JPH05218593A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH05218593A JPH05218593A JP4623192A JP4623192A JPH05218593A JP H05218593 A JPH05218593 A JP H05218593A JP 4623192 A JP4623192 A JP 4623192A JP 4623192 A JP4623192 A JP 4623192A JP H05218593 A JPH05218593 A JP H05218593A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 拡散源によるフリーキャリア吸収の少ないＭ
ＱＷ層無秩序型の窓構造レーザの製造方法を得る。 【構成】 高濃度のＺｎ拡散によってＭＱＷ層を無秩序
化して窓構造を形成した後、拡散源を除去した状態で熱
処理を行うことにより拡散領域のＺｎをさらに拡散させ
濃度を下げる。 【効果】 窓構造部分の拡散濃度を低減できるのでフリ
ーキャリア吸収による損失の少ない窓構造レーザが作成
できる。
ＱＷ層無秩序型の窓構造レーザの製造方法を得る。 【構成】 高濃度のＺｎ拡散によってＭＱＷ層を無秩序
化して窓構造を形成した後、拡散源を除去した状態で熱
処理を行うことにより拡散領域のＺｎをさらに拡散させ
濃度を下げる。 【効果】 窓構造部分の拡散濃度を低減できるのでフリ
ーキャリア吸収による損失の少ない窓構造レーザが作成
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザの製造方
法に関し、特に多重量子井戸構造の無秩序化を用いた窓
構造を有する半導体レーザの製造方法に関するものであ
る。
法に関し、特に多重量子井戸構造の無秩序化を用いた窓
構造を有する半導体レーザの製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、レーザ光出射端面近傍の禁制帯幅
をレーザ内部に比べて大きくし、端面近傍における光の
吸収を低減することにより端面の光学損傷（ＣＯＤ；Ca
tastrophic Optical Damage とも呼ばれる）の生ずるレ
ベルを上げて半導体レーザの高出力化を実現する、いわ
ゆる窓構造の半導体レーザが数多く開発されている。そ
のなかでも、多重量子井戸（ＭＱＷ）層の無秩序化を用
いた窓構造は製造工程が容易であるという利点を有して
いる。
をレーザ内部に比べて大きくし、端面近傍における光の
吸収を低減することにより端面の光学損傷（ＣＯＤ；Ca
tastrophic Optical Damage とも呼ばれる）の生ずるレ
ベルを上げて半導体レーザの高出力化を実現する、いわ
ゆる窓構造の半導体レーザが数多く開発されている。そ
のなかでも、多重量子井戸（ＭＱＷ）層の無秩序化を用
いた窓構造は製造工程が容易であるという利点を有して
いる。
【０００３】図３は従来の、このような多重量子井戸
（ＭＱＷ）層の無秩序化を用いた窓構造を有する半導体
レーザを示す共振器長方向に沿った断面図である。図に
おいて、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡｌＧａＡｓ
下クラッド層である。３はＡｌＧａＡｓ障壁層とＧａＡ
ｓ井戸層を下クラッド層２上に交互に複数層積層して構
成されたＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ）活性層である。４はＭＱＷ活性層３上に配置された
ｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層、５はｐ型ＧａＡｓコン
タクト層、６はＺｎが１×１０20／cm3 程度の高濃度に
拡散された高濃度Ｚｎ拡散領域、７はＺｎ拡散により無
秩序化されたＭＱＷ活性領域である。また、１５，１６
はそれぞれコンタクト層５上及び基板１裏面に形成され
たｐ側電極，ｎ側電極である。２５は劈開端面、３０は
出射レーザ光である。
（ＭＱＷ）層の無秩序化を用いた窓構造を有する半導体
レーザを示す共振器長方向に沿った断面図である。図に
おいて、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡｌＧａＡｓ
下クラッド層である。３はＡｌＧａＡｓ障壁層とＧａＡ
ｓ井戸層を下クラッド層２上に交互に複数層積層して構
成されたＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ）活性層である。４はＭＱＷ活性層３上に配置された
ｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層、５はｐ型ＧａＡｓコン
タクト層、６はＺｎが１×１０20／cm3 程度の高濃度に
拡散された高濃度Ｚｎ拡散領域、７はＺｎ拡散により無
秩序化されたＭＱＷ活性領域である。また、１５，１６
はそれぞれコンタクト層５上及び基板１裏面に形成され
たｐ側電極，ｎ側電極である。２５は劈開端面、３０は
出射レーザ光である。
【０００４】図４は図３に示す半導体レーザの製造工程
を示す図である。以下図４に沿って製造工程を説明す
る。まずｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＡｓ下ク
ラッド層２，ＭＱＷ活性層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラ
ッド層４，及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層５を、例えば
有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法等により順次エピタ
キシャル成長する。この後、コンタクト層５上全面にＳ
ｉＮ膜１０をＣＶＤ法等により堆積し、写真製版，及び
エッチング技術を用いてレーザ端面となる領域の近傍に
開口１３を形成する（図４(a) ）。
を示す図である。以下図４に沿って製造工程を説明す
る。まずｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＡｓ下ク
ラッド層２，ＭＱＷ活性層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラ
ッド層４，及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層５を、例えば
有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法等により順次エピタ
キシャル成長する。この後、コンタクト層５上全面にＳ
ｉＮ膜１０をＣＶＤ法等により堆積し、写真製版，及び
エッチング技術を用いてレーザ端面となる領域の近傍に
開口１３を形成する（図４(a) ）。
【０００５】そして、図４(b) に示すように、ＳｉＮ膜
１０上及び開口１３に露出したコンタクト層５上に連続
してＺｎの拡散源となるＺｎＯ／ＳｉＯ2 膜１１を堆積
し、さらに拡散工程の際にＺｎが系外に飛散することを
防ぐため、ＳｉＮ等からなる保護膜１２をＺｎＯ／Ｓｉ
Ｏ2 膜１１上に堆積する。
１０上及び開口１３に露出したコンタクト層５上に連続
してＺｎの拡散源となるＺｎＯ／ＳｉＯ2 膜１１を堆積
し、さらに拡散工程の際にＺｎが系外に飛散することを
防ぐため、ＳｉＮ等からなる保護膜１２をＺｎＯ／Ｓｉ
Ｏ2 膜１１上に堆積する。
【０００６】図４(b) に示す状態で加熱処理を行うこと
により、ＺｎＯ／ＳｉＯ2 膜１１からＺｎが半導体層中
に拡散し、図４(c) に示すように、高濃度Ｚｎ拡散領域
６が形成され、ＭＱＷ活性層３のうちＺｎが拡散された
領域はＭＱＷ構造が無秩序化された領域７となる。
により、ＺｎＯ／ＳｉＯ2 膜１１からＺｎが半導体層中
に拡散し、図４(c) に示すように、高濃度Ｚｎ拡散領域
６が形成され、ＭＱＷ活性層３のうちＺｎが拡散された
領域はＭＱＷ構造が無秩序化された領域７となる。
【０００７】この後、保護膜１２，ＺｎＯ／ＳｉＯ2 膜
１１，及びＳｉＮ膜１０を除去し、コンタクト層５上に
ｐ側電極１５を、基板１裏面にｎ側電極１６を形成し、
劈開による端面形成工程，さらにチップ分離工程を経て
図３に示す半導体レーザが完成する。
１１，及びＳｉＮ膜１０を除去し、コンタクト層５上に
ｐ側電極１５を、基板１裏面にｎ側電極１６を形成し、
劈開による端面形成工程，さらにチップ分離工程を経て
図３に示す半導体レーザが完成する。
【０００８】次に動作について説明する。高濃度のＺｎ
拡散によって無秩序化された部分のＭＱＷ層７はＡｌＧ
ａＡｓ層となっているため、無秩序化されていない部分
のＭＱＷ活性層３よりもバンドギャップが広くなってお
り、出力光に対する吸収が減少するはずである。しか
