JPS62279689A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
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- JPS62279689A JPS62279689A JP61122200A JP12220086A JPS62279689A JP S62279689 A JPS62279689 A JP S62279689A JP 61122200 A JP61122200 A JP 61122200A JP 12220086 A JP12220086 A JP 12220086A JP S62279689 A JPS62279689 A JP S62279689A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔概要〕
本発明は、半導体発光装置の製造方法に於いて、活性層
の表面側に土酸される光ガイド層をＧａＡｓ膜とＡβＧ
ａＡｓ膜とからなる多重量子井戸で構成すると共にその
ＡＡ組成が表面側に向かって漸減するグレーデッドとな
し、また、その上に形成するクラフト層をＡＪＧａＡｓ
で構成すると共にそのＡ２組成も表面側に向かって漸減
するグレープントとなし、その後、前記光ガイド層に於
ける電流路以外の部分を無秩序化するためにＺｎ或いは
Ｓｉを選択的に導入することに依り、そのＺｎ或いはＳ
ｉ拡散領域により画成されるストライプ状の電流路は、
表面から活性層の近傍まで横波がりが殆どない略同−の
狭い幅を維持することができ、従って、従来技術に於け
るように、活性層の近傍でストライプの幅を適正に維持
する為には、表面側で電極形成が困難なほど幅狭くしな
ければならないなどの欠点は解消され、良好な単−横モ
ード発振が可能で、且つ、良好なオーミック・コンタク
トをとった電極を有する半導体発光装置を得ることがで
きる。
の表面側に土酸される光ガイド層をＧａＡｓ膜とＡβＧ
ａＡｓ膜とからなる多重量子井戸で構成すると共にその
ＡＡ組成が表面側に向かって漸減するグレーデッドとな
し、また、その上に形成するクラフト層をＡＪＧａＡｓ
で構成すると共にそのＡ２組成も表面側に向かって漸減
するグレープントとなし、その後、前記光ガイド層に於
ける電流路以外の部分を無秩序化するためにＺｎ或いは
Ｓｉを選択的に導入することに依り、そのＺｎ或いはＳ
ｉ拡散領域により画成されるストライプ状の電流路は、
表面から活性層の近傍まで横波がりが殆どない略同−の
狭い幅を維持することができ、従って、従来技術に於け
るように、活性層の近傍でストライプの幅を適正に維持
する為には、表面側で電極形成が困難なほど幅狭くしな
ければならないなどの欠点は解消され、良好な単−横モ
ード発振が可能で、且つ、良好なオーミック・コンタク
トをとった電極を有する半導体発光装置を得ることがで
きる。
本発明は、ＧａＡｓ膜及びＡｎＧａＡｓ膜からなる多重
量子井戸（ｍｕｌ ｔ ｉｑｕａｎｔｕｍｗ ｅ １１
： ＭＱＷ）にＺｎ或いはＳｔを選択的に拡散して無
秩序化することに依り横方向の光閉じ込めを行う形式の
半導体発光装置を製造する方法の改良に関する。
量子井戸（ｍｕｌ ｔ ｉｑｕａｎｔｕｍｗ ｅ １１
： ＭＱＷ）にＺｎ或いはＳｔを選択的に拡散して無
秩序化することに依り横方向の光閉じ込めを行う形式の
半導体発光装置を製造する方法の改良に関する。
（従来の技術〕
従来、ＧａＡｓ膜及びＡｌＧａＡｓ膜からなるＭＱＷに
Ｚｎ或いはＳｉを拡散した場合、比較的低温で均一なＡ
ｇＧａＡｓ膜になる、所謂、無秩序化されることが知ら
れ、このＺｎ或いはＳｉ拡散で均一になったＡｌＧａＡ
ｓ層はＭＱＷよりも屈折率が小さく、且つ、禁制帯幅が
大きいので、この技術を適用して半導体レーザに於ける
光の閉じ込めを行う試みがなされている。
Ｚｎ或いはＳｉを拡散した場合、比較的低温で均一なＡ
ｇＧａＡｓ膜になる、所謂、無秩序化されることが知ら
れ、このＺｎ或いはＳｉ拡散で均一になったＡｌＧａＡ
