JPH02172288A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH02172288A JPH02172288A JP32682588A JP32682588A JPH02172288A JP H02172288 A JPH02172288 A JP H02172288A JP 32682588 A JP32682588 A JP 32682588A JP 32682588 A JP32682588 A JP 32682588A JP H02172288 A JPH02172288 A JP H02172288A
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- Japan
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- semiconductor laser
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、単一横モードで発振するＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザ装置に関する。
導体レーザ装置に関する。
最近、有機金属熱分解法（以後Ｎ０ＶＰＥと略す）によ
る結晶成長により形成された単一横モードで発振するＡ
ｌＧａＩｎＰ糸の半導体レーザ装置として、第２図に示
すような構造が報告されている（ Ｅｘｔｅｎｄｅｄ
Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＢｔｈ ｅｏｎ
−ｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａ−ｔｅｒｉａｌｓ、Ｔｏｋ
ｙｏ、 １９８６． ｐｐ、１ｓ３−１５６ ）。この
構造は、第１回目の成長でｎ型Ｇａ Ａ ｓ基板１上に
、ｎ型Ａｌｏ、ｓ Ｇａ（１，Ｂ Ｐクラッド層２、Ｇ
ａｏ、５Ｉｎｏ、ｓＰ活性層３、ｐ型Ａｌｏ、ｓ Ｉｎ
□、５ Ｐクラッド層４、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓギヤ１層
６、を順次形成する。次にフォトリングラフィにより８
ｉ０２をマスクとして、図示するようにメサストライプ
を形成する。
る結晶成長により形成された単一横モードで発振するＡ
ｌＧａＩｎＰ糸の半導体レーザ装置として、第２図に示
すような構造が報告されている（ Ｅｘｔｅｎｄｅｄ
Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＢｔｈ ｅｏｎ
−ｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａ−ｔｅｒｉａｌｓ、Ｔｏｋ
ｙｏ、 １９８６． ｐｐ、１ｓ３−１５６ ）。この
構造は、第１回目の成長でｎ型Ｇａ Ａ ｓ基板１上に
、ｎ型Ａｌｏ、ｓ Ｇａ（１，Ｂ Ｐクラッド層２、Ｇ
ａｏ、５Ｉｎｏ、ｓＰ活性層３、ｐ型Ａｌｏ、ｓ Ｉｎ
□、５ Ｐクラッド層４、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓギヤ１層
６、を順次形成する。次にフォトリングラフィにより８
ｉ０２をマスクとして、図示するようにメサストライプ
を形成する。
セして５ｉ０２マスクをつけたまま、第２回目の成長を
行ない、エツチングしたところをｎ型ＧａＡｓ層７で埋
め込む。つぎに５ｉ０２マスクを除去し、ｐ側全面に電
極が形成できるように第３回目の成長でｐ型（ＪａＡｓ
コンタクト層８を成長する。
行ない、エツチングしたところをｎ型ＧａＡｓ層７で埋
め込む。つぎに５ｉ０２マスクを除去し、ｐ側全面に電
極が形成できるように第３回目の成長でｐ型（ＪａＡｓ
コンタクト層８を成長する。
この構造により電流は、ｎ型Ｕ ａ Ａ ｓ層７によジ
ブロックされ、メサストライプ部にのみ注入される。ま
た、メサストライプ形成のエツチングのときに、メサス
トライプ部以外のｐ型りラッド＃４の厚みを光の閉じ込
めには不十分な厚みにまでエツチングするのでｎ型（ｊ
ａ Ａ ｓ層７のある部分では、このｎ型ＧａＡｓ層
７に光が吸収され、メサストライプ部にのみ光は導波さ
れる。このようにこの構造では、電流狭窄機構と光導波
機構が同時に作り付けられる。
ブロックされ、メサストライプ部にのみ注入される。ま