し、一般にＺｎ拡散によってＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多
重量子井戸層を無秩序化するためには高濃度のＺｎ拡
散、例えば１×１０20／cm3 程度のＺｎ拡散が必要であ
る。高濃度のＺｎ拡散領域においてはフリーキャリアに
よる光の吸収が大きくなり、窓構造による効果が得られ
ない。
拡散によって無秩序化された部分のＭＱＷ層７はＡｌＧ
ａＡｓ層となっているため、無秩序化されていない部分
のＭＱＷ活性層３よりもバンドギャップが広くなってお
り、出力光に対する吸収が減少するはずである。しか
し、一般にＺｎ拡散によってＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多
重量子井戸層を無秩序化するためには高濃度のＺｎ拡
散、例えば１×１０20／cm3 程度のＺｎ拡散が必要であ
る。高濃度のＺｎ拡散領域においてはフリーキャリアに
よる光の吸収が大きくなり、窓構造による効果が得られ
ない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の多重量子井戸の
無秩序化を用いた窓構造半導体レーザの製造方法は以上
のように行われていたので、完成した窓構造レーザは、
Ｚｎ拡散によるフリーキャリア吸収が大きく、窓構造の
効果が得られないという問題があった。この発明は上記
のような問題点を解消するためになされたもので、フリ
ーキャリアによる吸収を減少でき、窓構造の効果を得る
ことのできる半導体レーザを作製できる半導体レーザの
製造方法を提供することを目的とする。
無秩序化を用いた窓構造半導体レーザの製造方法は以上
のように行われていたので、完成した窓構造レーザは、
Ｚｎ拡散によるフリーキャリア吸収が大きく、窓構造の
効果が得られないという問題があった。この発明は上記
のような問題点を解消するためになされたもので、フリ
ーキャリアによる吸収を減少でき、窓構造の効果を得る
ことのできる半導体レーザを作製できる半導体レーザの
製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザの製造方法は、高濃度のＺｎ拡散によってＭＱＷ層
を無秩序化した後、拡散領域のＺｎ濃度を、不純物拡散
源を除去した状態で熱処理してさらに拡散させることに
より減少さたものである。
ーザの製造方法は、高濃度のＺｎ拡散によってＭＱＷ層
を無秩序化した後、拡散領域のＺｎ濃度を、不純物拡散
源を除去した状態で熱処理してさらに拡散させることに
より減少さたものである。
【００１１】
【作用】この発明においては、高濃度の不純物拡散によ
りＭＱＷ層を無秩序化した後、拡散源を除去して熱処理
を行うことにより、無秩序化した部分のＺｎ濃度を減少
させるようにしたから、フリーキャリア吸収が少なく、
充分な窓効果を有する半導体レーザを作製できる。
りＭＱＷ層を無秩序化した後、拡散源を除去して熱処理
を行うことにより、無秩序化した部分のＺｎ濃度を減少
させるようにしたから、フリーキャリア吸収が少なく、
充分な窓効果を有する半導体レーザを作製できる。
【００１２】
【実施例】以下この発明の実施例を図について説明す
る。図１は本発明の一実施例による半導体レーザの製造
方法を示す半導体レーザの共振器長方向に沿った断面工
程図である。図において、図４と同一符号は同一又は相
当部分であり、また、６１は低濃度の拡散領域である。
る。図１は本発明の一実施例による半導体レーザの製造
方法を示す半導体レーザの共振器長方向に沿った断面工
程図である。図において、図４と同一符号は同一又は相
当部分であり、また、６１は低濃度の拡散領域である。
【００１３】次いで製造工程について説明する。まずｎ
型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＡｓ下クラッド層
２，ＭＱＷ活性層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層
４，及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層５を、例えば有機金
属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法等により順次エピタキシャ
ル成長する。この後、コンタクト層５上全面にＳｉＮ膜
１０をＣＶＤ法等により堆積し、写真製版，及びエッチ
ング技術を用いてレーザ端面となる領域の近傍に開口１
