JPH03165086A - リッジレーザの製造方法 - Google Patents
リッジレーザの製造方法Info
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- JPH03165086A JPH03165086A JP30318189A JP30318189A JPH03165086A JP H03165086 A JPH03165086 A JP H03165086A JP 30318189 A JP30318189 A JP 30318189A JP 30318189 A JP30318189 A JP 30318189A JP H03165086 A JPH03165086 A JP H03165086A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はリッジレーザの製造方法に関する。
（従来の技術）
リッジレーザは、第３図に示すように、ＡｌＧａＡｓ活
性層４上のＰ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５の部分が、矩
形形状のリッジ部８が形成されて屈折率分布を持ったも
のであり、ＡｌＧａＡｓ活性層４から発生する光の水平
方向をリッジ部８の矩形幅の領域に閉し込める構造とな
フている。また、同様な構造で高出力レーザを構成する
場合、第４図に示すように、Ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド
層５のリッジ部８以外の部分にＡｌＧａＡｓバリヤ層１
２を設けて、リッジ部８を埋込み型にし、該ＡｌＧａＡ
ｓバリヤ層１２によフて熱を拡散させるものがある。
性層４上のＰ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５の部分が、矩
形形状のリッジ部８が形成されて屈折率分布を持ったも
のであり、ＡｌＧａＡｓ活性層４から発生する光の水平
方向をリッジ部８の矩形幅の領域に閉し込める構造とな
フている。また、同様な構造で高出力レーザを構成する
場合、第４図に示すように、Ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド
層５のリッジ部８以外の部分にＡｌＧａＡｓバリヤ層１
２を設けて、リッジ部８を埋込み型にし、該ＡｌＧａＡ
ｓバリヤ層１２によフて熱を拡散させるものがある。
上述のようなリッジレーザにおいてリッジ部８を形成す
る方法としては、従来、硫酸系、燐酸系エッチャント等
によるウェットエツチング、あるいはＲＩＢＥ （リア
クティブイオンビームエツチング）等によるドライエツ
チングが用いられている。
る方法としては、従来、硫酸系、燐酸系エッチャント等
によるウェットエツチング、あるいはＲＩＢＥ （リア
クティブイオンビームエツチング）等によるドライエツ
チングが用いられている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述した従来の方法では下記のような欠
点がある。
点がある。
ウェットエツチングにおいては、薬品の混合比２周囲温
度、ウェへの表面状態などの違いで、エツチングレート
が変化し再現性に乏しい。そのため、上部クラッド層の
りッジ部以外の部分の厚み（第３図に示すＸＲ）の制御
が難しいばかりか、活性層までエツチングされてしまう
ことさえある。さらに、エツチングの際、マスクのエツ
ジの下部たけでなく側面もエツチングされて、アンター
カットが生しるため、リッジの幅の制御が難しい。
度、ウェへの表面状態などの違いで、エツチングレート
が変化し再現性に乏しい。そのため、上部クラッド層の
りッジ部以外の部分の厚み（第３図に示すＸＲ）の制御
が難しいばかりか、活性層までエツチングされてしまう
ことさえある。さらに、エツチングの際、マスクのエツ
ジの下部たけでなく側面もエツチングされて、アンター
カットが生しるため、リッジの幅の制御が難しい。
方、ドライエツチングによる方法は、ウェットエツチン
グに比べ再現性は向上するが、活性層にダメージを与え
