JP4108439B2 - 発光素子の製造方法及び発光素子 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は発光素子及び発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】
特開平７−６６４５５号公報
【特許文献２】
特開２００１−３３９１００号公報
【０００３】
（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１；以下、ＡｌＧａＩｎＰとも記載する）混晶により発光層部が形成された発光素子は、薄いＡｌＧａＩｎＰ活性層を、それよりもバンドギャップの大きいｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とによりサンドイッチ状に挟んだダブルへテロ構造を採用することにより、高輝度の素子を実現できる。また、近年では、ＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１；以下、ＩｎＧａＡｌＮとも記載する）を用いて同様のダブルへテロ構造を形成した青色発光素子も実用化されている。
【０００４】
例えば、ＡｌＧａＩｎＰ発光素子を例に取れば、ｎ型ＧａＡｓ基板上にヘテロ形成させる形にて、ｎ型ＧａＡｓバッファ層、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層をこの順序にて積層し、ダブルへテロ構造をなす発光層部を形成する。発光層部への通電は、素子表面に形成された金属電極を介して行なわれる。ここで、金属電極は遮光体として作用するため、例えば発光層部主表面の中央部のみを覆う形で形成され、その周囲の電極非形成領域から光を取り出すようにする。
【０００５】
この場合、金属電極の面積をなるべく小さくしたほうが、電極の周囲に形成される光漏出領域の面積を大きくできるので、光取出し効率を向上させる観点において有利である。従来、電極形状の工夫により、素子内に効果的に電流を拡げて光取出量を増加させる試みがなされているが、この場合も電極面積の増大はいずれにしろ避けがたく、光漏出面積の減少により却って光取出量が制限されるジレンマに陥っている。また、クラッド層のドーパントのキャリア濃度ひいては導電率は、活性層内でのキャリアの発光再結合を最適化するために多少低めに抑えられており、面内方向には電流が広がりにくい傾向がある。これは、電極被覆領域に電流密度が集中し、光漏出領域における実質的な光取出量が低下してしまうことにつながる。そこで、クラッド層と電極との間に、キャリア濃度を高めた低抵抗率の電流拡散層を形成する方法が採用されている。電流拡散層は、電流拡散効果を十分なものとするために、少なくとも５μｍ〜１０μｍ程度以上の厚みが必要とされ、有機金属気相成長法（MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy：ＭＯＶＰＥ法）や、液相エピタキシャル成長法（Liquid Phase Epitaxy：ＬＰＥ法）により形成されている。
【０００６】
他方、光取出し効率を向上させるために、発光層部の裏面側に放射される光を光取出面側に反射させて取り出すことができるような素子構造が種々提案されている。この反射層としては、例えば屈折率の異なる層を多数積層した多重反射層（例えば特許文献１参照）が使用されている。このような多重反射層は、発光層部に先立って基板上に化合物半導体薄層をヘテロエピタキシャル成長させることにより形成可能であるが、成長層数が多いので高コストとなりやすい欠点がある。また、多重反射層は積層された半導体層の屈折率の違いを利用するため、限られた角度で入射した光しか反射されず、光取出効率の大幅な向上は原理的に期待できない。他方、特許文献２には、金属反射層を基板と発光層部との間に介挿する素子構造が開示されている。金属層は反射率が高く、また、反射率の入射角度依存性あるいは波長依存性が小さい利点がある。しかし、該文献に開示された製造方法においては、発光層部をＧａＡｓ等の発光層成長用基板上にヘテロエピタキシャル成長した後、成長用基板とは反対側の発光層部主表面に、別の導電性基板を、金属層を介して貼り合せる必要がある。発光層成長用基板はその貼り合わせが終わった後で剥離除去し、その剥離面側を光取出面として利用する。この場合、この剥離面側に電流拡散層を有する構成にするには、発光層成長用基板上に発光層部をヘテロエピタキシャル成長する前に、電流拡散層となる半導体層を予め成長しておく必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の方法において電流拡散層は、発光層成長用基板への成長初期段階で形成されるので、基板との格子整合条件が必然的に厳しくなり、制約が多い。例えば、ＧａＡｓ基板を用いる場合は、これに格子整合可能な電流拡散層用の化合物半導体は、ＡｌＧａＡｓが数少ない候補となりうる。しかし、ＡｌＧａＡｓはバンドギャップエネルギーが比較的小さく、光吸収の問題が生じやすい（特に、５６０ｎｍ前後の黄緑色の発光波長）。また、Ａｌを含有しているために、以降の発光層をエピタキシャル成長する際に高温酸化の問題も生じやすい。さらに、ＡｌＧａＡｓ層をエピタキシャル成長するには高価なＭＯＶＰＥ法による成長工程が増える難点もある。そして、十分に高い電流拡散効果を得るには、電流拡散層を相当厚く成長しなければならないのも大きな欠点である。さらに、電流拡散層はドーパント濃度が高く、この上にエピタキシャル成長した発光層部の品質低下や、電流拡散層から発光層部へのドーパント拡散やオートドーピングも問題となる。
【０００８】
本発明の課題は、発光層部から発光層成長用基板を剥離して発光素子を製造する際に、光取出面となる剥離面側に電流拡散層を前もって厚く成長する必要がなく、しかも高い電流拡散効果を維持できる発光素子の製造方法と、それにより得られる発光素子とを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】
上記の課題を解決するために、本発明の発光素子の製造方法は、
発光層成長用基板の主表面に、化合物半導体よりなる発光層部をエピタキシャル成長する発光層部成長工程と、
前記発光層部から前記発光層成長用基板を剥離する剥離工程と、
前記発光層成長用基板の剥離により露出した前記発光層部側の主表面を剥離側主表面として、当該剥離側主表面を、前記発光層部に対して電圧を印加するための透明電極を兼ねた透明導電性酸化物層により被覆する透明導電性酸化物層形成工程と、
前記透明導電性酸化物層形成工程に先立って、該透明導電性酸化物層の接合抵抗を減ずるためのコンタクト層となるべき層を前記剥離側主表面に形成するコンタクト層形成工程とを有し、
前記剥離側主表面側にコンタクト層となるべきＧａＡｓ層を形成し、前記透明導電性酸化物層としてのＩＴＯ層を当該ＧａＡｓ層と接するように形成した後、熱処理することにより、前記ＩＴＯ層から前記ＧａＡｓ層にＩｎを拡散させて、Ｉｎを含有したＧａＡｓよりなるコンタクト層となすとともに、前記コンタクト層の平均的なＩｎ濃度を、ＩｎとＧａとの合計濃度に対するＩｎの原子比にて、０．１以上０．６以下とし、前記コンタクト層の、前記ＩＴＯ層との境界位置におけるＩｎ濃度をＣ Ａ とし、これと反対側の境界位置におけるＩｎ濃度をＣ Ｂ として、Ｃ Ｂ ／Ｃ Ａ を０．８以下とすることを特徴とする。
【００１０】
この方法によると、発光層成長用基板の剥離後、後工程により高い電流拡散効果を有する透明導電性酸化物層を形成するので、ヘテロエピタキシャル成長による従来の電流拡散層とは異なり、発光層成長用基板への格子整合性などは全く考慮する必要がなくなる。その結果、後述のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）など、光吸収が小さく導電性の良好な透明導電性酸化物を自由に選択できるようになる。これにより、電流拡散層を厚く成長する従来の方法に比べて光吸収の問題が生じにくくなり、また、透明導電性酸化物の形成自体は比較的低温で実施可能なスパッタリングや蒸着を採用できるので低コストであり、発光層をエピタキシャル成長する際の高温酸化の問題等も生じにくい。また、導電性の良好な透明導電性酸化物を選択すれば、その成長厚さも、従来の電流拡散層と比較して大幅に減ずることができ、能率的である。
【００１１】
他方、ＩＴＯ等の導電性酸化物層は、化合物半導体層と直接接合しようとしたとき、良好なオーミック接合が必ずしも形成されず、接触抵抗に基づく直列抵抗増大により発光効率が低下することがある。しかしながら、導電性酸化物層の接触抵抗を減ずるためのコンタクト層を、導電性酸化物層の化合物半導体層側に接するように配置することにより、導電性酸化物層の接触抵抗を下げることができる。
【００１２】
上記本発明の方法においては、発光層部の、発光層成長用基板側と反対の主表面側には、特に別の基板等を貼り合わせず、例えば該主表面を光取出面として利用すること、つまり、発光層部の両面から光を取り出す素子構造とすることも可能である。他方、上記本発明の方法においては、発光層部の、発光層成長用基板側とは反対の主表面側に導電性基板を貼り合わせることにより、基板貼り合わせ体を作る貼り合わせ工程を実施することができる。この導電性基板の貼り合わせは、種々の目的で実施できる。例えば、発光層成長用基板としてＧａＡｓのような光吸収の大きい基板を用いる場合は、ＧａＰなどの透明導電性基板を貼り合わせれば、該基板を介した素子側面からの光取出効果や、電流拡散効果を高めることが可能である。
【００１３】
他方、反射層となる金属層を挟んで導電性基板（この場合、基板自体は必ずしも透明である必要はない）を貼り合せることもできる。また、本発明の発光素子の第一は、この後者の製造方法により始めて実現可能となったものであり、導電性基板の一方の主表面上に化合物半導体よりなる発光層部が反射層となる金属層を挟んで貼り合わされ、かつ該発光層部の、前記導電性基板に面しているのと反対側の主表面が、光取出面側電極を兼ねた透明導電性酸化物層により覆われてなり、前記発光層部と前記透明導電性酸化物層との間に、該透明導電性酸化物層の接合抵抗を減ずるためのコンタクト層が、該透明導電性酸化物層に接するように配置され、前記透明導電性酸化物層がＩＴＯ層として形成され、前記発光層部と前記ＩＴＯ層との間に、前記コンタクト層が該ＩＴＯ層と接するように形成され、
前記コンタクト層は、前記透明導電性酸化物層との接合界面においてＩｎ ｘ Ｇａ １−ｘ Ａｓ（０＜ｘ≦１）であり、かつ厚さ方向におけるＩｎ濃度分布が、前記ＩＴＯ層から厚さ方向に遠ざかるにつれ連続的に減少するものとされ、前記コンタクト層の平均的なＩｎ濃度を、ＩｎとＧａとの合計濃度に対するＩｎの原子比にて０．１以上０．６以下とし、前記コンタクト層の、前記ＩＴＯ層との境界位置におけるＩｎ濃度をＣ Ａ とし、これと反対側の境界位置におけるＩｎ濃度をＣ Ｂ として、Ｃ Ｂ ／Ｃ Ａ を０．８以下としたことを特徴とする。このように発光素子を構成すると、透明導電性酸化物層よりなる電極（以下、透明酸化物電極ともいう）が形成された光取出面側に、裏面側に向かう発光を反射により重畳させることができ、光取出し効率を向上させることができる。また、光取出面側には、通常の電流拡散層よりも光透過率と導電性が高く、かつ厚さの小さい透明酸化物電極が形成されることで、その優れた電流拡散効果とも相俟って、素子の光取出し効率がさらに向上する。しかも、発光層部と透明導電性酸化物電極との間にコンタクト層が形成されているので、導電性酸化物層の接触抵抗も小さい。
【００１４】
透明導電性酸化物層は、例えばＩＴＯにて構成できる。ＩＴＯは、酸化スズをドープした酸化インジウム膜であり、酸化スズの含有量を１〜９質量％とすることで、電極層の抵抗率を５×１０−４Ω・ｃｍ以下の十分低い値とすることができる。なお、ＩＴＯ電極層以外では、ＺｎＯ電極層が高導電率であり、本発明に採用可能である。また、酸化アンチモンをドープした酸化スズ（いわゆるネサ）、Ｃｄ２ＳｎＯ４、Ｚｎ２ＳｎＯ４、ＺｎＳｎＯ３、ＭｇＩｎ２Ｏ４、酸化イットリウム（Ｙ）をドープしたＣｄＳｂ２Ｏ６、酸化スズをドープしたＧａＩｎＯ３なども透明導電性酸化物層の材質として使用することができる。これらの導電性酸化物は可視光に対して良好な透過性を有し（つまり、透明であり）、発光層部への電圧印加用電極として用いる場合、光の取出しを妨げない利点がある。また、該透明導電性酸化物層上に形成されるボンディングパッドなどの金属電極を介して素子駆動用の電圧を印加したとき、電流を面内に広げて発光を均一化し高効率化する役割も担う。これらの透明酸化物電極は、公知の気相成膜法、例えば化学蒸着法（chemical vapor deposition：ＣＶＤ）あるいはスパッタリングや真空蒸着などの物理蒸着法（physical vapor deposition：ＰＶＤ）、あるいは分子線エピタキシャル成長法（molecular beam epitaxy：ＭＢＥ）にて形成することができる。例えば、ＩＴＯ層やＺｎＯ電極層は高周波スパッタリング又は真空蒸着により製造でき、また、ネサ膜はＣＶＤ法により製造できる。また、これら気相成長法に代えて、ゾル−ゲル法など他の方法を用いて形成してもよい。
【００１５】
導電性基板はＳｉ基板又は金属基板とすることができる。金属基板としては、例えばＡｌやＣｕないしそれらの合金よりなるものが、導電性が良好で安価であり、本発明に好適に使用できる。他方、Ｓｉ基板（多結晶基板又は単結晶基板）も導電性が良好で、さらに安価であり（特に：前者は特に安価である）、本発明により有利である。
【００１６】
また、反射層は、例えばＡｕ系金属層（Ａｕを主成分（５０質量％以上）とするもの：例えばＡｕ層）とすることができる。Ａｕ系金属は反射率が高く、また、化学的にも安定であり、成膜時の反応により金属光沢が損なわれる不具合も生じにくい。
【００１７】
導電性基板をＳｉ基板とする場合、反射層は、発光層部とＳｉ基板のいずれとも接するＡｕ系金属層とすることができる。Ａｕ系金属は反射率が良好である上、Ｓｉ基板との親和性も高く、貼り合わせ強度を高く確保できる利点がある。この場合、８０℃以上３６０℃以下の貼り合わせ熱処理により、Ｓｉ基板と接するＡｕ系金属層を介して該Ｓｉ基板を発光層部に貼り合わせることが望ましい。熱処理温度が８０℃未満では貼り合わせ強度が不十分となる。また、３６０℃（Ａｕ−Ｓｉ二元系共晶温度は約３６３℃）を超えると金属層側のＡｕと基板側のＳｉとの共晶反応が著しくなり、金属層の反射率が大幅に低下してしまう不具合につながる。
【００１８】
なお、上記貼り合わせ熱処理の後、透明導電性酸化物層を剥離側主表面に形成する場合は、成長温度の比較的低いスパッタリングにて形成することが、Ａｕ系金属層とＳｉ基板との共晶反応を抑制する観点において望ましい。また、透明導電性酸化物層を非晶質酸化物層として形成すれば、成長温度をより低くできるので有利である。また、透明導電性酸化物の材質は、均質で高導電性のものを特に得やすいＩＴＯを採用することが望ましい。この場合、本発明の発光素子は、光取出面側電極を兼ねた透明導電性酸化物層がＩＴＯ層となるように構成される。換言すれば、Ａｕ系金属層を介してＳｉ基板と発光層部とが貼り合わされ、かつ、ＩＴＯにより透明導電性酸化物層を形成することで、Ａｕ系金属層への共晶形成が抑制され、その反射率を大幅に高めることが可能となるのである。
