JPS63153877A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63153877A JPS63153877A JP29998986A JP29998986A JPS63153877A JP S63153877 A JPS63153877 A JP S63153877A JP 29998986 A JP29998986 A JP 29998986A JP 29998986 A JP29998986 A JP 29998986A JP S63153877 A JPS63153877 A JP S63153877A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layer
- film
- layer
- algaas
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 30
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- ZUXNHFFVQWADJL-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethoxy-n-(2-methoxyethyl)-n-(4-phenyl-1,3-thiazol-2-yl)benzamide Chemical compound N=1C(C=2C=CC=CC=2)=CSC=1N(CCOC)C(=O)C1=CC(OC)=C(OC)C(OC)=C1 ZUXNHFFVQWADJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、半導体発光装置の製造方法に於いて、ＡｆＧ
ａＡｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に向かって大き
くなるようグレーデッドになっているクラッド層を形成
し、そのクラッド層上にＧａＡｓ膜とＡｌＧａＡｓ膜と
の多重量子井戸で構成される活性層を形成し、その活性
層上にＡｌＧａＡｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に
向かって大きくなるようグレーデッドになっているクラ
ッド層を形成し、前記活性層及びそれを挟む前記各クラ
ッド層に於ける一方の側面からはＺｎを、また、他方の
側面からはＳｉをそれぞれ導入して該活性層を選択的に
無秩序化することに依り、完成された半導体発光装置の
Ｚｎ拡散領域及びＳｉ拡散領域で画成されたストライプ
部分は活性層に於いて最も狭くなるようにし、良好な単
−横モード発振が可能であると共にリーク電流を少なく
することができるようにしたものである。
ａＡｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に向かって大き
くなるようグレーデッドになっているクラッド層を形成
し、そのクラッド層上にＧａＡｓ膜とＡｌＧａＡｓ膜と
の多重量子井戸で構成される活性層を形成し、その活性
層上にＡｌＧａＡｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に
向かって大きくなるようグレーデッドになっているクラ
ッド層を形成し、前記活性層及びそれを挟む前記各クラ
ッド層に於ける一方の側面からはＺｎを、また、他方の
側面からはＳｉをそれぞれ導入して該活性層を選択的に
無秩序化することに依り、完成された半導体発光装置の
Ｚｎ拡散領域及びＳｉ拡散領域で画成されたストライプ
部分は活性層に於いて最も狭くなるようにし、良好な単
−横モード発振が可能であると共にリーク電流を少なく
することができるようにしたものである。
本発明は、ＧａＡｓ膜及びＡＪＧａＡｓ膜からなる多重
量子井戸（ｍｕｌ ｔ ｉｑｕａｎｔｕｍｗｅ Ｉ Ｉ
： ＭＱＷ）にＺｎ及びＳｔを選択的に拡散して無秩
序化することに依り横方向の光閉じ込めを行う形式の半
導体発光装置を製造する方法の改良に関する。
量子井戸（ｍｕｌ ｔ ｉｑｕａｎｔｕｍｗｅ Ｉ Ｉ
： ＭＱＷ）にＺｎ及びＳｔを選択的に拡散して無秩
序化することに依り横方向の光閉じ込めを行う形式の半
導体発光装置を製造する方法の改良に関する。
従来、ＧａＡｓ膜及びＡｌＧａＡｓ膜からなるＭＱＷに
Ｚｎ或いはＳｉを拡散した場合、比較的低温で均一なＡ
ＪＧａＡｓ層になる、所謂、無秩尿化されることが知ら
れ、このＺｎ或いはＳｉ拡散で均一になったＡｊ！Ｇａ
Ａｓ層はＭＱＷよりも屈折率が小さく、且つ、禁制帯幅