、発振しきい値の上昇、長期信頼性の低下などを招く。
グに比べ再現性は向上するが、活性層にダメージを与え
、発振しきい値の上昇、長期信頼性の低下などを招く。
また、上述のようにウェットエツチングおよびドライエ
ツチングのいずれにしても、エツチング後の上部クラッ
ド層には、酸化されたＡｌＧａＡｓが露出するため、埋
込み再成長は困難であり、第４図に示したような埋込み
型の構造にすることが難しい。
ツチングのいずれにしても、エツチング後の上部クラッ
ド層には、酸化されたＡｌＧａＡｓが露出するため、埋
込み再成長は困難であり、第４図に示したような埋込み
型の構造にすることが難しい。
本発明は、上記従来の技術の有する欠点に鑑みてなされ
たもので、信頼性の高いリッジレーザを効率よく製造可
能とする製造方法を提供することを目的とする。
たもので、信頼性の高いリッジレーザを効率よく製造可
能とする製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、二つのＡｌＧａＡｓクラッド層が活性層を挟
んで積層され、さらに、上層のクラッド層上にＧａＡｓ
コンタクト層が積層されているウェハを用いてリッジレ
ーザを製造する方法であって、前記ＧａＡｓコンタクト
層上にＡｌＧａＡｓマスク層がストライプ状に設けられ
ているウェハを製作する第１の工程と、 該第１の工程により製作されたウェハに対して液相成長
法を行なうことにより、前記ストライプ状にＡｌＧａＡ
ｓ層が形成された部分以外を前記上層のクラッド層の範
囲で所定の厚さ溶解させ、前記ストライプ部分を突起部
とする第２の工程とを有するものであり、 また、前記ＧａＡｓコンタクト層上にＡｌＧａＡｓマス
ク層がストライプ状に設けられているウェハを製作する
第１の工程と、 該第１の工程により製作されたウェハに対して液相成長
法を行なうことにより、前記ストライプ状にＡｌＧａＡ
ｓ層が形成された部分以外を前記上層のクラッド層の範
囲で所定の厚さ溶解させ、前記ストライプ部分を突起部
とする第２の工程と、該第２の工程の液相成長法と連続
的に２度目の液相成長法を行なって、前記第２の工程に
おいて形成されたストライプ状の突起部の両側に埋込み
層を形成する第３の工程とを有するものである。
んで積層され、さらに、上層のクラッド層上にＧａＡｓ
コンタクト層が積層されているウェハを用いてリッジレ
ーザを製造する方法であって、前記ＧａＡｓコンタクト
層上にＡｌＧａＡｓマスク層がストライプ状に設けられ
ているウェハを製作する第１の工程と、 該第１の工程により製作されたウェハに対して液相成長
法を行なうことにより、前記ストライプ状にＡｌＧａＡ
ｓ層が形成された部分以外を前記上層のクラッド層の範
囲で所定の厚さ溶解させ、前記ストライプ部分を突起部
とする第２の工程とを有するものであり、 また、前記ＧａＡｓコンタクト層上にＡｌＧａＡｓマス
ク層がストライプ状に設けられているウェハを製作する
第１の工程と、 該第１の工程により製作されたウェハに対して液相成長
法を行なうことにより、前記ストライプ状にＡｌＧａＡ
ｓ層が形成された部分以外を前記上層のクラッド層の範
囲で所定の厚さ溶解させ、前記ストライプ部分を突起部
とする第２の工程と、該第２の工程の液相成長法と連続
的に２度目の液相成長法を行なって、前記第２の工程に
おいて形成されたストライプ状の突起部の両側に埋込み
層を形成する第３の工程とを有するものである。
本発明では、前述のエツチングの代わりに、液相成長法
にあけるメルトバック技術を用いて加工する。具体的に
は、空気中に露出させたＡｌＧａＡｓはメルトバックさ
れないが、空気中に露出させたＧａＡｓおよびＧａＡｓ
下部のＡｌＧａＡｓはメルトバックされるという選択性
を利用する。
にあけるメルトバック技術を用いて加工する。具体的に
は、空気中に露出させたＡｌＧａＡｓはメルトバックさ
れないが、空気中に露出させたＧａＡｓおよびＧａＡｓ
下部のＡｌＧａＡｓはメルトバックされるという選択性
を利用する。
すなわち、第１の工程においてはＡｌＧａＡｓを従来の
エツチングにおけるマスクとして形成し、つづく第２の
工程において液相成長法により選択的にメルトバックを