た、メサストライプ形成のエツチングのときに、メサス
トライプ部以外のｐ型りラッド＃４の厚みを光の閉じ込
めには不十分な厚みにまでエツチングするのでｎ型（ｊ
ａ Ａ ｓ層７のある部分では、このｎ型ＧａＡｓ層
７に光が吸収され、メサストライプ部にのみ光は導波さ
れる。このようにこの構造では、電流狭窄機構と光導波
機構が同時に作り付けられる。
ｋｌ＜ＵａＩｎＰ糸の場合、液相成長法では成長が困難
で、ＭＯＶＰＥ法でも凸凹面上の成長やＳｉＯ２などを
マスクとした選択成長は困難なため、ＡＩＵａｋｓ系や
Ｉ ｎ Ｕ ａ Ａ ｓ Ｐ系のような埋め込みへテロ
構造や無基叛を利用した半導体レーザ装置の製作は難し
く、前記の半導体レーザ装置のように平坦面上に成長し
たダブルヘテロ構造とその加工、および（）ａＡｓの凸
凹面上の成長や５ｉｎ２などをマスクとじた選択成長な
どを利用した横モード制御レーザが、製作に適している
。
で、ＭＯＶＰＥ法でも凸凹面上の成長やＳｉＯ２などを
マスクとした選択成長は困難なため、ＡＩＵａｋｓ系や
Ｉ ｎ Ｕ ａ Ａ ｓ Ｐ系のような埋め込みへテロ
構造や無基叛を利用した半導体レーザ装置の製作は難し
く、前記の半導体レーザ装置のように平坦面上に成長し
たダブルヘテロ構造とその加工、および（）ａＡｓの凸
凹面上の成長や５ｉｎ２などをマスクとじた選択成長な
どを利用した横モード制御レーザが、製作に適している
。
しかしながら上述の構造の場合、ストライプ部において
ｐ型ＡＡ！ ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層（ｐ
型Ａ７１Ｇａ Ｉ ｎＰでも同様）４とｐ型ＧａＡｓキ
ャブ層６とのへテロ界面が存在するためこの二層の間の
大きなバンド不連続性が価電子帯に大きなエネルギース
パイクを作り、正孔が流れることかできず半導体レーザ
装置が高抵抗化してしまう。この問題を解決するため上
述の二層の間にバンドギャップが二層の中間の値を持つ
ｐ型ＧａＩｎＰを挿入し、エネルギースパイクを小さな
二つのスパイクに分割し素子抵抗を下げる手段が実施さ
れている。
ｐ型ＡＡ！ ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層（ｐ
型Ａ７１Ｇａ Ｉ ｎＰでも同様）４とｐ型ＧａＡｓキ
ャブ層６とのへテロ界面が存在するためこの二層の間の
大きなバンド不連続性が価電子帯に大きなエネルギース
パイクを作り、正孔が流れることかできず半導体レーザ
装置が高抵抗化してしまう。この問題を解決するため上
述の二層の間にバンドギャップが二層の中間の値を持つ
ｐ型ＧａＩｎＰを挿入し、エネルギースパイクを小さな
二つのスパイクに分割し素子抵抗を下げる手段が実施さ
れている。
上述の構造で（ｊａＩｎＰの厚みを規定しない場合、メ
サストライプ形成時のエツチングで（ｊ ａ Ａ ｓと
ＵａＩｎＰもしくは（ｊａ Ｉ ｎＰとＡｌＧａ Ｉ
ｎＰ （ｋｌ ｌ ｎＰをふくむ）の等速エッチャント
がないため上述のｐ型ＧａＩｎＰがメサの両脇にひさし
状に残ってしまい、再成長時の空洞形成やその他の異常
成長の原因となることがあった。この空洞の形成やその
他の異常成長は、レーザ特性を大きく劣化させる。
サストライプ形成時のエツチングで（ｊ ａ Ａ ｓと
ＵａＩｎＰもしくは（ｊａ Ｉ ｎＰとＡｌＧａ Ｉ
ｎＰ （ｋｌ ｌ ｎＰをふくむ）の等速エッチャント
がないため上述のｐ型ＧａＩｎＰがメサの両脇にひさし
状に残ってしまい、再成長時の空洞形成やその他の異常
成長の原因となることがあった。この空洞の形成やその
他の異常成長は、レーザ特性を大きく劣化させる。
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたもので、素子抵
抗が低く、異常成長が起らない構造の半導体レーザ装置
を提供することを目的としている。
抗が低く、異常成長が起らない構造の半導体レーザ装置
を提供することを目的としている。
本発明の半導体レーザ装置は、第１導電型（ＪａＡｓ基
叛上に、ＧａＩｎＰもしくはＡｌＧａＩｎＰからなる活
性層を、この活性層よシも屈折率の小さなｋｌＧａＩｎ
ＰもしくＩｄＡＩＩｎＰからなる２つのクラッド層で挾
んだダブルヘテロ構造が形成してあり、前記活性層の上
側の第２導電型クラッド層は層厚が部分的に厚くなるこ
とによシ形成されるストライプ状のメサ構造を有し、前
記メサ構造の上に、厚みが１００Ａ以下の第２導電型Ｇ