が大きいので、この技術を適用して半導体レーザに於け
る光の閉じ込めを行う試みがなされている。
Ｚｎ或いはＳｉを拡散した場合、比較的低温で均一なＡ
ＪＧａＡｓ層になる、所謂、無秩尿化されることが知ら
れ、このＺｎ或いはＳｉ拡散で均一になったＡｊ！Ｇａ
Ａｓ層はＭＱＷよりも屈折率が小さく、且つ、禁制帯幅
が大きいので、この技術を適用して半導体レーザに於け
る光の閉じ込めを行う試みがなされている。
また、近年、光・電子集積回路装置に発光素子として半
導体レーザを組み込むことが行われているが、その場合
、電子素子側からの要求で、基板には半絶縁性のものを
用いなければならず、従って、半導体レーザとしては、
通常のように、表面から基板に向かって縦方向に電流を
流す形式のものを採用することはできず、活性層に於け
る一方の側面から他方の側面に電流を流す形式のものが
考えられている。
導体レーザを組み込むことが行われているが、その場合
、電子素子側からの要求で、基板には半絶縁性のものを
用いなければならず、従って、半導体レーザとしては、
通常のように、表面から基板に向かって縦方向に電流を
流す形式のものを採用することはできず、活性層に於け
る一方の側面から他方の側面に電流を流す形式のものが
考えられている。
第６図は前記した技術を適用することに依り作成された
半導体発光装置の要部切断正面図を表している。
半導体発光装置の要部切断正面図を表している。
図に於いて、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２は高抵抗Ａ
ｊ！ＧａＡｓクラッド層、３はＧａＡｓ膜とＡｌＧａＡ
ｓ膜とを積層して構成されたＭＱＷ活性層、４は高抵抗
ＡｌＧａＡｓクラッド層、５はＺｎ（ｐ型）拡散領域、
６は５ｉ（ｎ型）拡散領域、７はｐ側電極、８はｎ側電
極、１１は表面近傍に於けるストライプ部分の幅、１２
はＭＱＷ活性層３に於ける活性領域の幅をそれぞれ示し
ている。尚、図示例では、簡明にする為、バッファ層な
ど説明に不要な部分は省略しである。
ｊ！ＧａＡｓクラッド層、３はＧａＡｓ膜とＡｌＧａＡ
ｓ膜とを積層して構成されたＭＱＷ活性層、４は高抵抗
ＡｌＧａＡｓクラッド層、５はＺｎ（ｐ型）拡散領域、
６は５ｉ（ｎ型）拡散領域、７はｐ側電極、８はｎ側電
極、１１は表面近傍に於けるストライプ部分の幅、１２
はＭＱＷ活性層３に於ける活性領域の幅をそれぞれ示し
ている。尚、図示例では、簡明にする為、バッファ層な
ど説明に不要な部分は省略しである。
図示の半導体発光装置では、ＭＱＷ活性層３のうちＺｎ
拡散領域５の一部となった部分及びＳｉ拡散領域６の一
部となった部分は無秩序化され、その部分に於いてはＭ
ＱＷの構成が解消されて均一なＡｊ！ＧａＡｓ層に変換
され、そして、該ＡＪＧａＡｓ層は前記したように当初
のＭＱＷに比較して屈折率が小さく且つ禁制帯幅が広く
なっているので、光の閉じ込めにを効に作用する。
拡散領域５の一部となった部分及びＳｉ拡散領域６の一
部となった部分は無秩序化され、その部分に於いてはＭ
ＱＷの構成が解消されて均一なＡｊ！ＧａＡｓ層に変換
され、そして、該ＡＪＧａＡｓ層は前記したように当初
のＭＱＷに比較して屈折率が小さく且つ禁制帯幅が広く
なっているので、光の閉じ込めにを効に作用する。
第６図からも判るように、従来技術に依るこの種の半導
体発光装置では、Ｚｎ拡散領域５とＳｉ拡散領域６とに
依って画成されたストライプ部分は、表面から基板に向
かうにつれて太き（拡がってしまい、従って、レーザ発
光領域、即ち、活性層３に於ける活性領域の幅１２も広
くなるので単−横モード発振が困難になる欠点をもって
いる。
体発光装置では、Ｚｎ拡散領域５とＳｉ拡散領域６とに
依って画成されたストライプ部分は、表面から基板に向
かうにつれて太き（拡がってしまい、従って、レーザ発
光領域、即ち、活性層３に於ける活性領域の幅１２も広
くなるので単−横モード発振が困難になる欠点をもって
いる。
また、この半導体発光装置では、電流がｐ側電極７から
ｎ側電極８へ、従って、Ｚｎ拡散領域５から、Ｓｉ拡散
領域６の間を流れることになり、この場合、全ての電流
が活性層３を介して流れることが理想的であるが、如何
にクラッドＮ４が高抵抗であるとはいえ、そこに存在す
るＺｎ拡散領域５とＳｉ拡散領域６の間は極めて近（な
っているので、クラッド層４を介して流れるリーク電流
がかなり多くなってしまう。
ｎ側電極８へ、従って、Ｚｎ拡散領域５から、Ｓｉ拡散
領域６の間を流れることになり、この場合、全ての電流
が活性層３を介して流れることが理想的であるが、如何
