図。
【図７】図１の半導体発光素子を形成する第６の工程を
示す断面図。
示す断面図。
【図８】図１の半導体発光素子を形成する第７の工程を
示す断面図。
示す断面図。
【図９】図１の半導体発光素子を形成する第８の工程を
示す断面図。
示す断面図。
【図１０】本発明に係る第２の実施の形態の半導体発光
素子の第１の工程を示す断面図。
素子の第１の工程を示す断面図。
【図１１】図１０の半導体発光素子を形成する第２の工
程を示す断面図。
程を示す断面図。
【図１２】図１０の半導体発光素子を形成する第３の工
程を示す断面図。
程を示す断面図。
【図１３】図１０の半導体発光素子を形成する第４の工
程を示す断面図。
程を示す断面図。
【図１４】図１の半導体発光素子を形成する第５の工程
を示す断面図。
を示す断面図。
【図１５】本発明に係る第３の実施の形態の半導体発光
素子の第１の工程を示す断面図。
素子の第１の工程を示す断面図。
【図１６】図１５の半導体発光素子を形成する第２の工
程を示す断面図。
程を示す断面図。
【図１７】図１５の半導体発光素子を形成する第３の工
程を示す断面図。
程を示す断面図。
【図１８】図１５の半導体発光素子を形成する第４の工
程を示す断面図。
程を示す断面図。
【図１９】従来の半導体発光素子の概要を示す断面図。
【図２０】従来の他の半導体発光素子の概要を示す断面
図。
図。
１０、２０、３０、５０、６０ 半導体発光素子 １２ GaAs基板 １３ クラッド １４ 活性層 １５ クラッド １６ GaAs基板 １７ 金属介在層 １８ 透明電極 １９ 金属電極 ３１ n型GaAs基板 ３４ Ｍ型GaAs層 ３５ n型クラッド ３６ p型活性層 ３７ p型クラッド ４０ 透明基板 ４２ 金属介在層 ４３ 透明電極 ５１ ブロック層 ６１ 半導体部材
Claims (7)
- 【請求項１】表面がｎ型である半導体層に金属介在層を
介して透明電極を備えた半導体素子において、 金属介在層をGeを含むAuまたはGeおよびNiを含むAuとし
たことを特徴とする半導体素子。 - 【請求項２】表面がｎ型である半導体層に半導体部材を
介して透明電極を備えた半導体素子において、 半導体部材の濃度が５×１０１７cm−３以上５×１０
２１cm−３以下で、かつ、電子親和力が４.０７eV以上
５．０eV以下であることを特徴とする半導体素子。 - 【請求項３】半導体部材はInGaAs、InPあるいはInGaPで
あることを特徴とする請求項２記載の半導体素子。 - 【請求項４】p型クラッド層、p型活性層、n型クラッド
層、n型半導体層等を順次成長させた発光半導体素子に
おいて、 p型クラッド層の表面には透明電極を介して金属電極を
形成し、 n型半導体層の表面にはGeを含むAuまたはGe、Niを含むA
uである金属介在層を介して透明電極を介して金属電極
を形成し、 たことを特徴とする発光半導体素子。 - 【請求項５】n型半導体層の側面にはブロック層、Geを
含むAuまたはGe、Niを含むAuである金属介層、透明電極
を介して金属電極を形成したことを特徴とする請求項４
記載の発光半導体素子。 - 【請求項６】p型クラッド層、p型活性層、n型クラッド
層、n型半導体層等を順次成長させた発光半導体素子に
おいて、 p型クラッド層の側面には透明電極を介して金属電極を
形成し、 n型半導体層の側面には濃度が５×１０１７cm−３以上
５×１０２１cm−３以下で、か つ、電子親和力が４.０
７eV以上５．０eV以下の半導体部材を介して透明電極を
備えたことを特徴とする発光半導体素子。 - 【請求項７】半導体部材はInGaAs、InPあるいはInGaPで
あることを特徴とする請求項６記載の発光半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26342399A JP2001085741A (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | 半導体素子および発光半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26342399A JP2001085741A (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | 半導体素子および発光半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085741A true JP2001085741A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17389296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26342399A Pending JP2001085741A (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | 半導体素子および発光半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085741A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002061855A1 (fr) * | 2001-01-31 | 2002-08-08 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Dispositif emetteur de lumiere |
| JP2007103538A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| CN100375303C (zh) * | 2005-10-27 | 2008-03-12 | 晶能光电（江西）有限公司 | 含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法 |
| KR100945984B1 (ko) | 2003-01-23 | 2010-03-09 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 다이오드 제조 방법 |
| JP2011187842A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-09-17 JP JP26342399A patent/JP2001085741A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002061855A1 (fr) * | 2001-01-31 | 2002-08-08 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Dispositif emetteur de lumiere |
| JP2002232005A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
| US6847056B2 (en) | 2001-01-31 | 2005-01-25 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Light emitting device |
| KR100945984B1 (ko) | 2003-01-23 | 2010-03-09 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 다이오드 제조 방법 |
| JP2007103538A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| CN100375303C (zh) * | 2005-10-27 | 2008-03-12 | 晶能光电（江西）有限公司 | 含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法 |
| JP2011187842A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
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