JPH0537079A - 半導体レーザダイオードの製造方法 - Google Patents
半導体レーザダイオードの製造方法Info
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- JPH0537079A JPH0537079A JP21611491A JP21611491A JPH0537079A JP H0537079 A JPH0537079 A JP H0537079A JP 21611491 A JP21611491 A JP 21611491A JP 21611491 A JP21611491 A JP 21611491A JP H0537079 A JPH0537079 A JP H0537079A
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- upper clad
- clad layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リッジサイド上の上クラッド層厚みを精密に
制御できるリッジ型レーザダイオードの容易な製造方法
を得る。 【構成】 上クラッド層４上に連続してキャップ層５を
エピタキシャル成長した後、キャップ層を順メサ形状
に、上クラッド層をリッジ以外の領域を全て除去するよ
うに逆メサ形状に加工してリッジを形成し、該リッジが
形成されたウェハ上に、順メサの側面には結晶成長が生
じない条件で所望の層厚の再成長上クラッド層及びブロ
ック層を連続的に結晶成長し、これに連続して順メサの
側面にも結晶成長が生じる条件でコンタクト層を形成す
るようにした。
制御できるリッジ型レーザダイオードの容易な製造方法
を得る。 【構成】 上クラッド層４上に連続してキャップ層５を
エピタキシャル成長した後、キャップ層を順メサ形状
に、上クラッド層をリッジ以外の領域を全て除去するよ
うに逆メサ形状に加工してリッジを形成し、該リッジが
形成されたウェハ上に、順メサの側面には結晶成長が生
じない条件で所望の層厚の再成長上クラッド層及びブロ
ック層を連続的に結晶成長し、これに連続して順メサの
側面にも結晶成長が生じる条件でコンタクト層を形成す
るようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、リッジを有する半導
体レーザダイオードの製造方法に関するものである。
体レーザダイオードの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５及び図６は例えばエレクトロニクス
レターズ，25巻，20号，1398頁 (1989年)(ELECTRONICS
LETTERS, Vol.25, No.20, p.1398 (1989))に示された従
来の半導体レーザダイオードの製造方法を示す断面工程
であり、これら図において、１はｎ型ＧａＡｓ（１０
０）基板、２はｎ型ＡｌＧａＡｓ下クラッド層、３はｐ
型ＡｌＧａＡｓ活性層、４はｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッ
ド層、５は第１のｐ型ＧａＡｓキャップ層、５′は第２
のｐ型ＧａＡｓキャップ層、６はＳｉ3 Ｎ4 膜、７はｎ
型ＧａＡｓブロック層、８はｐ型ＧａＡｓコンタクト層
である。
レターズ，25巻，20号，1398頁 (1989年)(ELECTRONICS
LETTERS, Vol.25, No.20, p.1398 (1989))に示された従
来の半導体レーザダイオードの製造方法を示す断面工程
であり、これら図において、１はｎ型ＧａＡｓ（１０
０）基板、２はｎ型ＡｌＧａＡｓ下クラッド層、３はｐ
型ＡｌＧａＡｓ活性層、４はｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッ
ド層、５は第１のｐ型ＧａＡｓキャップ層、５′は第２
のｐ型ＧａＡｓキャップ層、６はＳｉ3 Ｎ4 膜、７はｎ
型ＧａＡｓブロック層、８はｐ型ＧａＡｓコンタクト層
である。
【０００３】次に製造方法について説明する。ｎ型Ｇａ
Ａｓ（１００）基板１上にｎ型ＡｌＧａＡｓ下クラッド
層２，ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ上
クラッド層４，ｐ型ＧａＡｓキャップ層５を順次エピタ
キシャル成長させる（図５(a) ）。次にその上にＳｉ3
Ｎ4 膜６を堆積させ、写真製版技術により所定の幅のス
トライプを形成し、続けてエッチング技術によりｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層５及びｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層
