JP3451818B2 - 半導体レーザー - Google Patents
半導体レーザーInfo
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Description
び半導体レーザーに関し、例えば、電流狭窄構造を有す
る半導体レーザーに適用して好適なものである。
aInP系半導体レーザーが実用化されている。図9に
従来のAlGaInP系半導体レーザーの一例を示す。
nP系半導体レーザーにおいては、n型GaAs基板1
01上に、n型AlGaInPクラッド層102、アン
ドープGaInP活性層103、p型AlGaInPク
ラッド層104、p型GaInP中間層105およびp
型GaAsキャップ層106が順次積層されている。
層部、p型GaInP中間層105およびp型GaAs
キャップ層106は、一方向に延びる所定幅のリッジス
トライプ形状を有する。このリッジストライプ部の両側
の部分にはn型GaAs電流狭窄層107が埋め込ま
れ、これによって電流狭窄構造が形成されている。
GaAs電流狭窄層107の上には、例えばTi/Pt
/Au電極のようなp側電極108が設けられている。
一方、n型GaAs基板101の裏面には、例えばIn
電極のようなn側電極109が設けられている。
ーにおいて、p型AlGaInPクラッド層104、p
型GaInP中間層105およびp型GaAsキャップ
層106中のp型不純物は例えばZn、n型GaAs電
流狭窄層107およびn型AlGaInPクラッド層1
02中のn型不純物は例えばSeである。
ザーを製造するためには、まず、n型GaAs基板10
1上に、n型AlGaInPクラッド層102、アンド
ープGaInP活性層103、p型AlGaInPクラ
ッド層104、p型GaInP中間層105およびp型
GaAsキャップ層106を、例えば有機金属化学気相
成長(MOCVD)法により順次成長させる。
面にSiO2 膜やSiN膜を形成した後、これをエッチ
ングによりパターニングして所定幅のストライプ状のマ
スク(図示せず)を形成する。
て用いて、ウエットエッチング法により、p型AlGa
InPクラッド層104の厚さ方向の途中の深さまでエ
ッチングし、p型AlGaInPクラッド層104の上
層部、p型GaInP中間層105およびp型GaAs
キャップ層106を一方向に延びる所定幅のリッジスト
ライプ形状にパターニングする。
一のマスクを成長マスクとして用いて、例えばMOCV
D法により、リッジストライプ部の両側の部分を埋め込
むようにn型GaAs電流狭窄層107を成長させる。
後、p型GaAsキャップ層106およびn型GaAs
電流狭窄層107の全面にp側電極108を形成すると
ともに、n型GaAs基板101の裏面にn側電極10
9を形成する。
従来のAlGaInP系半導体レーザーにおいては、特
に、n型GaAs基板101にオフ基板を用いた場合な
どのように、p型AlGaInPクラッド層104中の
Znなどのp型不純物が拡散しやすい状態にある場合に
は、n型GaAs電流狭窄層107の成長の際に、以下
に述べるような問題が生じる。
GaInPクラッド層104のp型不純物濃度Np より
もn型GaAs電流狭窄層107のn型不純物濃度Nn
が高い場合には、n型GaAs電流狭窄層107の成長
の際に、リッジストライプ部の中央部において、p型A
lGaInPクラッド層104中のp型不純物が例えば
図10中破線で示す位置まで拡散してしまう。
InPクラッド層104のp型不純物濃度Np よりもn
型GaAs電流狭窄層107のn型不純物濃度Nn が低
い場合には、n型GaAs電流狭窄層107の成長の際
に、リッジストライプ部の両側の部分のn型GaAs電
流狭窄層107中に、p型AlGaInPクラッド層1
04中のp型不純物が図11中破線で示す位置まで拡散
してしまう。
体レーザーにおいては、n型GaAs電流狭窄層107
の成長の際に、p型AlGaInPクラッド層104中
のp型不純物の不要な拡散が生じるという問題があり、
このため、良好な特性が得られなかったり、信頼性が低
いなどの問題があった。
ついてであるが、上述と同様な問題は、他の半導体レー
ザーはもちろん、半導体レーザー以外の半導体装置にお
いても生じ得るものである。
にこれと不純物濃度が異なる他の半導体層を接して設け
る場合に不純物の不要な拡散を抑えることができる半導
体装置および半導体レーザーを提供することにある。
に、この発明の第1の発明は、オフ基板上のn型の第1