行なわせて、リッジ部となる突起を形成する。さらに、
第３の工程において、前記突起の両側に半導体層を成長
させることにより、埋込み構造のリッジレーザを容易に
形成することができる。
エツチングにおけるマスクとして形成し、つづく第２の
工程において液相成長法により選択的にメルトバックを
行なわせて、リッジ部となる突起を形成する。さらに、
第３の工程において、前記突起の両側に半導体層を成長
させることにより、埋込み構造のリッジレーザを容易に
形成することができる。
次に１本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１実施例による製造工程を段階的に
示す図、第３図は第１実施例により作製されるリッジレ
ーザの構成を示す図である。
示す図、第３図は第１実施例により作製されるリッジレ
ーザの構成を示す図である。
本実施例では、まず、ＭＢＥ （分子線エピタキシー
）装置で、第１図（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基
板１上に、厚さ０．５．ｕｓのｎ型ＧａＡｓバッファ層
２、厚さ １．５μｍのｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３
、厚さ ０．１μｍのノンドープＡｌＧａＡｓ活性層４
、厚さ １．５μｍのＰ型＾ｌＧａＡｓクラッド層５．
厚さ０．１μｓのＰ型ＧａＡｓ＋ンタクト層６、厚さ０
．１μｍのノンドープＡｌＧａＡｓマスク層７を順に成
長させる。ここで、ＡｌＧａＡｓの混晶比は０．３とし
た。また、活性層４はノンドープ＾１ＧａＡｓとしたが
、ノンドープＧａＡｓあるいはＡｌＧａＡｓ ＭＱＷ構
造としてもよい。
）装置で、第１図（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基
板１上に、厚さ０．５．ｕｓのｎ型ＧａＡｓバッファ層
２、厚さ １．５μｍのｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３
、厚さ ０．１μｍのノンドープＡｌＧａＡｓ活性層４
、厚さ １．５μｍのＰ型＾ｌＧａＡｓクラッド層５．
厚さ０．１μｓのＰ型ＧａＡｓ＋ンタクト層６、厚さ０
．１μｍのノンドープＡｌＧａＡｓマスク層７を順に成
長させる。ここで、ＡｌＧａＡｓの混晶比は０．３とし
た。また、活性層４はノンドープ＾１ＧａＡｓとしたが
、ノンドープＧａＡｓあるいはＡｌＧａＡｓ ＭＱＷ構
造としてもよい。
つづいて、ホトリソグラフィーによりリッジとする部分
をバターニングした後、ＡｌＧａＡｓ／ ＧａＡｓ選択
性のある塩酸十過酸化水素系エッチャントを用いて、第
１図（ｂ）に示すように、リッジとして残したい幅だけ
ストライプ状にＡｌＧａＡｓマスク層７を残し、それ以
外の部分はＧａＡｓコンタクト層６を露出させる。
をバターニングした後、ＡｌＧａＡｓ／ ＧａＡｓ選択
性のある塩酸十過酸化水素系エッチャントを用いて、第
１図（ｂ）に示すように、リッジとして残したい幅だけ
ストライプ状にＡｌＧａＡｓマスク層７を残し、それ以
外の部分はＧａＡｓコンタクト層６を露出させる。
次に、液相成長法により温度８００℃において、未飽和
度ΔＴ＝−５℃に調整したＧａメルトに３０ｓｅｃ接触
させ、第１図（Ｃ）に示すように、ＧａＡｓコンタクト
層６が露出した部分だけ、深さ方向に１゜５μｍ溶解さ
せてリッジ部８を形成する。このような液相成長法によ
るメルトバックの場合、半導体ウェハをメルトに接触さ
せる時間によって溶解の幅を制御できるので、深さ方向
へ１．５μｍ溶解させることは容易に実現できる。
度ΔＴ＝−５℃に調整したＧａメルトに３０ｓｅｃ接触
させ、第１図（Ｃ）に示すように、ＧａＡｓコンタクト
層６が露出した部分だけ、深さ方向に１゜５μｍ溶解さ
せてリッジ部８を形成する。このような液相成長法によ
るメルトバックの場合、半導体ウェハをメルトに接触さ
せる時間によって溶解の幅を制御できるので、深さ方向
へ１．５μｍ溶解させることは容易に実現できる。
その後、プラズマＣＶＤ法により、第１図（ｄ）に示す
