JPS63193585A - 半導体レ−ザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体レーザおよびその製造方法に係り、特に
効率の良い半導体レーザと、その簡略化された製造方法
に関する。
効率の良い半導体レーザと、その簡略化された製造方法
に関する。
［従来技術］
半導体レーザは、小型で取り扱いが容易であるなどの特
徴を有することから、レーザビームプリンタ、光磁気記
録、光通信等に広く応用されている。
徴を有することから、レーザビームプリンタ、光磁気記
録、光通信等に広く応用されている。
第７図（Ａ）は、従来の半導体レーザの概略的構成図、
第７図（Ｂ）は、その屈折率の分布を示すグラフである
。
第７図（Ｂ）は、その屈折率の分布を示すグラフである
。
同図において、ｎ−ＧａＡｓの基板１上に、厚さ０．５
ｐｍ程度のｎ−ＧａＡｓのバッファ層２を形成し、さら
に厚さ１．５．ｕ、ｍのｎ−Ａｌｘ Ｇａｙ Ａｓ （
ｘ ＝０．３．ｙ＝０．７）のクラッド層３を形成する
。
ｐｍ程度のｎ−ＧａＡｓのバッファ層２を形成し、さら
に厚さ１．５．ｕ、ｍのｎ−Ａｌｘ Ｇａｙ Ａｓ （
ｘ ＝０．３．ｙ＝０．７）のクラッド層３を形成する
。
次に、厚さ０．１ｇｍのノンドープＧａＡｓの活性層４
、厚さ１ 、５ ＪＬｍノｐ−Ａｌｘ Ｇａｙ Ａｓ
（ｘ＝０．３．ｙ＝０．７）のクラッド層５、さらに厚
さ０．５ｐｍのｐ−ＧａＡｓのコンタクト層６、最後に
Ａｕ−Ｇｅの電極７およびＡｕ−３ｎの電極８を形成す
る。
、厚さ１ 、５ ＪＬｍノｐ−Ａｌｘ Ｇａｙ Ａｓ
（ｘ＝０．３．ｙ＝０．７）のクラッド層５、さらに厚
さ０．５ｐｍのｐ−ＧａＡｓのコンタクト層６、最後に
Ａｕ−Ｇｅの電極７およびＡｕ−３ｎの電極８を形成す
る。
このような構成を有する半導体レーザに電圧を印加する
と、電極７より注入された電流が電極８に到達するまで
に、矢印９に示すように広がってしまう、たとえば、電
極７が５ｇｍ程度とすると、電流は矢印９のように４〜
５倍に広がり、発振に必要とされる電流も大きくなる（
１５０〜２００ｍＡ程度）。
と、電極７より注入された電流が電極８に到達するまで
に、矢印９に示すように広がってしまう、たとえば、電
極７が５ｇｍ程度とすると、電流は矢印９のように４〜
５倍に広がり、発振に必要とされる電流も大きくなる（
１５０〜２００ｍＡ程度）。
さらに、この従来例では、同図（Ｂ）に示すように、活
性層の屈折率ｎが３．６５程度、クラッド層の屈折率ｎ
が３．４程度であるために、縦方向にはクラッド層２お
よび５によって光の閉じ込めができるが、横方向の光の
閉じ込めができない。
性層の屈折率ｎが３．６５程度、クラッド層の屈折率ｎ
が３．４程度であるために、縦方向にはクラッド層２お
よび５によって光の閉じ込めができるが、横方向の光の
閉じ込めができない。
このために光の広がりが大きくなり、微分量子効果の低
下等を招来するという問題点を有していた。
下等を招来するという問題点を有していた。
この問題点を解消するために、次に示すようなレーザ構
造が提案されている。
造が提案されている。
第８図および第９図は、各々半導体レーザの従来例の概
略的構成図である。
略的構成図である。
第８図において、ｎ型基板１１上にｎバッファ層１２、
ｎクラッド層１３、ノンドープ活性層１４、Ｐクラッド
層１５が形成され、さらに部分的に開口されたｎ−Ｇａ
Ａｓの電流ブロー、り層１６、ｐクラッド層１７、ｐコ
ンタクト層１８および電極１９．２０が形成されている
。
ｎクラッド層１３、ノンドープ活性層１４、Ｐクラッド
層１５が形成され、さらに部分的に開口されたｎ−Ｇａ
Ａｓの電流ブロー、り層１６、ｐクラッド層１７、ｐコ
ンタクト層１８および電極１９．２０が形成されている
。
このような構成において、電圧を印加すると、電極１９
から電極２０へ電流が流れる。その際、電流ブロック層
１６の部分は電流が流れにくいために、電流は矢印２２
のように電流ブロック層１６の開口部に集中する。
から電極２０へ電流が流れる。その際、電流ブロック層
１６の部分は電流が流れにくいために、電流は矢印２２
のように電流ブロック層１６の開口部に集中する。
さらに、活性層１４からの光のしみ出しを考慮して、電
流ブロック層１６と活性層１４との距離２１を電流ブロ
ック層１６での光の吸収を生ずる距離に設定すると、電
流ブロック層１６の開口部のみに発光部が制限される。
流ブロック層１６と活性層１４との距離２１を電流ブロ
ック層１６での光の吸収を生ずる距離に設定すると、電
流ブロック層１６の開口部のみに発光部が制限される。
これによって低いしきい値（代表的には３０〜４０ ｍ
Ａ）でレーザ発振を生じさせることができる。
Ａ）でレーザ発振を生じさせることができる。
上記レーザ構造の具体的数値としては、距離２１が０．
４ｐｍ、電流ブロック層１６の厚さおよびキャリア濃度
が各々０．６ｇｍおよび６×１０１８ｃｍ−３，Ｐクラ
ッド層１５および１７のキャリア濃度がＩ Ｘ Ｉ ０
１８ｃｍ−３である。また電流ブロック層１６の開口部
は３ルｍ幅である。
４ｐｍ、電流ブロック層１６の厚さおよびキャリア濃度
が各々０．６ｇｍおよび６×１０１８ｃｍ−３，Ｐクラ
ッド層１５および１７のキャリア濃度がＩ Ｘ Ｉ ０
１８ｃｍ−３である。また電流ブロック層１６の開口部
は３ルｍ幅である。
第９図に示す半導体レーザでは、段差を設けたｎ基板３
１上に、ｎバッファ層３２、クラッド層３３、ノンドー
プ活性層３４、ｐクラッド層３５および３６、開口部を
有するｎ−ＧａＡｓの電流ブロック層４１、コンタクト
層３７および電極４０．３８が形成されている。
１上に、ｎバッファ層３２、クラッド層３３、ノンドー
プ活性層３４、ｐクラッド層３５および３６、開口部を
有するｎ−ＧａＡｓの電流ブロック層４１、コンタクト
層３７および電極４０．３８が形成されている。
この従来例においても、電流は電流ブロック層４１の開