４の一部を除去し、逆メサ形状のリッジを形成させる
（図５(b) ）。次にストライプ状のＳｉ3 Ｎ4 膜６を選
択成長のマスクとして、リッジ部以外の上クラッド層４
上にｎ型ＧａＡｓブロック層７と、第１のキャップ層５
と同じ材料からなる第２のｐ型ＧａＡｓキャップ層５′
を順次エピタキシャル成長させる（図６(a) ）。この
後、Ｓｉ3 Ｎ4 膜６をフッ酸系エッチング等によって選
択的に除去し、その上全面にｐ型ＧａＡｓコンタクト層
８をエピタキシャル成長させる（図６(b) ）。
Ａｓ（１００）基板１上にｎ型ＡｌＧａＡｓ下クラッド
層２，ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ上
クラッド層４，ｐ型ＧａＡｓキャップ層５を順次エピタ
キシャル成長させる（図５(a) ）。次にその上にＳｉ3
Ｎ4 膜６を堆積させ、写真製版技術により所定の幅のス
トライプを形成し、続けてエッチング技術によりｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層５及びｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層
４の一部を除去し、逆メサ形状のリッジを形成させる
（図５(b) ）。次にストライプ状のＳｉ3 Ｎ4 膜６を選
択成長のマスクとして、リッジ部以外の上クラッド層４
上にｎ型ＧａＡｓブロック層７と、第１のキャップ層５
と同じ材料からなる第２のｐ型ＧａＡｓキャップ層５′
を順次エピタキシャル成長させる（図６(a) ）。この
後、Ｓｉ3 Ｎ4 膜６をフッ酸系エッチング等によって選
択的に除去し、その上全面にｐ型ＧａＡｓコンタクト層
８をエピタキシャル成長させる（図６(b) ）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザダ
イオードの製造方法は以上のように構成されており、マ
スクを用いた選択成長によりリッジサイドにのみブロッ
ク層を形成するため、ブロック層形成後にマスクを除去
し、再度エピタキシャル成長によりコンタクト層を形成
しなければならず、合計３回のエピタキシャル成長工程
が必要であり、工程が複雑であるという問題点があっ
た。また特性に大きく影響するリッジ以外の領域の上ク
ラッド層の厚み（図５中のｄ）をエッチング量により制
御しているため精密に制御することができないという問
題点があった。
イオードの製造方法は以上のように構成されており、マ
スクを用いた選択成長によりリッジサイドにのみブロッ
ク層を形成するため、ブロック層形成後にマスクを除去
し、再度エピタキシャル成長によりコンタクト層を形成
しなければならず、合計３回のエピタキシャル成長工程
が必要であり、工程が複雑であるという問題点があっ
た。また特性に大きく影響するリッジ以外の領域の上ク
ラッド層の厚み（図５中のｄ）をエッチング量により制
御しているため精密に制御することができないという問
題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、工程を簡単にできるリッジ型半
導体レーザダイオードの製造方法を提供すること、また
上クラッド層の厚みを精密に制御できるリッジ型半導体
レーザダイオードの製造方法を提供することを目的とす
る。
ためになされたもので、工程を簡単にできるリッジ型半
導体レーザダイオードの製造方法を提供すること、また
上クラッド層の厚みを精密に制御できるリッジ型半導体
レーザダイオードの製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザダイオードの製造方法は、上クラッド層上に連続的
に形成したキャップ層を順メサ形状に、上クラッド層を
逆メサ形状に加工してリッジを形成した後、該リッジが
形成されたウェハ上に、順メサの側面には結晶成長が生
じない条件でブロック層を形成し、連続して順メサの側
面にも結晶成長が生じる条件でコンタクト層を形成する
ようにしたものである。
ーザダイオードの製造方法は、上クラッド層上に連続的
に形成したキャップ層を順メサ形状に、上クラッド層を
逆メサ形状に加工してリッジを形成した後、該リッジが
形成されたウェハ上に、順メサの側面には結晶成長が生
じない条件でブロック層を形成し、連続して順メサの側
面にも結晶成長が生じる条件でコンタクト層を形成する
ようにしたものである。
【０００７】また、この発明に係る半導体レーザダイオ
ードの製造方法は、上クラッド層上に連続的に形成した
キャップ層を順メサ形状に、上クラッド層をリッジ以外
の領域を全て除去するように逆メサ形状に加工してリッ
ジを形成した後、該リッジが形成されたウェハ上に、順
メサの側面には結晶成長が生じない条件で所望の層厚の
再成長上クラッド層及びブロック層を連続的に結晶成長
し、これに連続して順メサの側面にも結晶成長が生じる
条件でコンタクト層を形成するようにしたものである。
ードの製造方法は、上クラッド層上に連続的に形成した
キャップ層を順メサ形状に、上クラッド層をリッジ以外
の領域を全て除去するように逆メサ形状に加工してリッ
ジを形成した後、該リッジが形成されたウェハ上に、順
メサの側面には結晶成長が生じない条件で所望の層厚の
再成長上クラッド層及びブロック層を連続的に結晶成長
し、これに連続して順メサの側面にも結晶成長が生じる
条件でコンタクト層を形成するようにしたものである。
【０００８】
【作用】この発明においては、エピタキシャル成長の面
方位依存性，特異性を利用して選択成長マスクを用いる
ことなくリッジ以外の領域上への選択的結晶成長を行っ
てリッジ部を埋め込むようにしたから、所望の構造を２
回のエピタキシャル成長工程で得ることができ、製造工
程を極めて容易とできる。
方位依存性，特異性を利用して選択成長マスクを用いる
ことなくリッジ以外の領域上への選択的結晶成長を行っ
てリッジ部を埋め込むようにしたから、所望の構造を２
回のエピタキシャル成長工程で得ることができ、製造工
程を極めて容易とできる。
【０００９】また、この発明においては、リッジ以外の
領域上の上クラッド層をエッチング工程においてすべて
除去し、リッジ以外の領域の活性層上に時間による厚み
制御性の高いエピタキシャル成長により上クラッド層を
形成するようにするようにしたから、リッジ以外の領域
の上クラッド層の厚み制御を極めて精度よく行うことが
できる。
領域上の上クラッド層をエッチング工程においてすべて
除去し、リッジ以外の領域の活性層上に時間による厚み
制御性の高いエピタキシャル成長により上クラッド層を
形成するようにするようにしたから、リッジ以外の領域
の上クラッド層の厚み制御を極めて精度よく行うことが
できる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例について説明す
る。図１，図２は本発明の第１の実施例による半導体レ
ーザダイオードの製造方法を示す断面工程図であり、図
において、１はｎ型ＧａＡｓ（１００）基板、２はｎ型
ＡｌＧａＡｓ下クラッド層、３はｐ型ＡｌＧａＡｓ活性
層、４はｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層、５はｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層、７はｎ型ＧａＡｓブロック層、８はｐ
型ＧａＡｓコンタクト層である。
る。図１，図２は本発明の第１の実施例による半導体レ
ーザダイオードの製造方法を示す断面工程図であり、図
において、１はｎ型ＧａＡｓ（１００）基板、２はｎ型
ＡｌＧａＡｓ下クラッド層、３はｐ型ＡｌＧａＡｓ活性
層、４はｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層、５はｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層、７はｎ型ＧａＡｓブロック層、８はｐ
型ＧａＡｓコンタクト層である。
【００１１】次に製造方法について説明する。まず図１
(a) に示すように、ｎ型ＧａＡｓ（１００）基板１上に
ｎ型ＡｌＧａＡｓ下クラッド層２，ｐ型ＡｌＧａＡｓ活
性層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層４，ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層８を順次エピタキシャル成長させる。次
に、その上にＳｉ3 Ｎ4 膜６を堆積させ、写真製版技術
により所定の幅のストライプを形成し、続けてまず、例
えば酒石酸−過酸化水素水系のエッチャントでｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層５の一部だけを選択的に除去し、（１１
１）Ａ面の露呈した順メサ形状のリッジを形成し、さら
にヨウ素−ヨウ化カリウム系のエッチャントで、上述の
工程で露呈したｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層４だけを
厚みｄを残すように選択的に除去し、（１１１）Ｂ面の
露呈した逆メサ形状のリッジを形成する（図１(b) ）。
そして、Ｓｉ3 Ｎ4 膜をフッ酸系エッチング等で選択的
に除去した後、（１１１）Ａ面には成長が起こらない条
件でｎ型ＧａＡｓブロック層７をエピタキシャル成長さ
せる。エピタキシャル成長をＭＯＣＶＤ法で行う場合に
は、高温低ヒ素圧の条件が最適である。この時、ｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層５の上にも成長が起こるが、頂点が形
成された時点で成長は自動的に停止する（図２(a) ）。
最後に（１１１）Ａ面にも成長が起こる条件で全面にｐ
型ＧａＡｓコンタクト層８をエピタキシャル成長させる
（図２(b) ）。ＭＯＣＶＤ法で行う場合には、低温高ヒ
素圧の条件が最適である。
(a) に示すように、ｎ型ＧａＡｓ（１００）基板１上に
ｎ型ＡｌＧａＡｓ下クラッド層２，ｐ型ＡｌＧａＡｓ活
性層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層４，ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層８を順次エピタキシャル成長させる。次
に、その上にＳｉ3 Ｎ4 膜６を堆積させ、写真製版技術
により所定の幅のストライプを形成し、続けてまず、例
えば酒石酸−過酸化水素水系のエッチャントでｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層５の一部だけを選択的に除去し、（１１
１）Ａ面の露呈した順メサ形状のリッジを形成し、さら
にヨウ素−ヨウ化カリウム系のエッチャントで、上述の
工程で露呈したｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層４だけを
厚みｄを残すように選択的に除去し、（１１１）Ｂ面の
露呈した逆メサ形状のリッジを形成する（図１(b) ）。
そして、Ｓｉ3 Ｎ4 膜をフッ酸系エッチング等で選択的
に除去した後、（１１１）Ａ面には成長が起こらない条
件でｎ型ＧａＡｓブロック層７をエピタキシャル成長さ
せる。エピタキシャル成長をＭＯＣＶＤ法で行う場合に
は、高温低ヒ素圧の条件が最適である。この時、ｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層５の上にも成長が起こるが、頂点が形
成された時点で成長は自動的に停止する（図２(a) ）。
最後に（１１１）Ａ面にも成長が起こる条件で全面にｐ
型ＧａＡｓコンタクト層８をエピタキシャル成長させる
（図２(b) ）。ＭＯＣＶＤ法で行う場合には、低温高ヒ
素圧の条件が最適である。
【００１２】このように本実施例では、（１１１）Ａ面
の露呈した順メサ形状のキャップ層と、（１１１）Ｂ面
の露呈した逆メサ形状の上クラッド層からなるリッジを
形成し、（１１１）Ａ面には成長が起こらない条件でブ
ロック層を結晶成長するようにしたから、選択成長時に
マスクが不要となり、２回のエピタキシャル成長工程で
リッジ型半導体レーザダイオードを形成することができ
る。
の露呈した順メサ形状のキャップ層と、（１１１）Ｂ面
の露呈した逆メサ形状の上クラッド層からなるリッジを
形成し、（１１１）Ａ面には成長が起こらない条件でブ
ロック層を結晶成長するようにしたから、選択成長時に
マスクが不要となり、２回のエピタキシャル成長工程で
リッジ型半導体レーザダイオードを形成することができ
る。
【００１３】図３，図４は本発明の第２の実施例による
半導体レーザダイオードの製造方法を示す断面工程図で
あり、図において、図１，図２と同一符号は同一又は相
当部分であり、４′は再成長されたｐ型ＡｌＧａＡｓ上
クラッド層である。
半導体レーザダイオードの製造方法を示す断面工程図で
あり、図において、図１，図２と同一符号は同一又は相
当部分であり、４′は再成長されたｐ型ＡｌＧａＡｓ上
クラッド層である。
【００１４】次に製造方法について説明する。まず図３
(a) に示すように、ｎ型ＧａＡｓ（１００）基板１上に
ｎ型ＡｌＧａＡｓ下クラッド層２，ｐ型ＡｌＧａＡｓ活
性層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層４，ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層８を順次エピタキシャル成長させる。次
に、その上にＳｉ3 Ｎ4 膜６を堆積させ、写真製版技術
により所定の幅のストライプを形成し、続けてまず、例
えば酒石酸−過酸化水素水系のエッチャントでｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層５の一部だけを選択的に除去し、（１１
１）Ａ面の露呈した順メサ形状のリッジを形成し、さら
にヨウ素−ヨウ化カリウム系のエッチャントで、上述の
工程で露呈したｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層４だけを
選択的に除去し、（１１１）Ｂ面の露呈した逆メサ形状
のリッジを形成する（図３(b) ）。さらに、Ｓｉ3 Ｎ4
膜をフッ酸系エッチング等で選択的に除去した後、まず
（１１１）Ａ面には成長が起こらない条件で所望の厚み
のｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層４′を再成長させる。
エピタキシャル成長をＭＯＣＶＤ法で行う場合には、高
温低ヒ素圧の条件が最適である。この時、ｐ型ＧａＡｓ
キャップ層５の上にも成長が起こるが、頂点が形成され
た時点で成長は自動的に停止する。続けて、ｎ型ＧａＡ
ｓブロック層７をエピタキシャル成長させる。この時も
上述同様に、傾斜面上には成長は起こらない（図４(a)
）。最後に（１１１）Ａ面にも成長が起こる条件で全
面にｐ型ＧａＡｓコンタクト層８をエピタキシャル成長
させる（図４(b) ）。ＭＯＣＶＤ法で行う場合には低温
高ヒ素圧の条件が最適である。
(a) に示すように、ｎ型ＧａＡｓ（１００）基板１上に
ｎ型ＡｌＧａＡｓ下クラッド層２，ｐ型ＡｌＧａＡｓ活
性層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層４，ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層８を順次エピタキシャル成長させる。次
に、その上にＳｉ3 Ｎ4 膜６を堆積させ、写真製版技術
により所定の幅のストライプを形成し、続けてまず、例
えば酒石酸−過酸化水素水系のエッチャントでｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層５の一部だけを選択的に除去し、（１１
１）Ａ面の露呈した順メサ形状のリッジを形成し、さら
にヨウ素−ヨウ化カリウム系のエッチャントで、上述の
工程で露呈したｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層４だけを
選択的に除去し、（１１１）Ｂ面の露呈した逆メサ形状
のリッジを形成する（図３(b) ）。さらに、Ｓｉ3 Ｎ4
膜をフッ酸系エッチング等で選択的に除去した後、まず
（１１１）Ａ面には成長が起こらない条件で所望の厚み
のｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層４′を再成長させる。
エピタキシャル成長をＭＯＣＶＤ法で行う場合には、高
温低ヒ素圧の条件が最適である。この時、ｐ型ＧａＡｓ
キャップ層５の上にも成長が起こるが、頂点が形成され
た時点で成長は自動的に停止する。続けて、ｎ型ＧａＡ
ｓブロック層７をエピタキシャル成長させる。この時も
上述同様に、傾斜面上には成長は起こらない（図４(a)
）。最後に（１１１）Ａ面にも成長が起こる条件で全
面にｐ型ＧａＡｓコンタクト層８をエピタキシャル成長
させる（図４(b) ）。ＭＯＣＶＤ法で行う場合には低温
高ヒ素圧の条件が最適である。
【００１５】このように本実施例では、上記第１の実施
例同様、（１１１）Ａ面の露呈した順メサ形状のキャッ
プ層と、（１１１）Ｂ面の露呈した逆メサ形状の上クラ
ッド層からなるリッジを形成し、（１１１）Ａ面には成
長が起こらない条件でブロック層を結晶成長するように
したから、選択成長時にマスクが不要となり、２回のエ
ピタキシャル成長工程でリッジ型半導体レーザダイオー
ドを形成することができるとともに、リッジ以外の領域
上の上クラッド層をエッチング工程においてすべて除去
し、リッジ以外の領域の活性層上に時間による厚み制御
性の高いエピタキシャル成長により上クラッド層を形成
するようにするようにしたから、リッジ以外の領域の上
クラッド層の厚み制御を極めて精度よく行うことができ
る。
例同様、（１１１）Ａ面の露呈した順メサ形状のキャッ
プ層と、（１１１）Ｂ面の露呈した逆メサ形状の上クラ
ッド層からなるリッジを形成し、（１１１）Ａ面には成
長が起こらない条件でブロック層を結晶成長するように
したから、選択成長時にマスクが不要となり、２回のエ
ピタキシャル成長工程でリッジ型半導体レーザダイオー
ドを形成することができるとともに、リッジ以外の領域
上の上クラッド層をエッチング工程においてすべて除去
し、リッジ以外の領域の活性層上に時間による厚み制御
性の高いエピタキシャル成長により上クラッド層を形成
するようにするようにしたから、リッジ以外の領域の上
クラッド層の厚み制御を極めて精度よく行うことができ
る。
【００１６】なお、上記実施例ではＡｌＧａＡｓ／Ｇａ
Ａｓ系の短波長レーザダイオードの製造方法を示した
が、例えばＩｎＧａＡｌＰ／ＩｎＧａＰ系の可視光レー
