JPH01318276A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体レーザの製造方法に係り、特に半導
体層のエツチング量を精度良く制御することのできる半
導体レーザのエツチング方法に関するものである。

〔従来の技術〕

第７図は従来の屈折率導波形半導体レーザの一例を示す
斜視図である。この図において、１はｎ形ＧａＡｓから
なる基板、２ａはｎ形ＡＡＧａＡｓからなる第１クラッ
ド層、３ａはアンドープＡｆＧａＡｓからなる活性層、
４ａはｐ形ＡｌＧａＡｓからなる第２クラッド層、５は
ｐ形ＧａＡｓからなるキャップ層、６はｎ形ＧａＡｓか
らなる電流ブロック層、７はｐ形ＧａＡｓからなるコン
タクト層、８はｐ側電極、９はｎ側電極、３０は活性領
域である。

次に動作について説明する。

上記半導体レーザ装置において、ｐ側電極８に正（＋）
、ｎ側電極９に負（−）の電圧を印加すると、電流はコ
ンタクト層７からリッジ部のキャップ層５を介して注入
される。したがって、活性層３ａにおいてはりッジ部の
下の領域に比較的効率良く電流が集中し、活性層３ａの
禁制帯幅に対応する光を発生する。一方、この光に対す
るリッジ部の下の活性層３　ａ　ｓすなわち活性領域３
ｏにおける等価実効屈折率は、非リッジ部の下の活性層
３ａにおける等価実効屈折率より高くなるので、発生し
た光は活性領域３０に閉じ込められる。その結果、電流
が所定の値に達した時、利得が損失を上回りレーザ発振
が得られる。

従来の半導体レーザは以上のように構成されているので
、電流を活性領域３０に効率良く集中させるためには、
非リッジ部における第２クラッド層４ａの厚みｈｌを０
．３μｍ程度に小さくすることが必要である。しかし、
ｈ、が小さくなりすぎると、活性領域３０と活性領域３
０以外の活性層３ａの実効屈折率差が大きくなりすぎて
、基本モート等の所望の特性が得られなくなる。したが
って、ｈ、は０．１μｍ単位で精度良く制御することが
必要である。

次に、第７図に示した従来の半導体レーザの製造方法を
説明する。

第８図（ａ）〜（ｅ）は、第７図に示した従来の半導体
レーザの製造方法の工程を示す断面図である。

まず、第８図（ａ）に示すように、ｎ形ＧａＡｓからな
る基板１上に、ｎ形ＡｕＧａＡｓからなる第１クラツド
層２ａ、アンドープＡｆｌＧａＡｓからなる活性層３ａ
、ｐ形ＡβＧａＡｓからなる第２クラツト層４ａ、ｐ形
ＧａＡｓからなるキャップ層５を順次エピタキシャル成
長により形成する。次に、第８図（ｂ）に示すように、
キャップ層５上に５ｉ０２からなるストライブ状のマス
ク１０ａを形成する。

次に、第８図（Ｃ）に示すように、マスク１０ａをエツ
チング用マスクとして、例えばＨ２ＳＯ４＋Ｈ２０２系
のエツチング液により、ＧａＡｓからなるキャップ層５
を貫通して、ＡｆＬＧａＡｓからなる第２クラッド層を
厚みり、たけ残すようにエツチングしてリッジ部を形成
する。この時のエツチング量Ｔ１はエツチング時間だけ
で制御する。

次に、第８図（ｄ）に示すように、５ｉｎ２からなるマ
スク１０ａのひさしを弗酸系エツチング液等により除去
した後、マスク１０ａが付いたりッジ部頂上以外を選択
的にｎ形ＧａＡｓからなる電流ブロック層６で埋め込む
。次に、第８図（ｅ）に示すように、マスク１０ａを除
去した後、全体にｐ形ＧａＡｓからなるコンタクト層７
を成長させる。そして、最後に、Ｐ側電極８．ｎ側電極
９を形成することにより第７図に示した従来の屈折率導
波形半導体レーザを完成させる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記のような従来の屈折率導波形半導体レーザの製造方
法では、非リッジ部における第２クラット層４ａの厚み
ｈｌをエツチング時間のみで制御していたため、ｈｌを
０．１ミクロン単位で精度良く制御することが極めて困
難であった。