のクラッド層と、 第1のクラッド層上の活性層と、 活性
層上のp型の第2のクラッド層とを有し、 第2のクラッ
ド層に設けられたストライプ部の両側の部分にn型の電
流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する半導体レ
ーザーにおいて、 電流狭窄層のうちの第2のクラッド層
と接する部分の不純物濃度が第2のクラッド層の不純物
濃度と等しくかつ他の部分の電流狭窄層の不純物濃度よ
りも低い ことを特徴とするものである。
型の第1のクラッド層と、第1のクラッド層上の活性層
と、活性層上のp型の第2のクラッド層とを有し、第2
のクラッド層に設けられたストライプ部の両側の部分に
n型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する
半導体レーザーにおいて、電流狭窄層のうちの第2のク
ラッド層と接する部分の不純物濃度が第2のクラッド層
の不純物濃度と等しくかつ他の部分の電流狭窄層の不純
物濃度よりも高いことを特徴とするものである。
は、電流狭窄層は、例えば、GaAs、AlInP、A
lGaInP、GaP、GaNなどのIII−V族化合
物半導体や、ZnSSe、ZnMgSSe、ZnMg、
ZnSe、ZnCdSe、ZnSなどのII−VI族化
合物半導体からなる。
は、電流狭窄層の不純物は、例えば、Se、Si、M
g、Zn、Be、Cl、N、F、Br、I、At、P、
As、Sbなどである。ここで、電流狭窄層の材料とそ
の不純物との組み合わせの例を挙げると、AlInPま
たはAlGaInPに対して、p型不純物としてZn、
Mg、Beなど、n型不純物としてSe、Siなどであ
る。また、ZnSSeなどのII−VI族化合物半導体
に対しては、p型不純物としてNなど、n型不純物とし
てClなどである。
は、電流狭窄層のうちの不純物濃度が第2のクラッド層
の不純物濃度と等しい部分と他の部分とは、互いに異な
る材料からなるものであってもよい。その一例を挙げる
と、電流狭窄層のうちの不純物濃度が第2のクラッド層
の不純物濃度と等しい部分がAlGaInPからなり、
他の部分がAlInPからなる場合である。
型の第1のクラッド層と、第1のクラッド層上の活性層
と、活性層上のp型の第2のクラッド層と、第2のクラ
ッド層上のストライプ状の開口を有するn型の電流狭窄
層と、電流狭窄層の開口の部分における第2のクラッド
層と接して設けられたp型の第3のクラッド層とを有す
る半導体レーザーにおいて、第3のクラッド層のうちの
第2のクラッド層と接する部分の不純物濃度が第2のク
ラッド層の不純物濃度と等しくかつ他の部分の第3のク
ラッド層の不純物濃度よりも低いことを特徴とするもの
である。この発明の第4の発明は、 オフ基板上のn型の
第1のクラッド層と、 第1のクラッド層上の活性層と、
活性層上のp型の第2のクラッド層と、 第2のクラッド
層上のストライプ状の開口を有するn型の電流狭窄層
と、 電流狭窄層の開口の部分における第2のクラッド層
と接して設けられたp型の第3のクラッド層とを有する
半導体レーザーにおいて、 第3のクラッド層のうちの第
2のクラッド層と接する部分の不純物濃度が第2のクラ
ッド層の不純物濃度と等しくかつ他の部分の第3のクラ
ッド層の不純物濃度よりも高い ことを特徴とするもので
ある。
は、第3のクラッド層は、例えば、AlGaInPなど
のIII−V族化合物半導体や、ZnMgSSeなどの
II−VI族化合物半導体からなる。
は、第3のクラッド層の不純物は、例えば、Se、S
i、Mg、Zn、Be、Cl、N、F、Br、I、A
t、P、As、Sbなどである。ここで、第3のクラッ
ド層の材料とその不純物との組み合わせの例を挙げる
と、AlGaInPに対して、p型不純物としてZn、
Mg、Beなど、n型不純物としてSe、Siなどであ
る。また、ZnMgSSeなどのII−VI族化合物半
導体に対しては、p型不純物としてNなど、n型不純物
としてClなどである。
よび第2の発明によれば、電流狭窄層のうちの第2のク
ラッド層と接する部分の不純物濃度が第2のクラッド層
の不純物濃度と等しいので、第2のクラッド層と電流狭
窄層との境界部に不純物濃度の不均衡がなく、このた
め、オフ基板を用いる場合において第2のクラッド層に
接して電流狭窄層を成長させる際に、第2のクラッド層
中の不純物の不要な拡散を抑えることができる。
よび第4の発明によれば、第3のクラッド層のうちの第
