JPS63314883A - ＡｌＧａＩｎＰ半導体レ−ザの作製方法 - Google Patents
ＡｌＧａＩｎＰ半導体レ−ザの作製方法Info
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- JPS63314883A JPS63314883A JP15182587A JP15182587A JPS63314883A JP S63314883 A JPS63314883 A JP S63314883A JP 15182587 A JP15182587 A JP 15182587A JP 15182587 A JP15182587 A JP 15182587A JP S63314883 A JPS63314883 A JP S63314883A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
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- H01S5/209—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques special etch stop layers
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-
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- H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はメサ構造を導入し横モード制御を行なうＡｌＧ
ａＩｎＰの作製方法に関するものである。
ａＩｎＰの作製方法に関するものである。
（従来の技術）
第４図にメサ構造を導入し横モード制御を行なうＡｌＧ
ａＩｎＰの作製方法の一例を示す。第４図（ａ）はＤＨ
ウェファの有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥと以下略記）
法による形成、（ｂ）は、メサエッチング、（Ｃ）は埋
め込み成長によるレーザ構造の完成を示している。
ａＩｎＰの作製方法の一例を示す。第４図（ａ）はＤＨ
ウェファの有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥと以下略記）
法による形成、（ｂ）は、メサエッチング、（Ｃ）は埋
め込み成長によるレーザ構造の完成を示している。
（発明が解決しようとする問題点）
この種の工程を踏んで作製される半導体レーザの歩留り
は（ｂ）のメサエッチング工程の歩留りに最も左右され
この工程が最も制御が難しい。クラッド層５０とクラッ
ド層４０が同一組成のＡｌＧａＩｎＰでなる場合はメサ
エッチングはエツチング時間の制御となり、残存させる
べきクラッド層４０の厚さは施行毎にまちまちとなり、
レーザ特性に影響する。
は（ｂ）のメサエッチング工程の歩留りに最も左右され
この工程が最も制御が難しい。クラッド層５０とクラッ
ド層４０が同一組成のＡｌＧａＩｎＰでなる場合はメサ
エッチングはエツチング時間の制御となり、残存させる
べきクラッド層４０の厚さは施行毎にまちまちとなり、
レーザ特性に影響する。
クラッド層５０をＡ１ｏ５Ｉｎ０．５Ｐとしクラッド層
４０を（Ａ１２Ｇａ１．ｓ−ｘ）０．５Ｉｎ０．ｓＰと
すればメサエッチングは非常に容易で、選択エツチング
によりクラッド層４０の表面で完全に止めることができ
る。しかしながら、レーザ出射ビームの垂直法がり角を
小さくするためにはクラッド層５０をＡｌＧａＩｎＰと
しＡ１組成を小さくする必要かは生じる。このときは選
択エツチングの効果が大きく減少し、エツチング歩留り
が低下してしまう。選択エツチング効果はエツチングさ
れる結晶のＡ１組成とエツチングを停止すべき結晶のＡ
１組成の差が大きくなければならない。
４０を（Ａ１２Ｇａ１．ｓ−ｘ）０．５Ｉｎ０．ｓＰと
すればメサエッチングは非常に容易で、選択エツチング
によりクラッド層４０の表面で完全に止めることができ
る。しかしながら、レーザ出射ビームの垂直法がり角を
小さくするためにはクラッド層５０をＡｌＧａＩｎＰと
しＡ１組成を小さくする必要かは生じる。このときは選
択エツチングの効果が大きく減少し、エツチング歩留り
が低下してしまう。選択エツチング効果はエツチングさ
れる結晶のＡ１組成とエツチングを停止すべき結晶のＡ
１組成の差が大きくなければならない。
そのためには第３図に示すように低組成のエッチングス
トッパー層を導入すればよいが、そのＡ１組成を活性層
組成に非常に近くシＡ１組成差を大きくすることは、光
の吸収損を大きくしてしまうためできない。さらに同じ
理由により厚くもできない。
トッパー層を導入すればよいが、そのＡ１組成を活性層
組成に非常に近くシＡ１組成差を大きくすることは、光
の吸収損を大きくしてしまうためできない。さらに同じ
理由により厚くもできない。
このため選択エツチングの手法を十分に使えず、歩留り
の改善を十分に行なうことができない。
の改善を十分に行なうことができない。
本発明の目的は上記の問題点を解決し、活性層と同一組
成のエッチングストッパー層の導入を可能し選択エツチ
ングの効果を十分に発揮される手法を提供することであ
る。
成のエッチングストッパー層の導入を可能し選択エツチ
ングの効果を十分に発揮される手法を提供することであ
る。
（問題点を解決するための手段）
本発明はＭＯＶＰＥ法により形成される活性層とエッチ
ングストッパー層の形成を活性層に関しては同−Ａ１組
成において低バンドギャップエネルギーとなる成長温度
、Ｖ／ＩＩＩ比の条件下で、エッチングストッパー層に
関しては同−Ａ１組成において高バンドギャップエネル
ギーとなる成長温度、Ｖ／ＩＩＩ比の条件下で行なうこ
とを特徴とする。
ングストッパー層の形成を活性層に関しては同−Ａ１組
成において低バンドギャップエネルギーとなる成長温度
、Ｖ／ＩＩＩ比の条件下で、エッチングストッパー層に
関しては同−Ａ１組成において高バンドギャップエネル
ギーとなる成長温度、Ｖ／ＩＩＩ比の条件下で行なうこ
とを特徴とする。
（作用）
第１図に本発明の作製方法を適用するＡｌＧａＩｎＰ半
導体レーザの一例を示す。活性層１０上にクラッド層４
０、エッチングストッパー層２０が積層され、その上に
メサ状に加工されたＡｌＧａＩｎＰクラッド層５０を載
せている。メサ上のクラッド層５０を通してのみ電流を
流し、かつ横モードを安定させるべく、電流のブロック
層７０かメサ状のクラツド層５０側面に積層され、その
上にキャップ層６０を配している。
導体レーザの一例を示す。活性層１０上にクラッド層４
０、エッチングストッパー層２０が積層され、その上に
メサ状に加工されたＡｌＧａＩｎＰクラッド層５０を載
せている。メサ上のクラッド層５０を通してのみ電流を
流し、かつ横モードを安定させるべく、電流のブロック
層７０かメサ状のクラツド層５０側面に積層され、その
上にキャップ層６０を配している。
この半導体レーザの作製方法は第３図による、第３図は
上述したように従来方法のものにエッチングストッパー
層が導入されたものである。このとき活性層を（Ａｌｘ
Ｇａｌ−、−ｘ）０．５Ｉｎ０．ｓＰ、クラッド層４０
を（ＡｌＹＧａ１−ｙ）ｏ５Ｉｎｏ５Ｐ 、 り
ラ ッ ド 層５０ を（Ａｌ□Ｇａｌ−
２）ｏ５Ｉｎｏ５Ｐ、エッチングストッパー層２０を（
ＡｌｑＧａｌ ＋ ｑ−ｘ）０．５Ｉｎ０．ｓＰとした
場合半導体レーザと選択エツチング手法によりｘ＜ｙ、
ｘ＜ｚ、ｘ≦ｑ＜ｚの関係を満している。ｑと２の差が
十分でないと選択エツチングの手法を使うことができな
い。実際にはｑと２の差が２が１．０〜０．８のときは
０．４以上、２が０．８〜０．６と０．６以上であると
非常に容易に第３図（ｂ）のエツチング工程を行なうこ
とができる。すなわちエッチングストッパー層と活性層
のＡ１組成はほぼ等しい必要が生じてくる。一方ＭＯＶ
ＰＥ法で作製されるＡｌＧａＩｎＰは同一組成であって
も成長条件によりバンドギャップエネルギーは異なるこ
とを見い出している。第２図にＧａＩｎＰの場合でのバ
ンドギャップエネルギーの成長温度とＶ ／ＩＩＩ比の
関係を示す。成長温度とＶ／ＩＩＩ比によりバンドギャ
ップエネルギーは５０ｍｅＶ強異なる。活性層の形成に
は低バンドギャップエネルギー条件を用い、エッチング
ストッパー層上は高バンドギャップエネルギー条件を用
いることにより、第１図に示すように活性層１０に近接
されて配置されるエッチングストッパー層２０の光吸収
は活性層１０と同一組成であっても小さくなり、レーザ
特性を悪化させない。
上述したように従来方法のものにエッチングストッパー
層が導入されたものである。このとき活性層を（Ａｌｘ
Ｇａｌ−、−ｘ）０．５Ｉｎ０．ｓＰ、クラッド層４０
を（ＡｌＹＧａ１−ｙ）ｏ５Ｉｎｏ５Ｐ 、 り
ラ ッ ド 層５０ を（Ａｌ□Ｇａｌ−
２）ｏ５Ｉｎｏ５Ｐ、エッチングストッパー層２０を（
ＡｌｑＧａｌ ＋ ｑ−ｘ）０．５Ｉｎ０．ｓＰとした
場合半導体レーザと選択エツチング手法によりｘ＜ｙ、
ｘ＜ｚ、ｘ≦ｑ＜ｚの関係を満している。ｑと２の差が
十分でないと選択エツチングの手法を使うことができな
い。実際にはｑと２の差が２が１．０〜０．８のときは
０．４以上、２が０．８〜０．６と０．６以上であると
非常に容易に第３図（ｂ）のエツチング工程を行なうこ
とができる。すなわちエッチングストッパー層と活性層
のＡ１組成はほぼ等しい必要が生じてくる。一方ＭＯＶ
ＰＥ法で作製されるＡｌＧａＩｎＰは同一組成であって
も成長条件によりバンドギャップエネルギーは異なるこ
とを見い出している。第２図にＧａＩｎＰの場合でのバ
ンドギャップエネルギーの成長温度とＶ ／ＩＩＩ比の
関係を示す。成長温度とＶ／ＩＩＩ比によりバンドギャ
ップエネルギーは５０ｍｅＶ強異なる。活性層の形成に
は低バンドギャップエネルギー条件を用い、エッチング
ストッパー層上は高バンドギャップエネルギー条件を用
いることにより、第１図に示すように活性層１０に近接
されて配置されるエッチングストッパー層２０の光吸収
は活性層１０と同一組成であっても小さくなり、レーザ
特性を悪化させない。
これによりエツチングストッパーのＡ１組成を活性層の
Ａ１組成に一致させることも可能になり、エッチングス
トッパー層のＡＩ組成比ｑとクラッド層５０のＡ１組成
比２を選択エツチング可能な値に設定できる。これによ
り第３図（ｂ）の工程の制御性を上げることができるこ
とになる。
Ａ１組成に一致させることも可能になり、エッチングス
トッパー層のＡＩ組成比ｑとクラッド層５０のＡ１組成
比２を選択エツチング可能な値に設定できる。これによ
り第３図（ｂ）の工程の制御性を上げることができるこ
とになる。
（実施例）
第３図の工程図に従って、（ａ）に示すように説明する
。 ＧａＡｓ基板１００上にＧａＡｓ ｂｕｆｆｅｒ層
を介してＳｅドープの（Ａ１ｏ４Ｇａ０．ｅ−ｘ）０．
５Ｉｎ０．ｓＰでなる厚さｌｐｍのクラッド層３０、Ｇ
ａ０．５Ｉｎ０．ｓＰでなる厚さ０．０８ｐｍの活性層
１０、Ｚｎドープの（Ａｌ０．４Ｇａ０．ｇ−ｘ）０．
５Ｉｎ０．ｓＰでなる厚さ０．３ｐｍのクラッド層４０
、Ｇａ０．５Ｉｎｏ５Ｐでなる厚さ１００Ａのエッチン
グストッパー層２０、Ｚｎドープの（Ａｌ０．４Ｇａ０
．ｓ−ｘ）０．５Ｉｎ０．ｓＰでなる厚さ０．８ｐｍの
クラッド層５０ＺｎドープのＧａＡｓでなる厚さ０．６
ｐｍの保護層８０をＭＯＶＰＥ法により順次積層した。
。 ＧａＡｓ基板１００上にＧａＡｓ ｂｕｆｆｅｒ層
を介してＳｅドープの（Ａ１ｏ４Ｇａ０．ｅ−ｘ）０．
５Ｉｎ０．ｓＰでなる厚さｌｐｍのクラッド層３０、Ｇ
ａ０．５Ｉｎ０．ｓＰでなる厚さ０．０８ｐｍの活性層
１０、Ｚｎドープの（Ａｌ０．４Ｇａ０．ｇ−ｘ）０．
５Ｉｎ０．ｓＰでなる厚さ０．３ｐｍのクラッド層４０
、Ｇａ０．５Ｉｎｏ５Ｐでなる厚さ１００Ａのエッチン
グストッパー層２０、Ｚｎドープの（Ａｌ０．４Ｇａ０
．ｓ−ｘ）０．５Ｉｎ０．ｓＰでなる厚さ０．８ｐｍの
クラッド層５０ＺｎドープのＧａＡｓでなる厚さ０．６
ｐｍの保護層８０をＭＯＶＰＥ法により順次積層した。
このとき活性層１０ノ成長温度は７００°ＣＶ ／ＩＩ
Ｉ比は４００とし、エッチングストッパー層２０の成長
温度は７００°ＣＶ ／ＩＩＩ比は６０とした。このと
き活性層のバンドギャップエネルギーはは１．８４５ｅ
Ｖであり、エッチングストッパー層のバンドギャップエ
ネルギーは１．８９６ｅＶである。次に（ｂ）に示すよ
うに５ｉ０２膜をエツチングマスクとしてメサエッチン
グを行った。ＡｌＧａＩｎＰに対するエツチング液はＨ
ＣＩとＨ２Ｏの混液であり（Ａｌ０．ｅＧａｏ４）ｏ５
ＩｎＰに対しては０．４ｐｍ／ｍｉｎのエツチングレー
トを有し、Ｇａ０．５Ｉｎ０．５に対しては５０Ａ／ｍ
ｉｎである。このためエツチングする時間は２ｍ１ｎ程
度であり３分間エツチングすることにより完全にエッチ
ングストッパー層で容易にエツチングを終了できた。こ
のとき実際にはエツチング時間は２分間の許容度をもち
、非常に制御が簡単である。
Ｉ比は４００とし、エッチングストッパー層２０の成長
温度は７００°ＣＶ ／ＩＩＩ比は６０とした。このと
き活性層のバンドギャップエネルギーはは１．８４５ｅ
Ｖであり、エッチングストッパー層のバンドギャップエ
ネルギーは１．８９６ｅＶである。次に（ｂ）に示すよ
うに５ｉ０２膜をエツチングマスクとしてメサエッチン
グを行った。ＡｌＧａＩｎＰに対するエツチング液はＨ
ＣＩとＨ２Ｏの混液であり（Ａｌ０．ｅＧａｏ４）ｏ５
ＩｎＰに対しては０．４ｐｍ／ｍｉｎのエツチングレー