この発明は、かかる課題を解決するためになされたもの
で、非リッジ部における第２クラッド層の厚みを０．１
ミクロン単位で精度良く制御でき、その結果、所望の特
性を再現性良く得ることのできる半導体レーザの製造方
法を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体レーザの製造方法は、所望のエツ
チング量に対するサイドエッチ量の２倍の寸法を含む複
数種類の幅を持ち、サイドエッチの進行に伴って順次剥
離するモニタパターンを半導体層上に設けておき、モニ
タパターンの剥離によりエツチング量を決定する工程を
含むものである。

〔作用〕

この発明においては、モニタパターンの剥離からエツチ
ング量を決定することができる。

〔実施例〕

以下、この発明の実施例を図について説明する。

第１図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明の半導体レーザの製造
方法の一実施例の工程を示す断面図である。これらの図
において、第８図と同一符号は同一のものを示し、１０
ｂは５ｉ０２からなるモニタパターンで、このモニタパ
ターン１０ｂの寸法は、＜１００＞方向のエツチング量
が所望の値Ｔ１である時のサイドエッチ量Ｓｌの２倍、
すなわち［２Ｓ＋　］を含み、かつ［２Ｓ＋　］と０．
１〜０．２μｍの寸法差をもつ種々の幅に設定されてい
る。ここでは、例えば［２Ｓ、−０，３］。

［２Ｓ、−０゜２］、［２Ｓ１−０．１］、［２Ｓ！　
］　、［２ＳＩ　＋０．１］、［２Ｓ＋　＋０゜２］μ
ｍに設定している。今、エツチングしようとする層は、
ｐ形ＧａＡｓからなるキャップ層５とｐ形ＡｕＧａＡｓ
からなる第２クラッド層４ａの厚みり、の部分を除く部
分である。

まず、第１図（ａ）に示すように、キャップ層５上に５
ｉｎ２のバターニングを行う。この際、レーザ部のリッ
ジ形成用のマスク１０ａと同時に、エツチング制御用の
モニタパターン１０ｂを設けておく。

次に、第１図（ｂ）に示すように、例えばＨ２Ｓ　Ｏ４
＋　Ｈ２０２系のエツチング液を用いて、く１００〉方
向のエツチング量が所望のエツチング量Ｔ１の１／２〜
３／４、すなわち１／２Ｔ、〜３　／　４　Ｔ　ｒ程度
になるようにエツチングする。

ところで、第２図（ａ）、（ｂ）に示すように、キャッ
プ層５を貫通して第２クラッド層４ａの途中に至る＜１
００＞方向の所望のエツチング量がＴＩであるとき、サ
イドエッチ量はＳｌである。したがって、＜１００＞方
向のエツチング量が１／２Ｔ、〜３／４Ｔ、であるとき
、サイドエッチ量はＳ、よりも十分に少なく、幅［２Ｓ
＋　］のモニタパターン１０ｂはまだウェハにしっかり
付着している。

次に少しずつエツチングを追加していき、エツチングを
追加するたびにモニタパターン部を観察する。そして、
第１図（ｅ）に示すように、幅が［２Ｓ＋　］以下のモ
ニタパターン１０ｂが’ｐｊＪ　雑し、幅［２Ｓ、＋Ｏ
８１］のモニタパターン１０ｂが付着している時点でエ
ツチングを止めれば、この時、＜１００＞方向のエツチ
ング深さはＴ１となっている。

すなわち、上記のようなエツチングを含んた半導体レー
ザの製造方法では、サイドエッチによるモニタパターン
１０ｂの剥離を観察することによって、＜１００＞方向
のエツチング量を知ることができ、これによりエツチン
グ深さを正確に制御することができる。

なお、上記実施例ではエツチングしようとするキャップ
層５がＧａＡｓ、第２クラッド層４ａがＡＪ２ＧａＡｓ
と、同じＡｊ！ＧａＡｓ系の結晶材料で構成されていた
が、キャップ層と第２クラッド層が異なる結晶材料で構
成されていてもよい。