2のクラッド層と接する部分の不純物濃度が第2のクラ
ッド層の不純物濃度と等しいので、第2のクラッド層と
第3のクラッド層との境界部に不純物濃度の不均衡がな
く、このため、オフ基板を用いる場合において電流狭窄
層の開口の部分における第2のクラッド層に接して第3
のクラッド層を成長させる際に、第2のクラッド層中の
不純物の不要な拡散を抑えることができる。
て図面を参照しながら説明する。
AlGaInP系半導体レーザーを示す断面図である。
よるAlGaInP系半導体レーザーにおいては、n型
GaAs基板1上に、n型AlGaInPクラッド層
2、アンドープGaInP活性層3、p型AlGaIn
Pクラッド層4、p型GaInP中間層5およびp型G
aAsキャップ層6が順次積層されている。
部、p型GaInP中間層5およびp型GaAsキャッ
プ層6は、一方向に延びる所定幅のリッジストライプ形
状を有する。このリッジストライプ部の両側の部分には
n型GaAs電流狭窄層7が埋め込まれ、これによって
電流狭窄構造が形成されている。
型AlGaInPクラッド層4、p型GaInP中間層
5およびp型GaAsキャップ層6中のp型不純物は例
えばZn、n型AlGaInPクラッド層3およびn型
GaAs電流狭窄層7中のn型不純物は例えばSeであ
る。
As電流狭窄層7の上には、例えばTi/Pt/Au電
極のようなp側電極8が設けられている。一方、n型G
aAs基板1の裏面には、例えばIn電極のようなn側
電極9が設けられている。
系半導体レーザーにおいては、n型GaAs電流狭窄層
7のうちの下地と接する部分7aの不純物濃度はp型A
lGaInPクラッド層4の不純物濃度とほぼ等しく設
定されており、その他の部分の不純物濃度はn型GaA
s電流狭窄層7に本来必要な、p型AlGaInPクラ
ッド層4の不純物濃度よりも高い不純物濃度に設定され
ている。すなわち、p型AlGaInPクラッド層4の
p型不純物濃度をNp 、n型GaAs電流狭窄層7のう
ちの下地と接する部分7aのn型不純物濃度をNn ´、
n型GaAs電流狭窄層7のうちの下地と接する部分7
a以外の部分のn型不純物濃度をNn とすると、Np ≒
Nn ´<Nn に設定されている。ここで、不純物濃度の
具体例を挙げると、Np およびNn ´は例えば7×10
17cm-3程度、Nn は例えば2×1018cm-3程度であ
る。
実施形態によるAlGaInP系半導体レーザーの製造
方法について説明する。
AlGaInP系半導体レーザーの製造方法を説明する
ための断面図である。
系半導体レーザーを製造するためには、まず、図2に示
すように、n型GaAs基板1上に、n型AlGaIn
Pクラッド層2、アンドープGaInP活性層3、p型
AlGaInPクラッド層4、p型GaInP中間層5
およびp型GaAsキャップ層6を、例えばMOCVD
法により順次成長させる。
ャップ層6の全面に例えばCVD法によりSiO2 膜や
SiN膜を形成した後、これをエッチングによりパター
ニングして所定幅のストライプ形状のマスク10を形成
する。
ッチングマスクとして用いて、ウエットエッチング法に
より、p型AlGaInPクラッド層4の厚さ方向の途
中の深さまでエッチングする。これによって、p型Al
GaInPクラッド層4の上層部、p型GaInP中間
層5およびp型GaAsキャップ層6が、一方向に延び
る所定幅のリッジストライプ形状にパターニングされ
る。
長マスクとして用いて、n型GaAs電流狭窄層7のう
ちの下地と接する部分7aを例えばMOCVD法により
成長させる。このとき、p型不純物のドーパントの供給
量は、この部分7a以外の部分のn型GaAs電流狭窄
層7の成長の際のp型不純物のドーパントの供給量より
も少なくする。ここで、この部分7aの厚さは、このA
lGaInP系半導体レーザーの特性に大きな影響を及
ぼさないような厚さ、具体的には例えば100nm程度
以下に選ばれる。
長マスクとして用いて、n型GaAs電流狭窄層7のう
ちの下地と接する部分7aの上に残りのn型GaAs電
流狭窄層7を例えばMOCVD法により成長させる。
後、図1に示すように、p型GaAsキャップ層6およ
びn型GaAs電流狭窄層7の全面にp側電極8を形成
するとともに、n型GaAs基板1の裏面にn側電極9
を形成する。
半導体レーザーが製造される。
AlGaInP系半導体レーザーによれば、n型GaA
s電流狭窄層7のうちの下地と接する部分7aのn型不
純物濃度Nn ´がp型AlGaInPクラッド層4のp