にクラッドＮ４が高抵抗であるとはいえ、そこに存在す
るＺｎ拡散領域５とＳｉ拡散領域６の間は極めて近（な
っているので、クラッド層４を介して流れるリーク電流
がかなり多くなってしまう。
因に、幅１１が１〜２〔μｍ〕である場合、幅１２は２
〜３〔μｍ３以上になることは確実である。
〜３〔μｍ３以上になることは確実である。
この半導体発光装置に於いて、活性領域の幅１２を狭く
して単−横モード発振を安定化する為には、Ｚｎ拡散領
域５及びＳｉ拡散領域６に依って画成されるストライプ
部分の幅を更に狭くすれば良いと考えられようが、若し
、活性領域の幅１２を発振モードの面から満足できるよ
うな程度に狭く設定した場合には、表面に於ける前記ス
トライプ部分の幅１１は著しく狭いものとなり、前記説
明したリーク電流は更に増大することになる。
して単−横モード発振を安定化する為には、Ｚｎ拡散領
域５及びＳｉ拡散領域６に依って画成されるストライプ
部分の幅を更に狭くすれば良いと考えられようが、若し
、活性領域の幅１２を発振モードの面から満足できるよ
うな程度に狭く設定した場合には、表面に於ける前記ス
トライプ部分の幅１１は著しく狭いものとなり、前記説
明したリーク電流は更に増大することになる。
本発明は、極めて簡単な構成を採ることに依り、Ｚｎ及
びＳｉ拡散領域に依って画成されるストライプ部分が表
面から基板に向かうにつれて幅が拡大されるのを防止で
きるように、即ち、レーザ発光する活性領域の幅が最も
狭く維持されて安定な単−横モード発振が可能であると
共にリーク電流が少ない半導体発光装置を製造できるよ
うにするものである。
びＳｉ拡散領域に依って画成されるストライプ部分が表
面から基板に向かうにつれて幅が拡大されるのを防止で
きるように、即ち、レーザ発光する活性領域の幅が最も
狭く維持されて安定な単−横モード発振が可能であると
共にリーク電流が少ない半導体発光装置を製造できるよ
うにするものである。
本発明に依る半導体発光装置の製造方法では、ＡｌＧａ
Ａｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に向かって大きく
なるようグレーデッドになっているクラッド層（例えば
高抵抗Ａｊ２ＧａＡｓクラッド層２）を形成する工程と
、次に、ＧａＡｓ膜及びＡｌＧａＡｓ膜からなる多重量
子井戸で構成される活性層（例えばＭＱＷ活性層３）を
形成する工程と、次に、該活性層上にＡｌＧａＡｓから
なり且つＡｌ組成が活性層側に向かって大きくなるよう
グレーデッド番トなっているクラッド層（例えば高抵抗
Ａｊ！ＧａＡｓクラッド層４）を形成する工程と、その
後、前記活性層及びそれを挟む前記各クラッド層に於け
る一方の側面からＺｎを導入して該活性層を選択的に無
秩序化し、また、同じく他方の側面からＳｉを導入して
該活性層を選択的に無秩序化する工程が含まれている。
Ａｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に向かって大きく
なるようグレーデッドになっているクラッド層（例えば
高抵抗Ａｊ２ＧａＡｓクラッド層２）を形成する工程と
、次に、ＧａＡｓ膜及びＡｌＧａＡｓ膜からなる多重量
子井戸で構成される活性層（例えばＭＱＷ活性層３）を
形成する工程と、次に、該活性層上にＡｌＧａＡｓから
なり且つＡｌ組成が活性層側に向かって大きくなるよう
グレーデッド番トなっているクラッド層（例えば高抵抗
Ａｊ！ＧａＡｓクラッド層４）を形成する工程と、その
後、前記活性層及びそれを挟む前記各クラッド層に於け
る一方の側面からＺｎを導入して該活性層を選択的に無
秩序化し、また、同じく他方の側面からＳｉを導入して
該活性層を選択的に無秩序化する工程が含まれている。
このような手段を採ることに依り得られる半導体発光装
置に於いては、Ｚｎ及びＳｉを拡散することで画成され
たストライプ部分は活性層のところで最も狭くなるよう
に絞ることが可能であり、従って、良好な単−横モード
発振を行わせることができると共にクラッド層にリーク
電流が流れることを著しく低減させることができる。
置に於いては、Ｚｎ及びＳｉを拡散することで画成され
たストライプ部分は活性層のところで最も狭くなるよう
に絞ることが可能であり、従って、良好な単−横モード
発振を行わせることができると共にクラッド層にリーク
電流が流れることを著しく低減させることができる。
第１図乃至第５図は本発明一実施例を解説する為の工程
要所に於ける半導体発光装置の要部切断正面図を表し、