ｓ層はＭＱＷよりも屈折率が小さく、且つ、禁制帯幅が
大きいので、この技術を適用して半導体レーザに於ける
光の閉じ込めを行う試みがなされている。
第４図は前記技術を適用することに依り作成された半導
体発光装置の要部切断正面図を表している。
体発光装置の要部切断正面図を表している。
図に於いて、１はｐ ４’型ＧａＡｓ基板、２はｐ＋型
ＧａＡｓバッファ層、３はｐ型ＡＡＣ，ａＡｓクラッド
層、４はＧａＡｓ膜とＡｇＧａＡｓ膜で構成されたＭＱ
Ｗ活性層、５はｎ型ＡβＧａＡｓ光ガイド層、６はｎ型
ＧａＡｓ膜とｎ型Ａ、 Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ膜で構成さ
れたＭＱＷ光ガイガイ１層はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド
層、８はｎ＋型ＧａＡｓキャップ層、９はＺｎ拡散領域
、１１はｎ側電極、１２はｐ側電極をそれぞれ示してい
る。
ＧａＡｓバッファ層、３はｐ型ＡＡＣ，ａＡｓクラッド
層、４はＧａＡｓ膜とＡｇＧａＡｓ膜で構成されたＭＱ
Ｗ活性層、５はｎ型ＡβＧａＡｓ光ガイド層、６はｎ型
ＧａＡｓ膜とｎ型Ａ、 Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ膜で構成さ
れたＭＱＷ光ガイガイ１層はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド
層、８はｎ＋型ＧａＡｓキャップ層、９はＺｎ拡散領域
、１１はｎ側電極、１２はｐ側電極をそれぞれ示してい
る。
図示の半導体発光装置では、ＭＱＷ光ガイド層６のうち
Ｚｎ拡散領域９の一部となった部分は無秩序化され、そ
こではＭＱＷの構成は解消されて均一なＡｌＧａＡｓ層
に変換され、しかも、そのＡｌＧａＡｓ層は前記したよ
うに当初のＭＱＷに比較して屈折率が小さく且つ禁制帯
幅が広くなっているので、光の閉じ込めに有効に作用す
る。
Ｚｎ拡散領域９の一部となった部分は無秩序化され、そ
こではＭＱＷの構成は解消されて均一なＡｌＧａＡｓ層
に変換され、しかも、そのＡｌＧａＡｓ層は前記したよ
うに当初のＭＱＷに比較して屈折率が小さく且つ禁制帯
幅が広くなっているので、光の閉じ込めに有効に作用す
る。
第４図からも判るように、従来技術に依るこの種の半導
体発光装置では、Ｚｎ拡散領域９に依って画成されたス
トライプ領域は深くなるにつれて大きく拡がってしまい
、従って、レーザ発光領域も広くなるので単−横モード
発振が困難になる欠点を持っている。
体発光装置では、Ｚｎ拡散領域９に依って画成されたス
トライプ領域は深くなるにつれて大きく拡がってしまい
、従って、レーザ発光領域も広くなるので単−横モード
発振が困難になる欠点を持っている。
このレーザ発光領域を狭くする為には、Ｚｎ拡散領域９
に依って画成されるストライプ領域の幅を更に狭くすれ
ば良いと考えられようが、若し、レーザ発光領域の幅を
発振モードの面から満足できるような程度に設定した場
合には、表面に於ける前記ストライプ領域の幅は著しく
狭いものとなり、従って、その上に存在するｎ＋型Ｇａ
Ａｓキャップ層８及びｎ側電極１１の幅は更に狭いもの
にすることが必要となるが、実際上、それは不可能なこ
とである。
に依って画成されるストライプ領域の幅を更に狭くすれ
ば良いと考えられようが、若し、レーザ発光領域の幅を
発振モードの面から満足できるような程度に設定した場
合には、表面に於ける前記ストライプ領域の幅は著しく
狭いものとなり、従って、その上に存在するｎ＋型Ｇａ
Ａｓキャップ層８及びｎ側電極１１の幅は更に狭いもの
にすることが必要となるが、実際上、それは不可能なこ
とである。
本発明は、極めて簡単な構成を採ることに依り、Ｚｎ或
いはＳｉ拡散領域に依って画成されるストライプ領域が
深くなるにつれて幅が拡大されるのを防止できるように
、従って、レーザ発光領域の幅が狭く維持されて安定な
単−横モード発振が可能な半導体発光装置を製造できる
ようにするものである。
いはＳｉ拡散領域に依って画成されるストライプ領域が