型不純物濃度Np とほぼ等しいので、p型AlGaIn
Pクラッド層4とn型GaAs電流狭窄層7との境界部
に不純物濃度の不均衡がない。このため、p型AlGa
InPクラッド層4に接してn型GaAs電流狭窄層7
を成長させる際に、リッジストライプ部の中央部におい
てp型AlGaInPクラッド層4中のp型不純物の不
要な拡散が生じるのを有効に抑えることができる。これ
によって、所望の不純物濃度分布を再現性よく得ること
ができ、特性が良好で信頼性が高いAlGaInP系半
導体レーザーを得ることができる。
lGaInP系半導体レーザーについて説明する。
系半導体レーザーは、図1に示す第1の実施形態による
AlGaInP系半導体レーザーと同様な構造を有す
る。
系半導体レーザーにおいては、n型GaAs電流狭窄層
7のうちの下地と接する部分7aの不純物濃度はp型A
lGaInPクラッド層4の不純物濃度とほぼ等しく設
定されており、その他の部分の不純物濃度はn型GaA
s電流狭窄層7に本来必要な、p型AlGaInPクラ
ッド層4の不純物濃度よりも低い不純物濃度に設定され
ている。すなわち、p型AlGaInPクラッド層4の
p型不純物濃度をNp 、n型GaAs電流狭窄層7のう
ちの下地と接する部分7aのn型不純物濃度をNn ´、
n型GaAs電流狭窄層7のうちの下地と接する部分7
a以外の部分のn型不純物濃度をNn とすると、Np ≒
Nn ´>Nn に設定されている。
系半導体レーザーの製造方法は、第1の実施形態による
AlGaInP系半導体レーザーの製造方法と同様であ
るので、説明を省略する。
AlGaInP系半導体レーザーによれば、n型GaA
s電流狭窄層7のうちの下地と接する部分7aのn型不
純物濃度Nn ´がp型AlGaInPクラッド層4のp
型不純物濃度Np とほぼ等しいので、p型AlGaIn
Pクラッド層4とn型GaAs電流狭窄層7との境界部
に不純物濃度の不均衡がない。このため、p型AlGa
InPクラッド層4に接してn型GaAs電流狭窄層7
を成長させる際に、リッジストライプ部の両側の部分の
n型GaAs電流狭窄層7にp型AlGaInPクラッ
ド層4中のp型不純物の不要な拡散が生じるのを有効に
抑えることができる。これによって、所望の不純物濃度
分布を再現性よく得ることができ、特性が良好で信頼性
が高いAlGaInP系半導体レーザーを得ることがで
きる。
AlGaInP系半導体レーザーを示す断面図である。
よるAlGaInP系半導体レーザーにおいては、n型
GaAs基板11上に、n型AlGaInPクラッド層
12、アンドープGaInP活性層13およびp型Al
GaInPクラッド層14が順次積層されている。
は、一方向に延びる所定幅のストライプ状の開口15a
を有するn型GaAs電流狭窄層15が積層されてい
る。このn型GaAs電流狭窄層15およびその開口1
5aの部分におけるp型AlGaInPクラッド層14
の上には、p型AlGaInPクラッド層16が積層さ
れている。このp型AlGaInPクラッド層16上に
は、p型GaAsキャップ層17が設けられている。
型AlGaInPクラッド層14、16およびp型Ga
Asキャップ層17中のp型不純物は例えばZn、n型
AlGaInPクラッド層12およびn型GaAs電流
狭窄層15中のn型不純物は例えばSeである。
ばTi/Pt/Au電極のようなp側電極18が設けら
れている。一方、n型GaAs基板11の裏面には、例
えばIn電極のようなn側電極19が設けられている。
系半導体レーザーにおいては、p型AlGaInPクラ
ッド層16のうちの下地と接する部分16aの不純物濃
度はp型AlGaInPクラッド層14の不純物濃度と
ほぼ等しく設定され、その他の部分の不純物濃度はp型
AlGaInPクラッド層16に本来必要な、p型Al
GaInPクラッド層14の不純物濃度よりも高い不純
物濃度に設定されている。すなわち、p型AlGaIn
Pクラッド層14のp型不純物濃度をNp 、p型AlG
aInPクラッド層16のうちの下地と接する部分16
aのp型不純物濃度をNp ´、p型AlGaInPクラ
ッド層16のうちの下地と接する部分16a以外の部分
のp型不純物濃度をNp ´´とすると、Np ≒Np ´<
Np ´´に設定されている。
実施形態によるAlGaInP系半導体レーザーの製造
方法について説明する。
系半導体レーザーを製造するためには、まず、n型Ga
As基板11上に、n型AlGaInPクラッド層1