以下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、図にはＡ
ｉ！の組成を表す線図を付記しである。
要所に於ける半導体発光装置の要部切断正面図を表し、
以下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、図にはＡ
ｉ！の組成を表す線図を付記しである。
第１図参照
（１） 分子線エピタキシャル成長（ｍｏｌｅｃｕｌ
ａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法を適用
することに依り、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に高抵抗Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層２、ＧａＡｓ膜とＡｌＧａＡｓ膜
からなるＭＱＷ活性層３、高抵抗Ａｊｉ！ＧａＡｓクラ
ッド層４を成長させる。
ａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法を適用
することに依り、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に高抵抗Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層２、ＧａＡｓ膜とＡｌＧａＡｓ膜
からなるＭＱＷ活性層３、高抵抗Ａｊｉ！ＧａＡｓクラ
ッド層４を成長させる。
ここで、前記各部分に於ける主要データを例示すると次
の通りである。
の通りである。
■ クラッド層２について
Ｘ値：０．２〜０．４５
（表面に向かいＸ値が大になるグレーデッド）厚さ：１
〔μｍ〕 ■ 活性層３について ＧａＡｓ膜の厚さ：８０ 〔人〕 ＡｌＧａＡｓ膜の厚さ＝１２０（人〕 ＧａＡｓ膜数＝５ ＡＩＧａＡｓ膜数：４ ■ クラッド層４について Ｘ値：Ｑ、４５〜０．２ （表面に向かいＸ値が小となるグレーデッド）厚さ：１
〔μｍ〕 ここで最も特徴的であるのは、クラッド層２及びクラッ
ド層４に於けるＸ値、即ち、Ａｌの組成が活性層３に向
かって大きくなるようグレーアンドになっていることで
ある。
〔μｍ〕 ■ 活性層３について ＧａＡｓ膜の厚さ：８０ 〔人〕 ＡｌＧａＡｓ膜の厚さ＝１２０（人〕 ＧａＡｓ膜数＝５ ＡＩＧａＡｓ膜数：４ ■ クラッド層４について Ｘ値：Ｑ、４５〜０．２ （表面に向かいＸ値が小となるグレーデッド）厚さ：１
〔μｍ〕 ここで最も特徴的であるのは、クラッド層２及びクラッ
ド層４に於けるＸ値、即ち、Ａｌの組成が活性層３に向
かって大きくなるようグレーアンドになっていることで
ある。
第２図参照
（２）通常のフォト・リソグラフィ技術を適用すること
に依り、ストライプ状のフォト・レジスト膜９をマスク
として、クラッド層４、活性層３、クラッド層２のメサ
・エツチングを行う。
に依り、ストライプ状のフォト・レジスト膜９をマスク
として、クラッド層４、活性層３、クラッド層２のメサ
・エツチングを行う。
第３図参照
（３）電子ビーム加熱蒸着法を適用することに依り、厚
さ約５００〔人〕程度のＳｉ膜１０を形成する。
さ約５００〔人〕程度のＳｉ膜１０を形成する。
（４）通常のフォト・リソグラフィ技術を適用すること
に依り、５ｉ）ｌｌｌＯのパターニングを行い、ｎ型化
する必要がある部分の上にあるものを残し、他を除去す
る。
に依り、５ｉ）ｌｌｌＯのパターニングを行い、ｎ型化
する必要がある部分の上にあるものを残し、他を除去す
る。
（５）化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐ。
ｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法を適用する
ことに依り、厚さ約４０００ （人）程度のＳ ｉ Ｏ
２膜１１を形成する。
ことに依り、厚さ約４０００ （人）程度のＳ ｉ Ｏ
２膜１１を形成する。
（６） ウェハをＡｓと共にアンプル中に封入し、高
温、例えば８５０（’ｃ）の温度で熱処理を行ってＳｉ
拡散領域１２を形成する。
温、例えば８５０（’ｃ）の温度で熱処理を行ってＳｉ
拡散領域１２を形成する。
この場合に於けるＳｉの濃度は、最終的に約２ Ｘ １
０１８（ｃｍ−３）程度となるようにする。
０１８（ｃｍ−３）程度となるようにする。
図から明らかなように、Ｓｉ拡散領域１２は、クラッド
層２及びクラッド層４に於けるＸ値が活性層３に向かっ
て大きくなるグレーデッドになっていることから、活性
層３の部分で最も横拡がりが太き（なり、従って、次の
工程で形成されるＺｎ拡散領域１３とで画成されるスト
ライプ部分は活性層３のところが最も狭くなる。
層２及びクラッド層４に於けるＸ値が活性層３に向かっ
て大きくなるグレーデッドになっていることから、活性
層３の部分で最も横拡がりが太き（なり、従って、次の
工程で形成されるＺｎ拡散領域１３とで画成されるスト
ライプ部分は活性層３のところが最も狭くなる。
因に、Ｘ値が大きいとＳｉ及びＺｎの拡散定数は大きく
なる。
なる。
（７）ｐ型化する必要がある部分を覆っている５ｉ０２
膜１１を除去してから、気相拡散法を適用することに依
り、Ｚｎの拡散を行い、Ｚｎ拡散領域１３を形成する。
膜１１を除去してから、気相拡散法を適用することに依
り、Ｚｎの拡散を行い、Ｚｎ拡散領域１３を形成する。
この場合に於けるＺｎの濃度は、最終的に約２ Ｘ １
０” （ＣＪＩ−’）程度となるようにする。
０” （ＣＪＩ−’）程度となるようにする。
図に見られるように、Ｚｎ拡散領域１３は、Ｓｉ拡散領
域１２と同様に、活性層３の部分で最も横拡がりが大き
くなっている。
域１２と同様に、活性層３の部分で最も横拡がりが大き
くなっている。
第５図参照
（７） フン酸系エツチング液中に浸漬し、５ｉｏ２
膜１１を除去してから、反応性イオン・エツチング（ｒ
ｅａｃｔ ｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩ
Ｅ）法にてＳｉ膜１０を除去する。
膜１１を除去してから、反応性イオン・エツチング（ｒ
ｅａｃｔ ｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩ
Ｅ）法にてＳｉ膜１０を除去する。
（８）通常のフォト・リソグラフィ技術に於けるレジス
ト・プロセス及び蒸着法などを利用するリフト・オフ法
を適用することに依り、ｎ側電極１４及びｐ側電極１５
を形成する。
ト・プロセス及び蒸着法などを利用するリフト・オフ法
を適用することに依り、ｎ側電極１４及びｐ側電極１５
を形成する。
この場合、ｎ側電極１４としてはＡ ｕ Ｇ ｅ ／Ａ
ｕを、そして、ｐ側電極１５としてはＡｕ／Ｚ ｎ ／
Ａ ｕをそれぞれ用いるから、リフト・オフ法の適用
は２回に分けて行う必要がある。
ｕを、そして、ｐ側電極１５としてはＡｕ／Ｚ ｎ ／
Ａ ｕをそれぞれ用いるから、リフト・オフ法の適用
は２回に分けて行う必要がある。
（８）窒素雰囲気中にて温度４５ｏ〔℃〕、時間３〔分
〕の合金化熱処理を行って完成させる。
〕の合金化熱処理を行って完成させる。
このようにして完成された実施例では、クラッド層２及
びクラッド層３に於けるＡｌ組成が図に見られるような
分布になっていることがら、Ｓｉ拡散領域１２及びＺｎ
拡散領域１３のエツジは、第４図及び第５図に見られる
ように、活性層３の部分で最も拡がった状態に形成され
、従って、活性領域の幅は狭くなっている。
びクラッド層３に於けるＡｌ組成が図に見られるような
分布になっていることがら、Ｓｉ拡散領域１２及びＺｎ
拡散領域１３のエツジは、第４図及び第５図に見られる
ように、活性層３の部分で最も拡がった状態に形成され
、従って、活性領域の幅は狭くなっている。
本発明に依る半導体発光装置の製造方法では、ＡｌＧａ
Ａｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に向かって大きく
なるようグレーデッドになっているクラッド層を形成し
、そのクラッド層上にＧａＡｓ膜とＡｌＧａＡｓ膜との
多重量子井戸で構成される活性層を形成し、その活性層
上にＡｌＧａＡｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に向
かって太き（なるようグレーデッドになっているクラッ
ド層を形成し、前記活性層及びそれを挟む前記各クラッ
ド層に於ける一方の側面からはＺｎを、また、他方の側
面からはＳｉを導入して該活性層を選択的に無秩序化す
るようにしている。
Ａｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に向かって大きく
なるようグレーデッドになっているクラッド層を形成し
、そのクラッド層上にＧａＡｓ膜とＡｌＧａＡｓ膜との
多重量子井戸で構成される活性層を形成し、その活性層
上にＡｌＧａＡｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に向
かって太き（なるようグレーデッドになっているクラッ
ド層を形成し、前記活性層及びそれを挟む前記各クラッ
