JPH0283990A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
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- JPH0283990A JPH0283990A JP63237040A JP23704088A JPH0283990A JP H0283990 A JPH0283990 A JP H0283990A JP 63237040 A JP63237040 A JP 63237040A JP 23704088 A JP23704088 A JP 23704088A JP H0283990 A JPH0283990 A JP H0283990A
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Links
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体発光装置の製造方法、とりわけ光出力モ
ニター用フォトダイオードを集積したレーザアレイや送
信用光電子集積回路等を製造する方法に関する。
ニター用フォトダイオードを集積したレーザアレイや送
信用光電子集積回路等を製造する方法に関する。
近年、光通信技術の進歩とともに半導体光デバイスの高
速化、高機能化が強く求められており、並列伝送用レー
ザアレイや、レーザに駆動回路・信号処理回路等を集積
した光電子集積回路の開発が期待されている。ところで
これらレーザの集積化デバイスには光出力モニター用の
フォトダイオードを集積化することが必要であり、これ
を実現するなめにドライエツチングにより、レーザ層へ
の共振器面形成と素子分離を行ない、分離された一方の
レーザ層をフォトダイオードとして用いる方法がある。
速化、高機能化が強く求められており、並列伝送用レー
ザアレイや、レーザに駆動回路・信号処理回路等を集積
した光電子集積回路の開発が期待されている。ところで
これらレーザの集積化デバイスには光出力モニター用の
フォトダイオードを集積化することが必要であり、これ
を実現するなめにドライエツチングにより、レーザ層へ
の共振器面形成と素子分離を行ない、分離された一方の
レーザ層をフォトダイオードとして用いる方法がある。
この場合、各々の素子は独立して駆動させるために電気
的に分離する必要があり、基体は半絶縁性のものを用い
、エツチングは基体に達するまで行なわなければならな
い、従来からは、１回のドライエツチングにより共振器
面形成と素子分離とを行なう方法が知られていたく電子
情報通信学会光量子エレクトロニクス研究会０ＱＥ８７
−５２ ＰＰ４１〜４６．１９８７参照）、シかしレ
ーザ層は通常６μｍ以上の厚さがあり、−方、ドライエ
ツチングにより形成できるパターンの深さは共振器面を
形成する場合、マスクとの選択比及びマスクのエツチン
グによる後退を考慮すると、約５μｍであるにの為、基
体に達するまでエツチングできず、電気的な分離がとれ
ないといった欠点を有していた。
的に分離する必要があり、基体は半絶縁性のものを用い
、エツチングは基体に達するまで行なわなければならな
い、従来からは、１回のドライエツチングにより共振器
面形成と素子分離とを行なう方法が知られていたく電子
情報通信学会光量子エレクトロニクス研究会０ＱＥ８７
−５２ ＰＰ４１〜４６．１９８７参照）、シかしレ
ーザ層は通常６μｍ以上の厚さがあり、−方、ドライエ
ツチングにより形成できるパターンの深さは共振器面を
形成する場合、マスクとの選択比及びマスクのエツチン
グによる後退を考慮すると、約５μｍであるにの為、基
体に達するまでエツチングできず、電気的な分離がとれ
ないといった欠点を有していた。
本発明の目的はこのような問題点を解決し、半絶縁性基
体上に形成され、かつ、レーザとフォトダイオードの各
々の電気的分離がなされた光出力モニター用フォトダイ
オードを集積したレーザアレイや送信用光電子集積回路
を容易に製造する方法を提供することにある。
体上に形成され、かつ、レーザとフォトダイオードの各
々の電気的分離がなされた光出力モニター用フォトダイ
オードを集積したレーザアレイや送信用光電子集積回路
を容易に製造する方法を提供することにある。
本発明の半導体発光装置の製造方法の構成は半絶縁性基
板上に形成された多層構造から成るレーザ層をウェット
エツチングによりレーザ層の途中までエツチングし島状
のメサを形成する工程と、共振器面形成の為のドライエ
ツチング用マスクパターン部をメサ上に形成する工程と
、ドライエ・ンチングにより共振器面を形成する工程と
を少くとも含むことを特徴とする。
板上に形成された多層構造から成るレーザ層をウェット
エツチングによりレーザ層の途中までエツチングし島状
のメサを形成する工程と、共振器面形成の為のドライエ
ツチング用マスクパターン部をメサ上に形成する工程と
、ドライエ・ンチングにより共振器面を形成する工程と
を少くとも含むことを特徴とする。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。第
１図は本発明の一実施例のエツチング工程図である。第
１図（ａ）はレーザ層断面、第１図（ｂ）′は第１図（
ａ）に垂直な方向、すなわち、第１図（ａ）のＡ−Ａ’
で示した部分の断面である。図に示すように、半絶縁性
ＩｎＰよりなる基体１上に層厚１μｍのＩｎＧａＡｓＰ
よりなるコンタクト層２、更にその上にＩｎＰクラッド
層及びＩ ｎＧａＡｓＰ活性層５．キャップ層よりなる
層厚６μｍの二重へテロ構造をもつ埋め込み型のレーザ
層３をエピタキシャル成長により形成した後、５０μｍ
幅にメサストライプ化すると同時に共振器方向く第１図
（ｂ）の矢印Ｂの示す方向）に４００μｍおきに幅１０
μｍの溝４を活性層５上までウェットエツチングにより
形成し、電ｆｉ６を形成した後、フォトレジスト７をマ
スクとして塩素ガスイオン８により活性Ｎ５及びコンタ
クト層をドライエツチングして共振器端面を形成する。
１図は本発明の一実施例のエツチング工程図である。第
１図（ａ）はレーザ層断面、第１図（ｂ）′は第１図（
ａ）に垂直な方向、すなわち、第１図（ａ）のＡ−Ａ’
で示した部分の断面である。図に示すように、半絶縁性
ＩｎＰよりなる基体１上に層厚１μｍのＩｎＧａＡｓＰ
よりなるコンタクト層２、更にその上にＩｎＰクラッド
層及びＩ ｎＧａＡｓＰ活性層５．キャップ層よりなる
層厚６μｍの二重へテロ構造をもつ埋め込み型のレーザ
層３をエピタキシャル成長により形成した後、５０μｍ
幅にメサストライプ化すると同時に共振器方向く第１図
（ｂ）の矢印Ｂの示す方向）に４００μｍおきに幅１０
μｍの溝４を活性層５上までウェットエツチングにより
形成し、電ｆｉ６を形成した後、フォトレジスト７をマ
スクとして塩素ガスイオン８により活性Ｎ５及びコンタ
クト層をドライエツチングして共振器端面を形成する。
第２図は本実施例により製造されるレーザと光出力モニ
ターフォトダイオードの集積化素子の製造工程図である
。まず、活性層５を含む多層構造から成るレーザ層３を
共振器方向に長さ３９０μｍ、幅５０μｍの５ｊＯ２パ
ターンをマスクとして塩酸、リン酸混合液によりエツチ
ングする。埋め込み型のレーザは通常逆メサ方向に活性
層５が走っているので、渭４はマスクに対しサイドエッ
チのない順メサが形成され、活性層上でエツチングが停
止する（第２図（ａ））。
ターフォトダイオードの集積化素子の製造工程図である
。まず、活性層５を含む多層構造から成るレーザ層３を
共振器方向に長さ３９０μｍ、幅５０μｍの５ｊＯ２パ
ターンをマスクとして塩酸、リン酸混合液によりエツチ
ングする。埋め込み型のレーザは通常逆メサ方向に活性
層５が走っているので、渭４はマスクに対しサイドエッ
チのない順メサが形成され、活性層上でエツチングが停
止する（第２図（ａ））。
次に電極６をレーザ層３及びコンタクト層２に形成した
後、フォトレジスト７のマスクをコンタクト層２上及び
レーザ層３上に形成し塩素ガスイオン８を照射し、共振
器面形成エツチングを深さ５μｍまで行なう（第２図（
ｂ））。次にフォトレジスト７を酸素プラズマにより除
去し、基体１を研磨した後、へき開して素子が完成する
（第２図（Ｃ））。本実施例ではあらかじめウニ・ント
エッチングにより半導体レーザ層をメサエッチングした
後、共振器面形成のドライエッチを行なう事により素子
分離に必要なエツチング深さを得る事ができる。また、
ドライエッチに先立って行なうウェットエツチングはコ
ンタクトＮ２を露出するための２択エツチングを兼ねて
おり特に工程は増えない。
後、フォトレジスト７のマスクをコンタクト層２上及び
レーザ層３上に形成し塩素ガスイオン８を照射し、共振
器面形成エツチングを深さ５μｍまで行なう（第２図（
ｂ））。次にフォトレジスト７を酸素プラズマにより除
去し、基体１を研磨した後、へき開して素子が完成する
（第２図（Ｃ））。本実施例ではあらかじめウニ・ント
エッチングにより半導体レーザ層をメサエッチングした
後、共振器面形成のドライエッチを行なう事により素子
分離に必要なエツチング深さを得る事ができる。また、
ドライエッチに先立って行なうウェットエツチングはコ
ンタクトＮ２を露出するための２択エツチングを兼ねて
おり特に工程は増えない。
尚、レーザ構造、材料、マスク材は上記のものに限らず
いかなるものであっても良い。
いかなるものであっても良い。
以上説明したように本発明によれば、レーザ光出力モニ
ター用フォトダイオードが電気的分離された半導体発光
装置が容易に得られる。
ター用フォトダイオードが電気的分離された半導体発光
装置が容易に得られる。
第１図（ａ）〜（ｂ）は本発明の一実施例のエツチング
工程を示す図、第２図（ａ）〜（ｃ）は本実施例により
製造されるレーザと光出力モニター用フォトダイオード
の集積素子の製ｊｈ工程図である。 図中で１・・・基体、２・・・コンタクト層、３・・・
レーザ層、４・・・涌、５自活性層、６・・・電極、７
・・・フォトレジスト、８・・・塩素ガスイオンである
。
工程を示す図、第２図（ａ）〜（ｃ）は本実施例により
製造されるレーザと光出力モニター用フォトダイオード
の集積素子の製ｊｈ工程図である。 図中で１・・・基体、２・・・コンタクト層、３・・・
レーザ層、４・・・涌、５自活性層、６・・・電極、７
・・・フォトレジスト、８・・・塩素ガスイオンである
。
Claims (1)
- 半絶縁性基板上に形成された多層構造から成るレーザ層
をウェットエッチングによりレーザ層の途中までエッチ
ングし島状のメサを形成する工程と、共振器面形成の為
のドライエッチング用マスクパターン部をメサ上に形成
する工程と、ドライエッチングにより共振器面を形成す
る工程とを少くとも含むことを特徴とする半導体発光装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237040A JPH0283990A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237040A JPH0283990A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0283990A true JPH0283990A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=17009511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63237040A Pending JPH0283990A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0283990A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009295952A (ja) * | 2008-05-02 | 2009-12-17 | Nichia Corp | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
| WO2019186743A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP63237040A patent/JPH0283990A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009295952A (ja) * | 2008-05-02 | 2009-12-17 | Nichia Corp | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
| WO2019186743A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JPWO2019186743A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2020-12-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
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