ザダイオードに適用した場合でも上記実施例と同様の効
果を奏する。また、上記実施例では活性層が単一層の場
合を示したが、複数層であってもよく、上記実施例と同
様の効果を奏する。
Ａｓ系の短波長レーザダイオードの製造方法を示した
が、例えばＩｎＧａＡｌＰ／ＩｎＧａＰ系の可視光レー
ザダイオードに適用した場合でも上記実施例と同様の効
果を奏する。また、上記実施例では活性層が単一層の場
合を示したが、複数層であってもよく、上記実施例と同
様の効果を奏する。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、エピ
タキシャル成長の面方位依存性，特異性を利用して選択
成長マスクを用いることなくリッジ以外の領域上への選
択的結晶成長を行ってリッジ部を埋め込むようにしたか
ら、所望の構造を２回のエピタキシャル成長工程で得る
ことができ、製造工程を極めて容易とできる効果があ
る。
タキシャル成長の面方位依存性，特異性を利用して選択
成長マスクを用いることなくリッジ以外の領域上への選
択的結晶成長を行ってリッジ部を埋め込むようにしたか
ら、所望の構造を２回のエピタキシャル成長工程で得る
ことができ、製造工程を極めて容易とできる効果があ
る。
【００１８】また、この発明によれば、リッジ以外の領
域上の上クラッド層をエッチング工程においてすべて除
去し、リッジ以外の領域の活性層上に時間による厚み制
御性の高いエピタキシャル成長により上クラッド層を形
成するようにするようにしたから、リッジ以外の領域の
上クラッド層の厚み制御を極めて精度よく行うことがで
きる効果がある。
域上の上クラッド層をエッチング工程においてすべて除
去し、リッジ以外の領域の活性層上に時間による厚み制
御性の高いエピタキシャル成長により上クラッド層を形
成するようにするようにしたから、リッジ以外の領域の
上クラッド層の厚み制御を極めて精度よく行うことがで
きる効果がある。
【図１】この発明の第１の実施例による半導体レーザダ
イオードの製造方法の一部を示す断面工程図である。
イオードの製造方法の一部を示す断面工程図である。
【図２】この発明の第１の実施例による半導体レーザダ
イオードの製造方法の一部を示す断面工程図である。
イオードの製造方法の一部を示す断面工程図である。
【図３】この発明の第２の実施例による半導体レーザダ
イオードの製造方法の一部を示す断面工程図である。
イオードの製造方法の一部を示す断面工程図である。
【図４】この発明の第２の実施例による半導体レーザダ
イオードの製造方法の一部を示す断面工程図である。
イオードの製造方法の一部を示す断面工程図である。
【図５】従来の半導体レーザダイオードの製造方法の一
部を示す断面工程図である。
部を示す断面工程図である。
【図６】従来の半導体レーザダイオードの製造方法の一
部を示す断面工程図である。
部を示す断面工程図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ（１００）基板
２ ｎ型ＡｌＧａＡｓ下クラッド層
３ ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層
４ ｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層
４′ 再成長したｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層
５ ｐ型ＧａＡｓキャップ層
６ Ｓｉ3 Ｎ4 膜
７ ｎ型ＧａＡｓブロック層
８ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
Claims (2)
- 【請求項１】 第１種半導体からなる活性層を該活性層
よりもバンドギャップエネルギーの大きな第２種半導体
からなる下クラッド層と、第２種もしくは第３種半導体
からなる上クラッド層で挟み込んだダブルヘテロ構造を
有する半導体レーザダイオードを製造する方法におい
て、 上記下クラッド層，活性層，上クラッド層及び第４種半
導体からなるキャップ層を順次エピタキシャル成長させ
る工程と、 上記キャップ層を選択的な異方性エッチングにより順メ
サ形状に加工し、さらに露呈した上クラッド層を選択的
な異方性エッチングにより活性層上に所定の厚さの上ク
ラッド層が残るように除去して上記上クラッド層を順メ
サ形状のキャップ層下に逆メサを有する形状に加工する
ことによりリッジを形成する工程と、 上記リッジを形成したウェハ上に、順メサ加工されたキ
ャップ層側面には結晶成長が生じない条件で、選択的に
上クラッド層と逆の導電性を有する電流ブロック層をエ
ピタキシャル成長させる工程と、 上記電流ブロック層のエピタキシャル成長に連続して、
順メサ加工されたキャップ層側面にも結晶成長が生じる
条件で、第４種半導体からなる電極形成用のコンタクト
層をエピタキシャル成長させる工程とを含むことを特徴
とする半導体レーザダイオードの製造方法。 - 【請求項２】 第１種半導体からなる活性層を該活性層
よりもバンドギャップエネルギーの大きな第２種半導体
からなる下クラッド層と、第２種もしくは第３種半導体
からなる上クラッド層で挟み込んだダブルヘテロ構造を
有する半導体レーザダイオードを製造する方法におい
て、 上記下クラッド層，活性層，上クラッド層及び第４種半
導体からなるキャップ層を順次エピタキシャル成長させ
る工程と、 上記キャップ層を選択的な異方性エッチングにより順メ
サ形状に加工し、さらに露呈した上クラッド層を選択的
な異方性エッチングにより上記活性層が露出するまで除
去して、順メサ形状のキャップ層と該キャップ層下に配
置された逆メサ形状の上クラッド層からなるリッジを形
成する工程と、 上記リッジを形成したウェハ上に、順メサ加工されたキ
ャップ層側面には結晶成長が生じない条件で、選択的に
上クラッド層と同一材料からなる所望の層厚の再成長上
クラッド層と、上クラッド層と逆の導電性を有する電流
ブロック層を順次エピタキシャル成長させる工程と、 上記電流ブロック層のエピタキシャル成長に連続して、
順メサ加工されたキャップ層側面にも結晶成長が生じる
条件で、第４種半導体からなる電極形成用のコンタクト
層をエピタキシャル成長させる工程とを含むことを特徴
とする半導体レーザダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21611491A JPH0537079A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 半導体レーザダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21611491A JPH0537079A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 半導体レーザダイオードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537079A true JPH0537079A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16683465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21611491A Pending JPH0537079A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 半導体レーザダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0537079A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6415545B1 (en) | 1999-09-17 | 2002-07-09 | Hideo Watanabe | Attractant miticide and capturing device |
| KR100789111B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2007-12-26 | 주식회사 엘지이아이 | 열 특성이 우수한 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조방법 |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP21611491A patent/JPH0537079A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6415545B1 (en) | 1999-09-17 | 2002-07-09 | Hideo Watanabe | Attractant miticide and capturing device |
| KR100789111B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2007-12-26 | 주식회사 엘지이아이 | 열 특성이 우수한 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조방법 |
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