トを有し、Ｇａ０．５Ｉｎ０．５に対しては５０Ａ／ｍ
ｉｎである。このためエツチングする時間は２ｍ１ｎ程
度であり３分間エツチングすることにより完全にエッチ
ングストッパー層で容易にエツチングを終了できた。こ
のとき実際にはエツチング時間は２分間の許容度をもち
、非常に制御が簡単である。
次に（ｃ）に示すように選択ＭＯＶＰＥ法によりＳｅド
ープのＧａＡｓでなる電流ブロック層７０を１．２ｐｍ
の厚さで前述のエツチングマスクを選択マスクとして、
クラッド層５０の両側に積層し、さらに選択マスクを除
去後ＺｎドープのＧａＡｓでなるキャップ層６０を１μ
ｍ積層した。
ープのＧａＡｓでなる電流ブロック層７０を１．２ｐｍ
の厚さで前述のエツチングマスクを選択マスクとして、
クラッド層５０の両側に積層し、さらに選択マスクを除
去後ＺｎドープのＧａＡｓでなるキャップ層６０を１μ
ｍ積層した。
（発明の効果）
実施例で具体的に説明したように、３分間のエツチング
の中で２分間が実際にエツチングに必要な時間であり、
１分間はエッチングストッパー層２０でエツチングがほ
ぼ停止している許容時間として設定しており、完全にメ
サ形状を規定することが容易にできている。実施例では
エッチングストッパー層２０を１ｏｏＡとしたが厚さ２
００人とすれば４分間の許容時間がとれる。実施例で示
した組成の層構造ではエッチングストッパー層２０なし
ではクラッド層４０でエツチングを停止できないし、エ
ッチングストッパー層の組成が活性層と同一組成のＧａ
ＩｎＰでないとほとんど時間がとれない。以上のように
、本発明の作製方法をとれば、活性層とほぼ同一組成の
エッチングストッパー層が採用でき、選択エツチングの
効果を活用できるようになる。
の中で２分間が実際にエツチングに必要な時間であり、
１分間はエッチングストッパー層２０でエツチングがほ
ぼ停止している許容時間として設定しており、完全にメ
サ形状を規定することが容易にできている。実施例では
エッチングストッパー層２０を１ｏｏＡとしたが厚さ２
００人とすれば４分間の許容時間がとれる。実施例で示
した組成の層構造ではエッチングストッパー層２０なし
ではクラッド層４０でエツチングを停止できないし、エ
ッチングストッパー層の組成が活性層と同一組成のＧａ
ＩｎＰでないとほとんど時間がとれない。以上のように
、本発明の作製方法をとれば、活性層とほぼ同一組成の
エッチングストッパー層が採用でき、選択エツチングの
効果を活用できるようになる。
また、実際に電極を形成して半導体レーザとしても発振
しきい値電流５０ｍＡ程度で微分売出力は０．５ｍＷ／
ｍＡと通常のものと比べ遜色はなかった。
しきい値電流５０ｍＡ程度で微分売出力は０．５ｍＷ／
ｍＡと通常のものと比べ遜色はなかった。
第１図は本発明の製作方法を応用できるレーザの断面構
造の一例を示す図、第２図はＧａＩｎＰのバンドギャッ
プエネルギーのＭＯＶＰＥ成長条件依存性を示す図、第
３図は本発明の製作方法を採用するときの製作工程図、
第４図は従来の製作工程図、図中１０は活性層、２０は
エッチングストッパー層、３０，４０．５０はクラッド
層、６０はキャップ層、７０は電流ブロック層、８０は
保護層、１００基板であ代理人弁理士内原 晋、、、−
、、、、／ロ ロ ロ Ｎ マ 曽 第２図 バンドギャップエネルギ 第３図 （Ｃ） 第４図 ＜ａ＞ （ｂ） （Ｃ） 手続補正書（自発） ２、発明の名称 ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザの作製方法３、補正をする
者 事件との関係 出願人 東京都港区芝五丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８東京都港区芝五丁目３７番８号住友三田ビル（
連絡先 日本電気株式会社特許部） ｆへ ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲の欄を別紙のとおり補正
する。 （２）明細書第３頁第５行目に「必要かは生じる。」と
あるのを「必要が生じる。」と補正する。 （３）明細書第３頁第１９行目に「発揮される」とある
のを「発揮させる」と補正する。 （４）明細書第４頁第３行目に「形成を活性層」とある
のを「形成を、活性層」と補正する。 （５）明細書第４頁第１６行目に「ブロック層７ｏが」
とあるのを「ブロック層７０が」と補正する。 （６）明細書第５頁第４行目から第５行目にかけて「（
ＡＩ、Ｇａ１−ｑ）。、５Ｉｎ。、５Ｐとした場合半導
体レーザと選択エツチングの手法により」とあるのを「