ド層に於ける一方の側面からはＺｎを、また、他方の側
面からはＳｉを導入して該活性層を選択的に無秩序化す
るようにしている。
このような手段を採ることに依って得られた半導体発光
装置に於いては、Ｚｎ及びＳｉを拡散することで画成さ
れたストライブ部分を活性層のところで最も狭くなるよ
うに絞ることが可能であるから良好な単−横モード発振
を行わせることができ、また、クラッド層に存在するＺ
ｎ拡散領域とＳｉ拡散領域との間隔は、何れの個所に於
いても活性層に於けるそれ等の間隔に比較すると広くな
っているから、電流は全て活性層を流れるようになり、
クラッド層にリーク電流が流れる欠点は解消される。
装置に於いては、Ｚｎ及びＳｉを拡散することで画成さ
れたストライブ部分を活性層のところで最も狭くなるよ
うに絞ることが可能であるから良好な単−横モード発振
を行わせることができ、また、クラッド層に存在するＺ
ｎ拡散領域とＳｉ拡散領域との間隔は、何れの個所に於
いても活性層に於けるそれ等の間隔に比較すると広くな
っているから、電流は全て活性層を流れるようになり、
クラッド層にリーク電流が流れる欠点は解消される。
第１図乃至第５図は本発明一実施例を説明する為の工程
要所に於ける半導体発光装置の要部切断正面図、第６図
は従来例の要部切断正面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１はｎ＋型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層、３はＧａＡｓ膜及びＡｊＩＣ；ａＡ
ｓ膜を積層して構成されたＭＱＷ活性層、４はｐ型Ａｊ
！ＧａＡｓクラッド層、９はフォト・レジスト膜、ｌＯ
はＳｉ膜、１１は５ｉｏ２膜、１２はＳｉ拡散領域、１
３はＺｎ拡散領域、１４はｎ側電極、１５はｐ側電極を
それぞれ示している。
要所に於ける半導体発光装置の要部切断正面図、第６図
は従来例の要部切断正面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１はｎ＋型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層、３はＧａＡｓ膜及びＡｊＩＣ；ａＡ
ｓ膜を積層して構成されたＭＱＷ活性層、４はｐ型Ａｊ
！ＧａＡｓクラッド層、９はフォト・レジスト膜、ｌＯ
はＳｉ膜、１１は５ｉｏ２膜、１２はＳｉ拡散領域、１
３はＺｎ拡散領域、１４はｎ側電極、１５はｐ側電極を
それぞれ示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＡｌＧａＡｓからなり且つＡｌ組成が活性層側に向かっ
て大きくなるようグレーデッドになっているクラッド層
を形成する工程と、 次いで、ＧａＡｓ膜及びＡｌＧａＡｓ膜からなる多重量
子井戸で構成される活性層を形成する工程と、 次いで、該活性層上にＡｌＧａＡｓからなり且つＡｌ組
成が活性層側に向かって大きくなるようグレーデッドに
なっているクラッド層を形成する工程と、 その後、前記活性層及びそれを挟む前記各クラッド層に
於ける一方の側面からＺｎを導入して該活性層を選択的
に無秩序化し、また、同じく他方の側面からＳｉを導入
して該活性層を選択的に無秩序化する工程と が含まれてなることを特徴とする半導体発光装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29998986A JPS63153877A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29998986A JPS63153877A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153877A true JPS63153877A (ja) | 1988-06-27 |
Family