口部に集中しく矢印３９）、また段差によって横方向に
も屈折率の差があるために、光は段差部に閉じ込められ
、高い効率を達成することができる。
口部に集中しく矢印３９）、また段差によって横方向に
も屈折率の差があるために、光は段差部に閉じ込められ
、高い効率を達成することができる。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上記従来の半導体レーザでは、電流ブロ
ック層（１６，４１）を製造するために、まずｎ−Ｇａ
Ａｓ層を全面に形成した後で、開口部を化学エツチング
等により形成する必要がある。
ック層（１６，４１）を製造するために、まずｎ−Ｇａ
Ａｓ層を全面に形成した後で、開口部を化学エツチング
等により形成する必要がある。
このために、エツチングによって欠陥が発生し、あるい
は堆植室の外に取り出す際のゴミ等の付着によって欠陥
が発生する可能性がある。
は堆植室の外に取り出す際のゴミ等の付着によって欠陥
が発生する可能性がある。
更に、活性層（１４，３４）の近傍に電流ブロック層（
１６，４１）を設けるために、上記エツチングを精度良
く制御することが必要となる。特に、第９図に示すレー
ザでは、傾斜を有しているために、エツチングの制御が
困難になっている。
１６，４１）を設けるために、上記エツチングを精度良
く制御することが必要となる。特に、第９図に示すレー
ザでは、傾斜を有しているために、エツチングの制御が
困難になっている。
第８図に示すレーザは、層１６により電流のブロックと
屈折率変化を与え１発光部の制御を図っている。ところ
が、電流ブロック層１６を形成するためには２回成長を
行う必要があり、工程が複雑となり、ゴミ等のため欠陥
の導入等の問題を生ずる。
屈折率変化を与え１発光部の制御を図っている。ところ
が、電流ブロック層１６を形成するためには２回成長を
行う必要があり、工程が複雑となり、ゴミ等のため欠陥
の導入等の問題を生ずる。
このように、従来の半導体レーザでは、電流の狭窄およ
び光の閉じ込めを達成しようとすると、製造が複雑かつ
困難となり、製造歩留りが低下し、信頼性も不十分にな
るという問題点を有していた。
び光の閉じ込めを達成しようとすると、製造が複雑かつ
困難となり、製造歩留りが低下し、信頼性も不十分にな
るという問題点を有していた。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、上記従来の問題点を解決しようとするもので
あり、その目的は、電流狭窄および光の閉じ込めに優れ
、かつ信頼性の高い半導体レーザを容易に製造できる半
導体レーザの製造方法を提供することにある。
あり、その目的は、電流狭窄および光の閉じ込めに優れ
、かつ信頼性の高い半導体レーザを容易に製造できる半
導体レーザの製造方法を提供することにある。
本発明による半導体レーザは、
一導電型化合物半導体の第１光閉じ込め層、化合物半導
体の活性層および反対導電型化合物半導体の第２光閉じ
込め層が積層形成されており、かつ、第２光閉じ込め層
を堆積する堆積面は凸部を有し、第２光閉じ込め層にお
ける前記凸部の傾斜面上の部分のみが一導電型化合物半
導体で形成されていることを特徴とする。
体の活性層および反対導電型化合物半導体の第２光閉じ
込め層が積層形成されており、かつ、第２光閉じ込め層
を堆積する堆積面は凸部を有し、第２光閉じ込め層にお
ける前記凸部の傾斜面上の部分のみが一導電型化合物半
導体で形成されていることを特徴とする。
本発明による半導体レーザの製造方法は、一導電型化合
物半導体基板上に、一導電型化合物半導体の第１光閉じ
込め層、化合物半導体の活性層および反対導電型化合物
半導体の第２光閉じ込め層が積層形成されてなる半導体
レーザの製造方法において、 前記第２光閉じ込め層が形成される堆積面に、格子方向
指数で示す（１１０＞軸にほぼ平行でかつミラー指数で
示す（ｏｏｉ）面となす角度がほぼ２０’以上である傾
斜面と、前記（００１）面となす角度がほぼ２０°未満
である面とを形成し、 前記堆積面に、両性不純物をドープした化合物半導体を
成長させて、前記傾斜面に一導電型化合物半導体の領域
を有する前記第２光閉じ込め層を形成する、 ことを特徴とする。
物半導体基板上に、一導電型化合物半導体の第１光閉じ
込め層、化合物半導体の活性層および反対導電型化合物
半導体の第２光閉じ込め層が積層形成されてなる半導体
レーザの製造方法において、 前記第２光閉じ込め層が形成される堆積面に、格子方向
指数で示す（１１０＞軸にほぼ平行でかつミラー指数で
示す（ｏｏｉ）面となす角度がほぼ２０’以上である傾
斜面と、前記（００１）面となす角度がほぼ２０°未満
である面とを形成し、 前記堆積面に、両性不純物をドープした化合物半導体を
成長させて、前記傾斜面に一導電型化合物半導体の領域
を有する前記第２光閉じ込め層を形成する、 ことを特徴とする。
［作用］
本発明による半導体レーザは、上記反対導電型化合物半
導体の第２光閉じ込め層が凸部の傾斜面上の部分のみ一
導電型化合物半導体で形成されていることで、この一導
電型化合物半導体の部分が電流狭窄領域となって凸部頂
上部の活性層を孤立させ、高効率を達成でき、また良好
な光閉じ込めを行うことができる。
導体の第２光閉じ込め層が凸部の傾斜面上の部分のみ一
導電型化合物半導体で形成されていることで、この一導
電型化合物半導体の部分が電流狭窄領域となって凸部頂
上部の活性層を孤立させ、高効率を達成でき、また良好
な光閉じ込めを行うことができる。
本発明による半導体レーザの製造方法は、上記堆積面に
、両性不純物をドープした化合物半導体を成長させるこ
とで、第２光閉じ込め層と電流狭窄領域となる一導電型
化合物半導体とを同時に形成することができるために、
工程数が少ない簡易な製法であり、したがって製造歩留
りおよび信頼性を向上させることができる。