深くなるにつれて幅が拡大されるのを防止できるように
、従って、レーザ発光領域の幅が狭く維持されて安定な
単−横モード発振が可能な半導体発光装置を製造できる
ようにするものである。
本発明に依る半導体発光装置の製造方法に於いては、Ｇ
ａＡｓ膜及びＡｌＧａＡｓ膜からなる多重量子井戸で構
成され且つＡｌ組成が表面側に向かって低減されるよう
グレーデッドになっている光ガイド層（例えばＧａＡｓ
膜及びＡｇＧａＡｓ膜からなるＭ Ｑ Ｗ光ガイド層６
）を形成し、次いで、その光ガイド層上にＡｌＧａＡｓ
からなり且つＡ２組成が表面側に向かって低減されるよ
うグレーデッドになっているクラッド層（例えばｎ型Ａ
ｊ！ＧａＡｓクラッド１１ｉ７）を形成し、その後、ス
トライプ状の電流路を覆うマスク（例えばストライプ状
にバターニングされたＳｉ○２膜２１）を形成してから
Ｚｎ或いはＳｉを導入して前記光ガイド層の無秩序化を
行う工程が含まれている。
ａＡｓ膜及びＡｌＧａＡｓ膜からなる多重量子井戸で構
成され且つＡｌ組成が表面側に向かって低減されるよう
グレーデッドになっている光ガイド層（例えばＧａＡｓ
膜及びＡｇＧａＡｓ膜からなるＭ Ｑ Ｗ光ガイド層６
）を形成し、次いで、その光ガイド層上にＡｌＧａＡｓ
からなり且つＡ２組成が表面側に向かって低減されるよ
うグレーデッドになっているクラッド層（例えばｎ型Ａ
ｊ！ＧａＡｓクラッド１１ｉ７）を形成し、その後、ス
トライプ状の電流路を覆うマスク（例えばストライプ状
にバターニングされたＳｉ○２膜２１）を形成してから
Ｚｎ或いはＳｉを導入して前記光ガイド層の無秩序化を
行う工程が含まれている。
このような手段を採ることに依り、Ｚｎ或いはＳｉを拡
散することで画成されたストライプ状をなす電流路は、
表面から活性層の近傍に達するまで横波がりが殆どない
略同−の狭い幅を維持することが可能であり、従って、
従来技術に於けるように、活性層の近傍でストライプの
幅を適正に維持する為には表面側で電極形成が困難なほ
ど幅狭くしなければならないなどの欠点は解消され、良
好な単−横モード発振が可能で、且つ、良好なオーミッ
ク・コンタクトをとった電極をもつ半導体発光装置を簡
単に製造することができる。
散することで画成されたストライプ状をなす電流路は、
表面から活性層の近傍に達するまで横波がりが殆どない
略同−の狭い幅を維持することが可能であり、従って、
従来技術に於けるように、活性層の近傍でストライプの
幅を適正に維持する為には表面側で電極形成が困難なほ
ど幅狭くしなければならないなどの欠点は解消され、良
好な単−横モード発振が可能で、且つ、良好なオーミッ
ク・コンタクトをとった電極をもつ半導体発光装置を簡
単に製造することができる。
第１図乃至第３図は本発明一実施例を解説する為の工程
要所に於ける半導体発光装置の要部切断正面図を表し、
第４図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或
いは同じ意味を持つものとする。尚、第１図には各層の
ＡＮ組成（Ｘ値）を示す線図を付記しである。
要所に於ける半導体発光装置の要部切断正面図を表し、
第４図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或
いは同じ意味を持つものとする。尚、第１図には各層の
ＡＮ組成（Ｘ値）を示す線図を付記しである。
第１図参照
（１）分子線エピタキシャル成長（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法を適用す
ることに依り、ｐ＋型ＧａＡｓ基板１にｐ ＋型ＧａＡ
ｓバッファ層２、ｐ型Ａ、 ＲＧ ａＡｓクラッド層３
、ＧａＡｓ膜とＡｊ！ＧａＡｓ膜からなるＭＱＷ活性層
４、ｎ型Ａ６ＧａＡｓ光ガイド層５、ｎ型ＧａＡｓ膜と
ｎ型ＡｆｆＧａＡｓ膜からなるＭＱＷ光ガイド層６、ｎ
型ＡβＧａＡｓクラッド層７、ｎ ”ｊ型ＧａＡｓキャ
ップ層８を成長させる。
ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法を適用す