ように、上面全面にＳｉ、Ｎ４絶縁膜９を成膜する。
ように、上面全面にＳｉ、Ｎ４絶縁膜９を成膜する。
つづいて、リッジ部８の上面のみにレジスト塗布後、０
２プラズマアツシングにより、リッジ部８の上面のレジ
ストを除去し、つづいてＳｉ３Ｎ４絶縁膜９およびＡｌ
ＧａＡｓマスク層７を、順に、それぞれ、ＢＨＦ （
フッ酸＋フッ化アンモニウム系エッチャント）、塩酸十
過酸化水素系エッチャントでエツチングして、第１図（
ｅ）に示すように、リッジ部８の上面の窓開けを行なっ
てＧａＡｓコンタクト層６を露出させる。
２プラズマアツシングにより、リッジ部８の上面のレジ
ストを除去し、つづいてＳｉ３Ｎ４絶縁膜９およびＡｌ
ＧａＡｓマスク層７を、順に、それぞれ、ＢＨＦ （
フッ酸＋フッ化アンモニウム系エッチャント）、塩酸十
過酸化水素系エッチャントでエツチングして、第１図（
ｅ）に示すように、リッジ部８の上面の窓開けを行なっ
てＧａＡｓコンタクト層６を露出させる。
そして、最後に、上面および下面の全面に、それぞれＰ
型電極１Ｏ１ｎ型電極１１を蒸着することにより、第３
図に示すようなリッジレーザを製作できる。
型電極１Ｏ１ｎ型電極１１を蒸着することにより、第３
図に示すようなリッジレーザを製作できる。
次に、本発明の第２実施例について説明する。
第２図は本発明の第２実施例による製造工程を説明する
ための図であり、第４図は第２実施例によって作製され
るリッジレーザの構成を示す図である。
ための図であり、第４図は第２実施例によって作製され
るリッジレーザの構成を示す図である。
本実施例は、第２図においてリッジ部８を形成するまで
、すなわち液相成長法により温度８００℃において未飽
和環Δ丁＝−５℃に調整したＧａメルトに３０ｓｅｃ接
触させて、第２図（Ｃ）に示すように、ＧａＡｓコンタ
クト層６が露出した部分だけ、深ざ方向に１６５μｍ溶
解させる工程までは、前述の第１実施例の場合と同じで
ある。その後、上述の液相成長法に連続して過飽和度を
ΔＴ＝ ５℃に調整したＧａメルトに接触させ、第２図
（ｄ＞に示すように、リッジ部８の上部と同じ高さにな
るまで、埋込み層であるｎ型ＡｌＧａＡｓバリヤ層１２
を成長させる。この場合、上述の第２図（ｃ）に示した
液相成長法によるメルトバックで露出したＰ型ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層５は水素雰囲気中で連続してＧａメルト
に接触されるので酸化することはなく、そのためそのＰ
型ＡｌＧａＡｓクラッド層５上にはｎ型ＡｌＧａＡｓバ
リヤ層１２は成長するが、初めから露出していた、Ｐ型
＾ｌＧａＡｓクラッド層５の上部のＡｌＧａＡｓマスク
層７は空気に触れて酸化されているので、その上面には
ｎ型ＡｌＧａＡｓバリヤ層１２は成長しない。したがっ
て、ｎ型ＡｌＧａＡｓバリヤ層１２をリッジ部８１−の
ＡｌＧａＡｓマスク層７と同じ高さまで成長させること
は容易である。このｎ型ＡｌＧａＡｓバリヤ層１２はＰ
型ＡｌＧａＡｓクラッド層５よりＡｌ混晶比を大きく、
０．４とし、かつ、該クラッド層５と反対の導通系とす
ることで、それらの屈折率差から光の閉込めを行なうと
ともに外部から供給される電流をリッジ部８のみに集中
させるバリヤとなる。
、すなわち液相成長法により温度８００℃において未飽
和環Δ丁＝−５℃に調整したＧａメルトに３０ｓｅｃ接
触させて、第２図（Ｃ）に示すように、ＧａＡｓコンタ
クト層６が露出した部分だけ、深ざ方向に１６５μｍ溶
解させる工程までは、前述の第１実施例の場合と同じで
ある。その後、上述の液相成長法に連続して過飽和度を
ΔＴ＝ ５℃に調整したＧａメルトに接触させ、第２図
（ｄ＞に示すように、リッジ部８の上部と同じ高さにな
るまで、埋込み層であるｎ型ＡｌＧａＡｓバリヤ層１２
を成長させる。この場合、上述の第２図（ｃ）に示した
液相成長法によるメルトバックで露出したＰ型ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層５は水素雰囲気中で連続してＧａメルト
に接触されるので酸化することはなく、そのためそのＰ
型ＡｌＧａＡｓクラッド層５上にはｎ型ＡｌＧａＡｓバ
リヤ層１２は成長するが、初めから露出していた、Ｐ型
＾ｌＧａＡｓクラッド層５の上部のＡｌＧａＡｓマスク
層７は空気に触れて酸化されているので、その上面には
ｎ型ＡｌＧａＡｓバリヤ層１２は成長しない。したがっ
て、ｎ型ＡｌＧａＡｓバリヤ層１２をリッジ部８１−の
ＡｌＧａＡｓマスク層７と同じ高さまで成長させること
は容易である。このｎ型ＡｌＧａＡｓバリヤ層１２はＰ
型ＡｌＧａＡｓクラッド層５よりＡｌ混晶比を大きく、
０．４とし、かつ、該クラッド層５と反対の導通系とす
ることで、それらの屈折率差から光の閉込めを行なうと
ともに外部から供給される電流をリッジ部８のみに集中
させるバリヤとなる。
つづいて、ＡｌＧａＡｓ／ ＧａＡｓ選択エッチャント
で上部のＡｌＧａＡｓマスク層７を除去し、第２図（ｅ
）に示すようにＧａＡｓコンタクト層６を露出させる。
で上部のＡｌＧａＡｓマスク層７を除去し、第２図（ｅ
）に示すようにＧａＡｓコンタクト層６を露出させる。
このとき、ＡｌＧａＡｓバリヤ層１２の表面もわずかに
エツチングされるが、レーザの特性には影響がない。
エツチングされるが、レーザの特性には影響がない。
そして最後に、上面および下面の全面に、Ｐ型電極１０
．ｎ型電極１１をそれぞれ蒸着することにより、第４図
の構造を持つ埋込み型のリッジレーザを製作できる。
．ｎ型電極１１をそれぞれ蒸着することにより、第４図
の構造を持つ埋込み型のリッジレーザを製作できる。
（発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば下記のような効果
を奏する。
を奏する。
（１）リッジとなる突起部の形成の際、ＡｌＧａＡｓマ
スク層下のアンダーカットが無くなるので、リッジ幅の
制御が容易となり再現性が向上する。
スク層下のアンダーカットが無くなるので、リッジ幅の
制御が容易となり再現性が向上する。
（２） リッジ部以外の部分の厚さ制御（ＸＲ）が容易
となって活性層へのダメージが無くなるので、低しきい
値で信頼性の高いリッジレーザを製造できるとともに、
その生産性も向上する。
となって活性層へのダメージが無くなるので、低しきい
値で信頼性の高いリッジレーザを製造できるとともに、
その生産性も向上する。
（３）リッジ部の両側に埋込み層を成長させる場合、埋
込み層を成長させる部分に酸化層が露出しないので、埋
込み層の成長が容易になり、放熱効果の高い埋込み型の
リッジレーザの生産性が向上する。
込み層を成長させる部分に酸化層が露出しないので、埋
込み層の成長が容易になり、放熱効果の高い埋込み型の
リッジレーザの生産性が向上する。
第１図は本発明の第１実施例による製造工程を示す図、
第２図は本発明の第２実施例による製造工程を示す図、
第３図および第４図は従来のリッジレーザの構成を示す
図である。 １ ・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、 ２・・・ｎ型ＧａＡｓバッファ層、 ３ ・・・ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、４ ＝ＡＩＧ
ａＡｓ活性層、 ５−Ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、 ｓ−ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、 ７一−−ＡｌＧａＡｓマスク層、 ８・・・リッジ部、 ９・・−５ｉ３Ｎ４絶縁膜、 １０−Ｐ型電極、 １１・・・ｎ型電極、 １２”−ｎ型ＡｌＧａＡｓバリヤ層。
第２図は本発明の第２実施例による製造工程を示す図、
第３図および第４図は従来のリッジレーザの構成を示す
図である。 １ ・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、 ２・・・ｎ型ＧａＡｓバッファ層、 ３ ・・・ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、４ ＝ＡＩＧ