【００１９】
次に、ＩＴＯ層等の透明導電性酸化物層は、素子側の化合物半導体層と直接接合しようとしたとき、良好なオーミック接合が必ずしも形成されず、接触抵抗に基づく直列抵抗増大により発光効率が低下することがある。しかしながら、本発明の発光素子は、透明導電性酸化物層の接触抵抗を減ずるためのコンタクト層を、透明導電性酸化物層に接するように配置することにより、透明導電性酸化物層の接触抵抗を下げることができる。このようなコンタクト層は、具体的には、透明導電性酸化物層との接合界面においてＡｌを含有せず、かつバンドギャップエネルギーが１．４２ｅＶより小さい化合物半導体からなるものを好適に採用することができる。このようなコンタクト層を用いることにより、良好なオーミックコンタクトが得られ、また、Ａｌ成分酸化による抵抗増加も生じにくい。
【００２０】
コンタクト層は、具体的にはＩｎを含有したＧａＡｓを好適に用いることができる。この場合、良好なオーミックコンタクトを得るには、コンタクト層を構成する化合物半導体は、（少なくとも）透明導電性酸化物層との接合界面において、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）であればよい。
【００２１】
透明導電性酸化物層をＩＴＯ層とする場合、剥離側主表面側にＧａＡｓ層を形成し、透明導電性酸化物層としてのＩＴＯ層を当該ＧａＡｓ層と接するように形成した後、熱処理することにより、ＩＴＯ層からＧａＡｓ層にＩｎを拡散させて、Ｉｎを含有したＧａＡｓよりなるコンタクト層となすことができる。
【００２２】
コンタクト層はＩｎＧａＡｓを直接エピタキシャル成長する方法を採用してもよいのであるが、上記の方法によると、次のような利点がある。すなわち、ＧａＡｓ層は、例えばＡｌＧａＩｎＰよりなる発光層部やＧａＰよりなる透明導電性半導体基板と格子整合が極めて容易であり、ＩｎＧａＡｓを直接エピタキシャル成長する場合と比較して、均質で連続性のよい膜を形成できる。
【００２３】
そして、そのＧａＡｓ層上にＩＴＯ層を形成した後、熱処理することにより、ＩＴＯ層からＧａＡｓ層にＩｎを拡散させてコンタクト層とする。このように熱処理して得られるＩｎを含有したＧａＡｓよりなるコンタクト層は、Ｉｎ含有量が過剰とならず、発光層部との格子不整合による、発光強度低下などの品質劣化を効果的に防止することができる。ＧａＡｓ層と発光層部との格子整合は、発光層部が（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０．４５≦ｙ≦０．５５）にて構成される場合に特に良好となるので、混晶比ｙを上記の範囲に設定して、発光層部（クラッド層あるいは活性層）を形成することが望ましいといえる。
【００２４】
上記の熱処理は、コンタクト層の厚さ方向におけるＩｎ濃度分布が、図４の▲１▼に示すように、ＩＴＯ層から厚さ方向に遠ざかるにつれ連続的に減少するものとなるようにする（つまり、Ｉｎ濃度分布に傾斜をつける）ことが望ましい。こうした構造は、熱処理により、ＩＴＯ側からコンタクト層側へＩｎを拡散させることにより形成される。この場合、本発明の発光素子は、透明導電性酸化物層がＩＴＯ層として形成され、発光層部とＩＴＯ層との間に、コンタクト層が該ＩＴＯ層と接するように形成され、コンタクト層が、透明導電性酸化物層との接合界面においてＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）であり、かつ厚さ方向におけるＩｎ濃度分布が、ＩＴＯ層から厚さ方向に遠ざかるにつれ連続的に減少するものとなる。
【００２５】
このようなＩｎ濃度分布のコンタクト層を形成することにより、発光層部との格子整合性をより高めることができる。特に、前記発光層部が、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）により、第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層がこの順序にて積層されたダブルへテロ構造を有するものとして構成されている場合、発光層部側にてコンタクト層のＩｎ濃度分布が小さくなれば、発光層部との格子定数差が顕著の縮小し、格子整合性向上効果が大きい。なお、熱処理温度が過度に高くなったり、あるいは熱処理時間が長大化すると、ＩＴＯ層からのＩｎ拡散が過度に進行して、図４の▲３▼に示すように、コンタクト層内のＩｎ濃度分布が厚さ方向にほぼ一定の高い値を示すようになり、上記の効果は得られなくなる（一方、熱処理温度が過度に低くなったり、あるいは熱処理時間が過度に短時間化すると、図４の▲２▼に示すように、コンタクト層内のＩｎ濃度が不足することにつながる）。
【００２６】
この場合、図４において、コンタクト層の、ＩＴＯ層との境界近傍におけるＩｎ濃度をＣＡとし、これと反対側の境界近傍におけるＩｎ濃度をＣＢとしたとき、ＣＢ／ＣＡが０．８以下となるように調整することが望ましく、該形態のＩｎ濃度分布が得られるように、前述の熱処理を行なうことが望ましい。ＣＢ／ＣＡが０．８を超えると、Ｉｎ濃度分布傾斜による発光層部との格子整合性改善効果が十分に得られなくなる。なお、コンタクト層の厚さ方向の組成分布（ＩｎあるいはＧａ濃度分布）は、層を厚さ方向に徐々にエッチングしながら、二次イオン質量分析（Secondary Ion Mass Spectroscopy：ＳＩＭＳ）、オージェ電子分光分析（Auger Electron Spectroscopy）、Ｘ線光電子分光（X-ray Photoelectron Spectroscopy：ＸＰＳ）などの周知の表面分析方法により測定することができる。
【００２７】
コンタクト層のＩＴＯ透明電極層との境界近傍におけるＩｎ濃度は、ＩｎとＧａとの合計濃度に対するＩｎの原子比にて、０．１以上０．６以下とされることが望ましく、上記の熱処理もこのようなＩｎ濃度が得られるように行なうことが望ましい。上記定義によるＩｎ濃度が０．１未満になると、コンタクト層の接触抵抗低減効果が不十分となり、０．６を超えるとコンタクト層と発光層部との格子不整合による、発光強度低下などの品質劣化が甚だしくなる。なお、コンタクト層のＩＴＯ透明電極層との境界近傍におけるＩｎ濃度が、ＩｎとＧａとの合計濃度に対するＩｎの原子比にて、例えば前述の望ましい値（０．１以上０．６以下）を確保できるのであれば、コンタクト層の、ＩＴＯ透明電極層に面しているのと反対側の境界近傍でのＩｎ濃度ＣＢがゼロとなっていること、つまり、図５に示すように、コンタクト層のＩＴＯ透明電極層側にＩｎＧａＡｓ層が形成され、反対側の部分がＧａＡｓ層となる構造となっていても差し支えない。
【００２８】
ＩＴＯは、前述の通り酸化スズをドープした酸化インジウム膜であり、ＩＴＯ層をＧａＡｓ層上に形成し、さらにこれを適正な温度範囲にて熱処理することにより、上記望ましいＩｎ濃度を有したコンタクト層を容易に形成できる。また、この熱処理により、ＩＴＯ層の電気抵抗率をさらに低減できる。
【００２９】
この熱処理は、コンタクト層内のＩｎ濃度が過剰とならないよう、なるべく低温で短時間にて行なうことが望ましい。例えば、前述のように、導電性基板をＳｉ基板とし、８０℃以上３６０℃以下の貼り合わせ熱処理により、Ｓｉ基板と接しＡｕを主成分とするＡｕ系金属層を介してＳｉ基板を発光層部に貼り合わせる場合は、その貼り合わせ熱処理の後で、ＧａＡｓ層にＩｎを拡散させる上記の熱処理を行なうことが望ましい。そして、該Ｉｎ拡散の熱処理が低温で短時間のものに留まる限り、Ａｕ系金属層とＳｉ基板との共晶反応を十分抑制できる利点が新たに生ずるのである。
【００３０】
上記Ｉｎ拡散の熱処理は、６００℃以上７５０℃以下にて行なうことが望ましい。熱処理温度が７５０℃を超えるとＧａＡｓ層へのＩｎの拡散速度が大きくなりすぎ、コンタクト層中のＩｎ濃度が過剰となりやすくなる。また、Ｉｎ濃度が飽和して、コンタクト層の厚さ方向に傾斜したＩｎ濃度分布も得にくくなる。いずれも、コンタクト層と発光層部との格子整合が悪化することにつながる。また、ＧａＡｓ層へのＩｎの拡散が過度に進みすぎると、コンタクト層との接触部付近にてＩＴＯ層のＩｎが枯渇し、電極の電気抵抗値の上昇が避けがたくなる。さらに、熱処理温度が上記のように高温になりすぎると、ＩＴＯの酸素がＧａＡｓ層へ拡散して酸化が促進され、素子の直列抵抗が上昇しやすくなる。いずれも適正な電圧で発光素子を駆動できなくなる不具合につながる。また、熱処理温度が極端に高くなると、ＩＴＯ層の導電率がかえって損なわれる場合がある。他方、熱処理温度が６００℃未満になると、ＧａＡｓ層へのＩｎの拡散速度が小さくなりすぎ、接触抵抗を十分に低下させたコンタクト層を得るのに長時間を要するようになるので、製造能率の低下が甚だしくなる。
【００３１】
また、熱処理時間は、５秒以上１２０秒以下の短時間に設定することが望ましい。熱処理時間が１２０秒以上になると、特に、熱処理温度が上限値に近い場合、ＧａＡｓ層へのＩｎの拡散量が過剰となりやすくなる（ただし、熱処理温度を低めに留める場合は、これよりも長い熱処理時間（例えば３００秒程度まで）を採用することも可能である）。他方、熱処理時間が５秒未満になると、ＧａＡｓ層へのＩｎの拡散量が不足し、接触抵抗を十分に低下させたコンタクト層が得にくくなる。そして、ＧａＡｓ層にＩｎを拡散させる熱処理を、６００℃以上７５０℃以下の温度で５秒以上１２０秒以下実施することで、Ａｕ金属層とＳｉ基板との共晶反応も十分抑制でき、ひいては該熱処理後の金属層の反射率を高く維持することができる。
【００３２】
次に、コンタクト層は、透明酸化物電極との接合界面において、コンタクト層の形成領域と非形成領域とが混在してなることが望ましい。コンタクト層を透明酸化物電極の素子側への接合面全面を被覆するように形成すると、次のような問題が生ずる場合がある。
▲１▼透明酸化物電極上にはワイヤボンディング用の小さな金属電極を形成する必要がある。透明酸化物電極と発光層部との接触抵抗が、その金属電極の直下領域でも大幅に低くなると、駆動電流ひいては発光が該領域に集中しやすくなり、発生した光の多くが金属電極により遮蔽されて光取出効率の低下を招く。
▲２▼コンタクト層として採用する化合物半導体の材質によっては、コンタクト層が光吸収体として作用し、同様に光取出効率の低下につながる。
【００３３】
そこで、本発明の発光素子は、透明導電性酸化物層の発光層部に面しているのと反対側の主表面に、該発光層部に対して電圧を印加するための金属電極が、該主表面の一部領域を覆う形で形成され、透明導電性酸化物層が金属電極の直下領域からなる第一領域と残余の第二領域とを有し、コンタクト層は、第二領域において、第一領域よりも形成面積率が大きいものとして構成できる。なお、各領域のコンタクト層の形成面積率とは、領域中のコンタクト層の合計面積を、領域の全面積により割った比率をいう。該構成によると、光取り出し量が少ない金属電極の直下領域（第一領域）において、光取り出し量が多い残余の領域（第二領域）よりも透明酸化物電極の接合界面に形成されるコンタクト層の形成面積率を小さくしたから、第一領域における透明酸化物電極の接触抵抗が増大する。その結果、発光素子の駆動電流は、第一領域を迂回して第二領域に流れる成分が大きくなり、光取出効率を大幅に高めることができる。なお、光取り出し量が少ない第一領域には、なるべく発光駆動電流が流れないことが光取出効率向上の観点においては望ましい。従って、第一領域にはコンタクト層が可及的に形成されていないことが望ましい。
【００３４】
また、本発明の発光素子は、透明酸化物電極の接合界面のうち、発光層部からの光を外部へ取り出す量が多い第二領域において少なくとも、コンタクト層の形成領域と非形成領域とが混在してなるものとして構成できる。コンタクト層の形成領域は、分散形成されてなることが好ましい。なお、この第二領域を前記した金属電極の直下領域（第一領域）を除く残余の領域とみなすことで、該第二の構成は第一の構成と組み合わせることができる。該構造によると、透明酸化物電極の接触抵抗低減のために形成するコンタクト層が、発光層部からの光を吸収しやすい性質を有している場合においても、コンタクト層の形成領域直下にて発生した光は、これと隣接する非形成領域から漏出することにより、コンタクト層による吸収を抑制することができる。その結果、素子全体としての光取出効率を高めることができる。
【００３５】
また、コンタクト層の、透明酸化物電極に接しているのと反対側の主表面には、中間層を介して発光層部を結合することができる。該中間層は、発光層部とコンタクト層との中間のバンドギャップエネルギーを有する化合物半導体により構成される。ダブルへテロ構造の発光層部は、活性層へのキャリア閉じ込め効果を高めて内部量子効率を向上させるために、クラッド層と活性層との間の障壁高さを一定以上に高める必要がある。図１０の模式バンド図（Ｅｃは伝導帯底、Ｅｖは価電子帯頂の核エネルギーレベルを示す）に示すように、このようなクラッド層（例えばＡｌＧａＩｎＰ）にコンタクト層（例えばＩｎＧａＡｓ）を直接接合すると、クラッド層とコンタクト層との間に、接合によるバンドの曲がりにより、比較的高いヘテロ障壁が形成される場合がある。この障壁高さΔＥは、クラッド層とコンタクト層との間のバンド端不連続値が大きくなるほど高くなり、キャリアの移動、特に有効質量のより大きいホールの移動を妨げやすくなる。例えば金属電極を使用する場合は、クラッド層の全面を金属電極で覆うと光取出しができなくなるので、部分的な被覆となるように電極形成せざるを得ない。この場合、光取出し効率向上のため、電極の面内方向外側への電流拡散を何らかの形で促進しなければならない。例えば、金属電極の場合も、発光層部との間にＧａＡｓ等のコンタクト層が形成されることが多いが、金属電極の場合は、コンタクト層と発光層部との間に、ある程度高い障壁が形成された方が、障壁によるキャリアのせき止め効果により面内方向の電流拡散を促進できる利点がある。しかし、高い障壁形成のため、直列抵抗の増加は避け難い。
【００３６】
これに対し、ＩＴＯ透明電極層を用いる場合は、ＩＴＯ透明電極層自体が非常に高い電流拡散能を有しているため、障壁によるキャリアのせき止め効果はほとんど考慮する必要がない。しかも、ＩＴＯ透明電極層の採用により、光取出領域の面積は金属電極使用時と比較して大幅に増加している。そこで、図１１に示すように、コンタクト層とクラッド層との間に、それらコンタクト層とクラッド層との中間のバンドギャップエネルギーを有する中間層を挿入すると、コンタクト層と中間層、及び中間層とクラッド層とのそれぞれはバンド端不連続値が小さくなるので、各々形成される障壁高さΔＥも小さくなる。その結果、直列抵抗が軽減されて、低い駆動電圧にて十分に高い発光強度を達成することが可能となる。
【００３７】