３を形成する（図１(a) ）。そして、図１(b) に示すよ
うに、ＳｉＮ膜１０上及び開口１３に露出したコンタク
ト層５上に連続してＺｎの拡散源となるＺｎＯ／ＳｉＯ
2 膜１１を堆積し、さらに拡散工程の際にＺｎが系外に
飛散することを防ぐため、ＳｉＮ等からなる保護膜１２
をＺｎＯ／ＳｉＯ2 膜１１上に堆積する。この状態で加
熱処理を行うことにより、ＺｎＯ／ＳｉＯ2 膜１１から
Ｚｎが半導体層中に拡散し、図１(c) に示すように、高
濃度Ｚｎ拡散領域６が形成され、ＭＱＷ活性層３のうち
Ｚｎが拡散された領域はＭＱＷ構造が無秩序化された領
域７となる。このときの拡散領域６のＺｎの濃度は１×
１０20／cm3 程度である。
型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＡｓ下クラッド層
２，ＭＱＷ活性層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層
４，及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層５を、例えば有機金
属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法等により順次エピタキシャ
ル成長する。この後、コンタクト層５上全面にＳｉＮ膜
１０をＣＶＤ法等により堆積し、写真製版，及びエッチ
ング技術を用いてレーザ端面となる領域の近傍に開口１
３を形成する（図１(a) ）。そして、図１(b) に示すよ
うに、ＳｉＮ膜１０上及び開口１３に露出したコンタク
ト層５上に連続してＺｎの拡散源となるＺｎＯ／ＳｉＯ
2 膜１１を堆積し、さらに拡散工程の際にＺｎが系外に
飛散することを防ぐため、ＳｉＮ等からなる保護膜１２
をＺｎＯ／ＳｉＯ2 膜１１上に堆積する。この状態で加
熱処理を行うことにより、ＺｎＯ／ＳｉＯ2 膜１１から
Ｚｎが半導体層中に拡散し、図１(c) に示すように、高
濃度Ｚｎ拡散領域６が形成され、ＭＱＷ活性層３のうち
Ｚｎが拡散された領域はＭＱＷ構造が無秩序化された領
域７となる。このときの拡散領域６のＺｎの濃度は１×
１０20／cm3 程度である。
【００１４】次に、保護膜１２及びＺｎＯ／ＳｉＯ2 拡
散源１１のみをＳＦ4 によるプラズマエッチ及び希釈し
たフッ酸などで除去した後、さらに熱処理を行う。この
熱処理工程において、拡散領域６のＺｎは内部への拡散
及び拡散領域６の上部から外気への蒸発などにより、図
１(d) に示すように、その濃度が減少され低濃度拡散領
域６１が形成される。その濃度は例えば８５０℃、４時
間程度の熱処理を行なうことにより１×１０19／cm3 程
度に減少させることができる。
散源１１のみをＳＦ4 によるプラズマエッチ及び希釈し
たフッ酸などで除去した後、さらに熱処理を行う。この
熱処理工程において、拡散領域６のＺｎは内部への拡散
及び拡散領域６の上部から外気への蒸発などにより、図
１(d) に示すように、その濃度が減少され低濃度拡散領
域６１が形成される。その濃度は例えば８５０℃、４時
間程度の熱処理を行なうことにより１×１０19／cm3 程
度に減少させることができる。
【００１５】この後、ＳｉＮ膜１０を除去し、コンタク
ト層５上にｐ側電極１５を、基板１裏面にｎ側電極１６
を形成し、劈開による端面形成工程，さらにチップ分離
工程を経て半導体レーザが完成する。
ト層５上にｐ側電極１５を、基板１裏面にｎ側電極１６
を形成し、劈開による端面形成工程，さらにチップ分離
工程を経て半導体レーザが完成する。
【００１６】一般にフリーキャリア吸収はキャリア濃度
に比例するため、上記の例では吸収係数を１／１０に減
少させることができる。従って、本実施例による製造方
法によれば、充分な窓構造の効果を有する半導体レーザ
を得ることができる。
に比例するため、上記の例では吸収係数を１／１０に減
少させることができる。従って、本実施例による製造方
法によれば、充分な窓構造の効果を有する半導体レーザ
を得ることができる。
【００１７】なお、上記の実施例では高濃度のＺｎはＳ
ｉＮ膜の切れ目より外気中にも蒸発できる場合について
記したが、この方法では高温で熱処理すると拡散領域６
１内のＡｓも蒸発するための表面状態に影響を及ぼす可
能性がある。これを防ぐためＳｉＮ膜１０を除去し、図
２に示すように、あらためて基板全面にＳｉＮ膜２０を
形成してから熱処理を行うことによりＺｎを基板内部に
拡散し、拡張された低濃度拡散領域６２を形成するよう
にしてもよく、上記実施例と同様の効果が得られる上、
Ａｓの蒸発を防ぐことができる。
ｉＮ膜の切れ目より外気中にも蒸発できる場合について
記したが、この方法では高温で熱処理すると拡散領域６
１内のＡｓも蒸発するための表面状態に影響を及ぼす可
能性がある。これを防ぐためＳｉＮ膜１０を除去し、図
２に示すように、あらためて基板全面にＳｉＮ膜２０を
形成してから熱処理を行うことによりＺｎを基板内部に
拡散し、拡張された低濃度拡散領域６２を形成するよう
にしてもよく、上記実施例と同様の効果が得られる上、
Ａｓの蒸発を防ぐことができる。
【００１８】また、Ａｓの蒸発を防ぐために図１(c) の
工程で窓構造を形成した後、ＺｎＯ／ＳｉＯ2 拡散源１
１のみを除去、あるいはＺｎＯ／ＳｉＯ2 拡散源１１と
ＳｉＮ膜１０の双方を除去した後、Ａｓ雰囲気中で熱処
理を行っても同様の効果が得られる。なお上記の各実施
例ではＡｌＧａＡｓ系の材料について記したが、他の材
料，例えばＡｌＧａＩｎＰ系などについても適用でき
る。
工程で窓構造を形成した後、ＺｎＯ／ＳｉＯ2 拡散源１
１のみを除去、あるいはＺｎＯ／ＳｉＯ2 拡散源１１と
ＳｉＮ膜１０の双方を除去した後、Ａｓ雰囲気中で熱処
理を行っても同様の効果が得られる。なお上記の各実施
例ではＡｌＧａＡｓ系の材料について記したが、他の材
料，例えばＡｌＧａＩｎＰ系などについても適用でき
る。
【００１９】また拡散源としてＺｎＯ／ＳｉＯ2 膜を用
いて固相拡散により拡散を行なっているが、気体のＺｎ
化合物などを用いて気相拡散により拡散を行なうように
してもよい。また上記実施例では拡散源としてＺｎを用
いているが、これはその拡散によりＭＱＷ構造を無秩序
化できる他の物質を用いてもよいことはいうまでもな
い。
いて固相拡散により拡散を行なっているが、気体のＺｎ
化合物などを用いて気相拡散により拡散を行なうように
してもよい。また上記実施例では拡散源としてＺｎを用
いているが、これはその拡散によりＭＱＷ構造を無秩序
化できる他の物質を用いてもよいことはいうまでもな
い。
【００２０】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、高濃度
のＺｎ拡散によりＭＱＷを無秩序化して窓構造を形成し
た後、さらに拡散領域の不純物を、不純物拡散源を除去
した状態で熱拡散させて低濃度にするようにしたから、
フリーキャリア吸収が少なく、充分な窓構造の効果を有
する半導体レーザを得ることができる効果がある。
のＺｎ拡散によりＭＱＷを無秩序化して窓構造を形成し
た後、さらに拡散領域の不純物を、不純物拡散源を除去
した状態で熱拡散させて低濃度にするようにしたから、
フリーキャリア吸収が少なく、充分な窓構造の効果を有
する半導体レーザを得ることができる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による窓構造半導体レーザ
の製造方法を示す断面工程図である。
の製造方法を示す断面工程図である。
【図２】この発明の他の実施例による窓構造半導体レー
ザの製造方法を示す断面図である。
ザの製造方法を示す断面図である。
【図３】従来の製造方法により作製された窓構造半導体
レーザを示す断面図である。
レーザを示す断面図である。
【図４】図３の窓構造半導体レーザの製造方法を示す断
面工程図である。
面工程図である。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層 ３ ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸活性層 ４ ｐ−ＡｌＧａＡｓ上クラッド層 ５ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ６ 高濃度Ｚｎ拡散領域 ７ 無秩序化されたＭＱＷ層 １０ ＳｉＮ膜 １１ ＺｎＯ／ＳｉＯ2 拡散源 １２ ＳｉＮ保護膜 ６１ 低濃度拡散領域 ６２ 拡張による低濃度拡散領域
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１１月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】次に、保護膜１２及びＺｎＯ／ＳｉＯ2 拡
散源１１のみをＣＦ4 によるプラズマエッチ及び希釈し
たフッ酸などで除去した後、さらに熱処理を行う。この