ａ１ｎｐ層を有し、すくなくともこの（） ａ Ｉ ｎ
Ｐ層上面以外の部分に、ＧａＡｓ層もしくはＧａｌｎ
Ｐ層を有することを特徴とする。
叛上に、ＧａＩｎＰもしくはＡｌＧａＩｎＰからなる活
性層を、この活性層よシも屈折率の小さなｋｌＧａＩｎ
ＰもしくＩｄＡＩＩｎＰからなる２つのクラッド層で挾
んだダブルヘテロ構造が形成してあり、前記活性層の上
側の第２導電型クラッド層は層厚が部分的に厚くなるこ
とによシ形成されるストライプ状のメサ構造を有し、前
記メサ構造の上に、厚みが１００Ａ以下の第２導電型Ｇ
ａ１ｎｐ層を有し、すくなくともこの（） ａ Ｉ ｎ
Ｐ層上面以外の部分に、ＧａＡｓ層もしくはＧａｌｎ
Ｐ層を有することを特徴とする。
上述の本発明の構成を用いると、電流狭窄と光導波につ
いては従来構造と同一機構となり、素子抵抗については
、電流の流ｎるメサ部分ではｋｌ６．５Ｉｎ０．５Ｐク
ラッド層（ＡｌＧａＩｎＰでも同様）とＵａＡｓキャブ
層との間に、この２層の中間のバンドギヤ、プエネルギ
ーを持つ（ＵａＩｎＰ層が挿入されているため、エネル
ギースパイクが小さな２つのスパイクに分割され高抵抗
が防がれる。またこのドライブ形成のエツチング中に裏
面からのエツチングによりひさし形状にはならず、もし
くはひさし形状になってもごく小さなもので良好な再成
長が得られ、特性の良い半導体レーザ装置が得られる。
いては従来構造と同一機構となり、素子抵抗については
、電流の流ｎるメサ部分ではｋｌ６．５Ｉｎ０．５Ｐク
ラッド層（ＡｌＧａＩｎＰでも同様）とＵａＡｓキャブ
層との間に、この２層の中間のバンドギヤ、プエネルギ
ーを持つ（ＵａＩｎＰ層が挿入されているため、エネル
ギースパイクが小さな２つのスパイクに分割され高抵抗
が防がれる。またこのドライブ形成のエツチング中に裏
面からのエツチングによりひさし形状にはならず、もし
くはひさし形状になってもごく小さなもので良好な再成
長が得られ、特性の良い半導体レーザ装置が得られる。
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の半導体レーザ装置の一実施例の断面図
である。
である。
まず１回目の減圧ＭＯＶＰＥによる成長で、ｎ型Ｇ ａ
Ａ ｓ基板１（Ｓｉドープ： ｎ＝２Ｘ１０ Ｃｍ
）上に、ｎ型ｋｌｏ、ｓ Ｉ ｆｌｏ、ｓ Ｐクラッ
ド層２ （ｎ＝５ Ｘ１Ｑ ｃｍ 、厚みｌａｍ）
、Ｇａ（＋、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐ活性層３（アンド
ープ；厚みｏ、１μｍ）、ｐ型ｋｌｏ、５Ｉ ｎｏ、５
Ｐクラッド層４（Ｉ）＝５Ｘ１０ ｃｍ 、厚み
は、温度７００℃、圧カフ ０ Ｔｏｒｒ 、 Ｖ ／
［［［＝２００、キャリヤガス（）１２）の全流量１
５１／ｍｉｎとした。
Ａ ｓ基板１（Ｓｉドープ： ｎ＝２Ｘ１０ Ｃｍ
）上に、ｎ型ｋｌｏ、ｓ Ｉ ｆｌｏ、ｓ Ｐクラッ
ド層２ （ｎ＝５ Ｘ１Ｑ ｃｍ 、厚みｌａｍ）
、Ｇａ（＋、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐ活性層３（アンド
ープ；厚みｏ、１μｍ）、ｐ型ｋｌｏ、５Ｉ ｎｏ、５
Ｐクラッド層４（Ｉ）＝５Ｘ１０ ｃｍ 、厚み
は、温度７００℃、圧カフ ０ Ｔｏｒｒ 、 Ｖ ／
［［［＝２００、キャリヤガス（）１２）の全流量１
５１／ｍｉｎとした。
原料としては、トリメチルインジウム（ＴＭに（ＣＨ３
）ｓ Ｉ ｎ ）、トリメチルｌｊリウＡ（ＴＥＧ：（
Ｃ２）ｉ５）３Ｇａ）、トリメチルア／ｌ／ （ニウム
（ＴＭＡ ： （ＣＨｓ）ｓＡ／）、アルシフ（ＡｓＨ
３）、ホスフィン（Ｐ）ｉ３）、ｎ型ドーパント：セレ
ン化水素（Ｈｚ８ｅ）、ｐ型上−バント：シクロベンタ
ヂエニルマグネシウム（ＣｐｚＭｇ）を用いた。こうし
て成長した積層構造体にフォトリング２フイにより幅５
μｍのストライプ状の８ｉ０ｚマスクを形成した。次に
この５ｉ０２マスクを用いてリン酸系のエツチング液に
よりｐ型Ｇ ａ Ａ ｓキク２１層６およびｐ型Ａ１６
，５ （Ｊａ（、，５Ａｓ Ｊ曽５をメサ状ＶＣｘ 、
チングした。つづいて塩酸系のエツチング液により、ｐ
型Ａｌｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐクラッド層４をメサ状に
工、チングした。つぎに５ｉ０２マスクをつけた！ま減
圧ＭＯＶＰＥによシ２回目の成長を行ないｎ型ＧａＡｓ
層７を形成した。そして８ｉ０２マスクを除去した後、
減圧ＭＯＶ Ｐ Ｅによシ３回目の成長を行ないｐ型（
ｊ ａ Ａ ｓコンタクト層８を形成した。最後に、ｐ
＋ｎ両電極電極成してキャビティ長２５０μｍにへき開
し、個々のチップに分離して半導体レーザ製置とした。
）ｓ Ｉ ｎ ）、トリメチルｌｊリウＡ（ＴＥＧ：（
Ｃ２）ｉ５）３Ｇａ）、トリメチルア／ｌ／ （ニウム
（ＴＭＡ ： （ＣＨｓ）ｓＡ／）、アルシフ（ＡｓＨ
３）、ホスフィン（Ｐ）ｉ３）、ｎ型ドーパント：セレ
ン化水素（Ｈｚ８ｅ）、ｐ型上−バント：シクロベンタ
ヂエニルマグネシウム（ＣｐｚＭｇ）を用いた。こうし
て成長した積層構造体にフォトリング２フイにより幅５
μｍのストライプ状の８ｉ０ｚマスクを形成した。次に
この５ｉ０２マスクを用いてリン酸系のエツチング液に
よりｐ型Ｇ ａ Ａ ｓキク２１層６およびｐ型Ａ１６
，５ （Ｊａ（、，５Ａｓ Ｊ曽５をメサ状ＶＣｘ 、
チングした。つづいて塩酸系のエツチング液により、ｐ
型Ａｌｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐクラッド層４をメサ状に
工、チングした。つぎに５ｉ０２マスクをつけた！ま減
圧ＭＯＶＰＥによシ２回目の成長を行ないｎ型ＧａＡｓ
層７を形成した。そして８ｉ０２マスクを除去した後、
減圧ＭＯＶ Ｐ Ｅによシ３回目の成長を行ないｐ型（
ｊ ａ Ａ ｓコンタクト層８を形成した。最後に、ｐ
＋ｎ両電極電極成してキャビティ長２５０μｍにへき開
し、個々のチップに分離して半導体レーザ製置とした。
比較のために、ｐ型Ｇａｇ、５１１１０．５ Ｐ層５の
厚みの５８類の半導体レーザ装置を製作した。表１に各
半導体レーザ装置の空洞の出現率を示す。
厚みの５８類の半導体レーザ装置を製作した。表１に各
半導体レーザ装置の空洞の出現率を示す。
表１から明らかなようにｐ型Ｇａ６．５ Ｉ ｎｏ、５
Ｐ層５の厚みが１００Ａ以下の時に空洞のない良好な
半導体レーザ装置が歩留りよく得られる。
Ｐ層５の厚みが１００Ａ以下の時に空洞のない良好な
半導体レーザ装置が歩留りよく得られる。
またｐ型Ｇａｏ、５ Ｉ ｎ（１，５Ｐ層５の厚みが１
００Ａ以下の本発明の半導体レーザ装置の素子抵抗は、
実用上問題にならないだけ十分に低抵抗で、発振しきい
値電流は４０ｍＡ程度のものが得られた。
００Ａ以下の本発明の半導体レーザ装置の素子抵抗は、
実用上問題にならないだけ十分に低抵抗で、発振しきい
値電流は４０ｍＡ程度のものが得られた。
以上述べた実施例では、活性層をＧａ６．ｓ Ｉ ｎｏ
、ｓＰ１クラッド層をＡｌｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐと
したが、゛活性層組成は製作する半導体レーザ装置に要
求さｎる発振波長要件を満たす組成（短波長化するには
ＡＩを加える、もしくは量子井戸を用いる）にすればよ
く、クラッド層組成は用いる活性層組成に対して光とキ
ャリヤの閉じ込めが十分にできる組成を選べばよい。
、ｓＰ１クラッド層をＡｌｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐと
したが、゛活性層組成は製作する半導体レーザ装置に要
求さｎる発振波長要件を満たす組成（短波長化するには
ＡＩを加える、もしくは量子井戸を用いる）にすればよ
く、クラッド層組成は用いる活性層組成に対して光とキ
ャリヤの閉じ込めが十分にできる組成を選べばよい。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
の半導体レーザ装置の例を示す断面図である。 図において、ｌ・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・
・・・・ｎ型Ａ７ｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐクラッド層、
３ ”・−Ｇａ ０，５ Ｉ ｎｏ、５Ｐ活性層、４・
・・・・・ｐ型Ａｌｏ、５ Ｉｎ。、ｓ Ｐクラッド層
、５・・・・・・ｐ型Ｇａｏ、５ Ｉ ｎｏ、Ｂ Ｐ層
、６・・・・・・ｐ型ＧａＡｓキャブ層、７・・・・・
・ｎ型ＵａＡｓ層、８・・・・・・ｐ型Ｃ１ａＡｓコン
タクト層、である。 代理人 弁理士 内 原 晋 生やその他の異常成長がなく、素子抵抗が低く発振特性
の良好なＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ装置が得られる
。 万 ？ 図
の半導体レーザ装置の例を示す断面図である。 図において、ｌ・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・
・・・・ｎ型Ａ７ｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐクラッド層、
３ ”・−Ｇａ ０，５ Ｉ ｎｏ、５Ｐ活性層、４・
・・・・・ｐ型Ａｌｏ、５ Ｉｎ。、ｓ Ｐクラッド層
、５・・・・・・ｐ型Ｇａｏ、５ Ｉ ｎｏ、Ｂ Ｐ層
、６・・・・・・ｐ型ＧａＡｓキャブ層、７・・・・・
・ｎ型ＵａＡｓ層、８・・・・・・ｐ型Ｃ１ａＡｓコン
タクト層、である。 代理人 弁理士 内 原 晋 生やその他の異常成長がなく、素子抵抗が低く発振特性
の良好なＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ装置が得られる
。 万 ？ 図
Claims (1)
- 第１導電型ＧａＡｓ基板上に、ＧａＩｎＰもしくはＡｌ
ＧａＩｎＰからなる活性層を、活性層よりも屈折率の小
さなＡｌＧａＩｎＰもしくはＡｌＩｎＰからなる２つの
クラッド層では挾んだダブルヘテロ構造が形成してあり
、前記活性層の上側の第２導電型クラッド層は層厚が部
分的に厚くなることにより形成されるストライプ状のメ
サ構造を有し、前記メサ構造の上に、厚みが１００Å以
下の第２導電型ＧａＩｎＰ層を有し、すくなくともこの
ＧａＩｎＰ層上面以外の部分に、ＧａＡｓ層もしくはＧ
ａＩｎＰ層を有することを特徴とする半導体レーザ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32682588A JPH02172288A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32682588A JPH02172288A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02172288A true JPH02172288A (ja) | 1990-07-03 |
Family
ID=18192133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32682588A Pending JPH02172288A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02172288A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0738200A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Nec Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| JP2003086902A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置および光ディスク記録再生装置 |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP32682588A patent/JPH02172288A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0738200A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Nec Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| JP2003086902A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置および光ディスク記録再生装置 |
| JP4627132B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2011-02-09 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置および光ディスク記録再生装置 |
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