ることに依り、ｐ＋型ＧａＡｓ基板１にｐ ＋型ＧａＡ
ｓバッファ層２、ｐ型Ａ、 ＲＧ ａＡｓクラッド層３
、ＧａＡｓ膜とＡｊ！ＧａＡｓ膜からなるＭＱＷ活性層
４、ｎ型Ａ６ＧａＡｓ光ガイド層５、ｎ型ＧａＡｓ膜と
ｎ型ＡｆｆＧａＡｓ膜からなるＭＱＷ光ガイド層６、ｎ
型ＡβＧａＡｓクラッド層７、ｎ ”ｊ型ＧａＡｓキャ
ップ層８を成長させる。
ここで、前記各部分に於ける主要データを例示すると次
の通りである。
の通りである。
■ バッファ層２について
厚さ：３ 〔μｍ〕
不純物濃度： ２ Ｘ １０Ｉ８（ｃｍ−’）■ クラ
ッド層３について Ｘ値：０．４５ 厚さ：ｉ、ｓｃμｍ〕 不純物濃度： ５ Ｘ １０Ｉ７（ｃｍ”’）■ 活性
層４について ＧａＡｓ膜の厚さＬＺ：６０（人］ Ａｊ２ＧａＡＳ膜の厚さＬＢ：６０（人〕ＧａＡｓ膜数
＝５ ＡｌＧａＡＳ膜数：４ ■ 光ガイド層５について Ｘ値：０．４５ 厚さ：０．５（μｍ〕 不純物濃度： ５ Ｘ １０ Ｉ７（ｃｍ−”）■ 光
ガイド層６について Ａ／！ＧａＡｓ膜に於けるＸ値：０．４５〜０．３１ （表面に向かいＸ値が小となるグレーデッド）ＧａＡｓ
膜の厚さＬＺ：５０（人］ Ａｉｌ！ＧａＡｓ膜の厚さＬＢ：５０（人〕ＧａＡｓ膜
数：５１ Ａ ＲＧ ａ Ａ、 ｓ膜数：５０ 不純物濃度： ５ Ｘ １０ ” ＣＣｌ１ｌ−３）
■ クラッドＮ７について Ｘ値：Ｏ，３ｔ〜０．２ （表面に向かいＸ値が小となるグレーデッド）厚さ：１
．ＯＣμｍ〕 不純物濃度：５Ｘ１０１７ （釧−３〕■ キャップ層
８について 厚さ：０．５Ｃμｍ〕 不純物濃度： ２ Ｘ １０１８ｒａｍ−’）ここで最
も特徴的であるのは、光ガイド層６及びクラッド層７に
於けるＸ値がグレーデッドになっていることであり、両
層全体としてＡＥの分布は２乗型になっている。
ッド層３について Ｘ値：０．４５ 厚さ：ｉ、ｓｃμｍ〕 不純物濃度： ５ Ｘ １０Ｉ７（ｃｍ”’）■ 活性
層４について ＧａＡｓ膜の厚さＬＺ：６０（人］ Ａｊ２ＧａＡＳ膜の厚さＬＢ：６０（人〕ＧａＡｓ膜数
＝５ ＡｌＧａＡＳ膜数：４ ■ 光ガイド層５について Ｘ値：０．４５ 厚さ：０．５（μｍ〕 不純物濃度： ５ Ｘ １０ Ｉ７（ｃｍ−”）■ 光
ガイド層６について Ａ／！ＧａＡｓ膜に於けるＸ値：０．４５〜０．３１ （表面に向かいＸ値が小となるグレーデッド）ＧａＡｓ
膜の厚さＬＺ：５０（人］ Ａｉｌ！ＧａＡｓ膜の厚さＬＢ：５０（人〕ＧａＡｓ膜
数：５１ Ａ ＲＧ ａ Ａ、 ｓ膜数：５０ 不純物濃度： ５ Ｘ １０ ” ＣＣｌ１ｌ−３）
■ クラッドＮ７について Ｘ値：Ｏ，３ｔ〜０．２ （表面に向かいＸ値が小となるグレーデッド）厚さ：１
．ＯＣμｍ〕 不純物濃度：５Ｘ１０１７ （釧−３〕■ キャップ層
８について 厚さ：０．５Ｃμｍ〕 不純物濃度： ２ Ｘ １０１８ｒａｍ−’）ここで最
も特徴的であるのは、光ガイド層６及びクラッド層７に
於けるＸ値がグレーデッドになっていることであり、両
層全体としてＡＥの分布は２乗型になっている。
第２図参照
（２） スパッタリング法を適用することに依り、キ
ャップ層８の上に厚さ約５０００ Ｃ人〕程度の８１
０２膜２１を形成する。
ャップ層８の上に厚さ約５０００ Ｃ人〕程度の８１
０２膜２１を形成する。
（３）通常のフォト・リソグラフィ技術を適用すること
に依り、Ｓ ｉ０２膜２１を幅６（μｍ、）の、ストラ
イプとなるようにバタ一二・ングする。
に依り、Ｓ ｉ０２膜２１を幅６（μｍ、）の、ストラ
イプとなるようにバタ一二・ングする。
この場合のエッチャントとしては緩衝フッ酸液を用いて
良い。
良い。
（４） エッチャントを過酸化水素水土アンモニア水
とするウェット・エツチング法を適用することに依り、
Ｓｉ○２膜２１全２１クとしてキャップ層８のエツチン
グを行う。
とするウェット・エツチング法を適用することに依り、
Ｓｉ○２膜２１全２１クとしてキャップ層８のエツチン
グを行う。
（５）封管法を適用することに依り、Ｓｉ○２膜２１全
２１クとしてＺｎの拡散を行い、Ｚｎ拡散領域９を形成
する。