、両性不純物をドープした化合物半導体を成長させるこ
とで、第２光閉じ込め層と電流狭窄領域となる一導電型
化合物半導体とを同時に形成することができるために、
工程数が少ない簡易な製法であり、したがって製造歩留
りおよび信頼性を向上させることができる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説明
する。
する。
第１図は、本発明による半導体レーザの第１実施例の概
略的構成図である。
略的構成図である。
同図において、後述するりッジ５１ａを形成したｐ−Ｇ
ａＡｓ基板５１上に、ｐ型バフ ７７層５２、ｐ型りラ
ッド層５３およびノンドープ活性層５４が形成されてい
る。そして、その上にｎ型クラッド層５５およびコンタ
クト層５６を形成する際、同時に傾斜部がｐ領域６０と
なる。続いて、リッジの頂上部の除いて絶縁層５７が形
成され、さらに電極５８および５９を形成して半導体レ
ーザが構成される。
ａＡｓ基板５１上に、ｐ型バフ ７７層５２、ｐ型りラ
ッド層５３およびノンドープ活性層５４が形成されてい
る。そして、その上にｎ型クラッド層５５およびコンタ
クト層５６を形成する際、同時に傾斜部がｐ領域６０と
なる。続いて、リッジの頂上部の除いて絶縁層５７が形
成され、さらに電極５８および５９を形成して半導体レ
ーザが構成される。
このような半導体レーザでは、電極５８および５９間に
電圧を印加するとｐ領域６０によって電流が狭窄され、
矢印６３のようにリッジ５１の頂上部と電極５８間に電
流が集中する。したがって、しきい値電流が低く、また
活性層５４がリッジ部の上部で孤立するために、光の閉
じ込めが良好となり高効率となる。
電圧を印加するとｐ領域６０によって電流が狭窄され、
矢印６３のようにリッジ５１の頂上部と電極５８間に電
流が集中する。したがって、しきい値電流が低く、また
活性層５４がリッジ部の上部で孤立するために、光の閉
じ込めが良好となり高効率となる。
次に、半導体レーザの製造方法について説明する。
第２図（Ａ）および（Ｂ）は、本実施例で使用される半
導体形成方法の原理説明図である。
導体形成方法の原理説明図である。
通常、ＧａＡｓ基板上にＳｉをドープしたＧａＡｓ等の
半導体を成長させると、ｎ型の半導体層が形成される。
半導体を成長させると、ｎ型の半導体層が形成される。
しかし、これはＡｓが安定な面、つまりＡｓ面と呼ばれ
ている面での話である。したがって、通常は、このＡｓ
面のみを利用して半導体素子を作製している。
ている面での話である。したがって、通常は、このＡｓ
面のみを利用して半導体素子を作製している。
ところが、ＧａＡｓのようなｍ−Ｖ族の化合物半導体に
対して、Ｓｉのような■族は両性不純物となる。つまり
、ＳｉがＧａサイトに入ればｎ型、Ａｓサイトに入れば
ｐ型となる。したがって、ＳｉがＡｓサイトに入るよう
な面を作れば、ＳｉをドープしたＧａＡｓを用いてもｐ
型半導体層を成長させることができる。以下、このよう
な面をＧａ面という。
対して、Ｓｉのような■族は両性不純物となる。つまり
、ＳｉがＧａサイトに入ればｎ型、Ａｓサイトに入れば
ｐ型となる。したがって、ＳｉがＡｓサイトに入るよう
な面を作れば、ＳｉをドープしたＧａＡｓを用いてもｐ
型半導体層を成長させることができる。以下、このよう
な面をＧａ面という。
ＧａＡｓ基板５１（７）（００１）面はＡｓ面であるが
、第２図（Ａ）に示すように、この面に対して（１１０
）軸にほぼ平行に角度０をなす傾斜面を有するリッジ５
１ａを形成すると、θがほぼ２０°以上であれば傾斜面
にはＧａ面が露出する。したがって、第２図（Ｂ）に示
すように、角度θがほぼ２０°以上になると、この傾斜
面にはｐ型半導体層が成長する。
、第２図（Ａ）に示すように、この面に対して（１１０
）軸にほぼ平行に角度０をなす傾斜面を有するリッジ５
１ａを形成すると、θがほぼ２０°以上であれば傾斜面
にはＧａ面が露出する。したがって、第２図（Ｂ）に示
すように、角度θがほぼ２０°以上になると、この傾斜
面にはｐ型半導体層が成長する。
すなわち、同一基板上に（００１）面となる角度が２０
’以上の面と、２０°未満の面とを形成することによっ
て、−回の成長で各面上にｐ型およびｎ型の半導体層を
形成することができる。
’以上の面と、２０°未満の面とを形成することによっ
て、−回の成長で各面上にｐ型およびｎ型の半導体層を
形成することができる。
なお、この方法では、例えば、
基板温度は４００〜８００℃程度、
ＧａＡｓ（７）成長速度は０．５〜５Ｂｍ／ｈ、フラッ
クス比Ｊ （Ａ Ｓ４ ） ／Ｊ （Ｇ ａ）はｌＯ以
下で、特に５以下が望ましい。
クス比Ｊ （Ａ Ｓ４ ） ／Ｊ （Ｇ ａ）はｌＯ以
下で、特に５以下が望ましい。
また、ＧａＡｓおよびＡｌＧａＡｓの両性不純物として
はＳｉの他にＧｅ、Ｓｎが挙げられ、同様な効果を有す
る。ただし、成長条件が多少異なる。
はＳｉの他にＧｅ、Ｓｎが挙げられ、同様な効果を有す
る。ただし、成長条件が多少異なる。
また、この様な効果を利用できる材料としては、ＩｎＧ
ａＡｓ、ＩｎＡｌＧａＰ等があり、これらの材料に両性
不純物をドープすることにより、同様な効果を得られる
。ドープ材としては、■族元素であり、同様にＳｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｎ、Ｐｂを利用すれば同様の効果を得られる。
ａＡｓ、ＩｎＡｌＧａＰ等があり、これらの材料に両性
不純物をドープすることにより、同様な効果を得られる
。ドープ材としては、■族元素であり、同様にＳｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｎ、Ｐｂを利用すれば同様の効果を得られる。
本発明は、この方法を利用して半導体層の導電型を制御
し、半導体レーザを簡単な工程で製造しようとするもの
である。
し、半導体レーザを簡単な工程で製造しようとするもの