2、アンドープGaInP活性層13、p型AlGaI
nPクラッド層14およびn型GaAs電流狭窄層15
を例えばMOCVD法により順次成長させる。
SiO2 膜やSiN膜などからなる一方向に延びた所定
幅のストライプ状の開口を有するマスク(図示せず)を
形成する。
て用いて、ウエットエッチング法により、n型GaAs
電流狭窄層15を選択的にエッチングする。これによっ
て、n型GaAs電流狭窄層15に一方向に延びるスト
ライプ状の開口15aが形成される。この後、エッチン
グに用いたマスクを除去する。
にその開口15aを埋め込むようにして、p型AlGa
InPクラッド層16のうちの下地と接する部分16a
を例えばMOCVD法により成長させる。このとき、p
型不純物のドーパントの供給量は、この部分16a以外
の部分のp型AlGaInPクラッド層16の成長の際
のp型不純物のドーパントの供給量よりも少なくする。
ここで、この部分16aの厚さは、このAlGaInP
系半導体レーザーの特性に大きな影響を及ぼさないよう
な厚さ、具体的には例えば100nm程度以下に選ばれ
る。
のうちの下地と接する部分16aの上に残りのp型Al
GaInPクラッド層16を例えばMOCVD法により
成長させる。
の全面にp型GaAsキャップ層17を例えばMOCV
D法により成長させた後、このp型GaAsキャップ層
17の表面を平坦化する。
にp側電極18を形成するとともに、n型GaAs基板
11の裏面にn側電極19を形成する。
半導体レーザーが製造される。
AlGaInP系半導体レーザーによれば、p型AlG
aInPクラッド層16のうちの下地と接する部分16
aのp型不純物濃度Np ´がp型AlGaInPクラッ
ド層14のp型不純物濃度Np とほぼ等しいので、n型
GaAs電流狭窄層15の開口15aの部分におけるp
型AlGaInPクラッド層14とp型AlGaInP
クラッド層16との境界部に不純物濃度の不均衡がな
い。このため、n型GaAs電流狭窄層15の開口15
aの部分においてp型AlGaInPクラッド層14に
接してp型AlGaInPクラッド層16を成長させる
際に、n型GaAs電流狭窄層15の開口15aの部分
におけるp型AlGaInPクラッド層14中のp型不
純物の不要な拡散が生じるのを有効に抑えることができ
る。これによって、所望の不純物濃度分布を再現性よく
得ることができ、特性が良好で信頼性が高いAlGaI
nP系半導体レーザーを得ることができる。
AlGaInP系半導体レーザーを示す断面図である。
よるAlGaInP系半導体レーザーにおいては、n型
GaAs基板21上に、n型AlGaInPクラッド層
22、アンドープGaInP活性層23およびp型Al
GaInPクラッド層24が順次積層されている。
部は、一方向に延びる所定幅のリッジストライプ形状を
有する。このリッジストライプ部の両側の部分にはn型
GaAs電流狭窄層25が埋め込まれ、これによって電
流狭窄構造が形成されている。p型AlGaInPクラ
ッド層24およびn型GaAs電流狭窄層25の上に
は、p型GaAsキャップ層26が積層されている。
型AlGaInPクラッド層24およびp型GaAsキ
ャップ層26中のp型不純物は例えばZn、n型AlG
aInPクラッド層22およびn型GaAs電流狭窄層
25中のn型不純物は例えばSeである。
例えばTi/Pt/Au電極のようなp側電極27が設
けられている。一方、n型GaAs基板21の裏面に
は、例えばIn電極のようなn側電極28が設けられて
いる。
系半導体レーザーにおいては、n型GaAs電流狭窄層
25のうちの下地と接する部分25aの不純物濃度はp
型AlGaInPクラッド層24の不純物濃度とほぼ等
しく設定されており、その他の部分の不純物濃度はn型
GaAs電流狭窄層25に本来必要な、p型AlGaI
nPクラッド層24の不純物濃度よりも高い不純物濃度
に設定されている。すなわち、p型AlGaInPクラ
ッド層24のp型不純物濃度をNp 、n型GaAs電流
狭窄層25のうちの下地と接する部分25aのn型不純
物濃度をNn ´ 、n型GaAs電流狭窄層25のうちの
下地と接する部分25a以外の部分のn型不純物濃度を
Nn とすると、Np ≒Nn ´ <Nn に設定されてい
る。ここで、不純物濃度の具体例を挙げると、Np およ
びNn ´は例えば7×1017cm-3程度、Nn は例えば
2×1018cm-3程度である。
AlGaInP系半導体レーザーによれば、n型GaA
s電流狭窄層25のうちの下地と接する部分25aのn
型不純物濃度Nn ´がp型AlGaInPクラッド層2
4のp型不純物濃度Np とほぼ等しいことにより、第1
の実施形態によるAlGaInP系半導体レーザーと同
様な利点を得ることができる。
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
いて挙げた材料や数値は、あくまで例に過ぎず、これら
に限定されるものではない。
1〜第4の実施形態において用いたもの以外の各種の構
造基板上に二度目の成長を行う場合に適用することが可
能である。
おいては、n型GaAs電流狭窄層7、p型AlGaI
nPクラッド層16およびn型GaAs電流狭窄層25
のうちの下地と接する部分以外の部分の不純物濃度は均
一であるが、この部分がさらに二段階以上の不純物濃度
分布を有するようにしてもよい。
いては、一度目の成長を行って構造基板を形成した後に
行われる二度目の成長の際に、その成長層のうちの下地
と接する部分の不純物濃度を下地のクラッド層の不純物
濃度とほぼ等しく設定し、その他の部分の不純物濃度を
本来必要とされる不純物濃度に設定しているが、この発
明は、三度目以降の成長を行う際に下地の層中の不純物
の不要な拡散を抑える場合にも適用することが可能であ
る。
よび第2の発明による半導体レーザーによれば、電流狭
窄層のうちの第2のクラッド層と接する部分の不純物濃
度が第2のクラッド層の不純物濃度と等しいので、第2
のクラッド層と電流狭窄層との境界部に不純物濃度の不
均衡がなく、このため、オフ基板を用いる場合において
第2のクラッド層に接して電流狭窄層を成長させる際
に、第2のクラッド層中の不純物の不要な拡散を抑える
ことができる。
導体レーザーによれば、第3のクラッド層のうちの第2
のクラッド層と接する部分の不純物濃度が第2のクラッ
ド層の不純物濃度と等しいので、第2のクラッド層と第
3のクラッド層との境界部に不純物濃度の不均衡がな
く、このため、オフ基板を用いる場合において電流狭窄
層の開口の部分における第2のクラッド層に接して第3
のクラッド層を成長させる際に、第2のクラッド層中の
不純物の不要な拡散を抑えることができる。
P系半導体レーザーを示す断面図である。
P系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図
である。
P系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図
である。
P系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図
である。
P系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図
である。
P系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図
である。
P系半導体レーザーを示す断面図である。
P系半導体レーザーを示す断面図である。
ザーを示す断面図である。
ーザーの問題を説明するための断面図である。
ーザーの問題を説明するための断面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 オフ基板上のn型の第1のクラッド層
と、 上記第1のクラッド層上の活性層と、 上記活性層上のp型の第2のクラッド層とを有し、 上記第2のクラッド層に設けられたストライプ部の両側
の部分にn型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造
を有する半導体レーザーにおいて、 上記電流狭窄層のうちの上記第2のクラッド層と接する
部分の不純物濃度が上記第2のクラッド層の不純物濃度
と等しくかつ他の部分の上記電流狭窄層の不純物濃度よ
りも低い ことを特徴とする半導体レーザー。 - 【請求項2】 上記第2のクラッド層のp型不純物はZ
nであることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ
ー。 - 【請求項3】 上記半導体レーザーはAlGaInP系
半導体レーザーであることを特徴とする請求項1または
2記載の半導体レーザー。 - 【請求項4】 オフ基板上のn型の第1のクラッド層
と、 上記第1のクラッド層上の活性層と、 上記活性層上のp型の第2のクラッド層とを有し、 上記第2のクラッド層に設けられたストライプ部の両側