ID=17879404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29998986A Pending JPS63153877A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63153877A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04159789A (ja) * | 1990-10-23 | 1992-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JPH04261081A (ja) * | 1991-01-25 | 1992-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 多波長半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP29998986A patent/JPS63153877A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04159789A (ja) * | 1990-10-23 | 1992-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JPH04261081A (ja) * | 1991-01-25 | 1992-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 多波長半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5418183A (en) | Method for a reflective digitally tunable laser | |
| US4932033A (en) | Semiconductor laser having a lateral p-n junction utilizing inclined surface and method of manufacturing same | |
| JPH0381317B2 (ja) | ||
| JP2752423B2 (ja) | 化合物半導体へのＺｎ拡散方法 | |
| JPH04303982A (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| JP2882335B2 (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS63153877A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH02156692A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH05267797A (ja) | 発光半導体ダイオード | |
| JP3317271B2 (ja) | 半導体光素子およびその製造方法 | |
| JPH077232A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2000216495A (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
| JPS63153878A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JP3472739B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH01192184A (ja) | 埋込み型半導体レーザの製造方法 | |
| JPH02114583A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| KR100261248B1 (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JPS62279689A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH0537078A (ja) | 量子井戸半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH0433380A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH03156989A (ja) | 半導体レーザとその製造方法 | |
| JPH03185889A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPS6129183A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH04275478A (ja) | 面発光半導体レーザの製造方法 | |
| JPS63193585A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |