JPH03209893A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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- JPH03209893A JPH03209893A JP485390A JP485390A JPH03209893A JP H03209893 A JPH03209893 A JP H03209893A JP 485390 A JP485390 A JP 485390A JP 485390 A JP485390 A JP 485390A JP H03209893 A JPH03209893 A JP H03209893A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、情報の光通信あるいは光消去・記録・再生
などに用いることのできるＡｌＧａ１ｎＰ系あるいはＡ
ｌＧａＡｓ系等の可視光半導体し−ザに係わり、特に２
回以上の結晶成長工程を必要とする横モード制御型の半
導体レーザおよびその製造方法に関するものである。
などに用いることのできるＡｌＧａ１ｎＰ系あるいはＡ
ｌＧａＡｓ系等の可視光半導体し−ザに係わり、特に２
回以上の結晶成長工程を必要とする横モード制御型の半
導体レーザおよびその製造方法に関するものである。
レーザプリンタ、光ディスク等の情報処理装置用光源と
して、Ａ／！Ｇａ ＩｎＰ系等の横モード制御型可視光
半導体レーザが要望されている。
して、Ａ／！Ｇａ ＩｎＰ系等の横モード制御型可視光
半導体レーザが要望されている。
従来の横モード制御型の半導体レーザは、例えば第３図
に示すような構造である。すなわち、この半導体レーザ
は、第１の結晶成長でｎ−ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ
Ａｌｏ、３Ｇａｏ、２ Ｉ ｎｏ、ｓＰツク５フ層１
２＋ Ｇａｏ、５１ ｎｏ、ｓ Ｐ活性層１３、 ｐ
Ａｌ１ｏ、３Ｇａｏ、２’ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラ
ッド層１４およびｐ−ＧａＡｓキャップ層１７を順次積
層する。つぎに、５ｉＯｚマスク（図示せず）を用いて
、＜１１０＞方向のメサストライプを形成し、この後第
２の結晶成長を行うことでメサストライプの側面に選択
的にｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層１８を埋め込んでいる。さ
らに、マスクとして用いた５ｉＯｚを除去した後、全面
にｐ−ＧａＡＳコンタクト層１９全１９させ、ｐ側電極
２０およびｎ側電極２１を形成する。
に示すような構造である。すなわち、この半導体レーザ
は、第１の結晶成長でｎ−ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ
Ａｌｏ、３Ｇａｏ、２ Ｉ ｎｏ、ｓＰツク５フ層１
２＋ Ｇａｏ、５１ ｎｏ、ｓ Ｐ活性層１３、 ｐ
Ａｌ１ｏ、３Ｇａｏ、２’ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラ
ッド層１４およびｐ−ＧａＡｓキャップ層１７を順次積
層する。つぎに、５ｉＯｚマスク（図示せず）を用いて
、＜１１０＞方向のメサストライプを形成し、この後第
２の結晶成長を行うことでメサストライプの側面に選択
的にｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層１８を埋め込んでいる。さ
らに、マスクとして用いた５ｉＯｚを除去した後、全面
にｐ−ＧａＡＳコンタクト層１９全１９させ、ｐ側電極
２０およびｎ側電極２１を形成する。
以上のような半導体レーザの構造は３回のＭＯＶＰＥ法
（有機金属気相成長法）による結晶成長工程により形成
される。
（有機金属気相成長法）による結晶成長工程により形成
される。
しかしながら、この半導体レーザの構造においては、屈
折率差を決めるための要素であるｃａＯ，５Ｉｎｏ、ｓ
Ｐ活性層１３とｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層１８の距離がメ
サストライプ形成時のエツチング制御で決まるため、Ｇ
ａｏ、５ １ｎｏ、５ｐ活性層１３とｎ−ＧａＡｓ電流
狭窄層１８の距離の再現性が悪い。
折率差を決めるための要素であるｃａＯ，５Ｉｎｏ、ｓ
Ｐ活性層１３とｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層１８の距離がメ
サストライプ形成時のエツチング制御で決まるため、Ｇ
ａｏ、５ １ｎｏ、５ｐ活性層１３とｎ−ＧａＡｓ電流
狭窄層１８の距離の再現性が悪い。
また、このような構造を有する半導体レーザを作るには
、第１の結晶成長の後、メサストライプ形成のために活
性なＡｐを含む層（ｐ Ａ７！ｏ、：＋Ｇａｏ、２１
ｎｏ、ｓ ｐクラッド層１４）が露出してしまう。し
たがって、その層の表面に酸化膜が形成され、第２の結
晶成長で積層されたｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層１８は良好
な成長が望めない。
、第１の結晶成長の後、メサストライプ形成のために活
性なＡｐを含む層（ｐ Ａ７！ｏ、：＋Ｇａｏ、２１
ｎｏ、ｓ ｐクラッド層１４）が露出してしまう。し
たがって、その層の表面に酸化膜が形成され、第２の結
晶成長で積層されたｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層１８は良好
な成長が望めない。
さらに、ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層１８を成長させる前の
状態においては、Ｐ化合物であるｐ−Ａ１１ｏ、３Ｇａ
ｏ、２１ ｎｏ、５ Ｐクラッド層１４と、ＡＳ化合物
であるｐ−ＧａＡｓキャップ層１７とが露出しているの
で、その表面を保護するには、ＡＳとＰの蒸発を抑制し
なければならない。そのために、ＡｓおよびＰの原料を
ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に同時に供給する必要がある。
状態においては、Ｐ化合物であるｐ−Ａ１１ｏ、３Ｇａ
ｏ、２１ ｎｏ、５ Ｐクラッド層１４と、ＡＳ化合物
であるｐ−ＧａＡｓキャップ層１７とが露出しているの
で、その表面を保護するには、ＡＳとＰの蒸発を抑制し
なければならない。そのために、ＡｓおよびＰの原料を
ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に同時に供給する必要がある。
しかしながら、Ｐ雰囲気中にＧａＡｓを、またはＡｓ雰
囲気中にＡｊ！Ｇａ ＩｎＰをさらした後、その上に積
層された層（ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層１８）は良好な成
長が望めない。
囲気中にＡｊ！Ｇａ ＩｎＰをさらした後、その上に積
層された層（ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層１８）は良好な成
長が望めない。
以上の問題から半導体レーザの素子特性、すなわち安定
した横モード制御のレーザ発振を長時間にわたって安定
に得ることができず、半導体レーザの信頼性が十分でな
かった。
した横モード制御のレーザ発振を長時間にわたって安定
に得ることができず、半導体レーザの信頼性が十分でな
かった。
この発明の第１の目的は、安定した横モード制御のレー
ザ発振を長時間にわたって安定に得ることができる半導
体レーザを提供することであり、また第２の目的は、上
記の半導体レーザを再現性よく製造することができる半
導体レーザの製造方法を提供することがである。
ザ発振を長時間にわたって安定に得ることができる半導
体レーザを提供することであり、また第２の目的は、上
記の半導体レーザを再現性よく製造することができる半
導体レーザの製造方法を提供することがである。
上記課題を解決するために、この発明では、エツチング
制御より精度の良い結晶成長による膜厚制御を巧みに利
用して半導体レーザにおける電流・光閉じ込め構造を形
成するものである。
制御より精度の良い結晶成長による膜厚制御を巧みに利
用して半導体レーザにおける電流・光閉じ込め構造を形
成するものである。
つまり、この発明の半導体レーザは、第一導電型化合物
半導体基板上に活性層を第１および第２のクラッド層で
挟んでなるダブルへテロ構造を有する半導体レーザにお
いて、 前記第一導電型化合物半導体基板と反対側のクラッド層
上に第二導電型バッファ層を積層し、この第二導電型バ
ッファ層上にストライプ状の部分を残して選択的に第一
導電型電流狭窄層を形成し、少なくとも前記第二導電型
バッファ層のストライプ状の露呈部分に第二導電型の第
３のクラッド層を形成したことを特徴とする。
半導体基板上に活性層を第１および第２のクラッド層で
挟んでなるダブルへテロ構造を有する半導体レーザにお
いて、 前記第一導電型化合物半導体基板と反対側のクラッド層
上に第二導電型バッファ層を積層し、この第二導電型バ
ッファ層上にストライプ状の部分を残して選択的に第一
導電型電流狭窄層を形成し、少なくとも前記第二導電型
バッファ層のストライプ状の露呈部分に第二導電型の第
３のクラッド層を形成したことを特徴とする。
この場合、第一導電型化合物半導体基板としては例えば
第一導電型ＧａＡｓ基板が用いられ、活性層としては（
Ａ Ｉｌｘ Ｇ ａ ｌ−Ｘ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ
、ｓ Ｐ層が用いられ、第１および第２のクラッド層と
しては、（Ａ ｊ！ｙ Ｇ ａ Ｉ−１） ｏ、ｓ
Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ層が用いられる。また、第二導電型バ
ッファ層としては第二導電型Ａρ、・Ｇａ、、・Ａｓ層
が用いられ、第一導電型電流狭窄層としては第一導電型
Ａｒ４・Ｇａ Ｉ−ｙ・Ａｓ層が用いられ、第３のクラ
ッド層としては第二導電型／ｌ、・Ｇ ａ 、−、・Ａ
ｓクラッド層が用いられる。
第一導電型ＧａＡｓ基板が用いられ、活性層としては（
Ａ Ｉｌｘ Ｇ ａ ｌ−Ｘ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ
、ｓ Ｐ層が用いられ、第１および第２のクラッド層と
しては、（Ａ ｊ！ｙ Ｇ ａ Ｉ−１） ｏ、ｓ
Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ層が用いられる。また、第二導電型バ
ッファ層としては第二導電型Ａρ、・Ｇａ、、・Ａｓ層
が用いられ、第一導電型電流狭窄層としては第一導電型
Ａｒ４・Ｇａ Ｉ−ｙ・Ａｓ層が用いられ、第３のクラ
ッド層としては第二導電型／ｌ、・Ｇ ａ 、−、・Ａ
ｓクラッド層が用いられる。
ただし、
０≦ｘ＜ｙ≦１
０≦Ｘ ≦１
０≦ｙ ≦１
０≦２゛≦１
である。
また、この発明の半導体レーザの製造方法は、第一導電
型化合物半導体基板上に活性層を第１および第２のクラ
ッド層で挟んでなるダブルへテロ構造と第二導電型バッ
ファ層および半導体保護層を順次形成する第１の結晶成
長工程と、前記半導体保護層上にストライプ状の誘電体
膜を形成する工程と、 所定温度において、前記半導体保護層の露出部を選択的
に昇華させて前記第二導電型バッファ層を露出させる工
程と、 引き続き前記第二導電型バッファ層の露出部分に選択的
に第一導電型電流狭窄層を形成する第２の結晶成長工程
と、 前記誘電体膜を除去し、ストライプ状の前記半導体保護
層を露出させる工程と、 再び所定温度において、前記半導体保護層のストライプ
状露出部を昇華させて前記第二導電型バッファ層を露出
させる工程と、 引き続き少なくとも前記第二導電型バッファ層の露出部
分に第二導電型の第３のクラッド層を形成する第３の結
晶成長工程とを含む。
型化合物半導体基板上に活性層を第１および第２のクラ
ッド層で挟んでなるダブルへテロ構造と第二導電型バッ
ファ層および半導体保護層を順次形成する第１の結晶成
長工程と、前記半導体保護層上にストライプ状の誘電体
膜を形成する工程と、 所定温度において、前記半導体保護層の露出部を選択的
に昇華させて前記第二導電型バッファ層を露出させる工
程と、 引き続き前記第二導電型バッファ層の露出部分に選択的
に第一導電型電流狭窄層を形成する第２の結晶成長工程
と、 前記誘電体膜を除去し、ストライプ状の前記半導体保護
層を露出させる工程と、 再び所定温度において、前記半導体保護層のストライプ
状露出部を昇華させて前記第二導電型バッファ層を露出
させる工程と、 引き続き少なくとも前記第二導電型バッファ層の露出部
分に第二導電型の第３のクラッド層を形成する第３の結
晶成長工程とを含む。
この場合、半導体保護層としてはＩｎＰ層またはＧａｌ
ｎＰ層が用いられる。その他の材料については上記した
通りである。
ｎＰ層が用いられる。その他の材料については上記した
通りである。
また、結晶成長は、ＭＯＶＰＥ法またはＭＢＥ法（分子
線エピタキシャル成長法）等を用いて行われる。
線エピタキシャル成長法）等を用いて行われる。
さらに、半導体保護層を昇華させる温度は、第二導電型
バッファ層の結晶性が変化しない温度に設定される。言
い換えれば、半導体保護層としては、第二導電型バッフ
ァ層の結晶性が変化しない温度で昇華する材料が選定さ
れる。
バッファ層の結晶性が変化しない温度に設定される。言
い換えれば、半導体保護層としては、第二導電型バッフ
ァ層の結晶性が変化しない温度で昇華する材料が選定さ
れる。
この発明の作用は以下のように説明できる。つまり、こ
の発明の半導体レーザでは、電流・光閉じ込め構造は従
来構造と原理的には同じであり、第二導電型バッファ層
の上に形成した第一導電型電流狭窄層と少なくとも第二
導電型バッファ層の露呈部分に形成した第二導電型の第
３のクラッド層とにより、横モード制御機構が作られ、
安定した横モード制御のレーザ発振を長時間にわたって
安定して得ることができる。
の発明の半導体レーザでは、電流・光閉じ込め構造は従
来構造と原理的には同じであり、第二導電型バッファ層
の上に形成した第一導電型電流狭窄層と少なくとも第二
導電型バッファ層の露呈部分に形成した第二導電型の第
３のクラッド層とにより、横モード制御機構が作られ、
安定した横モード制御のレーザ発振を長時間にわたって
安定して得ることができる。
また、この発明の半導体レーザの製造方法では、ダブル
へテロ構造の第一導電型化合物半導体基板と反対側のク
ラッド層の上に第二導電型バッファ層を形成し、その上
にストライプ状の部分を残して選択的に第一導電型電流
狭窄層を形成し、少なくとも前記第二導電型バッファ層
のストライプ状の露呈部分に第二導電型の第３のクラッ
ド層を形成するので、屈折率差を決める要素である活性
層と第一導電型電流狭窄層の距離は、工・シチング制御
に比べより精度の高い結晶成長の膜厚制御により決まる
ことになり、上記の距離の再現性は良い。
へテロ構造の第一導電型化合物半導体基板と反対側のク
ラッド層の上に第二導電型バッファ層を形成し、その上
にストライプ状の部分を残して選択的に第一導電型電流
狭窄層を形成し、少なくとも前記第二導電型バッファ層
のストライプ状の露呈部分に第二導電型の第３のクラッ
ド層を形成するので、屈折率差を決める要素である活性
層と第一導電型電流狭窄層の距離は、工・シチング制御
に比べより精度の高い結晶成長の膜厚制御により決まる
ことになり、上記の距離の再現性は良い。
さらに、ＩｎＰやＧａＩｎＰ等のようなＧａＡＳやＡρ
Ｇａ１ｎＰ等よりも昇華温度の低い材料を半導体保護層
とし、第二導電型バッファ層上への結晶成長直前に選択
的に昇華させることにより、第二導電型バッファ層の表
面を酸化させることなく、その上に第一導電型電流狭窄
層および第二導電型の第３のクラッド層を積層できるの
で、良好な成長が可能となる。また、クラッド層上には
第一導電型バッファ層が積層されているので、クラッド
層の構成元素の蒸発等を考慮することなく、第２および
第３の結晶成長を行うことができ、第２および第３の結
晶成長時に良好な成長が可能となる。
Ｇａ１ｎＰ等よりも昇華温度の低い材料を半導体保護層
とし、第二導電型バッファ層上への結晶成長直前に選択
的に昇華させることにより、第二導電型バッファ層の表
面を酸化させることなく、その上に第一導電型電流狭窄
層および第二導電型の第３のクラッド層を積層できるの
で、良好な成長が可能となる。また、クラッド層上には
第一導電型バッファ層が積層されているので、クラッド
層の構成元素の蒸発等を考慮することなく、第２および
第３の結晶成長を行うことができ、第２および第３の結
晶成長時に良好な成長が可能となる。
以上の結果、安定した横モード制御のレーザ発振を長時
間にわたって安定して得ることができる半導体レーザを
再現性良く製造することができる。
間にわたって安定して得ることができる半導体レーザを
再現性良く製造することができる。
以下、この発明の横モード制御型の半導体レーザおよび
その製造方法の実施例を図面を用いて説明する。
その製造方法の実施例を図面を用いて説明する。
第１図はこの発明の実施例を示す半導体レーザの模式図
である。第１図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板（第一
導電型化合物半導体基板）、２はｎ Ａｌ１ｏ、３Ｇ
ａｏ、ｚ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層（ｎ（不純物
濃度） −１Ｘ １０ ”（Ｊ−”、厚さ１μｍ）、３
はＧ ａ ６．ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ活性層（厚さ０
．０８μｍ）４はｐ Ａ＃ｏ、３Ｇａｏ、ｚ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層（ｐ （不純物濃度） ＝ ５
ｘ １０ Ｉ？ｃ「”、厚さ０．２μｍ）、５はｐ
ＡＩｔｏ、ｙ Ｇａｏ、＋ Ａｓバッファ層（１） ＝
５ Ｘ １０ ”ｃｍ−”、厚さ０．０１μｍ）、６
はＩ） Ａｌ２ｏ、ｔ Ｇａｏ、ｓ Ａｓクラッド層
（ｐ−ＩＸ １０１ｓｃｖＡ−’、厚さ１．５μｍ）、
７は１）−ｃａ Ａ１ Ｓキ＋１７プ層（１） ＝ Ｉ Ｘ １０１９ｃｍ−”
、厚さ３μｍ）８はｎ ＧａＡｓ電流狭窄層（ｎ＝５
Ｘ１０”ｃｍ ” ３．厚さ１μｍ）、９．１０はｐ側
電極およびｎ側電極をそれぞれ示している。
である。第１図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板（第一
導電型化合物半導体基板）、２はｎ Ａｌ１ｏ、３Ｇ
ａｏ、ｚ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層（ｎ（不純物
濃度） −１Ｘ １０ ”（Ｊ−”、厚さ１μｍ）、３
はＧ ａ ６．ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ活性層（厚さ０
．０８μｍ）４はｐ Ａ＃ｏ、３Ｇａｏ、ｚ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層（ｐ （不純物濃度） ＝ ５
ｘ １０ Ｉ？ｃ「”、厚さ０．２μｍ）、５はｐ
ＡＩｔｏ、ｙ Ｇａｏ、＋ Ａｓバッファ層（１） ＝
５ Ｘ １０ ”ｃｍ−”、厚さ０．０１μｍ）、６
はＩ） Ａｌ２ｏ、ｔ Ｇａｏ、ｓ Ａｓクラッド層
（ｐ−ＩＸ １０１ｓｃｖＡ−’、厚さ１．５μｍ）、
７は１）−ｃａ Ａ１ Ｓキ＋１７プ層（１） ＝ Ｉ Ｘ １０１９ｃｍ−”
、厚さ３μｍ）８はｎ ＧａＡｓ電流狭窄層（ｎ＝５
Ｘ１０”ｃｍ ” ３．厚さ１μｍ）、９．１０はｐ側
電極およびｎ側電極をそれぞれ示している。
この場合、ｎ Ａｌ２ｏ、＊ Ｇａｏ、ｚ Ｉ ｎ
ｏ、ｓ Ｐクラッド層２＋ Ｇａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ
Ｐ活性層３． ｐＡｊ！ｏ、＋ Ｇａｏ、ｔ Ｉ
ｎｏ、、Ｐクラ２１層４およびり ＡＩｔｏ、ｑ
Ｇａｏ、ａ Ａｓバッファ層５は、ｎＧａＡｓ基板１上
に順次積層形成される。ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層８は、
結晶成長により、ｐ−Ａｌ。、７ Ｇａ６４ Ａｓバッ
ファ層５上にストライプ状の部分を残して選択的に形成
される。ｐ−Ａｊ！０．７ Ｇａ０，３ Ａｓクラッド
層６は、ｐ ＡＩｔｏ、７Ｇａ０．３ＡＳバッファ層
５のストライプ状の露呈部分とｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層
８とにわたって形成される。
ｏ、ｓ Ｐクラッド層２＋ Ｇａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ
Ｐ活性層３． ｐＡｊ！ｏ、＋ Ｇａｏ、ｔ Ｉ
ｎｏ、、Ｐクラ２１層４およびり ＡＩｔｏ、ｑ
Ｇａｏ、ａ Ａｓバッファ層５は、ｎＧａＡｓ基板１上
に順次積層形成される。ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層８は、
結晶成長により、ｐ−Ａｌ。、７ Ｇａ６４ Ａｓバッ
ファ層５上にストライプ状の部分を残して選択的に形成
される。ｐ−Ａｊ！０．７ Ｇａ０，３ Ａｓクラッド
層６は、ｐ ＡＩｔｏ、７Ｇａ０．３ＡＳバッファ層
５のストライプ状の露呈部分とｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層
８とにわたって形成される。
この半導体レーザは、ｎ−ＣｒａＡｓ基板１の上にｎＡ
７！ｏ−３Ｇａｏ、ｚ Ｉ ｎ（１，５ｐクラッド層
２からｐ Ａｆｉｏ、ｔ Ｇａｏ、＋ Ａｓバッファ層
５までを順次結晶成長した後、エツチングすることなく
２ ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層８を再成長するので、Ｇａｏ、
ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ活性層３とｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層
８との距離は、ｐ−Ａ（ｌｏ、−ｒ Ｇａ６，３Ａｓバ
ッファ層５がごく薄いことから、ｐ−Ａｌｏ、＋Ｇａｏ
、ｚ Ｉｎｏ、ｓ Ｐクラ２１層４の結晶成長の膜厚
制御で決まる。この結晶成長は、膜厚制御の良いＭＯＶ
ＰＥ法（ＭＢＥ法でもよい）を用いているので、２イン
チ面内においても設定膜厚に対してバラツキ上２％以内
と良好であり、再現性は良好である。
７！ｏ−３Ｇａｏ、ｚ Ｉ ｎ（１，５ｐクラッド層
２からｐ Ａｆｉｏ、ｔ Ｇａｏ、＋ Ａｓバッファ層
５までを順次結晶成長した後、エツチングすることなく
２ ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層８を再成長するので、Ｇａｏ、
ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ活性層３とｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層
８との距離は、ｐ−Ａ（ｌｏ、−ｒ Ｇａ６，３Ａｓバ
ッファ層５がごく薄いことから、ｐ−Ａｌｏ、＋Ｇａｏ
、ｚ Ｉｎｏ、ｓ Ｐクラ２１層４の結晶成長の膜厚
制御で決まる。この結晶成長は、膜厚制御の良いＭＯＶ
ＰＥ法（ＭＢＥ法でもよい）を用いているので、２イン
チ面内においても設定膜厚に対してバラツキ上２％以内
と良好であり、再現性は良好である。
この実施例では、つぎに述べる製造方法を用いているた
め、通常困難な高Ａβ組成のｐ ＡＡｏ、ｙＧａ、、、
Ａｓバッファ層５へのｐ−Ａｊ！、、、Ｇａ。、３Ａｓ
クラッド層６およびｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層８の再成長
も問題なく行うことができる。この結果、特性、つまり
横モード制御のレーザ発振の安定性の悪化は見られない
。
め、通常困難な高Ａβ組成のｐ ＡＡｏ、ｙＧａ、、、
Ａｓバッファ層５へのｐ−Ａｊ！、、、Ｇａ。、３Ａｓ
クラッド層６およびｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層８の再成長
も問題なく行うことができる。この結果、特性、つまり
横モード制御のレーザ発振の安定性の悪化は見られない
。
第２図はこの発明の半導体レーザの製造方法を示す工程
順断面図である。第１図と共通の部分には同じ符号を付
している。
順断面図である。第１図と共通の部分には同じ符号を付
している。
まず第２図ｔａ＋に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１上
にＭＯＶＰＥ法によりｎ Ａ（２６，３Ｇａｌ）、２Ｉ
ｎ。、５Ｐクラッド層２．Ｇａｏ、５ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐ活性層３．ｐ ＡＩｔｏ、３Ｇａｏ、ｚ Ｉｎｏ
、ｓ Ｐクラ２１層４． ｐ Ａ７！ｏ、７ Ｇａ
ｏ、：＋ Ａｓハソファ層５およびＩｎＰ保護層１１
（厚さ０．００２μｍ）を順次結晶成長した（第１の結
晶成長工程）。成長は、１００Ｔｏｒｒの減圧下で、成
長温度７００°Ｃで行った。
にＭＯＶＰＥ法によりｎ Ａ（２６，３Ｇａｌ）、２Ｉ
ｎ。、５Ｐクラッド層２．Ｇａｏ、５ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐ活性層３．ｐ ＡＩｔｏ、３Ｇａｏ、ｚ Ｉｎｏ
、ｓ Ｐクラ２１層４． ｐ Ａ７！ｏ、７ Ｇａ
ｏ、：＋ Ａｓハソファ層５およびＩｎＰ保護層１１
（厚さ０．００２μｍ）を順次結晶成長した（第１の結
晶成長工程）。成長は、１００Ｔｏｒｒの減圧下で、成
長温度７００°Ｃで行った。
つぎに第２図（ｂｌに示すように、＜１１０＞方向のス
トライプ状の５ｉＯｚマスク（誘電体膜）１２を形成し
た。
トライプ状の５ｉＯｚマスク（誘電体膜）１２を形成し
た。
つづいて、ＭＢＥ装置内に装着して、真空度ＩＸ １０
−５Ｔｏｒｒの真空下で６００℃まで加熱し、第２図（
Ｃ１に示すように、５ｉＯｚマスク１２の存在しない部
分のＩｎＰ保護層１１を昇華させ、ｐＡＮｏ、ｔ Ｇａ
ｏ、３Ａｓバッファ層５を露出させた後、ただちにＡｓ
雰囲気中で成長温度６５０℃まで昇温し、第２図ｆｄｌ
に示すように、ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層８を結晶成長し
たく第２の結晶成長工程）。
−５Ｔｏｒｒの真空下で６００℃まで加熱し、第２図（
Ｃ１に示すように、５ｉＯｚマスク１２の存在しない部
分のＩｎＰ保護層１１を昇華させ、ｐＡＮｏ、ｔ Ｇａ
ｏ、３Ａｓバッファ層５を露出させた後、ただちにＡｓ
雰囲気中で成長温度６５０℃まで昇温し、第２図ｆｄｌ
に示すように、ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層８を結晶成長し
たく第２の結晶成長工程）。
この場合、ＡｓＨ，とＴＭＧａ（）リメチルガリウム）
を原料として用いており、一般にＭＯＭＢＥ法と言われ
る結晶成長方法である。６００°Ｃでは、ＩｎＰ保護層
１１は昇華するが、ｐ−ＡＡ、、、Ｇａｏｌ、、Ａｓバ
ッファ層５の結晶性は損われなかった。ＧａＡｓはＳｉ
ｎ、マスク１２上には堆積せず、Ｉ） Ａｊ！ｏ、７
Ｇａｏ、３Ａｓバツフ ７層５上のみに選択的に成長で
きる。
を原料として用いており、一般にＭＯＭＢＥ法と言われ
る結晶成長方法である。６００°Ｃでは、ＩｎＰ保護層
１１は昇華するが、ｐ−ＡＡ、、、Ｇａｏｌ、、Ａｓバ
ッファ層５の結晶性は損われなかった。ＧａＡｓはＳｉ
ｎ、マスク１２上には堆積せず、Ｉ） Ａｊ！ｏ、７
Ｇａｏ、３Ａｓバツフ ７層５上のみに選択的に成長で
きる。
つぎに第２図（［１）に示すように、ＳｉＯ□マスク１
２を除去し、つづいて再びＭＢＥ装置内に装着して、真
空度Ｉ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒの真空下で６００℃まで
加熱し、第２図［ｆ）に示すように、ストライブ状のＩ
ｎＰ保護層１１を昇華させ、ただちにＡｓ雰囲気中で成
長温度６５０℃まで昇温した後、ｐＡｌｌｏ、ｖ Ｇａ
ｏ、３Ａｓクラッド層６およびｐＧａＡｓキャンプ層７
を順次結晶成長した（第３の結晶成長工程）。
２を除去し、つづいて再びＭＢＥ装置内に装着して、真
空度Ｉ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒの真空下で６００℃まで
加熱し、第２図［ｆ）に示すように、ストライブ状のＩ
ｎＰ保護層１１を昇華させ、ただちにＡｓ雰囲気中で成
長温度６５０℃まで昇温した後、ｐＡｌｌｏ、ｖ Ｇａ
ｏ、３Ａｓクラッド層６およびｐＧａＡｓキャンプ層７
を順次結晶成長した（第３の結晶成長工程）。
最後に第２図（ｇ）に示すように、ｐ側電極９およびｎ
側電極１０を形成した。
側電極１０を形成した。
５
上述の方法により作製した半導体レーザは、従来のもの
と比べ再現性や信頼性が向上した。
と比べ再現性や信頼性が向上した。
以上述べてきたように、この発明では、ＩｎＰ保護層１
１を昇華させてできた清浄なｐ−Ａｌ０．７Ｇａｏ、、
、Ａｓバッファ層５の表面にｐ ＡＮｏ、７Ｇａｏ、３
ＡＳクラッド層６を結晶成長するので、Ａｌを含むｐ
Ａｌ１０．７ Ｇａｏ、Ｉ Ａｓバッファ層５の表面を
酸化させることがなく、再成長界面およびｐ Ａｊ！０
．７ ＧａＯ，３Ａｓクラッド層６の結晶性も良好とな
る。さらに、再成長時はｐ−Ａｊ！０、？ Ｇａｏ、ｓ
Ａ ｓバッファ層５の表面に成長するので、表面にＰ
化合物は露出しておらず良好な結晶成長が可能となる。
１を昇華させてできた清浄なｐ−Ａｌ０．７Ｇａｏ、、
、Ａｓバッファ層５の表面にｐ ＡＮｏ、７Ｇａｏ、３
ＡＳクラッド層６を結晶成長するので、Ａｌを含むｐ
Ａｌ１０．７ Ｇａｏ、Ｉ Ａｓバッファ層５の表面を
酸化させることがなく、再成長界面およびｐ Ａｊ！０
．７ ＧａＯ，３Ａｓクラッド層６の結晶性も良好とな
る。さらに、再成長時はｐ−Ａｊ！０、？ Ｇａｏ、ｓ
Ａ ｓバッファ層５の表面に成長するので、表面にＰ
化合物は露出しておらず良好な結晶成長が可能となる。
したがって、半導体レーザを動作させるときの電流通路
には、再成長界面があるにもかかわらず電流の流れを阻
害するような障壁は存在しない。さらに、ｐ−ＡＡ。、
、Ｇａ、、。
には、再成長界面があるにもかかわらず電流の流れを阻
害するような障壁は存在しない。さらに、ｐ−ＡＡ。、
、Ｇａ、、。
Ａｓクラッド層６は従来例で示したｐＡｊ！０．３Ｇａ
ｏ、２ ■ｎ０．５Ｐクラッド層１４よりも電気抵抗を
下げることができ、しかも熱抵抗も低いので、発熱が少
なく熱放散も良くなり、半導体レーザの６ 光出力を高くすることが可能である。
ｏ、２ ■ｎ０．５Ｐクラッド層１４よりも電気抵抗を
下げることができ、しかも熱抵抗も低いので、発熱が少
なく熱放散も良くなり、半導体レーザの６ 光出力を高くすることが可能である。
また、ｐ−Ａｎｏ、３Ｇａｏ、２１ｎｏ、ｓ Ｐクラッ
ド層４をエツチングすることがなく、膜厚は結晶成長の
みによって決定されるので、膜厚の均一性および再現性
が良くなる。したがって、安定な横モード制御のレーザ
発振を長時間にわたって安定して得ることができる半導
体レーザを再現性よく製造することができる。
ド層４をエツチングすることがなく、膜厚は結晶成長の
みによって決定されるので、膜厚の均一性および再現性
が良くなる。したがって、安定な横モード制御のレーザ
発振を長時間にわたって安定して得ることができる半導
体レーザを再現性よく製造することができる。
なお、上述の実施例で説明したＩｎＰ保護層１１のかわ
りにＧａ１ｎＰを用いても同様に昇華を行うことができ
るのはもちろんである。
りにＧａ１ｎＰを用いても同様に昇華を行うことができ
るのはもちろんである。
なお、実施例の説明においては、活性層３としてＧａ６
．ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐを用い、クラッド層２としてｎ
Ａ１６．３Ｇａｏ、２ １ ｎｏ、ｓ Ｐを用い、
クラッド層４としてｐＡｌｌｏ、ｓ Ｇａｏ、ｚ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐを用い、バッファ層５としてＩ）−ＡＡ
。、７Ｇａ０．３Ａｓを用い、クラッド層６としてｐ−
ＡＡ。、７Ｇａ０．３ Ａ ｓを用い、電流狭窄層８と
してｎ−ＧａＡｓを用いたが、活性層３としては（Ａｊ
！ＸＧａＸ）。、５ Ｉ ｎ６．５Ｐを用いてもよく
、クラッド層２としてはｎ （ＡＩｌｙ Ｇａ＋−ｙ
） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓＰを用いてもよく、クラッ
ド層４としてはｐ（ＡＩｌｙ Ｇａ＋−ｖ ） ｏ、ｓ
Ｉ ｎｏ、５ Ｐを用いてもよく、バ’７７７層５
としてはｐ Ａ ｊ！ ｘ・Ｇ ａ Ｉ−ｘ’ ＡＳ
を用いてもよく、クラッド層６としてはＩ）−ＡＡ２・
Ｑ ａ 、−１Ａ Ｓを用いてもよい。ただし、０≦ｘ
＜ｙ≦１ ０≦Ｘ゛ ≦１ Ｏ≦ｙ゛ ≦１ ０≦ｚ′ ≦１ である。つまり、各層のＡ４組成としては、実施例で示
したものに限らず、他の組成でも良いということになる
。活性層３についても同様である。
．ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐを用い、クラッド層２としてｎ
Ａ１６．３Ｇａｏ、２ １ ｎｏ、ｓ Ｐを用い、
クラッド層４としてｐＡｌｌｏ、ｓ Ｇａｏ、ｚ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐを用い、バッファ層５としてＩ）−ＡＡ
。、７Ｇａ０．３Ａｓを用い、クラッド層６としてｐ−
ＡＡ。、７Ｇａ０．３ Ａ ｓを用い、電流狭窄層８と
してｎ−ＧａＡｓを用いたが、活性層３としては（Ａｊ
！ＸＧａＸ）。、５ Ｉ ｎ６．５Ｐを用いてもよく
、クラッド層２としてはｎ （ＡＩｌｙ Ｇａ＋−ｙ
） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓＰを用いてもよく、クラッ
ド層４としてはｐ（ＡＩｌｙ Ｇａ＋−ｖ ） ｏ、ｓ
Ｉ ｎｏ、５ Ｐを用いてもよく、バ’７７７層５
としてはｐ Ａ ｊ！ ｘ・Ｇ ａ Ｉ−ｘ’ ＡＳ
を用いてもよく、クラッド層６としてはＩ）−ＡＡ２・
Ｑ ａ 、−１Ａ Ｓを用いてもよい。ただし、０≦ｘ
＜ｙ≦１ ０≦Ｘ゛ ≦１ Ｏ≦ｙ゛ ≦１ ０≦ｚ′ ≦１ である。つまり、各層のＡ４組成としては、実施例で示
したものに限らず、他の組成でも良いということになる
。活性層３についても同様である。
また、電流狭窄層８としてｎ−Ａ７！、・Ｇ ａ 、−
。
。
Ａｓ層を用いる場合は、第３の結晶成長の際にＡＡを含
む電流狭窄層８が表面に露出するが、第２の結晶成長に
おいてｎ−Ａｌ２．−Ｇａｌ−、−Ａｓ層の成長に引き
続きＧａＡｓ層を結晶成長させると、第３の結晶成長に
おいてＡＩＬを含む層が表面に露出することはない。
む電流狭窄層８が表面に露出するが、第２の結晶成長に
おいてｎ−Ａｌ２．−Ｇａｌ−、−Ａｓ層の成長に引き
続きＧａＡｓ層を結晶成長させると、第３の結晶成長に
おいてＡＩＬを含む層が表面に露出することはない。
さらに、ｎ Ａｎｙ＋Ｇａ＋−ｙ・ＡＳ電流狭窄層８
のＡｎ組成をｐ ＡＮｏ、７０ａｏ、ｓ Ａｓクラッ
ド層６のＡｊ！Ｍｉ成よりも大きくすると、ｎ−Ａｊ！
。
のＡｎ組成をｐ ＡＮｏ、７０ａｏ、ｓ Ａｓクラッ
ド層６のＡｊ！Ｍｉ成よりも大きくすると、ｎ−Ａｊ！
。
Ｇ ａ ＋−ｙ・Ａ ｓ電流狭窄層８の屈折率は、ｐ−
／１゜、７Ｇａ、、３Ａｓクラッド層６の屈折率よりも
小さくなり、屈折率により光を閉じ込めて導波させるこ
ともできる。
／１゜、７Ｇａ、、３Ａｓクラッド層６の屈折率よりも
小さくなり、屈折率により光を閉じ込めて導波させるこ
ともできる。
なお、以上の説明においては、ＡｐＧａｌｎＰ系のダブ
ルへテロ構造を形成した場合について説明したが、Ａｊ
！ＧａＡｓ系のダブルへテロ構造にもこの発明を適用可
能である。また、上記の実施例と導電型をちょうど反転
させた構成のものも、この発明に含まれるのは言うまで
もないことである。
ルへテロ構造を形成した場合について説明したが、Ａｊ
！ＧａＡｓ系のダブルへテロ構造にもこの発明を適用可
能である。また、上記の実施例と導電型をちょうど反転
させた構成のものも、この発明に含まれるのは言うまで
もないことである。
さらに、活性層は量子井戸構造であっても何ら問題はな
い。
い。
また、ここでは第２．第３の結晶成長工程において、成
長方法としてＭＯＭＢ Ｅ法を用いたが、ＭＯＶＰＢ法
、ＭＢＥ法等の他の成長方法を適用することもできる。
長方法としてＭＯＭＢ Ｅ法を用いたが、ＭＯＶＰＢ法
、ＭＢＥ法等の他の成長方法を適用することもできる。
９
〔発明の効果〕
この発明の半導体レーザによれば、化合物半導体基板と
反対側のクラッド層上に第二導電型バッファ層を積層し
、この第二導電型バッファ層上にストライプ状の部分を
残して選択的に第一導電型電流狭窄層を形成し、少なく
とも第二導電型バッファ層のストライプ状の露呈部分に
第二導電型の第３のクラッド層を形成したので、安定し
た横モード制御のレーザ発振を長時間にわたって安定し
て得ることができ、信頼性が向上する。
反対側のクラッド層上に第二導電型バッファ層を積層し
、この第二導電型バッファ層上にストライプ状の部分を
残して選択的に第一導電型電流狭窄層を形成し、少なく
とも第二導電型バッファ層のストライプ状の露呈部分に
第二導電型の第３のクラッド層を形成したので、安定し
た横モード制御のレーザ発振を長時間にわたって安定し
て得ることができ、信頼性が向上する。
また、この発明の半導体レーザの製造方法によれば、ダ
ブルへテロ構造の第一導電型化合物半導体基板と反対側
のクラッド層の上に第二導電型バッファ層を形成し、そ
の上にストライプ状の部分を残して選択的に第一導電型
電流狭窄層を形成し、少なくとも前記第二導電型バッフ
ァ層のストライプ状の露呈部分に第二導電型の第３のク
ラッド層を形成するので、活性層と第一導電型電流狭窄
層の距離は、エツチング制御に比べより精度の高い結晶
成長の膜厚制御により決まることになり、上０ 記の距離の再現性は良い。
ブルへテロ構造の第一導電型化合物半導体基板と反対側
のクラッド層の上に第二導電型バッファ層を形成し、そ
の上にストライプ状の部分を残して選択的に第一導電型
電流狭窄層を形成し、少なくとも前記第二導電型バッフ
ァ層のストライプ状の露呈部分に第二導電型の第３のク
ラッド層を形成するので、活性層と第一導電型電流狭窄
層の距離は、エツチング制御に比べより精度の高い結晶
成長の膜厚制御により決まることになり、上０ 記の距離の再現性は良い。
さらに、クラッド層を構成する材料よりも昇華温度の低
い材料を半導体保護層とし、第二導電型バッファ層上へ
の結晶成長直前に選択的に昇華させることにより、第二
導電型バッファ層の表面を酸化させることなく、その上
に第一導電型電流狭窄層および第二導電型の第３のクラ
ッド層を積層できるので、良好な成長が可能となる。ま
た、クラッド層上には第二導電型バッファ層が積層され
ているので、クラッド層の構成元素の蒸発等を考慮する
ことなく、第２および第３の結晶成長を行うことができ
、第２および第３の結晶成長時に良好な成長が可能とな
る。
い材料を半導体保護層とし、第二導電型バッファ層上へ
の結晶成長直前に選択的に昇華させることにより、第二
導電型バッファ層の表面を酸化させることなく、その上
に第一導電型電流狭窄層および第二導電型の第３のクラ
ッド層を積層できるので、良好な成長が可能となる。ま
た、クラッド層上には第二導電型バッファ層が積層され
ているので、クラッド層の構成元素の蒸発等を考慮する
ことなく、第２および第３の結晶成長を行うことができ
、第２および第３の結晶成長時に良好な成長が可能とな
る。
以上の結果、安定した横モード制御のレーザ発振を長時
間にわたって安定して得ることが可能な半導体レーザを
再現性よ（製造することができる。
間にわたって安定して得ることが可能な半導体レーザを
再現性よ（製造することができる。
第１図は実施例の半導体レーザの構造を示す模式図、第
２図は実施例の半導体レーザの製造工程を示す工程順断
面図、第３図は従来の半導体レーザの構造を示す模式図
である。 １− ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２−・−ｎ Ａ６
ｏ、３ＧａＯ，２１ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層、３ ”’
Ｇ ａ ｏ、５ １ ｎ（１，５Ｐ活性層、４”’Ｉ）
Ａｌ２１１．３ ｃａｏ、２１ ｎｏ、ｓ Ｐクラ
ッド層、５・ｐ−Ａｆｆｏ、７Ｇａｏ、３Ａｓバ・２フ
ァ層、６”’ｐ Ａｌ２Ｑ、７ Ｇａｏ、３Ａｓクラ
ッド層、７− ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓキヤツプ層、８
・−ｎ −Ｇ ａＡｓ電流狭窄層、９・・・ｐ側電極、
１０・・・ｎ側電極、１１・・・ＩｎＰ保護層、１２・
・・５ｉ０２マスク第２図 （ａ） 特開平３ ２０９８９３ （８） （ｅ） １ （ｆ） （９）
２図は実施例の半導体レーザの製造工程を示す工程順断
面図、第３図は従来の半導体レーザの構造を示す模式図
である。 １− ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２−・−ｎ Ａ６
ｏ、３ＧａＯ，２１ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層、３ ”’
Ｇ ａ ｏ、５ １ ｎ（１，５Ｐ活性層、４”’Ｉ）
Ａｌ２１１．３ ｃａｏ、２１ ｎｏ、ｓ Ｐクラ
ッド層、５・ｐ−Ａｆｆｏ、７Ｇａｏ、３Ａｓバ・２フ
ァ層、６”’ｐ Ａｌ２Ｑ、７ Ｇａｏ、３Ａｓクラ
ッド層、７− ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓキヤツプ層、８
・−ｎ −Ｇ ａＡｓ電流狭窄層、９・・・ｐ側電極、
１０・・・ｎ側電極、１１・・・ＩｎＰ保護層、１２・
・・５ｉ０２マスク第２図 （ａ） 特開平３ ２０９８９３ （８） （ｅ） １ （ｆ） （９）
Claims (2)
- （１）第一導電型化合物半導体基板上に活性層を第１お
よび第２のクラッド層で挟んでなるダブルヘテロ構造を
有する半導体レーザにおいて、前記第一導電型化合物半
導体基板と反対側のクラッド層上に第二導電型バッファ
層を積層し、この第二導電型バッファ層上にストライプ
状の部分を残して選択的に第一導電型電流狭窄層を形成
し、少なくとも前記第二導電型バッファ層のストライプ
状の露呈部分に第二導電型の第３のクラッド層を形成し
たことを特徴とする半導体レーザ。 - （２）第一導電型化合物半導体基板上に活性層を第１お
よび第２のクラッド層で挟んでなるダブルヘテロ構造と
第二導電型バッファ層および半導体保護層を順次形成す
る第１の結晶成長工程と、前記半導体保護層上にストラ
イプ状の誘電体膜を形成する工程と、 所定温度において、前記半導体保護層の露出部を選択的
に昇華させて前記第二導電型バッファ層を露出させる工
程と、 引き続き前記第二導電型バッファ層の露出部分に選択的
に第一導電型電流狭窄層を形成する第２の結晶成長工程
と、 前記誘電体膜を除去し、ストライプ状の前記半導体保護
層を露出させる工程と、 再び所定温度において、前記半導体保護層のストライプ
状露出部を昇華させて前記第二導電型バッファ層を露出
させる工程と、 引き続き少なくとも前記第二導電型バッファ層の露出部
分に第二導電型の第３のクラッド層を形成する第３の結
晶成長工程とを含む半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP485390A JPH03209893A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP485390A JPH03209893A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03209893A true JPH03209893A (ja) | 1991-09-12 |
Family
ID=11595239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP485390A Pending JPH03209893A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03209893A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669599A (ja) * | 1992-05-27 | 1994-03-11 | Gold Star Co Ltd | 半導体レーザダイオード及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-01-12 JP JP485390A patent/JPH03209893A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669599A (ja) * | 1992-05-27 | 1994-03-11 | Gold Star Co Ltd | 半導体レーザダイオード及びその製造方法 |
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