上記中間層を採用することによる効果は、ダブルへテロ構造の発光層部の中でも、特にコンタクト層をなすＩｎを含有したＧａＡｓとの格子整合性が比較的良好な（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）にて発光層部を形成する場合に顕著である。この場合、発光層部と、コンタクト層との中間のバンドギャップエネルギーを有する中間層として、具体的には、ＡｌＧａＡｓ層、ＧａＩｎＰ層及びＡｌＧａＩｎＰ層（バンドギャップエネルギーがクラッド層より小さくなるように組成調整されたもの）の少なくとも一つを含むものを好適に採用することができ、例えばＡｌＧａＡｓ層を含むものとして形成することができる。また、これ以外の発光層部、例えば、ＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＮからなるダブルへテロ構造の発光層部にも適用可能である。この場合、中間層は、例えばＩｎＧａＡｌＮ層（バンドギャップエネルギーがクラッド層より小さくなるように組成調整されたもの）を含むものが採用可能である。
【００３８】
また、本発明の発光素子の第二は、透明導電性半導体基板の一方の主表面上に化合物半導体よりなる発光層部が貼り合わされ、かつ該発光層部の、導電性基板に面しているのと反対側の主表面が、光取出面側電極を兼ねた透明導電性酸化物層により覆われてなり、発光層部と透明導電性酸化物層との間に、該透明導電性酸化物層の接合抵抗を減ずるためのコンタクト層が、該透明導電性酸化物層に接するように配置されたことを特徴とする。透明導電性半導体基板は発光層部が発する光に対して透明な半導体にて構成される。なお、本明細書において「発光層部が発する光に対して透明」とは、発光層部が発する光の透過率が５０％以上であることをいい、透過率５０％未満を「発光層部が発する光に対して不透明」という。該透明導電性半導体基板は、裏面側光取出層として利用できる。他方、該透明導電性半導体基板の発光層部に貼り合わているのと反対側の主表面の全面を金属電極で覆えば、透明導電性酸化物層よりなる電極（透明酸化物電極）が形成された光取出面側に、裏面側に向かう発光を反射により重畳させることができるのみばかりか、透明導電性半導体基板の側面からも光を取り出すことができるので、光取出し効率を向上させることができる。光取出面側には、通常の電流拡散層よりも光透過率と導電性が高く、かつ厚さの小さい透明酸化物電極が形成されることで、その優れた電流拡散効果とも相俟って、素子の光取出し効率がさらに向上する。しかも、発光層部と透明酸化物電極との間にコンタクト層が形成されているので、導電性酸化物層の接触抵抗も小さい。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付の図面を参照して説明する。
図１は、本発明の一実施形態である発光素子１００を示す概念図である。発光素子１００は、導電性基板であるｎ型Ｓｉ（シリコン）単結晶基板７の主表面ＭＰ２上に、Ａｕよりなる金属層１０を介して発光層部２４が貼り合わされた構造を有してなる。また、発光層部２４の主表面ＭＰ４の全面が、透明酸化物電極であるＩＴＯ層２０により覆われている。ＩＴＯ層２０は電流拡散層及び光取出層として機能し、その主表面ＭＰ１の略中央に、発光層部２４に発光駆動電圧を印加するための金属電極（例えばＡｕ電極）９が、主表面ＭＰ１の一部を覆うように形成されている。ＩＴＯ層２０の主表面ＭＰ１における、金属電極９の周囲の領域は、発光層部２４からの光取出領域をなす。また、Ｓｉ単結晶基板７の裏面にはその全体を覆うように金属電極１５が形成されている。
【００４０】
発光層部２４は、ノンドープ（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦０．５５，０．４５≦ｙ≦０．５５）混晶からなる活性層５を、ｐ型（ＡｌｚＧａ１−ｚ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただしｘ＜ｚ≦１）からなるｐ型クラッド層６（第一導電型クラッド層）とｎ型（ＡｌｚＧａ１−ｚ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただしｘ＜ｚ≦１）からなるｎ型クラッド層４（第二導電型クラッド層）とにより挟んだ構造を有し、活性層５の組成に応じて、発光波長を、緑色から赤色領域（発光波長（中心波長）が５５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下）にて調整できる。図１の発光素子１００では、金属電極９側にｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６が配置されており、金属層１０側にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４が配置されている。従って、通電極性は金属電極９側が正である。なお、ここでいう「ノンドープ」とは、「ドーパントの積極添加を行なわない」との意味であり、通常の製造工程上、不可避的に混入するドーパント成分の含有（例えば１０１３〜１０１６／ｃｍ３程度を上限とする）をも排除するものではない。
【００４１】
Ｓｉ単結晶基板７は、Ｓｉ単結晶インゴットをスライス・研磨して製造されたものであり、その厚みは例えば１００μｍ以上５００μｍ以下である。そして、発光層部２４に対し、金属層１０を挟んで貼り合わされている。金属層１０の厚さは例えば１００ｎｍ以上である。１００ｎｍ以下では、貼り合わせ強度や反射機能が損なわれる場合がある。なお、金属層１０は、形成コスト及び時間を勘案して適宜上限を定めるが、例えば１μｍ程度である。また、ＡｌＧａＩｎＰよりなる発光層部２４とＡｕ層よりなる金属層１０との間には、ＡｕＧｅよりなる金属層用接合層３２が形成されており、素子の直列抵抗低減に貢献している。
【００４２】
さらに、ＩＴＯ層２０と発光層部２４との間には、Ｉｎを含有したＧａＡｓよりなるコンタクト層３０が形成されている。コンタクト層３０は、光吸収の影響を小さくするため、その厚さを１ｎｍ以上２０ｎｍ以下（望ましくは５ｎｍ以上１０ｎｍ以下）とする。
【００４３】
以下、図１の発光素子１００の製造方法について説明する。
まず、図２の工程１に示すように、発光層成長用基板をなす半導体単結晶基板であるＧａＡｓ単結晶基板１の主表面ＭＰ５に、ｐ型ＧａＡｓバッファ層２を例えば０．５μｍ、さらにＡｌＡｓからなる剥離層３を例えば０．５μｍエピタキシャル成長させる。次いで、後にコンタクト層３０となるＧａＡｓ層３０’をエピタキシャル成長させ、さらに発光層部２４として、１μｍのｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６、０．６μｍのＡｌＧａＩｎＰ活性層（ノンドープ）５、及び１μｍのｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４を、この順序にエピタキシャル成長させる。
【００４４】
次に、工程２に示すように、スパッタリングあるいは真空蒸着等を用いて、発光層部２４の主表面ＭＰ４に、ＡｕＧｅよりなる金属層用接合層３２を分散形成する。この状態で、３５０℃以上５００℃以下で熱処理することにより、発光層部２４と金属層用接合層３２との間にアロイ層が形成され、直列抵抗低減が大幅に低減される。他方、工程３に示すように、別途用意したＳｉ単結晶基板７（ｎ型）の主表面ＭＰ２にＡｌ層１０ｂを形成する。そして、Ｓｉ単結晶基板７のＡｌ層１０ｂを、発光層部２４上に形成されたＡｕ層１０ａに重ね合わせて圧迫し、工程４に示すように、所定の条件にて熱処理することにより、基板貼り合わせ体５０を作る。Ｓｉ単結晶基板７は、反射層となるＡｕ層１０ａを挟んで発光層部２４に貼り合わせられる。
【００４５】
次に、工程５に進み、上記基板貼り合わせ体５０を、例えば１０％フッ酸水溶液からなるエッチング液に浸漬し、バッファ層２と発光層２４との間に形成したＡｌＡｓ剥離層３を選択エッチングすることにより、ＧａＡｓ単結晶基板１（発光層２４からの光に対して不透明である）を、発光層部２４とこれに接合されたＳｉ単結晶基板７との積層体５０ａから剥離する。なお、ＡｌＡｓ剥離層３に代えてＡｌＩｎＰよりなるエッチストップ層を形成しておき、ＧａＡｓに対して選択エッチング性を有する第一エッチング液（例えばアンモニア／過酸化水素混合液）を用いてＧａＡｓ単結晶基板１をＧａＡｓバッファ層２とともにエッチング除去し、次いでＡｌＩｎＰに対して選択エッチング性を有する第二エッチング液（例えば塩酸：Ａｌ酸化層除去用にフッ酸を添加してもよい）を用いてエッチストップ層をエッチング除去する工程を採用することもできる。このように、発光層成長用基板を全てエッチングに除去することも、「剥離」の概念に属するものとする。
【００４６】
そして、工程６に示すように、ＧａＡｓ単結晶基板１の剥離により露出したＧａＡｓ層３０’の主裏面ＭＰ３の全面を覆うようにＩＴＯ層２０を形成する。ＧａＡｓ層３０’は後にコンタクト層３０となるものであり、光吸収の影響を小さくするため、その厚さを１ｎｍ以上２０ｎｍ以下（望ましくは５ｎｍ以上１０ｎｍ以下）とする。なお、コンタクト層３０は、Ｉｎを含有したＧａＡｓより構成され、例えばＭＯＶＰＥ法等により、はじめからＩｎＧａＡｓ層としてエピタキシャル成長形成することも可能であるが、Ｉｎを含有したＩＴＯ層１０あるいは２０と接して形成することを考慮すれば、上記ＧａＡｓ層３０’を用いて以下のような製造方法を採用することが可能である。すなわち、図２の工程１にて、前述の通り、ｐ型クラッド層６を形成する前に、ＧａＡｓ層３０’をＭＯＶＰＥ法により形成した後、ＩＴＯ層２０を形成する。
【００４７】
そして、図３に示すように、ＩＴＯ層２０を形成した積層体ウェーハ５０ａを炉Ｆの中に配置し、例えば窒素雰囲気中あるいはＡｒ等の不活性ガス雰囲気中にて、６００℃以上７５０℃以下（例えば７００℃）の低温で、５秒以上１２０秒以下（例えば３０秒）の短時間の熱処理を施す。これにより、ＩＴＯ層２０からＧａＡｓ層３０’にＩｎが拡散し、Ｉｎを含有したＧａＡｓよりなるコンタクト層３０（図１）が得られる。
【００４８】
該熱処理により得られるコンタクト層３０は、図４▲１▼において、ＩＴＯ層との境界近傍におけるＩｎ濃度ＣＡが、ＩｎとＧａとの合計濃度に対するＩｎの原子比にて、０．１以上０．６以下とされる。また、Ｉｎ濃度は、ＩＴＯ層から厚さ方向に遠ざかるにつれ連続的に減少するものとなっており、ＩＴＯ層との境界近傍におけるＩｎ濃度をＣＡとし、これと反対側の境界位置におけるＩｎ濃度をＣＢとしたとき、ＣＢ／ＣＡが０．８以下となるように調整されている。
【００４９】
コンタクト層３０は、ＡｌＧａＩｎＰよりなる発光層部２４に対し、格子整合性の良好なＧａＡｓ層３０’をまず形成し、その後、比較的低温で短時間の熱処理を施すことにより、Ｉｎ含有量が過剰でなく、しかも均質で連続性の良好なものとなる。その結果、発光層部２４との格子不整合による、発光強度低下などの品質劣化を効果的に防止することができる。
【００５０】
コンタクト層３０は、適当なドーパントの添加により、これと接するクラッド層６と同じ導電型を有するものとして形成してもよいが、これらコンタクト層３０を上記のような薄層として形成する場合は、これらをドーパント濃度の低い低ドープ層（例えば１０１７個／ｃｍ３以下；あるいはノンドープ層（１０１３個／ｃｍ３〜１０１６個／ｃｍ３））として形成しても直列抵抗の過度の増加を招かないので、問題なく採用可能である。他方、低ドープ層とした場合、発光素子の駆動電圧によっては、以下のような効果が達成できる。すなわち、コンタクト層３０を低ドープ層とすることで、層の電気抵抗率自体は高くなるので、これを挟む電気抵抗率の小さいクラッド層あるいはＩＴＯ層２０に対して、コンタクト層３０の層厚方向に印加される電界（すなわち、単位距離当たりの電圧）が相対的に高くなる。このとき、コンタクト層３０を、バンドギャップの比較的小さいＩｎを含有したＧａＡｓにより形成しておくと、上記電界の印加によりコンタクト層のバンド構造に適度な曲がりが生じ、より良好なオーミック状接合を形成することができる。そして、図５に示すように、コンタクト層３０のＩｎ濃度が、ＩＴＯ層２０との接触側にて高められていることで、該効果が一層顕著なものとなる。
【００５１】
こうしてコンタクト層及３０及びＩＴＯ層２０の形成が終了すれば、Ａｕ等よりなるワイヤボンディング用の電極９（ボンディングパッド：図１）をＩＴＯ層２０上に形成する。また、Ｓｉ単結晶基板７の裏面にも金属電極１５を形成する。以下、通常の方法によりダイシングして半導体チップとし、これを支持体に固着してリード線のワイヤボンディング等を行なった後、樹脂封止をすることにより最終的な発光素子が得られる。
【００５２】
なお、コンタクト層３０は、図６に示すように、金属電極９（ボンディングパッド：図１）の直下領域をなす光取り出し量が少ない第一領域には形成されず、その周囲の光取り出し量が多い第二領域にのみ選択的に形成することもできる。図６では、該第二領域においてコンタクト層３０を、その形成領域と非形成領域とが混在した形としてある。従って、コンタクト層３０の非形成領域においてはＩＴＯ透明電極層２０が発光層部２４と直接接触する形となっている。
【００５３】
図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、コンタクト層３０の形成領域は、ＩＴＯ透明電極層２０の接合界面において分散形成することにより、発光層部２４における発光を均一化し、かつコンタクト層３０の非形成領域から均一に光を取り出すことができる。図７（ａ）はコンタクト層３０の形成領域を散点状とした例であり、（ｂ）は細長い帯状のコンタクト層３０の形成領域と、同形態の非形成領域とを交互に形成した例である。さらに、（ｃ）は、（ａ）とは逆に、コンタクト層３０の形成領域を背景として、散点状の非形成領域をこれに分散形成した例である。ここではコンタクト層３０の形成領域を格子状に形成している。いずれも、周知のフォトリソグラフィー工程により、コンタクト層３０のパターニングが可能である。
【００５４】
なお、コンタクト層３０と発光層部２４とを直接接合した場合、図１０に示すように、接合界面にやや高いヘテロ障壁が形成され、これに起因して直列抵抗成分が増大する場合がありうる。そこで、これを低減する目的で、図８及び図９に示すようにＩＴＯ層２０と接するコンタクト層３０と、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６との間に、両者の中間のバンドギャップエネルギーを有する中間層３１を挿入することができる。中間層３１は、例えばＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ及びＡｌＧａＩｎＰの少なくとも１つを含むものとして構成でき、例えば中間層の全体を単一のＡｌＧａＡｓ層として構成できる。この構造を採用する場合でも、それら中間層の厚さはそれぞれ０．１μｍ程度以下（０．０１μｍ以上：これ以上薄くなると、バルクのバンド構造が失われ、所期の接合構造が得られなくなる）とすることが可能なため、薄層化によるエピタキシャル成長時間の短縮、ひいては生産性の向上を図ることができ、中間層形成による直列抵抗の増分も少なくできるため、発光効率も損なわれにくい。特に、光取出面側に形成されたＩＴＯ層２０の一部領域のみにコンタクト層３０を形成する場合は、発光通電の際の電流密度はこれらコンタクト層３０の形成領域において選択的に高くなる傾向にある。もし、コンタクト層３０とＡｌＧａＩｎＰクラッド層６との間に形成されるヘテロ障壁が高いと、電流集中の影響により、該コンタクト層３０とＡｌＧａＩｎＰクラッド層６との接合界面を通過する際の電圧降下が一層甚だしくなり、見かけの直列抵抗がより大きくなりやすい問題がある。従って、コンタクト層３０をＩＴＯ層２０の全面に形成する場合よりも、中間層３１の形成によりヘテロ障壁高さを減ずることの効果が一層顕著であるといえる。
【００５５】
なお、中間層３１は、厚さがごく小さい場合など、光吸収にそれほど悪影響を及ぼす心配が無い場合は、図８に示すように、発光層部２４の全面を覆うように形成することができる。このようにすると、コンタクト層３０のみをパターニングすればよいので、例えば化学エッチングの場合、コンタクト層３０に対するエッチャントにて中間層３１を十分にエッチングできない場合でも、製造が容易である。他方、図９に示すように、中間層３１をコンタクト層３０の形成領域にのみ形成することもでき、中間層３１による光吸収の影響をより小さくすることができる。この場合、コンタクト層３０と中間層３１とを発光層部２４の全面を覆うように形成しておき、前述のフォトリソグラフィーにより、両者を各々パターニングすればよい。この場合は、気相エッチングによりコンタクト層３０と中間層３１とを同時にエッチングしてもよいし、化学エッチングの場合は、コンタクト層３０と中間層３１とでエッチャントを交換して順次エッチングを行なうことも可能である。また、化学エッチングによりコンタクト層３０をパターニングする際に、中間層３１は、発光層部２４側への腐食の進行を停止させるストップ層として利用できる場合がある。例えば、コンタクト層３０をＩｎを含有したＧａＡｓにて構成する場合、中間層３１をＡｌＧａＡｓにて構成しておけば、アンモニア／過酸化水素をエッチャントとすることで、中間層３１をストップ層としてコンタクト層３０のみを選択エッチングすることができる。
【００５６】
なお、ＩＴＯ層２０は、透明導電性酸化物であるＩＴＯにて構成され、光取出機能と電流拡散機能とを両立した透明電極として機能する。電流拡散機能を高めるには、ＩＴＯ層２０のシート抵抗（あるいは電気比抵抗）を低減することが重要であり、また、光取出機能を高めるには、必要に応じてＩＴＯ層２０を厚く形成した場合でも、十分な光透過性が確保できるようにすることが重要である。例えばＩＴＯ層２０をスパッタリングにより形成する場合、シート抵抗を低減するには、スパッタリング電圧をなるべく低く設定することが望ましい。これは、スパッタリングのプラズマ中に含まれる負イオン（主に酸素イオンである）が堆積中のＩＴＯ層に高速で入射すると、絶縁性のＩｎＯが形成されやすくなるが、加速電圧が低くなると該ＩｎＯの形成が抑制されるためである。このようなスパッタリングの低電圧化を図るためには、スパッタリング時の磁界強度を一定以上に高めること（例えば、０．８ｋＧ以上：電圧低減効果が飽和するので２ｋＧ以下で設定することが望ましい）が有効である。シート抵抗の低減は、例えばカソード電圧の絶対値にて３５０Ｖ以下、望ましくは２５０Ｖ以下に設定することで顕著となる。磁界強度を例えば１０００Ｇ以上に設定すれば、スパッタリング電圧をカソード電圧の絶対値にて２５０Ｖ以下に容易に調整することができる。
【００５７】
また、均質で光透過率の高いＩＴＯ層を得るには、ＩＴＯ層を、明確な結晶粒界が形成されない非晶質層とすることが有利である。非晶質のＩＴＯ層を得るには、ＩＴＯの結晶化を防止するため２００℃以下の低温で成膜を行なう必要がある。この場合、低抵抗のＩＴＯ層を得るために、上記のスパッタリング条件と組み合わせることが有効であり、特に、低温でも均質で低抵抗率のＩＴＯ層を得るには、スパッタリング雰囲気中に水蒸気を導入することが有効である（例えば３×１０−３Ｐａ以上１５×１０−３Ｐａ以下）。スパッタリング雰囲気の水蒸気分圧が過度に低くなると、得られるＩＴＯ層の微結晶化が進みやすくなり、光透過率の低下及びシート抵抗の上昇が著しくなるが、一定以上の水蒸気分圧を確保することで、この微結晶化を効果的に抑制することができる。これにより、光透過率が９０％以上（望ましくは９５％以上）、比抵抗が１０００μΩ・ｃｍ以下（望ましくは８００μΩ・ｃｍ以下）のＩＴＯ層を実現できるようになる。
【００５８】
また、ＩＴＯ層２０は、均一で大きな電流拡散効果を有していることが、均一で高い発光効率を実現する上で重要である。そのためには、ＩＴＯ層を均質で低抵抗率のものとして構成する以外に、その表面の平滑性を高めることが必要となる。表面の平滑性が低下すると、電界集中しやすい突起部が多数形成されやすくなり、発光層部２４への印加電圧の不均一化により局所的な暗所を生じやすくなったり、あるいはリーク電流の発生により発光効率そのものが低下することにつながる。これらの不具合防止のため、ＩＴＯ層の表面粗さは、具体的には、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による３次元表面トポグラフィーにて、評価面積を０．２μｍ四方としたときのＲmaxの値にて１０ｎｍ以下とすること（例えば４ｎｍ以上７ｎｍ以下）に設定することが望ましい。
【００５９】
上記のようなＩＴＯ層の表面平滑化のためには、ＩＴＯ層を形成したあと、その表面を研磨することが有効であるが、機械的な研磨は高コストなので化学研磨の採用が望ましい。ＩＴＯの化学研磨液としては、例えば塩酸と硝酸の混合液や、蓚酸水溶液をを採用できる。この場合、前述のようなＩＴＯ層の微結晶化が進むと、結晶粒界でエッチングが進行しやすいことから、粒界侵食や脱粒による表面粗化を生じやすくなる。従って、均質な非晶質層を得るために、スパッタリング雰囲気中への水蒸気を導入することは、化学研磨後のＩＴＯ層の表面粗さを上記のように低減する上でも有力な手法となりうる。
【００６０】
例えば、大面積（例えば１辺が３００μｍ）の面発光型素子の発光強度を最大限に高めるためには、大面積のＩＴＯ層にできるだけ大きな電流を均一に流すことが重要である。従って、大面積の面発光型素子に本発明を適用する場合には、上記のように平滑かつ低抵抗率であり、かつ、光透過率の高いＩＴＯ層を採用することが特に有利であるといえる。
【００６１】
また、図１２に示す発光素子６００は、発光層部２４の片側の主表面に透明導電性半導体基板２３が貼り合わされ、これと反対側の主表面が、透明電極を兼ねた透明導電性酸化物層２０にて覆われた構造を有する。また、該透明導電性酸化物層２０の一部を覆う形で金属電極９が形成されてなり、透明導電性酸化物層２０の該金属電極９の周囲領域を光取出面として利用している。透明導電性半導体基板２３は例えばｎ−ＧａＰ単結晶基板２３であり、透明導電性酸化物層２０は例えばＩＴＯ層２０である。ｎ−ＧａＰ単結晶基板２３は、発光層部２４のｎ型クラッド層４側に貼り合わせてある。また、ｎ−ＧａＰ単結晶基板２３の裏面は、全面が反射層を兼ねた金属電極２１（例えばＡｕ電極）により覆われている。他方、ＩＴＯ層２０とｐ型クラッド層６との間には、ＩＴＯ層２０側から、コンタクト層３０及び中間層３１がこの順序で形成されている。コンタクト層３０は、金属電極９の直下領域をなす光取り出し量が少ない第一領域ＰＡには形成されず、その周囲の光取り出し量が多い第二領域ＳＡにのみ選択的に形成されている。これらコンタクト層３０及び中間層３１の組成及び厚さは、図１、図８あるいは図９の発光素子にて、ｐ型クラッド層６に接して形成されているコンタクト層３０及び中間層３１と同じであり、図８および図９と同様の形態でパターンニングが可能である。
【００６２】
上記素子の製法の一例を図１３に示す（特に断りのない部分については、図２と同様の工程が採用可能である）。工程１は、図２の工程１と同じである。次に、工程２においては、ｎ−ＧａＰ単結晶基板２３を用意し、発光層部２４に重ね合わせて圧迫するとともに、所定の条件にて熱処理することにより、貼り合わせを行なう（工程３）。そして、工程４においてＧａＡｓ基板１を剥離し、工程５では、露出したＧａＡｓ層３０’を、フォトリソグラフィーにより、第一領域を除去する形でパターニングする。そして、工程６に示すように、そのパターニングされたＧａＡｓ層３０’上にＩＴＯ層２０を形成し、さらに、前述のＩｎ拡散のための短時間の熱処理を行なう。その後、電極９及び２１を形成する。
【００６３】
以上説明した実施形態では、発光層部２４の各層をＡｌＧａＩｎＰ混晶にて形成していたが、該各層（ｐ型クラッド層６、活性層５及びｎ型クラッド層４）をＡｌＧａＩｎＮ混晶により形成することにより、青色あるいは紫外発光用のワイドギャップ型発光素子を構成することもできる。発光層部２４は、図１の発光素子１００と同様にＭＯＶＰＥ法により形成される。この場合、発光層部２４を成長させるための発光層成長用基板をなす半導体単結晶基板は、ＧａＡｓ単結晶基板に代えて、例えばサファイア基板（絶縁体）が使用される。
【００６４】
さらに、活性層５は上記実施形態では単一層として形成していたが、これを、バンドギャップエネルギーの異なる複数の化合物半導体層が積層されたもの、具体的には、量子井戸構造を有するものとして構成することもできる。量子井戸構造を有する活性層は、混晶比の調整によりバンドギャップが互いに相違する２層、すなわちバンドギャップエネルギーの小さい井戸層と大きい障壁層とを、各々電子の平均自由工程もしくはそれ以下の厚さ（一般に、１原子層〜数ｎｍ）となるように格子整合させる形で積層したものである。上記構造では、井戸層の電子（あるいはホール）のエネルギーが量子化されるため、例えば半導体レーザー等に適用した場合に、発振波長をエネルギー井戸層の幅や深さにより自由に調整でき、また、発振波長の安定化、発光効率の向上、さらには発振しきい電流密度の低減などに効果がある。さらに、井戸層と障壁層とは厚さが非常に小さいため、２〜３％程度までであれば格子定数のずれが許容され、発振波長領域の拡大も容易である。なお、量子井戸構造は、井戸層を複数有する多重量子井戸構造としてもよいし、井戸層を１層のみ有する単一量子井戸構造としてもいずれでもよい。なお、障壁層の厚さは、例えばクラッド層と接するもののみ５０ｎｍ程度とし、他は６ｎｍ程度とすることができる。また、井戸層は５ｎｍ程度とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の発光素子の第一実施形態を積層構造にて示す模式図。
【図２】図１の発光素子の製造工程を示す説明図。
【図３】図２に続く工程説明図。
【図４】コンタクト層の一例を示す概念図。
【図５】コンタクト層の変形例を示す概念図。
【図６】本発明の発光素子の第二実施形態を積層構造にて示す模式図。
【図７】図６の発光素子の、コンタクト層の種々のパターニング形態を示す模式図。
【図８】本発明の発光素子の第三実施形態を積層構造にて示す模式図。
【図９】本発明の発光素子の第四実施形態を積層構造にて示す模式図。
【図１０】コンタクト層のバンド構造の第一例を示す模式図。
【図１１】コンタクト層のバンド構造の第二例を示す模式図。
【図１２】本発明の発光素子の第五実施形態を積層構造にて示す模式図。
【図１３】図１３の発光素子の製造方法の一例を示す工程説明図。
【符号の説明】
１ ＧａＡｓ単結晶基板（発光層成長用基板）
４ ｎ型クラッド層（第二導電型クラッド層）
５ 活性層
６ ｐ型クラッド層（第一導電型クラッド層）
７ Ｓｉ単結晶基板（導電性基板）
９ 金属電極
１０ 金属層
２０ ＩＴＯ層
２４ 発光層部
３０ コンタクト層
３０’ ＧａＡｓ層
１００，２００，３００，４００，５００，６００ 発光素子
【発明の属する技術分野】
この発明は発光素子及び発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】
特開平７−６６４５５号公報
【特許文献２】
特開２００１−３３９１００号公報
【０００３】
（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１；以下、ＡｌＧａＩｎＰとも記載する）混晶により発光層部が形成された発光素子は、薄いＡｌＧａＩｎＰ活性層を、それよりもバンドギャップの大きいｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とによりサンドイッチ状に挟んだダブルへテロ構造を採用することにより、高輝度の素子を実現できる。また、近年では、ＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１；以下、ＩｎＧａＡｌＮとも記載する）を用いて同様のダブルへテロ構造を形成した青色発光素子も実用化されている。
【０００４】
例えば、ＡｌＧａＩｎＰ発光素子を例に取れば、ｎ型ＧａＡｓ基板上にヘテロ形成させる形にて、ｎ型ＧａＡｓバッファ層、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層をこの順序にて積層し、ダブルへテロ構造をなす発光層部を形成する。発光層部への通電は、素子表面に形成された金属電極を介して行なわれる。ここで、金属電極は遮光体として作用するため、例えば発光層部主表面の中央部のみを覆う形で形成され、その周囲の電極非形成領域から光を取り出すようにする。
【０００５】
この場合、金属電極の面積をなるべく小さくしたほうが、電極の周囲に形成される光漏出領域の面積を大きくできるので、光取出し効率を向上させる観点において有利である。従来、電極形状の工夫により、素子内に効果的に電流を拡げて光取出量を増加させる試みがなされているが、この場合も電極面積の増大はいずれにしろ避けがたく、光漏出面積の減少により却って光取出量が制限されるジレンマに陥っている。また、クラッド層のドーパントのキャリア濃度ひいては導電率は、活性層内でのキャリアの発光再結合を最適化するために多少低めに抑えられており、面内方向には電流が広がりにくい傾向がある。これは、電極被覆領域に電流密度が集中し、光漏出領域における実質的な光取出量が低下してしまうことにつながる。そこで、クラッド層と電極との間に、キャリア濃度を高めた低抵抗率の電流拡散層を形成する方法が採用されている。電流拡散層は、電流拡散効果を十分なものとするために、少なくとも５μｍ〜１０μｍ程度以上の厚みが必要とされ、有機金属気相成長法（MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy：ＭＯＶＰＥ法）や、液相エピタキシャル成長法（Liquid Phase Epitaxy：ＬＰＥ法）により形成されている。
【０００６】