２１クとしてＺｎの拡散を行い、Ｚｎ拡散領域９を形成
する。
この場合に於けるＺｎの濃度は、最終的に約Ｉ Ｘ １
０１８ （ｃｎ＋−３Ｅ程度となるようにする。
０１８ （ｃｎ＋−３Ｅ程度となるようにする。
図から明らかなように、Ｚｎ拡散領域９のエツジは、光
ガイド層６及びクラッド層７に於けるＸ値がグレーデッ
ドになっていることから、鋭く切り立ったものとなる。
ガイド層６及びクラッド層７に於けるＸ値がグレーデッ
ドになっていることから、鋭く切り立ったものとなる。
因に、Ｘ値が大きいとＺｎの拡散定数も大きくなる。
第３図参照
（６）マスクとして用いたＳ ｉ ＯＺ膜２１を残した
状態で、再び、過酸化水素水＋アンモニア水をエッチャ
ントとするウェット・エツチング法を適用することに依
り、キャップ層８のサイド・エツチングを行い、少なく
とも、Ｚｎが拡散された部分を除去する。
状態で、再び、過酸化水素水＋アンモニア水をエッチャ
ントとするウェット・エツチング法を適用することに依
り、キャップ層８のサイド・エツチングを行い、少なく
とも、Ｚｎが拡散された部分を除去する。
これに依り、キヤ・ノブ層８とＺｎ拡散領域９とは分離
される。
される。
（７）通常のフォト・リソグラフィ技術に於けるレジス
ト・プロセスを適用することに依り、キャップ層８に対
向するストライプ状の窓を有するフォト・レジスト膜を
形成する。
ト・プロセスを適用することに依り、キャップ層８に対
向するストライプ状の窓を有するフォト・レジスト膜を
形成する。
（８）薄着法を適用することに依り、電極材料膜として
Ａ ｕ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ膜を形成する。尚、その厚
さは、全体で約３０００ Ｃ人〕程度とする。
Ａ ｕ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ膜を形成する。尚、その厚
さは、全体で約３０００ Ｃ人〕程度とする。
（９）前記フォト・レジスト膜を溶解除去することに依
り、Ａ ｕ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ膜を、所謂、リフト・
オフ法にてバターニングし、ｎ側電極１１を形成する。
り、Ａ ｕ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ膜を、所謂、リフト・
オフ法にてバターニングし、ｎ側電極１１を形成する。
α０）基板１の裏面を研磨することに依り、その厚さを
約１００ 〔μｍ〕程度とする。
約１００ 〔μｍ〕程度とする。
αυ 窒素雰囲気中にて温度４７０Ｃ’ｃ）、時間５〔
分〕の合金化熱処理を行う。
分〕の合金化熱処理を行う。
（２）蒸着法を適用することに依り、Ａ ｕ ／ Ｚ
ｎ ／Ａｕからなるｐ側電極１２を形成する。尚、その
厚さは、全体で約３０００ Ｃ人〕程度として良い。
ｎ ／Ａｕからなるｐ側電極１２を形成する。尚、その
厚さは、全体で約３０００ Ｃ人〕程度として良い。
ａｍ 窒素雰囲気中にて温度４３０ Ｃ′Ｃ〕、時間
ｌ〔分］の合金化熱処理を行う。
ｌ〔分］の合金化熱処理を行う。
このようにして完成された実施例では、光ガイド層６、
クラッド層７に於けるＡｌ組成が２乗分布になっている
ことから、Ｚｎ拡散領域９のエツジは、第２図及び第３
図に見られるように、横拡がりがなく、切り立った状態
に形成することができる。
クラッド層７に於けるＡｌ組成が２乗分布になっている
ことから、Ｚｎ拡散領域９のエツジは、第２図及び第３
図に見られるように、横拡がりがなく、切り立った状態
に形成することができる。
本発明に依る半導体発光装置の製造方法に於いては、活
性層の表面側に形成される光ガイド層をＧａＡｓ膜とＡ
ｌＧａＡｓ膜とからなる多重量子井戸で構成すると共に
そのＡＩ！組成が表面側に向かって漸減するグレーデッ
ドとなし、また、その上に形成するクラッド層をＡＡＧ
’ａＡｓで構成すると共にそのＡ２組成も表面側に向か
って漸減するグレーデッドとなし、その後、前記光ガイ
