JP4827698B2 - 発光素子の形成方法 - Google Patents
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Description
2)最表面の発光層のみを複数の島状にパターニングした後で、前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせて貼り合わせ構造体を形成する工程
3)前記島状のパターニングが行われていることによって前記貼り合わせ構造体に形成されている空間に、エッチング液を浸透させて、前記分離層と前記エッチング液とを接触させて、前記島状の発光層を選択的に前記第2の基板に転写する工程。
図2を用いて、本発明の第1の実施例について説明する。
即ちコンタクト層となるp−GaAs:20nm、p側クラッド層となるp−Al0.4GaAs:350nm、発光層となるp−Al0.13GaAs:300nm、n側クラッド層となるn−Al0.23GaAs:1300nmからなる。
図3を用いて第2の実施例を説明する。
第1の実施例と同様のことを行なうが、以下の項目を変更する。
101、201 バッファ層
102、202 分離層
103、203 活性層(発光層)
104、204 光反射層
105、205 レジスト
106、206 エッチング溝
110、210 第2の基板
Claims (12)
- 第1の基板に分離層、発光層の順に成長させ、前記分離層及び発光層を第2の基板に貼り合わせ、前記分離層を除去することで、前記発光層を前記第2の基板に形成する発光素子の形成方法において、
前記第1の基板に成長させる分離層及び発光層を一組とし、該分離層及び発光層の組を複数組成長させ、
最上層に存在する発光層を島状にパターニングした後に、前記第2の基板に貼り合わせ、
前記島状にパターニングされた発光層に隣接する分離層をエッチングすることで、前記島状にパターニングされた発光層を前記第2の基板に形成することを特徴とする発光素子の形成方法。 - 前記第2の基板は複数枚あり、前記発光層を複数枚の第2の基板に形成することを特徴とする請求項1記載の発光素子の形成方法。
- 前記最上層の発光層上に光反射層が形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の発光素子の形成方法。
- 前記第2の基板に光反射層が形成されていて、前記最上層の発光層は前記光反射層上に形成されることを特徴とする請求項1又は2記載の発光素子の形成方法。
- 前記第1の基板は、化合物半導体からなる基板であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項記載の発光素子の形成方法。
- 前記第2の基板は、シリコンからなる基板であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項記載の発光素子の形成方法。
- 前記分離層のエッチングはエッチング液を用いて行われることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項記載の発光素子の形成方法。
- 前記エッチング液は、フッ酸又は塩酸溶液であることを特徴とする請求項7記載の発光素子の形成方法。
- 前記複数組の分離層及び発光層の膜厚は、上層になるに従って薄くなることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項記載の発光素子の形成方法。
- 前記島状の発光層領域は、一つの前記島状の発光層領域が一つの発光素子の発光層を構成することを特徴とする請求項1から9のいずれか1項記載の発光素子の形成方法。
- 前記島状の発光層領域は、複数の発光素子の発光層をアレイ状に含まれるように形成され、前記第2の基板をダイシングする際のチップサイズと一致することを特徴とする請求項1から9のいずれか1項記載の発光素子の形成方法。
- 第1の基板上に該第1の基板側から分離層と、発光層とをこの順に成膜し、該発光層が内側に位置するように、前記第1の基板と第2の基板に貼り合わせて貼り合わせ部材を形成し、前記分離層をエッチング除去することにより前記発光層を前記第2の基板に転写する発光素子の製造方法であって、
前記第1の基板上の前記分離層と前記発光層とからなる組を1対として、この組をn回(nは2以上の自然数である。)繰り返して成膜し、
最表面の発光層のみを複数の島状にパターニングした後で、前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせて貼り合わせ構造体を形成し、
前記島状のパターニングが行われていることによって前記貼り合わせ構造体に形成されている空間に、エッチング液を浸透させて、前記分離層と前記エッチング液とを接触させて、前記島状の発光層を選択的に前記第2の基板に転写することを特徴とする発光素子の製造方法。
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