ａＡｓ活性層、 ５−Ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、 ｓ−ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、 ７一−−ＡｌＧａＡｓマスク層、 ８・・・リッジ部、 ９・・−５ｉ３Ｎ４絶縁膜、 １０−Ｐ型電極、 １１・・・ｎ型電極、 １２”−ｎ型ＡｌＧａＡｓバリヤ層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、二つのＡｌＧａＡｓクラッド層が活性層を挟んで積
層され、さらに、上層のクラッド層上にＧａＡｓコンタ
クト層が積層されているウェハを用いてリッジレーザを
製造する方法であって、 前記ＧａＡｓコンタクト層上にＡｌＧａＡｓマスク層が
ストライプ状に設けられているウェハを製作する第１の
工程と、 該第１の工程により製作されたウェハに対して液相成長
法を行なうことにより、前記ストライプ状にＡｌＧａＡ
ｓ層が形成された部分以外を前記上層のクラッド層の範
囲で所定の厚さ溶解させ、前記ストライプ部分を突起部
とする第２の工程とを有することを特徴とするリッジレ
ーザの製造方法。 ２、二つのＡｌＧａＡｓクラッド層が活性層を挟んで積
層され、さらに、上層のクラッド層上にＧａＡｓコンタ
クト層が積層されているウェハを用いてリッジレーザを
製造する方法であつて、 前記ＧａＡｓコンタクト層上にＡｌＧａＡｓマスク層が
ストライプ状に設けられているウェハを製作する第１の
工程と、 該第１の工程により製作されたウェハに対して液相成長
法を行なうことにより、前記ストライプ状にＡｌＧａＡ
ｓ層が形成された部分以外を前記上層のクラッド層の範
囲で所定の厚さ溶解させ、前記ストライプ部分を突起部
とする第２の工程と、該第２の工程の液相成長法と連続
的に２度目の液相成長法を行なって、前記第２の工程に
おいて形成されたストライプ状の突起部の両側に埋込み
層を形成する第３の工程とを有することを特徴とするリ
ッジレーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30318189A JPH03165086A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | リッジレーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30318189A JPH03165086A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | リッジレーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03165086A true JPH03165086A (ja) | 1991-07-17 |
Family
ID=17917859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30318189A Pending JPH03165086A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | リッジレーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03165086A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0927654A (ja) * | 1994-11-19 | 1997-01-28 | Lg Electron Inc | 半導体レーザダイオードの製造方法 |
-
1989
- 1989-11-24 JP JP30318189A patent/JPH03165086A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0927654A (ja) * | 1994-11-19 | 1997-01-28 | Lg Electron Inc | 半導体レーザダイオードの製造方法 |
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