の部分にn型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造
を有する半導体レーザーにおいて、 上記電流狭窄層のうちの上記第2のクラッド層と接する
部分の不純物濃度が上記第2のクラッド層の不純物濃度
と等しくかつ他の部分の上記電流狭窄層の不純物濃度よ
りも高い ことを特徴とする半導体レーザー。 - 【請求項5】 オフ基板上のn型の第1のクラッド層
と、 上記第1のクラッド層上の活性層と、 上記活性層上のp型の第2のクラッド層と、 上記第2のクラッド層上のストライプ状の開口を有する
n型の電流狭窄層と、 上記電流狭窄層の上記開口の部分における上記第2のク
ラッド層と接して設けられたp型の第3のクラッド層と
を有する半導体レーザーにおいて、 上記第3のクラッド層のうちの上記第2のクラッド層と
接する部分の不純物濃度が上記第2のクラッド層の不純
物濃度と等しくかつ他の部分の上記第3のクラッド層の
不純物濃度よりも低いことを特徴とする半導体レーザ
ー。 - 【請求項6】 オフ基板上のn型の第1のクラッド層
と、 上記第1のクラッド層上の活性層と、 上記活性層上のp型の第2のクラッド層と、 上記第2のクラッド層上のストライプ状の開口を有する
n型の電流狭窄層と、 上記電流狭窄層の上記開口の部分における上記第2のク
ラッド層と接して設けられたp型の第3のクラッド層と
を有する半導体レーザーにおいて、 上記第3のクラッド層のうちの上記第2のクラッド層と
接する部分の不純物濃度が上記第2のクラッド層の不純
物濃度と等しくかつ他の部分の上記第3のクラッド層の
不純物濃度よりも高い ことを特徴とする半導体レーザ
ー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34798795A JP3451818B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 半導体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34798795A JP3451818B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 半導体レーザー |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09167875A JPH09167875A (ja) | 1997-06-24 |
JP3451818B2 true JP3451818B2 (ja) | 2003-09-29 |
Family
ID=18393975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34798795A Expired - Lifetime JP3451818B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 半導体レーザー |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3451818B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7619261B2 (en) | 2000-08-07 | 2009-11-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
US7260130B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-08-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
-
1995
- 1995-12-15 JP JP34798795A patent/JP3451818B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
Title |
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J.Electron.Mater.,Vol.24,No.6,(1995.6),p.747−750 |
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---|---|
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