である。
まず、基板５１は、（００１）面を有したｐ−ＧａＡｓ
基板に、（１１０）軸にそった方向でリッジ５１ａを形
成したものである。本実施例では、リッジの幅を頂上部
で３ ｇｍ、段差を１．５ｇｍとしている。これらの数
値は任意である。また、傾斜面は（００１）面に対して
４０°傾斜している。
基板に、（１１０）軸にそった方向でリッジ５１ａを形
成したものである。本実施例では、リッジの幅を頂上部
で３ ｇｍ、段差を１．５ｇｍとしている。これらの数
値は任意である。また、傾斜面は（００１）面に対して
４０°傾斜している。
リッジ５１ａの形成は通常のホトリソグラフィによる。
まずレジストを形成し、硫酸系エッチャントでエツチン
グすると、基板は断面が扇形にエツチングされる。続い
て、レジストを剥離してエツチングすることで、断面形
状が台形のりッジ５１ａが形成される。
グすると、基板は断面が扇形にエツチングされる。続い
て、レジストを剥離してエツチングすることで、断面形
状が台形のりッジ５１ａが形成される。
なお、リッジ５１ａの高さを２〜３ｇｍ程度に高くし、
さらに基板温度を低く、Ａｓのフラックスを小さくすれ
ば、リッジの傾斜面の角度を維持することができる。
さらに基板温度を低く、Ａｓのフラックスを小さくすれ
ば、リッジの傾斜面の角度を維持することができる。
次に、 ｐ−ＧａＡｓ基板５１上に、Ｂｅをドープした
ＧａＡｓのバッファ層５２を厚さ０．５ｇｍ形成し、更
に、ＢｅドープのＡｌｘ Ｇａｙ ＡＳ（ｘ＝０ 、３
、 ｙ＝０．７、以下同じ。）のクラッド層５３を厚
さ１．５＃Ｌｍ、／ンドーブＧａＡｓの活性層５４を厚
さ０・１用ｍ形成する。
ＧａＡｓのバッファ層５２を厚さ０．５ｇｍ形成し、更
に、ＢｅドープのＡｌｘ Ｇａｙ ＡＳ（ｘ＝０ 、３
、 ｙ＝０．７、以下同じ。）のクラッド層５３を厚
さ１．５＃Ｌｍ、／ンドーブＧａＡｓの活性層５４を厚
さ０・１用ｍ形成する。
次に、ＳｉドープのＡＩ！ Ｇａｙ Ａｓをクラッド層
５５として１．５ｐｍ形成し、さらにコンタクト層５６
として形成する。
５５として１．５ｐｍ形成し、さらにコンタクト層５６
として形成する。
すでに述べたように、Ｓｉは両性不純物であり、（００
１）面に対する角度θがほぼ２０°以上になるとｐ型の
ＡＩ！ Ｇａｙ Ａｓが成長する。したがって、クラッ
ド層５５およびコンタクト層５６を形成する際、基板５
１のリッジ部５１ａの傾斜面上の部分にはｐ型Ａｌ！
Ｇａｙ Ａｓ領域６０が形成され、その他の部分はｎ型
ＡＩＸ Ｇａｙ Ａｓとなる。
１）面に対する角度θがほぼ２０°以上になるとｐ型の
ＡＩ！ Ｇａｙ Ａｓが成長する。したがって、クラッ
ド層５５およびコンタクト層５６を形成する際、基板５
１のリッジ部５１ａの傾斜面上の部分にはｐ型Ａｌ！
Ｇａｙ Ａｓ領域６０が形成され、その他の部分はｎ型
ＡＩＸ Ｇａｙ Ａｓとなる。
次に、’ Ｓｉ３ Ｎ ４の絶縁層５７を厚さ５０００
人形成した後、通常のホトリソグラフィによってリッジ
頂上部のみを除去する。そして、最後にＡｕ−３ｎの電
極５８およびＡｕ−Ｚｎの電極５９を蒸着により形成す
る。
人形成した後、通常のホトリソグラフィによってリッジ
頂上部のみを除去する。そして、最後にＡｕ−３ｎの電
極５８およびＡｕ−Ｚｎの電極５９を蒸着により形成す
る。
第３図は、本発明による半導体レーザの第２実施例の概
略的構成図である。なお、第１実施例と同一部分には同
一番号を付しである。
略的構成図である。なお、第１実施例と同一部分には同
一番号を付しである。
本実施例では、上述したようにＳｉドープのＡｌｘＧａ
ｙＡｓを成長させることによって、Ｐ型Ａｌｘ Ｇａｙ
Ａｓ領域６０を有するクラッド層５５を形成し、その上
にリッジ頂上部を除いて絶縁層７１を形成する。続いて
、頂上部にコンタクト層７２を形成し、最後に電極７３
および５９を形成する。
ｙＡｓを成長させることによって、Ｐ型Ａｌｘ Ｇａｙ
Ａｓ領域６０を有するクラッド層５５を形成し、その上
にリッジ頂上部を除いて絶縁層７１を形成する。続いて
、頂上部にコンタクト層７２を形成し、最後に電極７３
および５９を形成する。
このようにコンタクト層が頂上部のみに形成されている
ために、コンタクト層を通しての横方向電流がなくなり
、電流を更に集中させ効率を向上させることができる。
ために、コンタクト層を通しての横方向電流がなくなり
、電流を更に集中させ効率を向上させることができる。
第４図は、本発明による半導体レーザの第３実施例の概
略的構成図である。
略的構成図である。
本実施例では、第１実施例の構成を有する半導体レーザ
Ｌ１ 、Ｌ２ 、Ｌ３ ・・・を同一基板５１上に複数
個配列している。また、各レーザの電極５８は、分離溝
６４によって電気的に分離されているために、各レーザ
を独立駆動させることができる。
Ｌ１ 、Ｌ２ 、Ｌ３ ・・・を同一基板５１上に複数
個配列している。また、各レーザの電極５８は、分離溝
６４によって電気的に分離されているために、各レーザ
を独立駆動させることができる。
第１０図は、本発明による半導体レーザの第４実施例の
概略的構成図である。
概略的構成図である。
上記各実施例と異なるところは、第２光閉じ込め層が活
性層の下部に形成されていることである。
性層の下部に形成されていることである。
１２０はｎ型ＧａＡｓ基板である。この上にバッファ層
１２１としてＳｉドープＧａＡｓを０．５ルｍ成長させ
、続いてＳｉドープＡｌｘＧａｙＡｓ （ｘ＝０．５．
ｙ＝０．５）ｃ７）層１２２を１．５ｐｍ形成すると、
上述したように、傾斜面のみｐ型となる。これが領域１
３１である。
１２１としてＳｉドープＧａＡｓを０．５ルｍ成長させ
、続いてＳｉドープＡｌｘＧａｙＡｓ （ｘ＝０．５．
ｙ＝０．５）ｃ７）層１２２を１．５ｐｍ形成すると、
上述したように、傾斜面のみｐ型となる。これが領域１
３１である。
さらに、活性層１２３を形成する。本実施例では、Ｇａ