Ａｌ、Ｇａ１−ｑ）。、５■ｎ０．５Ｐとした場合、半
導体レーザと選択エツチングの要請により」と補正する
。 （７）明細書第６頁第１９行目にｒ（Ａｌｏ４Ｇａ０．
ｅ−ｘ）０．５Ｉｎ０．ｓＰ Ｊとあるのを’ （Ａ１
０．６ＧａＯ，４）０．５ＩｎＯ，５ＰＪと補正する。 （８）明細書第７頁第１０行目に「（ＡＩ。、６Ｇａｏ
４）。５■ｎＰ１とあるのをｒ （Ａｌ０．６Ｇａ０．
４）０５ＩｎＯ，ｓＰ Ｊと補正する。 （９）明細書第７頁第１１行目に「Ｇａ０．５■ｎｏ５
」とあるのをｒ ＧａＯ，５ＩｎＯ，５ＰＪと補正する
。 （１０）明細書第８頁第１６行目にｒ ＧａＩｎＰでな
いとほとんど時間がとれない」とあるのを「ＧａＩｎＰ
でないとほとんど許容時間がとれないｊと補正する。
造の一例を示す図、第２図はＧａＩｎＰのバンドギャッ
プエネルギーのＭＯＶＰＥ成長条件依存性を示す図、第
３図は本発明の製作方法を採用するときの製作工程図、
第４図は従来の製作工程図、図中１０は活性層、２０は
エッチングストッパー層、３０，４０．５０はクラッド
層、６０はキャップ層、７０は電流ブロック層、８０は
保護層、１００基板であ代理人弁理士内原 晋、、、−
、、、、／ロ ロ ロ Ｎ マ 曽 第２図 バンドギャップエネルギ 第３図 （Ｃ） 第４図 ＜ａ＞ （ｂ） （Ｃ） 手続補正書（自発） ２、発明の名称 ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザの作製方法３、補正をする
者 事件との関係 出願人 東京都港区芝五丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８東京都港区芝五丁目３７番８号住友三田ビル（
連絡先 日本電気株式会社特許部） ｆへ ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲の欄を別紙のとおり補正
する。 （２）明細書第３頁第５行目に「必要かは生じる。」と
あるのを「必要が生じる。」と補正する。 （３）明細書第３頁第１９行目に「発揮される」とある
のを「発揮させる」と補正する。 （４）明細書第４頁第３行目に「形成を活性層」とある
のを「形成を、活性層」と補正する。 （５）明細書第４頁第１６行目に「ブロック層７ｏが」
とあるのを「ブロック層７０が」と補正する。 （６）明細書第５頁第４行目から第５行目にかけて「（
ＡＩ、Ｇａ１−ｑ）。、５Ｉｎ。、５Ｐとした場合半導
体レーザと選択エツチングの手法により」とあるのを「
Ａｌ、Ｇａ１−ｑ）。、５■ｎ０．５Ｐとした場合、半
導体レーザと選択エツチングの要請により」と補正する
。 （７）明細書第６頁第１９行目にｒ（Ａｌｏ４Ｇａ０．
ｅ−ｘ）０．５Ｉｎ０．ｓＰ Ｊとあるのを’ （Ａ１
０．６ＧａＯ，４）０．５ＩｎＯ，５ＰＪと補正する。 （８）明細書第７頁第１０行目に「（ＡＩ。、６Ｇａｏ
４）。５■ｎＰ１とあるのをｒ （Ａｌ０．６Ｇａ０．
４）０５ＩｎＯ，ｓＰ Ｊと補正する。 （９）明細書第７頁第１１行目に「Ｇａ０．５■ｎｏ５
」とあるのをｒ ＧａＯ，５ＩｎＯ，５ＰＪと補正する
。 （１０）明細書第８頁第１６行目にｒ ＧａＩｎＰでな
いとほとんど時間がとれない」とあるのを「ＧａＩｎＰ
でないとほとんど許容時間がとれないｊと補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿
．＿５Ｐでなる活性層を前記活性層よりバンドギャップ
エネルギーが大きなＡｌＧａＩｎＰでなるクラッド層で
挟み込んだダブルヘテロ構造を含む半導体レーザの有機
金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法による作製において、前
記活性層、 （Ａｌ＿ＹＧａ＿１＿−＿Ｙ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿
．＿５Ｐでなるクラッド層、（Ａｌ＿ｑＧａ＿１＿−＿
ｑ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐでなるエッチング
ストッパー層、ストライプ状にメサ加工される （Ａｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿
．＿５Ｐでなるクラッド層をこの順に積層する工程を含
み、かつ前記活性層は同一Ａｌ組成において低バンドギ
ャップエネルギーとなる成長温度とＶ／III比の組成に
おいて高バンドギャップエネルギーとなる成長温度の条
件下で形成することを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ半導体
レーザの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15182587A JPH0646667B2 (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | ＡｌＧａＩｎＰ半導体レ−ザの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15182587A JPH0646667B2 (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | ＡｌＧａＩｎＰ半導体レ−ザの作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63314883A true JPS63314883A (ja) | 1988-12-22 |
| JPH0646667B2 JPH0646667B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=15527138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15182587A Expired - Lifetime JPH0646667B2 (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | ＡｌＧａＩｎＰ半導体レ−ザの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0646667B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209894A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| EP0462816A2 (en) * | 1990-06-21 | 1991-12-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser producing visible light |
| JPH04147687A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-21 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
| JPH07193313A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 半導体レーザ |
-
1987
- 1987-06-17 JP JP15182587A patent/JPH0646667B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209894A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| EP0462816A2 (en) * | 1990-06-21 | 1991-12-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser producing visible light |
| US5161167A (en) * | 1990-06-21 | 1992-11-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser producing visible light |
| JPH04147687A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-21 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
| JPH07193313A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 半導体レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0646667B2 (ja) | 1994-06-15 |
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