ド層に於ける電流路以外の部分を無秩序化するためにＺ
ｎ或いはＳｉを選択的に導入するようにしている。
性層の表面側に形成される光ガイド層をＧａＡｓ膜とＡ
ｌＧａＡｓ膜とからなる多重量子井戸で構成すると共に
そのＡＩ！組成が表面側に向かって漸減するグレーデッ
ドとなし、また、その上に形成するクラッド層をＡＡＧ
’ａＡｓで構成すると共にそのＡ２組成も表面側に向か
って漸減するグレーデッドとなし、その後、前記光ガイ
ド層に於ける電流路以外の部分を無秩序化するためにＺ
ｎ或いはＳｉを選択的に導入するようにしている。
このような構成を採ることに依り、Ｚｎを拡散すること
で画成されたストライプ状をなす電流路は、表面から活
性層の近傍に達するまで横拡がりが殆どない略同−の狭
い幅を維持することが可能であり、従って、従来技術に
於けるように、活性層の近傍でストライプの幅を適正に
維持する為には表面側で電極形成が困難なほど幅狭くし
なければならないなどの欠点は解消され、良好な単−横
モード発振が可能で、且つ、良好なオーミック・コンタ
クトをとった電極をもつ半導体発光装置を簡単に製造す
ることができる。
で画成されたストライプ状をなす電流路は、表面から活
性層の近傍に達するまで横拡がりが殆どない略同−の狭
い幅を維持することが可能であり、従って、従来技術に
於けるように、活性層の近傍でストライプの幅を適正に
維持する為には表面側で電極形成が困難なほど幅狭くし
なければならないなどの欠点は解消され、良好な単−横
モード発振が可能で、且つ、良好なオーミック・コンタ
クトをとった電極をもつ半導体発光装置を簡単に製造す
ることができる。
第１図乃至第３図は本発明一実施例を説明する為の工程
要所に於ける半導体発光装置の要部切断正面図、第４図
は従来例の要部切断正面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１はｐ＋型ＧａＡｓ基板、２はｐ＋型Ｇａ
Ａｓバッファ層、３はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、４
はＧａＡｓ膜とＡ＃ＧａＡｓ膜とからなるＭＱＷ活性層
、５はｎ型Ａ＋Ｉ！、ＧａＡｓ光ガイド層、６はｎ型Ｇ
ａＡｓ膜とｎ型ＡｌＧａＡｓ膜で構成されたＭＱＷ光ガ
イド層、７はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、８はｎ＋型
ＧａＡｓキャｙブ層、９はＺｎ拡散領域、１１はｎ （
１，ＩＪ電極、１２はｐ側電極をそれぞれ示している。 第２図 第３図 第４図
要所に於ける半導体発光装置の要部切断正面図、第４図
は従来例の要部切断正面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１はｐ＋型ＧａＡｓ基板、２はｐ＋型Ｇａ
Ａｓバッファ層、３はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、４
はＧａＡｓ膜とＡ＃ＧａＡｓ膜とからなるＭＱＷ活性層
、５はｎ型Ａ＋Ｉ！、ＧａＡｓ光ガイド層、６はｎ型Ｇ
ａＡｓ膜とｎ型ＡｌＧａＡｓ膜で構成されたＭＱＷ光ガ
イド層、７はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、８はｎ＋型
ＧａＡｓキャｙブ層、９はＺｎ拡散領域、１１はｎ （
１，ＩＪ電極、１２はｐ側電極をそれぞれ示している。 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＧａＡｓ膜及びＡｌＧａＡｓ膜からなる多重量子井戸で
構成され且つＡｌ組成が表面側に向かって低減されるよ
うグレーデッドになっている光ガイド層を形成し、 次いで、その光ガイド層上にＡｌＧａＡｓからなり且つ
Ａｌ組成が表面側に向かって低減されるようグレーデッ
ドになっているクラッド層を形成し、 その後、ストライプ状の電流路を覆うマスクを形成して
からＺｎ或いはＳｉを導入して前記光ガイド層の無秩序