ＡＳとＡ １ｘＧａｙＡｓ （ｘ＝０．３ 。
ＡＳとＡ １ｘＧａｙＡｓ （ｘ＝０．３ 。
ｙ＝ｏ、’；ｒ）の多層膜（ＧａＡｓは６０人で５層、
ＡＬＧａＡｓは１００人で４層）により形成されている
。
ＡＬＧａＡｓは１００人で４層）により形成されている
。
活性層１２３上に、ＢｅドープＡＩｘＧａｙＡｓ （ｘ
＝０ 、５ 、 ｙ＝０ 、５）の第１光閉じ込め層１
２４を形成し、更にＢｅドープＧａＡｓの電極用コンタ
クト層１２５を形成する。
＝０ 、５ 、 ｙ＝０ 、５）の第１光閉じ込め層１
２４を形成し、更にＢｅドープＧａＡｓの電極用コンタ
クト層１２５を形成する。
なお、このままでは第１および第２実施例に比較して電
流の閉じ込めが十分ではないために、電流の広がりを防
ぐために、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層１２４およびｐ−ＧａＡ
ｓ層１２５を１３２に示すようにエツチングによって除
去する。ただし、活性層１２３まで達しない方がレーザ
としての特性は良好になる傾向にある。また、ｐ−Ａｌ
ＧａＡｓの層１２４の残された層１３３は、厚さ０．１
〜ＩＪＬｍ程度が望ましい。
流の閉じ込めが十分ではないために、電流の広がりを防
ぐために、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層１２４およびｐ−ＧａＡ
ｓ層１２５を１３２に示すようにエツチングによって除
去する。ただし、活性層１２３まで達しない方がレーザ
としての特性は良好になる傾向にある。また、ｐ−Ａｌ
ＧａＡｓの層１２４の残された層１３３は、厚さ０．１
〜ＩＪＬｍ程度が望ましい。
さらに、エツチング部１３２の位置も重要である。基板
１２０の台形凸部のすそ１３５とエツチング部１３２の
位置をなるべく一致させるが、その距＄１３４を小さく
することを望ましい。勿論、エツチング部１３２の位置
がすそ１３５を過ぎて、リッジ上部に近づく程良いわけ
である。
１２０の台形凸部のすそ１３５とエツチング部１３２の
位置をなるべく一致させるが、その距＄１３４を小さく
することを望ましい。勿論、エツチング部１３２の位置
がすそ１３５を過ぎて、リッジ上部に近づく程良いわけ
である。
こうしてエツチングされずに残された部分の上に、Ｓｉ
３Ｎ４層１２６を形成し、その頂上部１２８を除去した
後、電極１２７を形成する。また、電極１３０も形成す
る。
３Ｎ４層１２６を形成し、その頂上部１２８を除去した
後、電極１２７を形成する。また、電極１３０も形成す
る。
このような構造のレーザの電極１２７および１３０間に
電圧を印加すると、電流が矢印１２９の方向に流れ、中
央部に集中して発振する。ｐ領域１３１により狭窄効果
を有するからである。また、活性層１２３も台形上部と
傾斜面で折れ曲がっているために、屈折率差を有し、光
も中央部に閉じ込められる。
電圧を印加すると、電流が矢印１２９の方向に流れ、中
央部に集中して発振する。ｐ領域１３１により狭窄効果
を有するからである。また、活性層１２３も台形上部と
傾斜面で折れ曲がっているために、屈折率差を有し、光
も中央部に閉じ込められる。
工程数は、第１および第２実施例に比べて増加するが、
傾斜面にｐ領域が形成される効果により、光および電流
の閉じ込めが良好な半導体レーザを得ることができた。
傾斜面にｐ領域が形成される効果により、光および電流
の閉じ込めが良好な半導体レーザを得ることができた。
なお、本実施例における台形形状は、台形の上部が５ｐ
ｍ、高さが３４ｍであった。レーザを作製する場合、基
板の台形形状は、上部が６ｇｍ以下の幅で、高さが３ｇ
ｍ以下であることが望ましい、また、第３実施例におけ
る台形間のピッチは任意である。
ｍ、高さが３４ｍであった。レーザを作製する場合、基
板の台形形状は、上部が６ｇｍ以下の幅で、高さが３ｇ
ｍ以下であることが望ましい、また、第３実施例におけ
る台形間のピッチは任意である。
リッジを形成する方向は（１１０）にほぼ平行と表現し
ているが、「はぼ」とは−３０’〜＋３０°の範囲を含
む意味である。さらに望ましくは一１０’〜＋１０°で
ある。
ているが、「はぼ」とは−３０’〜＋３０°の範囲を含
む意味である。さらに望ましくは一１０’〜＋１０°で
ある。
また、基板も（００１）面に完全に一致している必要は
なく、（００１）面から（１１１）方向に最大１０°傾
いていても良い。
なく、（００１）面から（１１１）方向に最大１０°傾
いていても良い。
また、本発明におけるリッジの斜面が（００１）面とな
る傾斜角度を４０°としたが、本発明の適用範囲は最大
７０°程度である。ただし、真空蒸着法を用いた場合に
は、角度が大きいと傾斜面に成長しない可能性がある。
る傾斜角度を４０°としたが、本発明の適用範囲は最大
７０°程度である。ただし、真空蒸着法を用いた場合に
は、角度が大きいと傾斜面に成長しない可能性がある。
本実施例で使用したウェットエツチングでは、（１１１
）面が形成され、ドライエツチングでも斜面が形成でき
る０本発明の効果を有効に利用するためには、傾斜角度
は２０〜６０°が望ましい。
）面が形成され、ドライエツチングでも斜面が形成でき
る０本発明の効果を有効に利用するためには、傾斜角度
は２０〜６０°が望ましい。
（比較例１）
第５図は、ＢＭＱＷレーザ（Ｂｕｒｉｅｄ ｍｕｌｔｉ
ｑｕａｎｔｕｇ ｗｅｌｌ １ａｓｅｒｓ ）の概略的
構成図である。ＢＭＱＷレーザの報告例には、Ａｐｐｌ
、 Ｐｈ７ｓ、 Ｌｅｔｔ、４５（＋）、Ｉ Ｊｕｌｙ
１９８４がある。
ｑｕａｎｔｕｇ ｗｅｌｌ １ａｓｅｒｓ ）の概略的
構成図である。ＢＭＱＷレーザの報告例には、Ａｐｐｌ
、 Ｐｈ７ｓ、 Ｌｅｔｔ、４５（＋）、Ｉ Ｊｕｌｙ
１９８４がある。
同図において、８２はｐ−ＧａＡｓ基板、８３はｐ−Ａ
Ｉ ！ｌ Ｇａ ｙＩ Ａ１１（！１ 弓、３５． ｙ
ｌ ＝０．６５ 、以下同じ、）のバー／ ７７層、８