また、上記実施例ではキャップ層５と第２クラッド層４
ａを同じエツチング液を用いて連続してエツチングした
が、キャップ層５と第２クラッド層４ａとをそれぞれ異
なるエツチング液でエツチングしてもよい。

以下、この発明の他の実施例として、キャップ層と第２
クラッド層とが異なる結晶材料で構成されており、これ
に伴い、キャップ層と第２クラッド層の各々を異なるエ
ツチング液でエツチングする場合について説明する。

第３図はキャップ層と第２クラッド層とが異なる結晶材
料で構成されている他の屈折率導波形半導体レーザを示
す斜視図である。この図において、第７図と同一符号は
同一ものを示し、２ｂはｎ形ＡＪ２Ｇａ　Ｉ　ｎＰから
なる第１クラッド層、３ｂはアンドープＡＪ！Ｇａ　Ｉ
　ｎＰからなる活性層、４ｂはｐ形ＡＪ２ＧａＩｎＰか
らなる第２クラッド層である。

このレーザでは、活性層３ｂと、活性層３ｂを上下から
はさむ第２クラッド層４ｂおよび第１クラッド層２ｂが
何れもＡＪ２Ｇａ　Ｉ　ｎＰ系結晶材料で構成されてお
り、その他の層は、ＡｕＧａＡｓ系結晶材料で構成され
ている。つまり、エツチングしようとするキャップ層５
．第２クラッド層４ｂのうち、キャップ層５はＧａＡｓ
、第２クラッド層４ｂはＡｕＧａＩｎＰと、異なる結晶
材料で構成されている。このため、リッジ形成のための
エツチングもキャップ層５と第２クラッド層４ｂとで異
なるエツチング液を用いるのが一般的である。

第３図に示した構造のレーザにおいても、第７図に示し
た従来のレーザと同様、電流を活性領域３０に効率良く
集中させるためには、非リッジ部における第２クラッド
層４ｂの厚みｈ２を０．３μｍ程度に小さくすることが
必要である。すなわち、ｈ２を０．１ミクロン単位で精
度良く制御する必要がある。

次に、第３図に示したように、キャップ層５と第２クラ
ッド層４ｂが異なる結晶材料で構成されている半導体レ
ーザの製造方法を説明する。

第４図（ａ）〜（ｆ）は、第３図に示したキャップ層５
と第２クラッド層４ｂが異なる結晶材料で構成されてい
る半導体レーザの製造方法の工程を示す断面図である。

まず、第４図（ａ）に示すように、ｎ形ＧａＡｓからな
る基板１上にｎ形ＡｎＧａＩｎＰからなる第１クラツド
層２ｂ、アンドープＡｊ２ＧａＩｎＰからなる活性層３
ｂ、ｐ形Ａｊ２Ｇａ　Ｉ　ｎＰからなる第２クラツド層
４ｂ、ｐ形ＧａＡｓからなるキャップ層５を順次エピタ
キシャル成長により形成する。次に、第４図（ｂ）に示
すように、キャップ層５上にストライプ上のマスク１０
ａを形成する。次に、第４図（Ｃ）に示すように、マス
ク１０ａをエツチング用マスクとして、例えばＨ２ＳＯ
４＋Ｈ２０２系のエツチング液により、ＧａＡｓからな
るキャップ層５をエツチングして、その下のＡｎＧａ　
Ｉ　ｎＰからなる第２クラッド層４ｂを露出させる。こ
こで、ＡｆＬＧａ　Ｉ　ｎＰ系結晶材料は、Ｈ２Ｓ０４
　＋Ｈ２０２系のエツチング液ではエツチングされない
ので、ＡｌＧａ　ＩｎＰからなる第２クラッド層４ｂが
露出したところで自動的にエツチングが止まる。次に、
第４図（ｄ）に示すように、濃Ｈ２ＳＯ４あるいは濃Ｈ
Ｃ１等を用いてｐ形ＡｌｌＧａ　Ｉ　ｎＰからなる第２
クラッド層４ｂを厚みｈ２だけ残すようにエツチングし
てリッジ部を形成する。この時、ＧａＡｓからなるキャ
ップ層５は、濃Ｈ２ＳＯ４あるいはＱｌ　ＨＣｕではエ
ツチングされないので、ＡｎＧａＩｎＰからなる第２ク
ラッド層４ｂのエツチングは、実買上、ＧａＡｓからな
るキャップ層５をエツチングマスクとして行われる。な
お、この時の＜ｉｏｏ＞方向のエツチング量Ｔ２は、エ
ツチング時間だけで制御する。次に、第４図（ｅ）に示
すように、マスク１０ａが付いたリッジ部頂上以外を選
択的にｎ形ＧａＡｓからなる電流ブロック層６で埋め込
む。次に、第４図（ｆ）に示すように、マスク１０ａを
除去した後、全体にｐ形ＧａＡｓからなるコンタクト層
７を成長させる。そして最後に、ｐ側電極８．ｎ側電極
９を形成することにより、第３図に示した半導体レーザ
を完成させる。