化を行う工程 が含まれてなることを特徴とする半導体発光装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122200A JPS62279689A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122200A JPS62279689A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62279689A true JPS62279689A (ja) | 1987-12-04 |
Family
ID=14830036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61122200A Pending JPS62279689A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62279689A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414137A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-18 | Dainippon Ink & Chemicals | Electrically conductive concrete |
| US5274656A (en) * | 1991-06-12 | 1993-12-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor laser |
| JP2010232622A (ja) * | 2008-06-03 | 2010-10-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ、赤外ＬＥＤ、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ基板の製造方法、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外ＬＥＤの製造方法 |
-
1986
- 1986-05-29 JP JP61122200A patent/JPS62279689A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414137A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-18 | Dainippon Ink & Chemicals | Electrically conductive concrete |
| JP2545756B2 (ja) * | 1987-07-07 | 1996-10-23 | 大日本インキ化学工業株式会社 | 導電性コンクリ−ト |
| US5274656A (en) * | 1991-06-12 | 1993-12-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor laser |
| JP2010232622A (ja) * | 2008-06-03 | 2010-10-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ、赤外ＬＥＤ、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ基板の製造方法、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外ＬＥＤの製造方法 |
| CN101981237A (zh) * | 2008-06-03 | 2011-02-23 | 住友电气工业株式会社 | AlxGa(1-x)As衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法 |
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