４はＰ−ＡｌＸ Ｇａｙ Ａｓのクラッド層、８５はＺ
ｎの拡散によって無秩序化された領域、８６はＺｎ拡散
領域、８７はＳｉＯ２の電流ブロック層、８８はＡｕＧ
ｅＮ １−Ａｕの電極、８１は０ｒ−Ａｕの電極、８９
はＺｎの拡散していないｎ−Ａｌ ＸＩ Ｇａ ｙＩ
Ａｓの上部クラッド層、９０はｎ−ＧａＡｓのコンタク
ト層、９１は多重量子井戸型活性層である。
Ｉ ！ｌ Ｇａ ｙＩ Ａ１１（！１ 弓、３５． ｙ
ｌ ＝０．６５ 、以下同じ、）のバー／ ７７層、８
４はＰ−ＡｌＸ Ｇａｙ Ａｓのクラッド層、８５はＺ
ｎの拡散によって無秩序化された領域、８６はＺｎ拡散
領域、８７はＳｉＯ２の電流ブロック層、８８はＡｕＧ
ｅＮ １−Ａｕの電極、８１は０ｒ−Ａｕの電極、８９
はＺｎの拡散していないｎ−Ａｌ ＸＩ Ｇａ ｙＩ
Ａｓの上部クラッド層、９０はｎ−ＧａＡｓのコンタク
ト層、９１は多重量子井戸型活性層である。
このレーザの特徴は、Ｚｎ拡散により多重量子井戸活性
層であった領域８５が無秩序化されることで、無秩序化
した領域８５の組織化が変り、屈折率の変化を生じて光
が活性層９１に閉じ込められるところにある。更に、Ｚ
ｎ拡散によって、横方向にｐｎ接合が形成されるために
、電流の集中化という効果も生じる。また、このレーザ
は３３ｍＡという低いしきい値電流で発振している。
層であった領域８５が無秩序化されることで、無秩序化
した領域８５の組織化が変り、屈折率の変化を生じて光
が活性層９１に閉じ込められるところにある。更に、Ｚ
ｎ拡散によって、横方向にｐｎ接合が形成されるために
、電流の集中化という効果も生じる。また、このレーザ
は３３ｍＡという低いしきい値電流で発振している。
しかしながら、この比較例では、Ｚｎ拡散をした後の加
工を必要とし、製造において制御性等に技術的な問題を
有している。
工を必要とし、製造において制御性等に技術的な問題を
有している。
これに対して、本発明では、クラッド層等の成長と共に
電流狭窄領域が形成され、上記比較例より製造技術の点
で優れたものである。
電流狭窄領域が形成され、上記比較例より製造技術の点
で優れたものである。
（比較例２）
第６図は、ＢＨレーザ（Ｂｕｒｉｅｄ−ｈｅｔｅｒｏｓ
ｔｒｕｃｔｕｒｅ １ｎｊｅｃｔｉｏｎ １ａｓｅｒｓ
）の概略的構成図である。
ｔｒｕｃｔｕｒｅ １ｎｊｅｃｔｉｏｎ １ａｓｅｒｓ
）の概略的構成図である。
ＢＨＬ／−ザの報告例としては、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉａｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、 Ｖｏｌ、４５．
Ｎｏ、！１．Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９７４．４８９９が
挙げられる。
Ａｐｐｌｉａｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、 Ｖｏｌ、４５．
Ｎｏ、！１．Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９７４．４８９９が
挙げられる。
同図において、１０２はｎ−ＧａＡｓ基板、１０３は電
流を閉じ込めるためのｎ−ＡｌＧａＡｓ層、１０４は酸
化膜、１０１および１０５は電極、１０６はｐ−ＡｌＧ
ａＡｓのクラッド層、１０７はＧａＡｓの活性層、１０
８はｎ−Ａ ｌＧａＡｓの下部クラッド層である。
流を閉じ込めるためのｎ−ＡｌＧａＡｓ層、１０４は酸
化膜、１０１および１０５は電極、１０６はｐ−ＡｌＧ
ａＡｓのクラッド層、１０７はＧａＡｓの活性層、１０
８はｎ−Ａ ｌＧａＡｓの下部クラッド層である。
このレーザの製造方法は、基板１０２上に、下部クラッ
ド層１０８、活性層１０７およびクラッド層１０６を形
成した後、エツチングにより中心部分だけを残して他を
除去し、電流を閉じ込めるためのｎ−ＡｌＧａＡｓ層１
０３を再成長させる、というものである。
ド層１０８、活性層１０７およびクラッド層１０６を形
成した後、エツチングにより中心部分だけを残して他を
除去し、電流を閉じ込めるためのｎ−ＡｌＧａＡｓ層１
０３を再成長させる、というものである。
このレーザは１５ｍＡという非常に低いしきい値電流を
示すが、上述したように製造工程が多く、複雑な製法と
なる。
示すが、上述したように製造工程が多く、複雑な製法と
なる。
これに対して、本発明では、傾斜面を形成するだけでク
ラッド層の成長と同時に電流狭窄領域を形成することが
でき、リッジの頂上部に活性層を孤立させることができ
る。したがって、上記比較例に比べて製造工程が大幅に
簡単化され、しかも効率の良いレーザを提供することが
できる。
ラッド層の成長と同時に電流狭窄領域を形成することが
でき、リッジの頂上部に活性層を孤立させることができ
る。したがって、上記比較例に比べて製造工程が大幅に
簡単化され、しかも効率の良いレーザを提供することが
できる。
このように、上記各比較例では、電流の狭窄を達成する
構造を形成するために２回の成長工程又は拡散工程を必
要とするのに対して、本発明によれは１回の成長工程で
効率の高いレーザ構造を形成することができる。
構造を形成するために２回の成長工程又は拡散工程を必
要とするのに対して、本発明によれは１回の成長工程で
効率の高いレーザ構造を形成することができる。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、
本発明による半導体レーザは、上記反対導電型化合物半
導体の第２光閉じ込め層が凸部の傾斜面上の部分のみ一
導電型化合物半導体で形成されているために、この一導
電型化合物半導体の部分が電流狭窄領域となって凸部頂
上部の活性層を孤立させ、高効率を達成でき、また良好
な光閉じ込めを行うことができる。
導体の第２光閉じ込め層が凸部の傾斜面上の部分のみ一