他方、光取出し効率を向上させるために、発光層部の裏面側に放射される光を光取出面側に反射させて取り出すことができるような素子構造が種々提案されている。この反射層としては、例えば屈折率の異なる層を多数積層した多重反射層（例えば特許文献１参照）が使用されている。このような多重反射層は、発光層部に先立って基板上に化合物半導体薄層をヘテロエピタキシャル成長させることにより形成可能であるが、成長層数が多いので高コストとなりやすい欠点がある。また、多重反射層は積層された半導体層の屈折率の違いを利用するため、限られた角度で入射した光しか反射されず、光取出効率の大幅な向上は原理的に期待できない。他方、特許文献２には、金属反射層を基板と発光層部との間に介挿する素子構造が開示されている。金属層は反射率が高く、また、反射率の入射角度依存性あるいは波長依存性が小さい利点がある。しかし、該文献に開示された製造方法においては、発光層部をＧａＡｓ等の発光層成長用基板上にヘテロエピタキシャル成長した後、成長用基板とは反対側の発光層部主表面に、別の導電性基板を、金属層を介して貼り合せる必要がある。発光層成長用基板はその貼り合わせが終わった後で剥離除去し、その剥離面側を光取出面として利用する。この場合、この剥離面側に電流拡散層を有する構成にするには、発光層成長用基板上に発光層部をヘテロエピタキシャル成長する前に、電流拡散層となる半導体層を予め成長しておく必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の方法において電流拡散層は、発光層成長用基板への成長初期段階で形成されるので、基板との格子整合条件が必然的に厳しくなり、制約が多い。例えば、ＧａＡｓ基板を用いる場合は、これに格子整合可能な電流拡散層用の化合物半導体は、ＡｌＧａＡｓが数少ない候補となりうる。しかし、ＡｌＧａＡｓはバンドギャップエネルギーが比較的小さく、光吸収の問題が生じやすい（特に、５６０ｎｍ前後の黄緑色の発光波長）。また、Ａｌを含有しているために、以降の発光層をエピタキシャル成長する際に高温酸化の問題も生じやすい。さらに、ＡｌＧａＡｓ層をエピタキシャル成長するには高価なＭＯＶＰＥ法による成長工程が増える難点もある。そして、十分に高い電流拡散効果を得るには、電流拡散層を相当厚く成長しなければならないのも大きな欠点である。さらに、電流拡散層はドーパント濃度が高く、この上にエピタキシャル成長した発光層部の品質低下や、電流拡散層から発光層部へのドーパント拡散やオートドーピングも問題となる。
【０００８】
本発明の課題は、発光層部から発光層成長用基板を剥離して発光素子を製造する際に、光取出面となる剥離面側に電流拡散層を前もって厚く成長する必要がなく、しかも高い電流拡散効果を維持できる発光素子の製造方法と、それにより得られる発光素子とを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】
上記の課題を解決するために、本発明の発光素子の製造方法は、
発光層成長用基板の主表面に、化合物半導体よりなる発光層部をエピタキシャル成長する発光層部成長工程と、
前記発光層部から前記発光層成長用基板を剥離する剥離工程と、
前記発光層成長用基板の剥離により露出した前記発光層部側の主表面を剥離側主表面として、当該剥離側主表面を、前記発光層部に対して電圧を印加するための透明電極を兼ねた透明導電性酸化物層により被覆する透明導電性酸化物層形成工程と、
前記透明導電性酸化物層形成工程に先立って、該透明導電性酸化物層の接合抵抗を減ずるためのコンタクト層となるべき層を前記剥離側主表面に形成するコンタクト層形成工程とを有し、
前記剥離側主表面側にコンタクト層となるべきＧａＡｓ層を形成し、前記透明導電性酸化物層としてのＩＴＯ層を当該ＧａＡｓ層と接するように形成した後、熱処理することにより、前記ＩＴＯ層から前記ＧａＡｓ層にＩｎを拡散させて、Ｉｎを含有したＧａＡｓよりなるコンタクト層となすとともに、前記コンタクト層の平均的なＩｎ濃度を、ＩｎとＧａとの合計濃度に対するＩｎの原子比にて、０．１以上０．６以下とし、前記コンタクト層の、前記ＩＴＯ層との境界位置におけるＩｎ濃度をＣ Ａ とし、これと反対側の境界位置におけるＩｎ濃度をＣ Ｂ として、Ｃ Ｂ ／Ｃ Ａ を０．８以下とすることを特徴とする。
【００１０】
この方法によると、発光層成長用基板の剥離後、後工程により高い電流拡散効果を有する透明導電性酸化物層を形成するので、ヘテロエピタキシャル成長による従来の電流拡散層とは異なり、発光層成長用基板への格子整合性などは全く考慮する必要がなくなる。その結果、後述のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）など、光吸収が小さく導電性の良好な透明導電性酸化物を自由に選択できるようになる。これにより、電流拡散層を厚く成長する従来の方法に比べて光吸収の問題が生じにくくなり、また、透明導電性酸化物の形成自体は比較的低温で実施可能なスパッタリングや蒸着を採用できるので低コストであり、発光層をエピタキシャル成長する際の高温酸化の問題等も生じにくい。また、導電性の良好な透明導電性酸化物を選択すれば、その成長厚さも、従来の電流拡散層と比較して大幅に減ずることができ、能率的である。
【００１１】
他方、ＩＴＯ等の導電性酸化物層は、化合物半導体層と直接接合しようとしたとき、良好なオーミック接合が必ずしも形成されず、接触抵抗に基づく直列抵抗増大により発光効率が低下することがある。しかしながら、導電性酸化物層の接触抵抗を減ずるためのコンタクト層を、導電性酸化物層の化合物半導体層側に接するように配置することにより、導電性酸化物層の接触抵抗を下げることができる。
【００１２】
上記本発明の方法においては、発光層部の、発光層成長用基板側と反対の主表面側には、特に別の基板等を貼り合わせず、例えば該主表面を光取出面として利用すること、つまり、発光層部の両面から光を取り出す素子構造とすることも可能である。他方、上記本発明の方法においては、発光層部の、発光層成長用基板側とは反対の主表面側に導電性基板を貼り合わせることにより、基板貼り合わせ体を作る貼り合わせ工程を実施することができる。この導電性基板の貼り合わせは、種々の目的で実施できる。例えば、発光層成長用基板としてＧａＡｓのような光吸収の大きい基板を用いる場合は、ＧａＰなどの透明導電性基板を貼り合わせれば、該基板を介した素子側面からの光取出効果や、電流拡散効果を高めることが可能である。
【００１３】
他方、反射層となる金属層を挟んで導電性基板（この場合、基板自体は必ずしも透明である必要はない）を貼り合せることもできる。また、本発明の発光素子の第一は、この後者の製造方法により始めて実現可能となったものであり、導電性基板の一方の主表面上に化合物半導体よりなる発光層部が反射層となる金属層を挟んで貼り合わされ、かつ該発光層部の、前記導電性基板に面しているのと反対側の主表面が、光取出面側電極を兼ねた透明導電性酸化物層により覆われてなり、前記発光層部と前記透明導電性酸化物層との間に、該透明導電性酸化物層の接合抵抗を減ずるためのコンタクト層が、該透明導電性酸化物層に接するように配置され、前記透明導電性酸化物層がＩＴＯ層として形成され、前記発光層部と前記ＩＴＯ層との間に、前記コンタクト層が該ＩＴＯ層と接するように形成され、
前記コンタクト層は、前記透明導電性酸化物層との接合界面においてＩｎ ｘ Ｇａ １−ｘ Ａｓ（０＜ｘ≦１）であり、かつ厚さ方向におけるＩｎ濃度分布が、前記ＩＴＯ層から厚さ方向に遠ざかるにつれ連続的に減少するものとされ、前記コンタクト層の平均的なＩｎ濃度を、ＩｎとＧａとの合計濃度に対するＩｎの原子比にて０．１以上０．６以下とし、前記コンタクト層の、前記ＩＴＯ層との境界位置におけるＩｎ濃度をＣ Ａ とし、これと反対側の境界位置におけるＩｎ濃度をＣ Ｂ として、Ｃ Ｂ ／Ｃ Ａ を０．８以下としたことを特徴とする。このように発光素子を構成すると、透明導電性酸化物層よりなる電極（以下、透明酸化物電極ともいう）が形成された光取出面側に、裏面側に向かう発光を反射により重畳させることができ、光取出し効率を向上させることができる。また、光取出面側には、通常の電流拡散層よりも光透過率と導電性が高く、かつ厚さの小さい透明酸化物電極が形成されることで、その優れた電流拡散効果とも相俟って、素子の光取出し効率がさらに向上する。しかも、発光層部と透明導電性酸化物電極との間にコンタクト層が形成されているので、導電性酸化物層の接触抵抗も小さい。
【００１４】
透明導電性酸化物層は、例えばＩＴＯにて構成できる。ＩＴＯは、酸化スズをドープした酸化インジウム膜であり、酸化スズの含有量を１〜９質量％とすることで、電極層の抵抗率を５×１０−４Ω・ｃｍ以下の十分低い値とすることができる。なお、ＩＴＯ電極層以外では、ＺｎＯ電極層が高導電率であり、本発明に採用可能である。また、酸化アンチモンをドープした酸化スズ（いわゆるネサ）、Ｃｄ２ＳｎＯ４、Ｚｎ２ＳｎＯ４、ＺｎＳｎＯ３、ＭｇＩｎ２Ｏ４、酸化イットリウム（Ｙ）をドープしたＣｄＳｂ２Ｏ６、酸化スズをドープしたＧａＩｎＯ３なども透明導電性酸化物層の材質として使用することができる。これらの導電性酸化物は可視光に対して良好な透過性を有し（つまり、透明であり）、発光層部への電圧印加用電極として用いる場合、光の取出しを妨げない利点がある。また、該透明導電性酸化物層上に形成されるボンディングパッドなどの金属電極を介して素子駆動用の電圧を印加したとき、電流を面内に広げて発光を均一化し高効率化する役割も担う。これらの透明酸化物電極は、公知の気相成膜法、例えば化学蒸着法（chemical vapor deposition：ＣＶＤ）あるいはスパッタリングや真空蒸着などの物理蒸着法（physical vapor deposition：ＰＶＤ）、あるいは分子線エピタキシャル成長法（molecular beam epitaxy：ＭＢＥ）にて形成することができる。例えば、ＩＴＯ層やＺｎＯ電極層は高周波スパッタリング又は真空蒸着により製造でき、また、ネサ膜はＣＶＤ法により製造できる。また、これら気相成長法に代えて、ゾル−ゲル法など他の方法を用いて形成してもよい。
【００１５】
導電性基板はＳｉ基板又は金属基板とすることができる。金属基板としては、例えばＡｌやＣｕないしそれらの合金よりなるものが、導電性が良好で安価であり、本発明に好適に使用できる。他方、Ｓｉ基板（多結晶基板又は単結晶基板）も導電性が良好で、さらに安価であり（特に：前者は特に安価である）、本発明により有利である。
【００１６】
また、反射層は、例えばＡｕ系金属層（Ａｕを主成分（５０質量％以上）とするもの：例えばＡｕ層）とすることができる。Ａｕ系金属は反射率が高く、また、化学的にも安定であり、成膜時の反応により金属光沢が損なわれる不具合も生じにくい。
【００１７】
導電性基板をＳｉ基板とする場合、反射層は、発光層部とＳｉ基板のいずれとも接するＡｕ系金属層とすることができる。Ａｕ系金属は反射率が良好である上、Ｓｉ基板との親和性も高く、貼り合わせ強度を高く確保できる利点がある。この場合、８０℃以上３６０℃以下の貼り合わせ熱処理により、Ｓｉ基板と接するＡｕ系金属層を介して該Ｓｉ基板を発光層部に貼り合わせることが望ましい。熱処理温度が８０℃未満では貼り合わせ強度が不十分となる。また、３６０℃（Ａｕ−Ｓｉ二元系共晶温度は約３６３℃）を超えると金属層側のＡｕと基板側のＳｉとの共晶反応が著しくなり、金属層の反射率が大幅に低下してしまう不具合につながる。
【００１８】
なお、上記貼り合わせ熱処理の後、透明導電性酸化物層を剥離側主表面に形成する場合は、成長温度の比較的低いスパッタリングにて形成することが、Ａｕ系金属層とＳｉ基板との共晶反応を抑制する観点において望ましい。また、透明導電性酸化物層を非晶質酸化物層として形成すれば、成長温度をより低くできるので有利である。また、透明導電性酸化物の材質は、均質で高導電性のものを特に得やすいＩＴＯを採用することが望ましい。この場合、本発明の発光素子は、光取出面側電極を兼ねた透明導電性酸化物層がＩＴＯ層となるように構成される。換言すれば、Ａｕ系金属層を介してＳｉ基板と発光層部とが貼り合わされ、かつ、ＩＴＯにより透明導電性酸化物層を形成することで、Ａｕ系金属層への共晶形成が抑制され、その反射率を大幅に高めることが可能となるのである。
【００１９】
次に、ＩＴＯ層等の透明導電性酸化物層は、素子側の化合物半導体層と直接接合しようとしたとき、良好なオーミック接合が必ずしも形成されず、接触抵抗に基づく直列抵抗増大により発光効率が低下することがある。しかしながら、本発明の発光素子は、透明導電性酸化物層の接触抵抗を減ずるためのコンタクト層を、透明導電性酸化物層に接するように配置することにより、透明導電性酸化物層の接触抵抗を下げることができる。このようなコンタクト層は、具体的には、透明導電性酸化物層との接合界面においてＡｌを含有せず、かつバンドギャップエネルギーが１．４２ｅＶより小さい化合物半導体からなるものを好適に採用することができる。このようなコンタクト層を用いることにより、良好なオーミックコンタクトが得られ、また、Ａｌ成分酸化による抵抗増加も生じにくい。
【００２０】
コンタクト層は、具体的にはＩｎを含有したＧａＡｓを好適に用いることができる。この場合、良好なオーミックコンタクトを得るには、コンタクト層を構成する化合物半導体は、（少なくとも）透明導電性酸化物層との接合界面において、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）であればよい。
【００２１】
透明導電性酸化物層をＩＴＯ層とする場合、剥離側主表面側にＧａＡｓ層を形成し、透明導電性酸化物層としてのＩＴＯ層を当該ＧａＡｓ層と接するように形成した後、熱処理することにより、ＩＴＯ層からＧａＡｓ層にＩｎを拡散させて、Ｉｎを含有したＧａＡｓよりなるコンタクト層となすことができる。
【００２２】
コンタクト層はＩｎＧａＡｓを直接エピタキシャル成長する方法を採用してもよいのであるが、上記の方法によると、次のような利点がある。すなわち、ＧａＡｓ層は、例えばＡｌＧａＩｎＰよりなる発光層部やＧａＰよりなる透明導電性半導体基板と格子整合が極めて容易であり、ＩｎＧａＡｓを直接エピタキシャル成長する場合と比較して、均質で連続性のよい膜を形成できる。
【００２３】
そして、そのＧａＡｓ層上にＩＴＯ層を形成した後、熱処理することにより、ＩＴＯ層からＧａＡｓ層にＩｎを拡散させてコンタクト層とする。このように熱処理して得られるＩｎを含有したＧａＡｓよりなるコンタクト層は、Ｉｎ含有量が過剰とならず、発光層部との格子不整合による、発光強度低下などの品質劣化を効果的に防止することができる。ＧａＡｓ層と発光層部との格子整合は、発光層部が（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０．４５≦ｙ≦０．５５）にて構成される場合に特に良好となるので、混晶比ｙを上記の範囲に設定して、発光層部（クラッド層あるいは活性層）を形成することが望ましいといえる。
【００２４】
上記の熱処理は、コンタクト層の厚さ方向におけるＩｎ濃度分布が、図４の▲１▼に示すように、ＩＴＯ層から厚さ方向に遠ざかるにつれ連続的に減少するものとなるようにする（つまり、Ｉｎ濃度分布に傾斜をつける）ことが望ましい。こうした構造は、熱処理により、ＩＴＯ側からコンタクト層側へＩｎを拡散させることにより形成される。この場合、本発明の発光素子は、透明導電性酸化物層がＩＴＯ層として形成され、発光層部とＩＴＯ層との間に、コンタクト層が該ＩＴＯ層と接するように形成され、コンタクト層が、透明導電性酸化物層との接合界面においてＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）であり、かつ厚さ方向におけるＩｎ濃度分布が、ＩＴＯ層から厚さ方向に遠ざかるにつれ連続的に減少するものとなる。
【００２５】
このようなＩｎ濃度分布のコンタクト層を形成することにより、発光層部との格子整合性をより高めることができる。特に、前記発光層部が、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）により、第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層がこの順序にて積層されたダブルへテロ構造を有するものとして構成されている場合、発光層部側にてコンタクト層のＩｎ濃度分布が小さくなれば、発光層部との格子定数差が顕著の縮小し、格子整合性向上効果が大きい。なお、熱処理温度が過度に高くなったり、あるいは熱処理時間が長大化すると、ＩＴＯ層からのＩｎ拡散が過度に進行して、図４の▲３▼に示すように、コンタクト層内のＩｎ濃度分布が厚さ方向にほぼ一定の高い値を示すようになり、上記の効果は得られなくなる（一方、熱処理温度が過度に低くなったり、あるいは熱処理時間が過度に短時間化すると、図４の▲２▼に示すように、コンタクト層内のＩｎ濃度が不足することにつながる）。
【００２６】
この場合、図４において、コンタクト層の、ＩＴＯ層との境界近傍におけるＩｎ濃度をＣＡとし、これと反対側の境界近傍におけるＩｎ濃度をＣＢとしたとき、ＣＢ／ＣＡが０．８以下となるように調整することが望ましく、該形態のＩｎ濃度分布が得られるように、前述の熱処理を行なうことが望ましい。ＣＢ／ＣＡが０．８を超えると、Ｉｎ濃度分布傾斜による発光層部との格子整合性改善効果が十分に得られなくなる。なお、コンタクト層の厚さ方向の組成分布（ＩｎあるいはＧａ濃度分布）は、層を厚さ方向に徐々にエッチングしながら、二次イオン質量分析（Secondary Ion Mass Spectroscopy：ＳＩＭＳ）、オージェ電子分光分析（Auger Electron Spectroscopy）、Ｘ線光電子分光（X-ray Photoelectron Spectroscopy：ＸＰＳ）などの周知の表面分析方法により測定することができる。
【００２７】
コンタクト層のＩＴＯ透明電極層との境界近傍におけるＩｎ濃度は、ＩｎとＧａとの合計濃度に対するＩｎの原子比にて、０．１以上０．６以下とされることが望ましく、上記の熱処理もこのようなＩｎ濃度が得られるように行なうことが望ましい。上記定義によるＩｎ濃度が０．１未満になると、コンタクト層の接触抵抗低減効果が不十分となり、０．６を超えるとコンタクト層と発光層部との格子不整合による、発光強度低下などの品質劣化が甚だしくなる。なお、コンタクト層のＩＴＯ透明電極層との境界近傍におけるＩｎ濃度が、ＩｎとＧａとの合計濃度に対するＩｎの原子比にて、例えば前述の望ましい値（０．１以上０．６以下）を確保できるのであれば、コンタクト層の、ＩＴＯ透明電極層に面しているのと反対側の境界近傍でのＩｎ濃度ＣＢがゼロとなっていること、つまり、図５に示すように、コンタクト層のＩＴＯ透明電極層側にＩｎＧａＡｓ層が形成され、反対側の部分がＧａＡｓ層となる構造となっていても差し支えない。
【００２８】
ＩＴＯは、前述の通り酸化スズをドープした酸化インジウム膜であり、ＩＴＯ層をＧａＡｓ層上に形成し、さらにこれを適正な温度範囲にて熱処理することにより、上記望ましいＩｎ濃度を有したコンタクト層を容易に形成できる。また、この熱処理により、ＩＴＯ層の電気抵抗率をさらに低減できる。
【００２９】
この熱処理は、コンタクト層内のＩｎ濃度が過剰とならないよう、なるべく低温で短時間にて行なうことが望ましい。例えば、前述のように、導電性基板をＳｉ基板とし、８０℃以上３６０℃以下の貼り合わせ熱処理により、Ｓｉ基板と接しＡｕを主成分とするＡｕ系金属層を介してＳｉ基板を発光層部に貼り合わせる場合は、その貼り合わせ熱処理の後で、ＧａＡｓ層にＩｎを拡散させる上記の熱処理を行なうことが望ましい。そして、該Ｉｎ拡散の熱処理が低温で短時間のものに留まる限り、Ａｕ系金属層とＳｉ基板との共晶反応を十分抑制できる利点が新たに生ずるのである。
【００３０】
上記Ｉｎ拡散の熱処理は、６００℃以上７５０℃以下にて行なうことが望ましい。熱処理温度が７５０℃を超えるとＧａＡｓ層へのＩｎの拡散速度が大きくなりすぎ、コンタクト層中のＩｎ濃度が過剰となりやすくなる。また、Ｉｎ濃度が飽和して、コンタクト層の厚さ方向に傾斜したＩｎ濃度分布も得にくくなる。いずれも、コンタクト層と発光層部との格子整合が悪化することにつながる。また、ＧａＡｓ層へのＩｎの拡散が過度に進みすぎると、コンタクト層との接触部付近にてＩＴＯ層のＩｎが枯渇し、電極の電気抵抗値の上昇が避けがたくなる。さらに、熱処理温度が上記のように高温になりすぎると、ＩＴＯの酸素がＧａＡｓ層へ拡散して酸化が促進され、素子の直列抵抗が上昇しやすくなる。いずれも適正な電圧で発光素子を駆動できなくなる不具合につながる。また、熱処理温度が極端に高くなると、ＩＴＯ層の導電率がかえって損なわれる場合がある。他方、熱処理温度が６００℃未満になると、ＧａＡｓ層へのＩｎの拡散速度が小さくなりすぎ、接触抵抗を十分に低下させたコンタクト層を得るのに長時間を要するようになるので、製造能率の低下が甚だしくなる。
【００３１】
また、熱処理時間は、５秒以上１２０秒以下の短時間に設定することが望ましい。熱処理時間が１２０秒以上になると、特に、熱処理温度が上限値に近い場合、ＧａＡｓ層へのＩｎの拡散量が過剰となりやすくなる（ただし、熱処理温度を低めに留める場合は、これよりも長い熱処理時間（例えば３００秒程度まで）を採用することも可能である）。他方、熱処理時間が５秒未満になると、ＧａＡｓ層へのＩｎの拡散量が不足し、接触抵抗を十分に低下させたコンタクト層が得にくくなる。そして、ＧａＡｓ層にＩｎを拡散させる熱処理を、６００℃以上７５０℃以下の温度で５秒以上１２０秒以下実施することで、Ａｕ金属層とＳｉ基板との共晶反応も十分抑制でき、ひいては該熱処理後の金属層の反射率を高く維持することができる。
【００３２】
次に、コンタクト層は、透明酸化物電極との接合界面において、コンタクト層の形成領域と非形成領域とが混在してなることが望ましい。コンタクト層を透明酸化物電極の素子側への接合面全面を被覆するように形成すると、次のような問題が生ずる場合がある。
▲１▼透明酸化物電極上にはワイヤボンディング用の小さな金属電極を形成する必要がある。透明酸化物電極と発光層部との接触抵抗が、その金属電極の直下領域でも大幅に低くなると、駆動電流ひいては発光が該領域に集中しやすくなり、発生した光の多くが金属電極により遮蔽されて光取出効率の低下を招く。
▲２▼コンタクト層として採用する化合物半導体の材質によっては、コンタクト層が光吸収体として作用し、同様に光取出効率の低下につながる。
【００３３】
そこで、本発明の発光素子は、透明導電性酸化物層の発光層部に面しているのと反対側の主表面に、該発光層部に対して電圧を印加するための金属電極が、該主表面の一部領域を覆う形で形成され、透明導電性酸化物層が金属電極の直下領域からなる第一領域と残余の第二領域とを有し、コンタクト層は、第二領域において、第一領域よりも形成面積率が大きいものとして構成できる。なお、各領域のコンタクト層の形成面積率とは、領域中のコンタクト層の合計面積を、領域の全面積により割った比率をいう。該構成によると、光取り出し量が少ない金属電極の直下領域（第一領域）において、光取り出し量が多い残余の領域（第二領域）よりも透明酸化物電極の接合界面に形成されるコンタクト層の形成面積率を小さくしたから、第一領域における透明酸化物電極の接触抵抗が増大する。その結果、発光素子の駆動電流は、第一領域を迂回して第二領域に流れる成分が大きくなり、光取出効率を大幅に高めることができる。なお、光取り出し量が少ない第一領域には、なるべく発光駆動電流が流れないことが光取出効率向上の観点においては望ましい。従って、第一領域にはコンタクト層が可及的に形成されていないことが望ましい。
【００３４】
また、本発明の発光素子は、透明酸化物電極の接合界面のうち、発光層部からの光を外部へ取り出す量が多い第二領域において少なくとも、コンタクト層の形成領域と非形成領域とが混在してなるものとして構成できる。コンタクト層の形成領域は、分散形成されてなることが好ましい。なお、この第二領域を前記した金属電極の直下領域（第一領域）を除く残余の領域とみなすことで、該第二の構成は第一の構成と組み合わせることができる。該構造によると、透明酸化物電極の接触抵抗低減のために形成するコンタクト層が、発光層部からの光を吸収しやすい性質を有している場合においても、コンタクト層の形成領域直下にて発生した光は、これと隣接する非形成領域から漏出することにより、コンタクト層による吸収を抑制することができる。その結果、素子全体としての光取出効率を高めることができる。
【００３５】
また、コンタクト層の、透明酸化物電極に接しているのと反対側の主表面には、中間層を介して発光層部を結合することができる。該中間層は、発光層部とコンタクト層との中間のバンドギャップエネルギーを有する化合物半導体により構成される。ダブルへテロ構造の発光層部は、活性層へのキャリア閉じ込め効果を高めて内部量子効率を向上させるために、クラッド層と活性層との間の障壁高さを一定以上に高める必要がある。図１０の模式バンド図（Ｅｃは伝導帯底、Ｅｖは価電子帯頂の核エネルギーレベルを示す）に示すように、このようなクラッド層（例えばＡｌＧａＩｎＰ）にコンタクト層（例えばＩｎＧａＡｓ）を直接接合すると、クラッド層とコンタクト層との間に、接合によるバンドの曲がりにより、比較的高いヘテロ障壁が形成される場合がある。この障壁高さΔＥは、クラッド層とコンタクト層との間のバンド端不連続値が大きくなるほど高くなり、キャリアの移動、特に有効質量のより大きいホールの移動を妨げやすくなる。例えば金属電極を使用する場合は、クラッド層の全面を金属電極で覆うと光取出しができなくなるので、部分的な被覆となるように電極形成せざるを得ない。この場合、光取出し効率向上のため、電極の面内方向外側への電流拡散を何らかの形で促進しなければならない。例えば、金属電極の場合も、発光層部との間にＧａＡｓ等のコンタクト層が形成されることが多いが、金属電極の場合は、コンタクト層と発光層部との間に、ある程度高い障壁が形成された方が、障壁によるキャリアのせき止め効果により面内方向の電流拡散を促進できる利点がある。しかし、高い障壁形成のため、直列抵抗の増加は避け難い。
【００３６】
これに対し、ＩＴＯ透明電極層を用いる場合は、ＩＴＯ透明電極層自体が非常に高い電流拡散能を有しているため、障壁によるキャリアのせき止め効果はほとんど考慮する必要がない。しかも、ＩＴＯ透明電極層の採用により、光取出領域の面積は金属電極使用時と比較して大幅に増加している。そこで、図１１に示すように、コンタクト層とクラッド層との間に、それらコンタクト層とクラッド層との中間のバンドギャップエネルギーを有する中間層を挿入すると、コンタクト層と中間層、及び中間層とクラッド層とのそれぞれはバンド端不連続値が小さくなるので、各々形成される障壁高さΔＥも小さくなる。その結果、直列抵抗が軽減されて、低い駆動電圧にて十分に高い発光強度を達成することが可能となる。
【００３７】
上記中間層を採用することによる効果は、ダブルへテロ構造の発光層部の中でも、特にコンタクト層をなすＩｎを含有したＧａＡｓとの格子整合性が比較的良好な（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）にて発光層部を形成する場合に顕著である。この場合、発光層部と、コンタクト層との中間のバンドギャップエネルギーを有する中間層として、具体的には、ＡｌＧａＡｓ層、ＧａＩｎＰ層及びＡｌＧａＩｎＰ層（バンドギャップエネルギーがクラッド層より小さくなるように組成調整されたもの）の少なくとも一つを含むものを好適に採用することができ、例えばＡｌＧａＡｓ層を含むものとして形成することができる。また、これ以外の発光層部、例えば、ＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＮからなるダブルへテロ構造の発光層部にも適用可能である。この場合、中間層は、例えばＩｎＧａＡｌＮ層（バンドギャップエネルギーがクラッド層より小さくなるように組成調整されたもの）を含むものが採用可能である。
【００３８】
また、本発明の発光素子の第二は、透明導電性半導体基板の一方の主表面上に化合物半導体よりなる発光層部が貼り合わされ、かつ該発光層部の、導電性基板に面しているのと反対側の主表面が、光取出面側電極を兼ねた透明導電性酸化物層により覆われてなり、発光層部と透明導電性酸化物層との間に、該透明導電性酸化物層の接合抵抗を減ずるためのコンタクト層が、該透明導電性酸化物層に接するように配置されたことを特徴とする。透明導電性半導体基板は発光層部が発する光に対して透明な半導体にて構成される。なお、本明細書において「発光層部が発する光に対して透明」とは、発光層部が発する光の透過率が５０％以上であることをいい、透過率５０％未満を「発光層部が発する光に対して不透明」という。該透明導電性半導体基板は、裏面側光取出層として利用できる。他方、該透明導電性半導体基板の発光層部に貼り合わているのと反対側の主表面の全面を金属電極で覆えば、透明導電性酸化物層よりなる電極（透明酸化物電極）が形成された光取出面側に、裏面側に向かう発光を反射により重畳させることができるのみばかりか、透明導電性半導体基板の側面からも光を取り出すことができるので、光取出し効率を向上させることができる。光取出面側には、通常の電流拡散層よりも光透過率と導電性が高く、かつ厚さの小さい透明酸化物電極が形成されることで、その優れた電流拡散効果とも相俟って、素子の光取出し効率がさらに向上する。しかも、発光層部と透明酸化物電極との間にコンタクト層が形成されているので、導電性酸化物層の接触抵抗も小さい。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付の図面を参照して説明する。
図１は、本発明の一実施形態である発光素子１００を示す概念図である。発光素子１００は、導電性基板であるｎ型Ｓｉ（シリコン）単結晶基板７の主表面ＭＰ２上に、Ａｕよりなる金属層１０を介して発光層部２４が貼り合わされた構造を有してなる。また、発光層部２４の主表面ＭＰ４の全面が、透明酸化物電極であるＩＴＯ層２０により覆われている。ＩＴＯ層２０は電流拡散層及び光取出層として機能し、その主表面ＭＰ１の略中央に、発光層部２４に発光駆動電圧を印加するための金属電極（例えばＡｕ電極）９が、主表面ＭＰ１の一部を覆うように形成されている。ＩＴＯ層２０の主表面ＭＰ１における、金属電極９の周囲の領域は、発光層部２４からの光取出領域をなす。また、Ｓｉ単結晶基板７の裏面にはその全体を覆うように金属電極１５が形成されている。
【００４０】
発光層部２４は、ノンドープ（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦０．５５，０．４５≦ｙ≦０．５５）混晶からなる活性層５を、ｐ型（ＡｌｚＧａ１−ｚ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただしｘ＜ｚ≦１）からなるｐ型クラッド層６（第一導電型クラッド層）とｎ型（ＡｌｚＧａ１−ｚ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただしｘ＜ｚ≦１）からなるｎ型クラッド層４（第二導電型クラッド層）とにより挟んだ構造を有し、活性層５の組成に応じて、発光波長を、緑色から赤色領域（発光波長（中心波長）が５５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下）にて調整できる。図１の発光素子１００では、金属電極９側にｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６が配置されており、金属層１０側にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４が配置されている。従って、通電極性は金属電極９側が正である。なお、ここでいう「ノンドープ」とは、「ドーパントの積極添加を行なわない」との意味であり、通常の製造工程上、不可避的に混入するドーパント成分の含有（例えば１０１３〜１０１６／ｃｍ３程度を上限とする）をも排除するものではない。
【００４１】
Ｓｉ単結晶基板７は、Ｓｉ単結晶インゴットをスライス・研磨して製造されたものであり、その厚みは例えば１００μｍ以上５００μｍ以下である。そして、発光層部２４に対し、金属層１０を挟んで貼り合わされている。金属層１０の厚さは例えば１００ｎｍ以上である。１００ｎｍ以下では、貼り合わせ強度や反射機能が損なわれる場合がある。なお、金属層１０は、形成コスト及び時間を勘案して適宜上限を定めるが、例えば１μｍ程度である。また、ＡｌＧａＩｎＰよりなる発光層部２４とＡｕ層よりなる金属層１０との間には、ＡｕＧｅよりなる金属層用接合層３２が形成されており、素子の直列抵抗低減に貢献している。
【００４２】
さらに、ＩＴＯ層２０と発光層部２４との間には、Ｉｎを含有したＧａＡｓよりなるコンタクト層３０が形成されている。コンタクト層３０は、光吸収の影響を小さくするため、その厚さを１ｎｍ以上２０ｎｍ以下（望ましくは５ｎｍ以上１０ｎｍ以下）とする。
【００４３】
以下、図１の発光素子１００の製造方法について説明する。
まず、図２の工程１に示すように、発光層成長用基板をなす半導体単結晶基板であるＧａＡｓ単結晶基板１の主表面ＭＰ５に、ｐ型ＧａＡｓバッファ層２を例えば０．５μｍ、さらにＡｌＡｓからなる剥離層３を例えば０．５μｍエピタキシャル成長させる。次いで、後にコンタクト層３０となるＧａＡｓ層３０’をエピタキシャル成長させ、さらに発光層部２４として、１μｍのｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６、０．６μｍのＡｌＧａＩｎＰ活性層（ノンドープ）５、及び１μｍのｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４を、この順序にエピタキシャル成長させる。
【００４４】
次に、工程２に示すように、スパッタリングあるいは真空蒸着等を用いて、発光層部２４の主表面ＭＰ４に、ＡｕＧｅよりなる金属層用接合層３２を分散形成する。この状態で、３５０℃以上５００℃以下で熱処理することにより、発光層部２４と金属層用接合層３２との間にアロイ層が形成され、直列抵抗低減が大幅に低減される。他方、工程３に示すように、別途用意したＳｉ単結晶基板７（ｎ型）の主表面ＭＰ２にＡｌ層１０ｂを形成する。そして、Ｓｉ単結晶基板７のＡｌ層１０ｂを、発光層部２４上に形成されたＡｕ層１０ａに重ね合わせて圧迫し、工程４に示すように、所定の条件にて熱処理することにより、基板貼り合わせ体５０を作る。Ｓｉ単結晶基板７は、反射層となるＡｕ層１０ａを挟んで発光層部２４に貼り合わせられる。
【００４５】
次に、工程５に進み、上記基板貼り合わせ体５０を、例えば１０％フッ酸水溶液からなるエッチング液に浸漬し、バッファ層２と発光層２４との間に形成したＡｌＡｓ剥離層３を選択エッチングすることにより、ＧａＡｓ単結晶基板１（発光層２４からの光に対して不透明である）を、発光層部２４とこれに接合されたＳｉ単結晶基板７との積層体５０ａから剥離する。なお、ＡｌＡｓ剥離層３に代えてＡｌＩｎＰよりなるエッチストップ層を形成しておき、ＧａＡｓに対して選択エッチング性を有する第一エッチング液（例えばアンモニア／過酸化水素混合液）を用いてＧａＡｓ単結晶基板１をＧａＡｓバッファ層２とともにエッチング除去し、次いでＡｌＩｎＰに対して選択エッチング性を有する第二エッチング液（例えば塩酸：Ａｌ酸化層除去用にフッ酸を添加してもよい）を用いてエッチストップ層をエッチング除去する工程を採用することもできる。このように、発光層成長用基板を全てエッチングに除去することも、「剥離」の概念に属するものとする。
【００４６】
そして、工程６に示すように、ＧａＡｓ単結晶基板１の剥離により露出したＧａＡｓ層３０’の主裏面ＭＰ３の全面を覆うようにＩＴＯ層２０を形成する。ＧａＡｓ層３０’は後にコンタクト層３０となるものであり、光吸収の影響を小さくするため、その厚さを１ｎｍ以上２０ｎｍ以下（望ましくは５ｎｍ以上１０ｎｍ以下）とする。なお、コンタクト層３０は、Ｉｎを含有したＧａＡｓより構成され、例えばＭＯＶＰＥ法等により、はじめからＩｎＧａＡｓ層としてエピタキシャル成長形成することも可能であるが、Ｉｎを含有したＩＴＯ層１０あるいは２０と接して形成することを考慮すれば、上記ＧａＡｓ層３０’を用いて以下のような製造方法を採用することが可能である。すなわち、図２の工程１にて、前述の通り、ｐ型クラッド層６を形成する前に、ＧａＡｓ層３０’をＭＯＶＰＥ法により形成した後、ＩＴＯ層２０を形成する。
【００４７】
そして、図３に示すように、ＩＴＯ層２０を形成した積層体ウェーハ５０ａを炉Ｆの中に配置し、例えば窒素雰囲気中あるいはＡｒ等の不活性ガス雰囲気中にて、６００℃以上７５０℃以下（例えば７００℃）の低温で、５秒以上１２０秒以下（例えば３０秒）の短時間の熱処理を施す。これにより、ＩＴＯ層２０からＧａＡｓ層３０’にＩｎが拡散し、Ｉｎを含有したＧａＡｓよりなるコンタクト層３０（図１）が得られる。
【００４８】
該熱処理により得られるコンタクト層３０は、図４▲１▼において、ＩＴＯ層との境界近傍におけるＩｎ濃度ＣＡが、ＩｎとＧａとの合計濃度に対するＩｎの原子比にて、０．１以上０．６以下とされる。また、Ｉｎ濃度は、ＩＴＯ層から厚さ方向に遠ざかるにつれ連続的に減少するものとなっており、ＩＴＯ層との境界近傍におけるＩｎ濃度をＣＡとし、これと反対側の境界位置におけるＩｎ濃度をＣＢとしたとき、ＣＢ／ＣＡが０．８以下となるように調整されている。
【００４９】
コンタクト層３０は、ＡｌＧａＩｎＰよりなる発光層部２４に対し、格子整合性の良好なＧａＡｓ層３０’をまず形成し、その後、比較的低温で短時間の熱処理を施すことにより、Ｉｎ含有量が過剰でなく、しかも均質で連続性の良好なものとなる。その結果、発光層部２４との格子不整合による、発光強度低下などの品質劣化を効果的に防止することができる。
【００５０】
コンタクト層３０は、適当なドーパントの添加により、これと接するクラッド層６と同じ導電型を有するものとして形成してもよいが、これらコンタクト層３０を上記のような薄層として形成する場合は、これらをドーパント濃度の低い低ドープ層（例えば１０１７個／ｃｍ３以下；あるいはノンドープ層（１０１３個／ｃｍ３〜１０１６個／ｃｍ３））として形成しても直列抵抗の過度の増加を招かないので、問題なく採用可能である。他方、低ドープ層とした場合、発光素子の駆動電圧によっては、以下のような効果が達成できる。すなわち、コンタクト層３０を低ドープ層とすることで、層の電気抵抗率自体は高くなるので、これを挟む電気抵抗率の小さいクラッド層あるいはＩＴＯ層２０に対して、コンタクト層３０の層厚方向に印加される電界（すなわち、単位距離当たりの電圧）が相対的に高くなる。このとき、コンタクト層３０を、バンドギャップの比較的小さいＩｎを含有したＧａＡｓにより形成しておくと、上記電界の印加によりコンタクト層のバンド構造に適度な曲がりが生じ、より良好なオーミック状接合を形成することができる。そして、図５に示すように、コンタクト層３０のＩｎ濃度が、ＩＴＯ層２０との接触側にて高められていることで、該効果が一層顕著なものとなる。
【００５１】
こうしてコンタクト層及３０及びＩＴＯ層２０の形成が終了すれば、Ａｕ等よりなるワイヤボンディング用の電極９（ボンディングパッド：図１）をＩＴＯ層２０上に形成する。また、Ｓｉ単結晶基板７の裏面にも金属電極１５を形成する。以下、通常の方法によりダイシングして半導体チップとし、これを支持体に固着してリード線のワイヤボンディング等を行なった後、樹脂封止をすることにより最終的な発光素子が得られる。
【００５２】
なお、コンタクト層３０は、図６に示すように、金属電極９（ボンディングパッド：図１）の直下領域をなす光取り出し量が少ない第一領域には形成されず、その周囲の光取り出し量が多い第二領域にのみ選択的に形成することもできる。図６では、該第二領域においてコンタクト層３０を、その形成領域と非形成領域とが混在した形としてある。従って、コンタクト層３０の非形成領域においてはＩＴＯ透明電極層２０が発光層部２４と直接接触する形となっている。
【００５３】
図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、コンタクト層３０の形成領域は、ＩＴＯ透明電極層２０の接合界面において分散形成することにより、発光層部２４における発光を均一化し、かつコンタクト層３０の非形成領域から均一に光を取り出すことができる。図７（ａ）はコンタクト層３０の形成領域を散点状とした例であり、（ｂ）は細長い帯状のコンタクト層３０の形成領域と、同形態の非形成領域とを交互に形成した例である。さらに、（ｃ）は、（ａ）とは逆に、コンタクト層３０の形成領域を背景として、散点状の非形成領域をこれに分散形成した例である。ここではコンタクト層３０の形成領域を格子状に形成している。いずれも、周知のフォトリソグラフィー工程により、コンタクト層３０のパターニングが可能である。
【００５４】
なお、コンタクト層３０と発光層部２４とを直接接合した場合、図１０に示すように、接合界面にやや高いヘテロ障壁が形成され、これに起因して直列抵抗成分が増大する場合がありうる。そこで、これを低減する目的で、図８及び図９に示すようにＩＴＯ層２０と接するコンタクト層３０と、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６との間に、両者の中間のバンドギャップエネルギーを有する中間層３１を挿入することができる。中間層３１は、例えばＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ及びＡｌＧａＩｎＰの少なくとも１つを含むものとして構成でき、例えば中間層の全体を単一のＡｌＧａＡｓ層として構成できる。この構造を採用する場合でも、それら中間層の厚さはそれぞれ０．１μｍ程度以下（０．０１μｍ以上：これ以上薄くなると、バルクのバンド構造が失われ、所期の接合構造が得られなくなる）とすることが可能なため、薄層化によるエピタキシャル成長時間の短縮、ひいては生産性の向上を図ることができ、中間層形成による直列抵抗の増分も少なくできるため、発光効率も損なわれにくい。特に、光取出面側に形成されたＩＴＯ層２０の一部領域のみにコンタクト層３０を形成する場合は、発光通電の際の電流密度はこれらコンタクト層３０の形成領域において選択的に高くなる傾向にある。もし、コンタクト層３０とＡｌＧａＩｎＰクラッド層６との間に形成されるヘテロ障壁が高いと、電流集中の影響により、該コンタクト層３０とＡｌＧａＩｎＰクラッド層６との接合界面を通過する際の電圧降下が一層甚だしくなり、見かけの直列抵抗がより大きくなりやすい問題がある。従って、コンタクト層３０をＩＴＯ層２０の全面に形成する場合よりも、中間層３１の形成によりヘテロ障壁高さを減ずることの効果が一層顕著であるといえる。
【００５５】
なお、中間層３１は、厚さがごく小さい場合など、光吸収にそれほど悪影響を及ぼす心配が無い場合は、図８に示すように、発光層部２４の全面を覆うように形成することができる。このようにすると、コンタクト層３０のみをパターニングすればよいので、例えば化学エッチングの場合、コンタクト層３０に対するエッチャントにて中間層３１を十分にエッチングできない場合でも、製造が容易である。他方、図９に示すように、中間層３１をコンタクト層３０の形成領域にのみ形成することもでき、中間層３１による光吸収の影響をより小さくすることができる。この場合、コンタクト層３０と中間層３１とを発光層部２４の全面を覆うように形成しておき、前述のフォトリソグラフィーにより、両者を各々パターニングすればよい。この場合は、気相エッチングによりコンタクト層３０と中間層３１とを同時にエッチングしてもよいし、化学エッチングの場合は、コンタクト層３０と中間層３１とでエッチャントを交換して順次エッチングを行なうことも可能である。また、化学エッチングによりコンタクト層３０をパターニングする際に、中間層３１は、発光層部２４側への腐食の進行を停止させるストップ層として利用できる場合がある。例えば、コンタクト層３０をＩｎを含有したＧａＡｓにて構成する場合、中間層３１をＡｌＧａＡｓにて構成しておけば、アンモニア／過酸化水素をエッチャントとすることで、中間層３１をストップ層としてコンタクト層３０のみを選択エッチングすることができる。
【００５６】
なお、ＩＴＯ層２０は、透明導電性酸化物であるＩＴＯにて構成され、光取出機能と電流拡散機能とを両立した透明電極として機能する。電流拡散機能を高めるには、ＩＴＯ層２０のシート抵抗（あるいは電気比抵抗）を低減することが重要であり、また、光取出機能を高めるには、必要に応じてＩＴＯ層２０を厚く形成した場合でも、十分な光透過性が確保できるようにすることが重要である。例えばＩＴＯ層２０をスパッタリングにより形成する場合、シート抵抗を低減するには、スパッタリング電圧をなるべく低く設定することが望ましい。これは、スパッタリングのプラズマ中に含まれる負イオン（主に酸素イオンである）が堆積中のＩＴＯ層に高速で入射すると、絶縁性のＩｎＯが形成されやすくなるが、加速電圧が低くなると該ＩｎＯの形成が抑制されるためである。このようなスパッタリングの低電圧化を図るためには、スパッタリング時の磁界強度を一定以上に高めること（例えば、０．８ｋＧ以上：電圧低減効果が飽和するので２ｋＧ以下で設定することが望ましい）が有効である。シート抵抗の低減は、例えばカソード電圧の絶対値にて３５０Ｖ以下、望ましくは２５０Ｖ以下に設定することで顕著となる。磁界強度を例えば１０００Ｇ以上に設定すれば、スパッタリング電圧をカソード電圧の絶対値にて２５０Ｖ以下に容易に調整することができる。
【００５７】
また、均質で光透過率の高いＩＴＯ層を得るには、ＩＴＯ層を、明確な結晶粒界が形成されない非晶質層とすることが有利である。非晶質のＩＴＯ層を得るには、ＩＴＯの結晶化を防止するため２００℃以下の低温で成膜を行なう必要がある。この場合、低抵抗のＩＴＯ層を得るために、上記のスパッタリング条件と組み合わせることが有効であり、特に、低温でも均質で低抵抗率のＩＴＯ層を得るには、スパッタリング雰囲気中に水蒸気を導入することが有効である（例えば３×１０−３Ｐａ以上１５×１０−３Ｐａ以下）。スパッタリング雰囲気の水蒸気分圧が過度に低くなると、得られるＩＴＯ層の微結晶化が進みやすくなり、光透過率の低下及びシート抵抗の上昇が著しくなるが、一定以上の水蒸気分圧を確保することで、この微結晶化を効果的に抑制することができる。これにより、光透過率が９０％以上（望ましくは９５％以上）、比抵抗が１０００μΩ・ｃｍ以下（望ましくは８００μΩ・ｃｍ以下）のＩＴＯ層を実現できるようになる。
【００５８】
また、ＩＴＯ層２０は、均一で大きな電流拡散効果を有していることが、均一で高い発光効率を実現する上で重要である。そのためには、ＩＴＯ層を均質で低抵抗率のものとして構成する以外に、その表面の平滑性を高めることが必要となる。表面の平滑性が低下すると、電界集中しやすい突起部が多数形成されやすくなり、発光層部２４への印加電圧の不均一化により局所的な暗所を生じやすくなったり、あるいはリーク電流の発生により発光効率そのものが低下することにつながる。これらの不具合防止のため、ＩＴＯ層の表面粗さは、具体的には、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による３次元表面トポグラフィーにて、評価面積を０．２μｍ四方としたときのＲmaxの値にて１０ｎｍ以下とすること（例えば４ｎｍ以上７ｎｍ以下）に設定することが望ましい。
【００５９】
上記のようなＩＴＯ層の表面平滑化のためには、ＩＴＯ層を形成したあと、その表面を研磨することが有効であるが、機械的な研磨は高コストなので化学研磨の採用が望ましい。ＩＴＯの化学研磨液としては、例えば塩酸と硝酸の混合液や、蓚酸水溶液をを採用できる。この場合、前述のようなＩＴＯ層の微結晶化が進むと、結晶粒界でエッチングが進行しやすいことから、粒界侵食や脱粒による表面粗化を生じやすくなる。従って、均質な非晶質層を得るために、スパッタリング雰囲気中への水蒸気を導入することは、化学研磨後のＩＴＯ層の表面粗さを上記のように低減する上でも有力な手法となりうる。
【００６０】
例えば、大面積（例えば１辺が３００μｍ）の面発光型素子の発光強度を最大限に高めるためには、大面積のＩＴＯ層にできるだけ大きな電流を均一に流すことが重要である。従って、大面積の面発光型素子に本発明を適用する場合には、上記のように平滑かつ低抵抗率であり、かつ、光透過率の高いＩＴＯ層を採用することが特に有利であるといえる。
【００６１】
また、図１２に示す発光素子６００は、発光層部２４の片側の主表面に透明導電性半導体基板２３が貼り合わされ、これと反対側の主表面が、透明電極を兼ねた透明導電性酸化物層２０にて覆われた構造を有する。また、該透明導電性酸化物層２０の一部を覆う形で金属電極９が形成されてなり、透明導電性酸化物層２０の該金属電極９の周囲領域を光取出面として利用している。透明導電性半導体基板２３は例えばｎ−ＧａＰ単結晶基板２３であり、透明導電性酸化物層２０は例えばＩＴＯ層２０である。ｎ−ＧａＰ単結晶基板２３は、発光層部２４のｎ型クラッド層４側に貼り合わせてある。また、ｎ−ＧａＰ単結晶基板２３の裏面は、全面が反射層を兼ねた金属電極２１（例えばＡｕ電極）により覆われている。他方、ＩＴＯ層２０とｐ型クラッド層６との間には、ＩＴＯ層２０側から、コンタクト層３０及び中間層３１がこの順序で形成されている。コンタクト層３０は、金属電極９の直下領域をなす光取り出し量が少ない第一領域ＰＡには形成されず、その周囲の光取り出し量が多い第二領域ＳＡにのみ選択的に形成されている。これらコンタクト層３０及び中間層３１の組成及び厚さは、図１、図８あるいは図９の発光素子にて、ｐ型クラッド層６に接して形成されているコンタクト層３０及び中間層３１と同じであり、図８および図９と同様の形態でパターンニングが可能である。
【００６２】
上記素子の製法の一例を図１３に示す（特に断りのない部分については、図２と同様の工程が採用可能である）。工程１は、図２の工程１と同じである。次に、工程２においては、ｎ−ＧａＰ単結晶基板２３を用意し、発光層部２４に重ね合わせて圧迫するとともに、所定の条件にて熱処理することにより、貼り合わせを行なう（工程３）。そして、工程４においてＧａＡｓ基板１を剥離し、工程５では、露出したＧａＡｓ層３０’を、フォトリソグラフィーにより、第一領域を除去する形でパターニングする。そして、工程６に示すように、そのパターニングされたＧａＡｓ層３０’上にＩＴＯ層２０を形成し、さらに、前述のＩｎ拡散のための短時間の熱処理を行なう。その後、電極９及び２１を形成する。
【００６３】
以上説明した実施形態では、発光層部２４の各層をＡｌＧａＩｎＰ混晶にて形成していたが、該各層（ｐ型クラッド層６、活性層５及びｎ型クラッド層４）をＡｌＧａＩｎＮ混晶により形成することにより、青色あるいは紫外発光用のワイドギャップ型発光素子を構成することもできる。発光層部２４は、図１の発光素子１００と同様にＭＯＶＰＥ法により形成される。この場合、発光層部２４を成長させるための発光層成長用基板をなす半導体単結晶基板は、ＧａＡｓ単結晶基板に代えて、例えばサファイア基板（絶縁体）が使用される。
【００６４】
さらに、活性層５は上記実施形態では単一層として形成していたが、これを、バンドギャップエネルギーの異なる複数の化合物半導体層が積層されたもの、具体的には、量子井戸構造を有するものとして構成することもできる。量子井戸構造を有する活性層は、混晶比の調整によりバンドギャップが互いに相違する２層、すなわちバンドギャップエネルギーの小さい井戸層と大きい障壁層とを、各々電子の平均自由工程もしくはそれ以下の厚さ（一般に、１原子層〜数ｎｍ）となるように格子整合させる形で積層したものである。上記構造では、井戸層の電子（あるいはホール）のエネルギーが量子化されるため、例えば半導体レーザー等に適用した場合に、発振波長をエネルギー井戸層の幅や深さにより自由に調整でき、また、発振波長の安定化、発光効率の向上、さらには発振しきい電流密度の低減などに効果がある。さらに、井戸層と障壁層とは厚さが非常に小さいため、２〜３％程度までであれば格子定数のずれが許容され、発振波長領域の拡大も容易である。なお、量子井戸構造は、井戸層を複数有する多重量子井戸構造としてもよいし、井戸層を１層のみ有する単一量子井戸構造としてもいずれでもよい。なお、障壁層の厚さは、例えばクラッド層と接するもののみ５０ｎｍ程度とし、他は６ｎｍ程度とすることができる。また、井戸層は５ｎｍ程度とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の発光素子の第一実施形態を積層構造にて示す模式図。
【図２】図１の発光素子の製造工程を示す説明図。
【図３】図２に続く工程説明図。
【図４】コンタクト層の一例を示す概念図。
【図５】コンタクト層の変形例を示す概念図。
【図６】本発明の発光素子の第二実施形態を積層構造にて示す模式図。
【図７】図６の発光素子の、コンタクト層の種々のパターニング形態を示す模式図。
【図８】本発明の発光素子の第三実施形態を積層構造にて示す模式図。
【図９】本発明の発光素子の第四実施形態を積層構造にて示す模式図。
【図１０】コンタクト層のバンド構造の第一例を示す模式図。
【図１１】コンタクト層のバンド構造の第二例を示す模式図。
【図１２】本発明の発光素子の第五実施形態を積層構造にて示す模式図。
【図１３】図１３の発光素子の製造方法の一例を示す工程説明図。
【符号の説明】
１ ＧａＡｓ単結晶基板（発光層成長用基板）
４ ｎ型クラッド層（第二導電型クラッド層）
５ 活性層
６ ｐ型クラッド層（第一導電型クラッド層）
７ Ｓｉ単結晶基板（導電性基板）
９ 金属電極
１０ 金属層
２０ ＩＴＯ層
２４ 発光層部
３０ コンタクト層
３０’ ＧａＡｓ層
１００，２００，３００，４００，５００，６００ 発光素子
Claims (19)
- 発光層成長用基板の主表面に、化合物半導体よりなる発光層部をエピタキシャル成長する発光層部成長工程と、
前記発光層部から前記発光層成長用基板を剥離する剥離工程と、
前記発光層成長用基板の剥離により露出した前記発光層部側の主表面を剥離側主表面として、当該剥離側主表面を、前記発光層部に対して電圧を印加するための透明電極を兼ねた透明導電性酸化物層により被覆する透明導電性酸化物層形成工程と、
前記透明導電性酸化物層形成工程に先立って、該透明導電性酸化物層の接合抵抗を減ずるためのコンタクト層となるべき層を前記剥離側主表面に形成するコンタクト層形成工程とを有し、
前記剥離側主表面側にコンタクト層となるべきＧａＡｓ層を形成し、前記透明導電性酸化物層としてのＩＴＯ層を当該ＧａＡｓ層と接するように形成した後、熱処理することにより、前記ＩＴＯ層から前記ＧａＡｓ層にＩｎを拡散させて、Ｉｎを含有したＧａＡｓよりなるコンタクト層となすとともに、前記コンタクト層の平均的なＩｎ濃度を、ＩｎとＧａとの合計濃度に対するＩｎの原子比にて、０．１以上０．６以下とし、前記コンタクト層の、前記ＩＴＯ層との境界位置におけるＩｎ濃度をＣ Ａ とし、これと反対側の境界位置におけるＩｎ濃度をＣ Ｂ として、Ｃ Ｂ ／Ｃ Ａ を０．８以下とすることを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記発光層部の、前記発光層成長用基板に接しているのと反対の主表面側に導電性基板を貼り合わせることにより、基板貼り合わせ体を作る貼り合わせ工程を含むことを特徴とする請求項１記載の発光素子の製造方法。
- 反射層となる金属層を挟んで前記導電性基板を前記発光層部に貼り合わせることを特徴とする請求項２記載の発光素子の製造方法。
- 前記導電性基板をＳｉ基板又は金属基板とすることを特徴とする請求項３記載の発光素子の製造方法。
- 前記反射層をＡｕ系金属層とすることを特徴とする請求項３記載の発光素子の製造方法。
- 前記導電性基板をＳｉ基板とし、前記反射層を前記発光層部と前記Ｓｉ基板とのいずれとも接するＡｕ系金属層とし、８０℃以上３６０℃以下の貼り合わせ熱処理により、前記Ｓｉ基板と接するＡｕ系金属層を介して該Ｓｉ基板を前記発光層部に貼り合わせることを特徴とする請求項３記載の発光素子の製造方法。
- 前記貼り合わせ熱処理が終了後、前記透明導電性酸化物層を前記剥離側主表面にスパッタリングにて形成することを特徴とする請求項６記載の発光素子の製造方法。
- 前記導電性基板をＳｉ基板とし、８０℃以上３６０℃以下の貼り合わせ熱処理により、前記Ｓｉ基板と接するＡｕ系金属層を介して該Ｓｉ基板を前記発光層部に貼り合わせ、その後、前記ＧａＡｓ層にＩｎを拡散させる前記熱処理を行なうことを特徴とする請求項１記載の発光素子の製造方法。
- 前記ＧａＡｓ層にＩｎを拡散させる前記熱処理を、６００℃以上７５０℃以下の温度で５秒以上１２０秒以下実施することを特徴とする請求項１記載の発光素子の製造方法。
- 導電性基板の一方の主表面上に化合物半導体よりなる発光層部が反射層となる金属層を挟んで貼り合わされ、かつ該発光層部の、前記導電性基板に面しているのと反対側の主表面が、光取出面側電極を兼ねた透明導電性酸化物層により覆われてなり、前記発光層部と前記透明導電性酸化物層との間に、該透明導電性酸化物層の接合抵抗を減ずるためのコンタクト層が、該透明導電性酸化物層に接するように配置され、
前記透明導電性酸化物層がＩＴＯ層として形成され、前記発光層部と前記ＩＴＯ層との間に、前記コンタクト層が該ＩＴＯ層と接するように形成され、
前記コンタクト層は、前記透明導電性酸化物層との接合界面においてＩｎ ｘ Ｇａ １−ｘ Ａｓ（０＜ｘ≦１）であり、かつ厚さ方向におけるＩｎ濃度分布が、前記ＩＴＯ層から厚 さ方向に遠ざかるにつれ連続的に減少するものとされ、 前記コンタクト層の平均的なＩｎ濃度を、ＩｎとＧａとの合計濃度に対するＩｎの原子比にて０．１以上０．６以下とし、前記コンタクト層の、前記ＩＴＯ層との境界位置におけるＩｎ濃度をＣ Ａ とし、これと反対側の境界位置におけるＩｎ濃度をＣ Ｂ として、Ｃ Ｂ ／Ｃ Ａ を０．８以下としたことを特徴とする発光素子。 - 前記導電性基板をＳｉ基板又は金属基板とすることを特徴とする請求項１０記載の発光素子。
- 前記反射層は、Ａｕ系金属層であることを特徴とする請求項１０記載の発光素子。
- 前記導電性基板がＳｉ基板であり、前記反射層は、前記発光層部と前記Ｓｉ基板とのいずれとも接するＡｕ系金属層であることを特徴とする請求項１２記載の発光素子。
- 前記発光層部が、（Ａｌ ｘ Ｇａ １−ｘ ） ｙ Ｉｎ １−ｙ Ｐ（ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）により、第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層がこの順序にて積層されたダブルへテロ構造を有するものとして構成されていることを特徴とする請求項１０記載の発光素子。
- 前記透明導電性酸化物層の前記発光層部に面しているのと反対側の主表面に、該発光層部に対して電圧を印加するための金属電極が、該主表面の一部領域を覆う形で形成され、
前記透明導電性酸化物層は、前記金属電極の直下領域からなる第一領域と残余の第二領域とを有し、前記コンタクト層は、前記第二領域において、前記第一領域よりも形成面積率が大きいことを特徴とする請求項１０ないし１４のいずれか１項に記載の発光素子。 - 前記第一領域に前記コンタクト層が形成されていないことを特徴とする請求項１５記載の発光素子。
- 前記第二領域において少なくとも、前記コンタクト層の形成領域と非形成領域とが混在してなることを特徴とする請求項１５又は請求項１６に記載の発光素子。
- 前記コンタクト層の、前記透明導電性酸化物層に接しているのと反対側の主表面に、中間層を介して前記発光層部が結合されてなり、かつ、該中間層が、前記発光層部と前記コンタクト層との中間のバンドギャップエネルギーを有する化合物半導体よりなることを特徴とする請求項１０ないし１７のいずれか１項に記載の発光素子。
- 前記発光層部が、（Ａｌ ｘ Ｇａ １−ｘ ） ｙ Ｉｎ １−ｙ Ｐ（ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）よりなり、前記中間層を、ＡｌＧａＡｓ層、ＧａＩｎＰ層及びＡｌＧａＩｎＰ層のうち少なくとも一つを含むものとして形成することを特徴とする請求項１８記載の発光素子。
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