すなわち、このようにキャップ層５と第２クラッド層４
ｂとが異なる結晶材料で構成されており、キャップ層５
と第２クラッド層４ｂの各層を異なるエツチング液でエ
ツチングする場合にも、上記実施例と同様にしてこの発
明を適用することにより、非リッジ部の第２クラッド層
４ｂの厚みｈ２を０．１ミクロン単位で制御することが
可能で、その結果所望の特性を再現性良く得ることがで
きるようになる。

次に、第３図に示した半導体レーザの製造方法にこの発
明を適用した場合の実施例を図について説明する。

第５図（ａ）〜（ｄ）はその工程を示す断面図である。

これらの図において、第１図（ａ）〜（Ｃ）、第４図（
ａ）〜（ｆ）と同一符号は同一のものを示し、１０ｃは
モニタパターン形成用のマスク、１１はモニタパターン
で、キャップ層５とマスク１０ｃとから構成されている
。今、エツチングしようとする層はキャップ層５と第２
クラッド層４ｂの厚みｈ２の部分を除く部分である。

まず、第５図（ａ）に示すように、キャップ層５の上に
５ｉｎ２のパターニングを行う。この際レーザ部のりフ
ジ形成用のマスク１０ａと同時にエツチング制御用のモ
ニタパターン１１を設けておく。ところで、第３図に示
した半導体レーザでは、キャップ層５と第２クラッド層
４ｂとが異なる結晶材料で構成されているため、例えば
ＧａＡｓからなるキャップ層５はＨ２ＳＯ４＋Ｈ２Ｏ２
系のエツチング液、ＡＪ２Ｇａ　Ｉ　ｎＰからなる第２
クラッド層４ｂは濃Ｈ２ＳＯ４あるいはｆｌＡ　ＨＣｕ
というように異なるエツチング液を用いてリッジ形成を
行うのが一般的である。この場合、Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２０
２系（７）　−１−ッチング液は、ＧａＡｓはエツチン
グするがＡｌＧａ　Ｉ　ｎＰはエッチングしない。逆に
濃Ｈ２ＳＯ４あるいは濃ＨＣβは、ＡｕＧａＩｎＰはエ
ツチングするがＧａＡｓはエツチングしない。このため
、第１図（ａ）〜（Ｃ）に示した実施例とは異な′す、
Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２Ｏ２系のエツチング液でＧａＡｓから
なるキャップ層５を貫通した後、次に濃Ｈ２Ｓｏ４ある
いは濃ＨＣＪ２でＡｆｌＧａＩｎＰからなる第２クラッ
ド層４ｂをエツチングしているとき、マスク１０ａおよ
びモニタパターン１１とＧａＡｓからなるキャップ層５
との間においては、キャップ層５がエツチングされない
ため、サイドエッチは進行せず、ＧａＡｓからなるキャ
ップ層５とＡβＧａＩｎＰからなる第２クラッド層４ｂ
との間でサイドエッチが進行する。したがって、第５図
（ａ）に示した実施例におけるモニタパターン１１の寸
法は、第２クラッド層４ｂの＜１００＞方向の所望のエ
ツチング量Ｔ２に対するサイドエッチ量が３２である場
合、先に選択的にエツチングされるキャップ層５の底部
の幅が、［２Ｓ２］近傍で０．１ミクロン程度の寸法差
となるように設定しておく必要がある。

次に、第５図（ｂ）に示すように、例えばＨ２ＳＯ４＋
Ｈ２Ｏ２系のエツチング液を用いてＧａＡｓからなるキ
ャップ層５を選択的にエツチングする。ここで、モニタ
パターン部におけるキャップ層５の底部の寸法は、・・
・・・・［２Ｓ２−０．３１゜［２Ｓ２−０．２］、［
２Ｓ２−０．１］、［２Ｓ　２　コ　、　　　［２Ｓ　
　２　　＋０．　　１］、　　　［２Ｓ　　２　　＋０
゜２］μｍに設定している。次に、第５図（Ｃ）に示す
ように、例えば濃Ｈ２ＳＯ２あるいは濃ＨＣｌ等のエツ
チング液により、Ａｊ２Ｇａ　Ｉ　ｎＰからなる第２ク
ラッド層４ｂの＜１００＞方向のエツチング量が所望の
エツチング量Ｔ２の１／２〜３／４、すなわち、１　／
２　Ｔ２〜３／４Ｔ２程度になるようにエツチングする
。

ところで、第６図（ａ）、（ｂ）に示すように、第２ク
ラッド層４ｂの＜１００＞方向のエツチング量がＴ２で
あるとき、サイドエッチ量はＳ２であるから、第２クラ
ッド層４ｂのく１００〉方向のエツチング量が１　／２
　Ｔ２〜３／４Ｔ２であるとき、第２クラッド層４ｂと
キャップ層５との間におけるサイドエッチ量はＳ２より
も充分に少なく、キャップ層５の底幅が［２Ｓ２　］の
モニタパターン１１はまだしっかりクエへに付着してい
る。

次に、少しずつエツチングを追加していき、エツチング
を追加するたびにモニタパターン部を観察する。そして
、第５図（ｄ）に示すように、キャップ層５の底幅が［
２Ｓ２］以下のモニタパターン１１が剥離し、幅［２Ｓ
２＋０．１３のモニタパターン１１が付着している時点
でエツチングを止めれば、この時、第２クラッド層４ｂ
の＜１００＞方向のエツチング深さはＴ２となっている
。

したがって、以上のようにキャップ層５と第２クラッド
層４ｂとが異なる結晶材料で構成されており、それぞれ
の層を異なるエツチング液でエツチングするような場合
においても、この発明を適用することにより、＜１００
＞方向のエツチング量を正確に制御できる。

なお、上記実施例ではエツチング液として、ＡｕＧａＡ
ｓ系結晶に対してはＨ２Ｓ　０４　＋　Ｈ２Ｏ２系のエ
ツチング液、ＡＪ２Ｇａ　Ｉ　ｎＰ系結晶に対しては濃
Ｈ２ＳＯ２あるいは濃ＨＣｕを用いたが、これら以外の
異なる種類のエツチング液を用いてもよい。

また、上記実施例ではリッジ部が電流通路となるような
屈折導波形半導体レーザな例に説明したが、他のレーザ
構造、例えばエツチング溝部が電流通路となるようなレ
ーザ構造等にも適用できる。

また、エツチング用のマスク剤は必ずしもＳｉＯ２であ
る必要がなく、例えば、ＳｉＮや場合によってはフォト
レジストとしても同様の効果を奏する。

〔発明の効果〕

この発明は以上説明したとおり、所望のエツチング量に
対するサイドエッチ量の２倍の寸法を含む複数種類の幅
を持ち、サイドエッチの進行に伴って順次剥離するモニ
タパターンを半導体層上に設けておき、モニタパターン
の剥離によりエツチング量を決定する工程を含むので、
サイドエッチによるモニタパターンの剥離を観察しなが
らエツチングの終点を決定することができ、エツチング
量を精度よく制御することができるため、半導体レーザ
の所望の特性を再現性良く得ることができるという効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の半導体レーザの製造方法の一実施例
の工程を示す断面図、第２図は、第１図のエツチング工
程におけるエツチング時間とエツチング量との関係を示
す図、第３図はキャップ層と第２クラッド層とが異なる
結晶材料で構成されている屈折率導波形半導体レーザを
示す斜視図、第４図は、第３図に示した半導体レーザの
製造方法の工程を示す断面図、第５図はこの発明の他の
実施例の工程を示す断面図、第６図は、第５図のエツチ
ング工程におけるエツチング時間とエツチング量との関
係を示す図、第７図は従来の屈折率導波形半導体レーザ
を示す斜視図、第８図は、第７図に示した半導体レーザ
の製造方法の工程を示す断面図である。 図において、１はｎ形ＧａＡｓからなる基板、２ａはｎ
形ＡＪ２ＧａＡｓからなる第１クラッド層、２ｂはｎ形
ＡｎＧａ　Ｉ　ｎＰからなる第１クラッド層、３ａはア
ンドープＡｊ２ＧａＡｓからなる活性層、３ｂはアント
；−ブＡＪ２ＧａｌｎＰからなる活性層、４ａはｐ形Ａ
ｆｌＧａＡｓからなる第２クラッド層、４ｂはｐ形Ａｎ
ＧａｌｎＰからなる第２クラッド層、５はｐ形ＧａＡＳ
からなるキャップ層、６はｎ形ＧａＡｓからなる電流ブ
ロック層、７はｐ形ＧａＡｓコンタクト層、１０ｂ。 １１はモニタパターンである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　　（外２名）第１図 １０ｂモニタパターン 第２図 Ｕ　　　　　エツテンク１号関 第３図 ７　　ｐＦ３ＧａＡＳコ＞ｙり）４ 第４図 第・　５　図 第６図 エツチング時間 第７図 第８図 １、事件の表示　　特願昭６３−１５３０６８号２、発
明の名称　半導体レーザの製造方法；３．補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住　所　　　　東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
　称　　（６０１）三菱電機株式会社代表者　志　岐　
守　哉 ４、代理人 住　所　　　　東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対重 明細書の発明の詳細な説明の欄２図面の簡単な説明の欄
および図面 ６、補正の内容 （１）明細書の第２頁１１行の「半導体レーザ装置」を
、［屈折率導波形半導体レーザ」と補正する。 （２）同じく第３頁４行、１４行、１７行の「半導体レ
ーザ」を、いずれも「屈折率導波形半導体レーザ」と補
正する。 （３）同じく第３頁１０行の「実効屈折率差」を、「等
価実効屈折率差」と補正する。 （４）同じく第４頁１１〜１２行のｒ　Ａ、　ｌ　Ｇ　
ａＡｓからなる第２クラッド層Ｊを、ｒｐ形ＡｌＧａＡ
ｓからなる第２クラッド層４ａＪと補正する。 （５）同じく第９頁１９行の「同一もの」を、「同一の
もの」と補正する。 （６）　　同じく第１１頁１７行の［ストライプ上のマ
スク１０ａＪを、「ストライブ状のマスク１０ａ」と補
正する。 （７）同じく第１５頁９行の［モニタパターン１１」を
、「マスク１０Ｃ」と補正する。 （８）同じく第１８頁８行の［屈折導波形半導体レーザ
」を、「屈折率導波形半導体レーザ」と補正する。 （９）同じく第１８頁１２行の「マスク剤」を、「マス
ク材」と補正する。 （１０）同じく第２０頁１行の「半導体レーザ」を、「
屈折率導波形半導体レーザ」と補正する。 （１１）同じく第２０頁１０行の［ｐ形ＧａＡＳＪを、
［ｐ形ＧａＡｓＪと補正する。 （１２）同じく第２０頁１２行の［７はｐ形ＧａＡｓコ
ンククト層、」を、「７はｐ形Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　ｈ）ら
なるコンタクト層、」と補正する。 （１３）図面中、第３図を別紙のように補正する。 以　　上 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体層をエッチングする工程を有する半導体レーザ
   の製造方法において、所望のエッチング量に対するサイ
   ドエッチ量の２倍の寸法を含む複数種類の幅を持ち、サ
   イドエッチの進行に伴って順次剥離するモニタパターン
   を前記半導体層上に設けておき、前記モニタパターンの
   剥離によりエッチング量を決定する工程を含むことを特
   徴とする半導体レーザの製造方法。