導電型化合物半導体で形成されているために、この一導
電型化合物半導体の部分が電流狭窄領域となって凸部頂
上部の活性層を孤立させ、高効率を達成でき、また良好
な光閉じ込めを行うことができる。
本発明による半導体レーザの製造方法は、上記堆積面に
、両性不純物をドープした化合物半導体を成長させるこ
とで、第２光閉じ込め層と電流狭窄領域となる一導電型
化合物半導体とを同時に形成することができるために、
工程数が少ない簡易な製法であり、したがって製造歩留
りおよび信頼性を向上させることができる。
、両性不純物をドープした化合物半導体を成長させるこ
とで、第２光閉じ込め層と電流狭窄領域となる一導電型
化合物半導体とを同時に形成することができるために、
工程数が少ない簡易な製法であり、したがって製造歩留
りおよび信頼性を向上させることができる。
第１図は、本発明による半導体レーザの第１実施例の概
略的構成図、 第２図（Ａ）および（Ｂ）は、本実施例で使用される半
導体形成方法の原理説明図、 第３図は、本発明による半導体レーザの第２実施例の概
略的構成図、 第４図は、本発明による半導体レーザの第３実施例の概
略的構成図、 第５図は、ＢＭＱＷレーザ（Ｂｕｒｉｅｄ ｍｕｌｔｉ
ｑｕａｍｔｕｍ ｗｅｌｌ １ａｓｅｒＳ）の概略的構
成図、第６図は、ＢＨレーザ（Ｂｕｒｉｅｄ−ｈｅｔｅ
ｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ １ｎｊｅｃｔｉｏｎ １ａｓ
ｅｒｓ ）の概略的構成図、第７図（Ａ）は、従来の半
導体レーザの概略的構成図、第７図（Ｂ）は、その屈折
率の分布を示すグラフ、 第８図および第９図は、各々半導体レーザの従来例の概
略的構成図、 第１０図は、本発明による半導体レーザの第４実施例の
概略的構成図である。 ５１−−、ｐ型基板（ｐ−ＧａＡｓ） ５２−−−ｐパー／ ７７層（Ｂｅ−ｄｏｐｅｄ）５３
−−−ｐクラッド層（Ｂｅ−ｄｏｐｅｄ）５４・・・活
性層（ノンドープ） ５５ ＊ ＠ ＠ ｎクラッド層（Ｓｉ−ｄｏｐｅｄ）
５６＊ｅａｎコンタクト層（Ｓｉ−ｄｏｐｅｄ）５７・
・・絶縁層 ５８．５９・働・電極 ６０・・・ｐ領域 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第１図 第２図 （Ａ） （Ｂン ０ ２０− ｅ第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図 手続？１０正書（自発） 昭和６２年 ９月３０日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 １、 事件の表示 昭和６２年特許願第２４８７１号 ２、 発明の名称 半導体レーザおよびその製造方法 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称（ｉｏ
ｏ）キャノン株式会社 ４、代理人 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、 補正の内容 （１） 明細書第１５頁第１０行〜第１２行の「基板
は断面が扇形にエツチングされる。続いて、レジストを
剥離してエツチングすることで、」を削除する。
略的構成図、 第２図（Ａ）および（Ｂ）は、本実施例で使用される半
導体形成方法の原理説明図、 第３図は、本発明による半導体レーザの第２実施例の概
略的構成図、 第４図は、本発明による半導体レーザの第３実施例の概
略的構成図、 第５図は、ＢＭＱＷレーザ（Ｂｕｒｉｅｄ ｍｕｌｔｉ
ｑｕａｍｔｕｍ ｗｅｌｌ １ａｓｅｒＳ）の概略的構
成図、第６図は、ＢＨレーザ（Ｂｕｒｉｅｄ−ｈｅｔｅ
ｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ １ｎｊｅｃｔｉｏｎ １ａｓ
ｅｒｓ ）の概略的構成図、第７図（Ａ）は、従来の半
導体レーザの概略的構成図、第７図（Ｂ）は、その屈折
率の分布を示すグラフ、 第８図および第９図は、各々半導体レーザの従来例の概
略的構成図、 第１０図は、本発明による半導体レーザの第４実施例の
概略的構成図である。 ５１−−、ｐ型基板（ｐ−ＧａＡｓ） ５２−−−ｐパー／ ７７層（Ｂｅ−ｄｏｐｅｄ）５３
−−−ｐクラッド層（Ｂｅ−ｄｏｐｅｄ）５４・・・活
性層（ノンドープ） ５５ ＊ ＠ ＠ ｎクラッド層（Ｓｉ−ｄｏｐｅｄ）
５６＊ｅａｎコンタクト層（Ｓｉ−ｄｏｐｅｄ）５７・
・・絶縁層 ５８．５９・働・電極 ６０・・・ｐ領域 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第１図 第２図 （Ａ） （Ｂン ０ ２０− ｅ第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図 手続？１０正書（自発） 昭和６２年 ９月３０日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 １、 事件の表示 昭和６２年特許願第２４８７１号 ２、 発明の名称 半導体レーザおよびその製造方法 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称（ｉｏ
ｏ）キャノン株式会社 ４、代理人 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、 補正の内容 （１） 明細書第１５頁第１０行〜第１２行の「基板
は断面が扇形にエツチングされる。続いて、レジストを
剥離してエツチングすることで、」を削除する。
Claims (8)
- （１）一導電型化合物半導体の第１光閉じ込め層、化合
物半導体の活性層および反対導電型化合物半導体の第２
光閉じ込め層が積層形成されており、 かつ、第２光閉じ込め層を堆積する堆積面は凸部を有し
、第２光閉じ込め層における前記凸部の傾斜面上の部分