熱処理工程において、拡散領域６のＺｎは内部への拡散
及び拡散領域６の上部から外気への蒸発などにより、図
１(d) に示すように、その濃度が減少され低濃度拡散領
域６１が形成される。その濃度は例えば８５０℃、４時
間程度の熱処理を行なうことにより１×１０19／cm3 程
度に減少させることができる。
散源１１のみをＣＦ4 によるプラズマエッチ及び希釈し
たフッ酸などで除去した後、さらに熱処理を行う。この
熱処理工程において、拡散領域６のＺｎは内部への拡散
及び拡散領域６の上部から外気への蒸発などにより、図
１(d) に示すように、その濃度が減少され低濃度拡散領
域６１が形成される。その濃度は例えば８５０℃、４時
間程度の熱処理を行なうことにより１×１０19／cm3 程
度に減少させることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
Claims (1)
- 【請求項１】 量子井戸構造の活性層を有し、その発光
端面近傍の該量子井戸構造が無秩序化されて形成された
窓構造を有する半導体レーザの製造方法において、 量子井戸構造の活性層を備えた半導体レーザ構造の発光
端面に相当する部分の上記量子井戸構造を不純物拡散に
よって無秩序化する工程と、 上記無秩序化工程の後、不純物拡散の拡散源を除去した
状態で熱処理を行い、上記無秩序化工程で形成された拡
散領域の不純物をさらに拡散させて低濃度にする工程と
を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4623192A JPH05218593A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4623192A JPH05218593A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218593A true JPH05218593A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=12741346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4623192A Pending JPH05218593A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05218593A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0897506A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Sharp Corp | 端面成長窓型半導体レーザ素子の製造方法 |
| KR100389738B1 (ko) * | 2001-03-05 | 2003-06-27 | 김영창 | 단파장 산화아연 발광소자 및 그 제조방법 |
| US6670202B2 (en) | 2001-09-05 | 2003-12-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser and fabricating method therefor |
| US6810055B2 (en) | 2000-10-31 | 2004-10-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
| JP2009055002A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Eudyna Devices Inc | 光半導体装置およびその製造方法 |
| US7713765B2 (en) | 2007-07-27 | 2010-05-11 | Eudyna Devices Inc. | Optical semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US11777277B2 (en) | 2018-09-12 | 2023-10-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4623192A patent/JPH05218593A/ja active Pending
Cited By (8)
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