のみが一導電型化合物半導体で形成されていることを特
徴とする半導体レーザ。 - （２）上記凸部は、その断面がほぼ上底の短かい台形形
状であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体レーザ。 - （３）上記第２光閉じ込め層が形成される堆積面は、格
子方向指数で示す〈１１０〉軸にほぼ平行でかつミラー
指数で示す（００１）面となす角度がほぼ２０°以上の
傾斜面を有し、その他の面は前記（００１）面となす角
度がほぼ２０°未満であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体レーザ。 - （４）上記第２光閉じ込め層は上記活性層に接して形成
され、前記活性層はＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、又はＧａ
ＡｓおよびＡｌＧａＡｓがなす積層から成り、第２光閉
じ込め層は両性不純物をドープしたＧａＡｓ又はＡｌＧ
ａＡｓであることを特徴とする特許請求は範囲第３項記
載の半導体レーザ。 - （５）一導電型化合物半導体基板上に、一導電型化合物
半導体の第２光閉じ込め層、化合物半導体の活性層およ
び反対導電型化合物半導体の第２光閉じ込め層が積層形
成されてなる半導体レーザの製造方法において、 前記第２光閉じ込め層が形成される堆積面に、格子方向
指数で示す〈１１０〉軸にほぼ平行でかつミラー指数で
示す（００１）面となす角度がほぼ２０°以上である傾
斜面と、前記（００１）面となす角度がほぼ２０°未満
である面とを形成し、 前記堆積面に、両性不純物をドープした化合物半導体を
成長させて、前記傾斜面に一導電型化合物半導体の領域
を有する前記第２光閉じ込め層を形成する、 ことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - （６）上記堆積面はＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓであり、
上記両性不純物はＳｉであることを特徴とする特許請求
の範囲第５項記載の半導体レーザの製造方法。 - （７）上記基板に凸部を形成し、その上に第１光閉じ込
め層および活性層を形成することで、該活性層を上記堆
積面として第２光閉じ込め層を形成することを特徴とす
る特許請求の範囲第６項記載の半導体レーザの製造方法
。 - （８）上記基板に凸部を形成し、その上に第２光閉じ込
め層および活性層を形成することで、該活性層を上記堆
積面として第１光閉じ込め層を形成することを特徴とす
る特許請求の範囲第６項記載の半導体レーザの製造方法
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2487187A JPH084174B2 (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
| US07/273,721 US4932033A (en) | 1986-09-26 | 1988-11-17 | Semiconductor laser having a lateral p-n junction utilizing inclined surface and method of manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2487187A JPH084174B2 (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63193585A true JPS63193585A (ja) | 1988-08-10 |
| JPH084174B2 JPH084174B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=12150269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2487187A Expired - Fee Related JPH084174B2 (ja) | 1986-09-26 | 1987-02-06 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH084174B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100590567B1 (ko) | 2004-11-08 | 2006-06-19 | 삼성전자주식회사 | 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| KR100590566B1 (ko) | 2004-11-02 | 2006-06-19 | 삼성전자주식회사 | 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
-
1987
- 1987-02-06 JP JP2487187A patent/JPH084174B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100590566B1 (ko) | 2004-11-02 | 2006-06-19 | 삼성전자주식회사 | 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| KR100590567B1 (ko) | 2004-11-08 | 2006-06-19 | 삼성전자주식회사 | 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH084174B2 (ja) | 1996-01-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |