JPH0258883A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0258883A JPH0258883A JP21115088A JP21115088A JPH0258883A JP H0258883 A JPH0258883 A JP H0258883A JP 21115088 A JP21115088 A JP 21115088A JP 21115088 A JP21115088 A JP 21115088A JP H0258883 A JPH0258883 A JP H0258883A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、単一横モードで発振するＡｌＧａＩｎＰ系の
半導体レーザ装置に関する。
半導体レーザ装置に関する。
（従来の技術）
最近、有機金属熱分解法（以後ＭＯＶＰＥと略す）によ
る結晶成長により形成された単一横モードで発振するＡ
Ｉ Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐ系の半導体レーザ装置として
、第３図に示すような構造が報告されていル（エレクト
ロニクス・レターズ、２３．１８゜ｐｐ９３８−９３９
．１９８７）。この構造は第一回目の成長でｎ型ＧａＡ
ｓ基板１上に、ｎ型（Ａｌ ｏ、５Ｇａｏ、ｓ）ｏ、５
Ｉｎｏ、ｓ Ｐ クラッド層２ 、ＧａＩｎＰ活性層
３゜ｐ型（Ａｌ ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ） ｏ、５Ｉｎｏ
、ｓＰ 下部クラッド層４ 、 ｐｍＧａＩｎＰ層１
２．ｐ型（Ａｌ ｏ、ｓ Ｇａ ｏ、ｓ）０．１１工ｎ
ｏ、ｓ Ｐ上部クラッド層６．ｐ型Ｇａ Ｉ ｎＰ層７
．ｐ型ＧａＡｓキャップ層８を順次ｌこ形成する。
る結晶成長により形成された単一横モードで発振するＡ
Ｉ Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐ系の半導体レーザ装置として
、第３図に示すような構造が報告されていル（エレクト
ロニクス・レターズ、２３．１８゜ｐｐ９３８−９３９
．１９８７）。この構造は第一回目の成長でｎ型ＧａＡ
ｓ基板１上に、ｎ型（Ａｌ ｏ、５Ｇａｏ、ｓ）ｏ、５
Ｉｎｏ、ｓ Ｐ クラッド層２ 、ＧａＩｎＰ活性層
３゜ｐ型（Ａｌ ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ） ｏ、５Ｉｎｏ
、ｓＰ 下部クラッド層４ 、 ｐｍＧａＩｎＰ層１
２．ｐ型（Ａｌ ｏ、ｓ Ｇａ ｏ、ｓ）０．１１工ｎ
ｏ、ｓ Ｐ上部クラッド層６．ｐ型Ｇａ Ｉ ｎＰ層７
．ｐ型ＧａＡｓキャップ層８を順次ｌこ形成する。
次にフォトリソグラフィーｌこより５ｉ（ｈヲマスクと
して、メサストライプを形成する。そして５ｉＯｚマス
クをつけたまま、第二回目の成長を行ないエツチングし
たところをｎ型ＧａＡｓ層９で埋め込む。
して、メサストライプを形成する。そして５ｉＯｚマス
クをつけたまま、第二回目の成長を行ないエツチングし
たところをｎ型ＧａＡｓ層９で埋め込む。
次に５ｉｆｔマスクを除去し、ｐ側全面に電極が形成で
きるようｌこ第三回目の成長でｐ型ＧａＡｓコンタクト
層１０を成長する。
きるようｌこ第三回目の成長でｐ型ＧａＡｓコンタクト
層１０を成長する。
この構造により電流はｎ型ＧａＡｓ層９によりブロック
されメサストライプ部にのみ注入される。
されメサストライプ部にのみ注入される。
また、メサストライプ形成のエツチングのときに、メサ
ストライプ部以外のｐ型クラッド層の厚みを光の閉じ込
めには不十分な厚みまでエツチングするのでｎ型ＧａＡ
ｓ層８のある部分では、このｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ層８に
光が吸収され、メサストライプ部にのみ光は導波される
。このようにこの構造では、電流狭窄機構と光導波機構
が同時に作り付けられる。
ストライプ部以外のｐ型クラッド層の厚みを光の閉じ込
めには不十分な厚みまでエツチングするのでｎ型ＧａＡ
ｓ層８のある部分では、このｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ層８に
光が吸収され、メサストライプ部にのみ光は導波される
。このようにこの構造では、電流狭窄機構と光導波機構
が同時に作り付けられる。
（発明が解決しようとする課題）
上述の構造では、メサ形成時にｐ型Ｇａ１ｎＰ層１２を
、ｐ型（ＡＩｏ、１Ｇａｏ、ｓ）ｏ、５Ｉｎｏ、ｓＰ
上部クラッド層６この組成差ｌこよるエツチング速度の
差を利用してエツチング停止層として用いている。
、ｐ型（ＡＩｏ、１Ｇａｏ、ｓ）ｏ、５Ｉｎｏ、ｓＰ
上部クラッド層６この組成差ｌこよるエツチング速度の
差を利用してエツチング停止層として用いている。
そして組成差によるエツチング速度の差を利用するため
ｔこＤｆｆＧａＩｎＰ層１２は活性層層間２組成になっ
ており、光の吸収を防ぐために数十オングストローム程
度ｌこ薄膜化し吸収端を量子化して高エネルギーにしで
ある。このエツチング停止層の薄さのため、エツチング
停止機能が十分ではないといつ問題点があった。
ｔこＤｆｆＧａＩｎＰ層１２は活性層層間２組成になっ
ており、光の吸収を防ぐために数十オングストローム程
度ｌこ薄膜化し吸収端を量子化して高エネルギーにしで
ある。このエツチング停止層の薄さのため、エツチング
停止機能が十分ではないといつ問題点があった。
本発明の目的は、この問題点を解決した半導体レーザ装
置を提供することにある。
置を提供することにある。
（！ｌ！題を解決するための手段）
本発明は、第一導電型Ｇ ａＡ ｓ基板上ｌこ、この基
板に格子整合する、エネルギーギャップが２．ＩｅＶ以
下である。（ＡＩｘＧａ ｔ −ｘ） ｗ Ｉｎ ｓ−
ＷＰ （０≦ＸＯ，３、Ｗ 〜０．５１ ）又はＡｌＧ
ａ１ｎＰ系の量子井戸からなる活性層と、この活性層を
挾む第一導電型および第二導電型のＡ Ｉ Ｇａ Ｉ
ｎＰ系のクラッド層とにより形成されたダブルヘテロ構
造を設け、てなる半導体レーザ装置であって、前記第一
導電型クラッド層より前記基板から遠い側の前記第二導
電型クラッド層上に、前記活性層よりもエネルギーギャ
ップの大きな第二導電型ＡｌＧａＡｓ層を設け、このＡ
ｌＧａＡｓ層上にメサストライプ状の第二導電型ＡｌＧ
ａＩｎＰ 系クラッド層を設け、このメサストライプ
状のクラッド層が設けられている部分以外の前記ＡｌＧ
ａＡｓ 層上に前記活性層の上側の第二導電型クラッド
層とは屈折率が異なる第−導導型物質または高抵抗物質
の層を設けたことを特命とする。
板に格子整合する、エネルギーギャップが２．ＩｅＶ以
下である。（ＡＩｘＧａ ｔ −ｘ） ｗ Ｉｎ ｓ−
ＷＰ （０≦ＸＯ，３、Ｗ 〜０．５１ ）又はＡｌＧ
ａ１ｎＰ系の量子井戸からなる活性層と、この活性層を
挾む第一導電型および第二導電型のＡ Ｉ Ｇａ Ｉ
ｎＰ系のクラッド層とにより形成されたダブルヘテロ構
造を設け、てなる半導体レーザ装置であって、前記第一
導電型クラッド層より前記基板から遠い側の前記第二導
電型クラッド層上に、前記活性層よりもエネルギーギャ
ップの大きな第二導電型ＡｌＧａＡｓ層を設け、このＡ
ｌＧａＡｓ層上にメサストライプ状の第二導電型ＡｌＧ
ａＩｎＰ 系クラッド層を設け、このメサストライプ
状のクラッド層が設けられている部分以外の前記ＡｌＧ
ａＡｓ 層上に前記活性層の上側の第二導電型クラッド
層とは屈折率が異なる第−導導型物質または高抵抗物質
の層を設けたことを特命とする。
（作用）
上述の本発明の構成ではエツチング停止層は活性層より
もエネルギーギャップの大きなＡｌＧａＡｓである。こ
のため吸収端を量子化して高エネルギーζこする必要が
なく数十オングストロームという薄膜化は必要でない。
もエネルギーギャップの大きなＡｌＧａＡｓである。こ
のため吸収端を量子化して高エネルギーζこする必要が
なく数十オングストロームという薄膜化は必要でない。
またＡｌＧａＩｎＰではそれぞれの組成に関係なく、塩
酸系のエツチング液でＡｌＧａＩｎＰをＡＩＧａＡｓｊ
こ対して選択的にエツチングできる。このため本発明の
半導体レーザ装置を制作するｆこは、メサストライブ形
成時ｔこ、メサストライプ以外の部分のｐ型クラッド層
のエツチングを、より制御性良く停止することができる
。
酸系のエツチング液でＡｌＧａＩｎＰをＡＩＧａＡｓｊ
こ対して選択的にエツチングできる。このため本発明の
半導体レーザ装置を制作するｆこは、メサストライブ形
成時ｔこ、メサストライプ以外の部分のｐ型クラッド層
のエツチングを、より制御性良く停止することができる
。
（実施例）
本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の半導体レーザ装置の一実施例を示すレ
ーザチップの断面図である。
ーザチップの断面図である。
まず−回目の減圧ＭＯＶＰＥｆこよる成長で、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１ （Ｓｉドープ： ｎ＝２ｘ １０”ｃｍ−
’）上に、ｎ型（Ａｌｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ） ｏ、５Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐ クラッド層２ （ｎ＝５ｘｌｏ”ｃＩ
ＩＬＳ；厚み１ ａ ｍ ） 、 Ｇａ、。
Ａｓ基板１ （Ｓｉドープ： ｎ＝２ｘ １０”ｃｍ−
’）上に、ｎ型（Ａｌｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ） ｏ、５Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐ クラッド層２ （ｎ＝５ｘｌｏ”ｃＩ
ＩＬＳ；厚み１ ａ ｍ ） 、 Ｇａ、。
Ｉ ｎ ｏ、ｓＰ活性層３（アンドープ；厚み０．１μ
ｍ）、ｐ型（Ａ ｌ ｏ、ｓＧａ ｏ、ｓ ） ｏ、ｓ
Ｉ ｎｏ、５ Ｐ下部クラッド層４（ｐ＝５ｘｌｏ
ｃｍ ｐ厚み０．３μｍ）、ｐ型ＡＩ０，７Ｇａｏ
、ｓＡｓ層５ （ｐ＝１ｘｌＯ”３−” ；厚み５００
＾）、ｐ型（Ａｌ ｏ、５Ｇａｏ、ｓ） ｏ、ｓ Ｉｎ
ｏ、ｓ Ｐ クラッド上部層６ （ｐ＝５ｘｌｏ Ｃ
ＩＩＬ ｐ厚み０．８ ｔｔ ｍ ）、ｐ型Ｇａｏ、
５Ｉｎｏ、ＢＰＰＩ３ｐ型ＧａＡｓキャ７プノー８を順
次に形成した。成長条件は、温度７００’Ｃ１圧カフ０
Ｔｏｒｒ。
ｍ）、ｐ型（Ａ ｌ ｏ、ｓＧａ ｏ、ｓ ） ｏ、ｓ
Ｉ ｎｏ、５ Ｐ下部クラッド層４（ｐ＝５ｘｌｏ
ｃｍ ｐ厚み０．３μｍ）、ｐ型ＡＩ０，７Ｇａｏ
、ｓＡｓ層５ （ｐ＝１ｘｌＯ”３−” ；厚み５００
＾）、ｐ型（Ａｌ ｏ、５Ｇａｏ、ｓ） ｏ、ｓ Ｉｎ
ｏ、ｓ Ｐ クラッド上部層６ （ｐ＝５ｘｌｏ Ｃ
ＩＩＬ ｐ厚み０．８ ｔｔ ｍ ）、ｐ型Ｇａｏ、
５Ｉｎｏ、ＢＰＰＩ３ｐ型ＧａＡｓキャ７プノー８を順
次に形成した。成長条件は、温度７００’Ｃ１圧カフ０
Ｔｏｒｒ。
Ｖ／ＩＩＩ＝２００、キャリヤガス（Ｈ２）の金泥１ｇ
１／ｍ ｉ ｎとした。原料としては、トリメチルイン
ジウＡ（ＴＭＩ ：（ＣＨｓ）ｓＩｎ）、トリエチルガ
リウム（ＴＥＧ：（（ｌＨ５）３Ｇａ）、トリメチルア
ルミニウム（ＴＭＡ：（ＣＨｓ）ｓＡｌ）、アルシン（
Ａ ｓ Ｈａ ）、ホスフィン（ＰＨｓ）、ｎ型ドーパ
ント：セレン化水素（ＨｚＳｅ）％ ｐ型ドーパント：
シクロペンタジェニルマグネシウム（ＣｐｚＭｇ）
を用いた。こうして成長したウェハにフォトリングラ
フィζこより幅５μｍのストライプ状のＳｉ０ｇマスク
を形成した。次ｌここの５ｉＯｚマスクを用いてリン酸
系のエツチング液によりｐ型ＧａＡｓキャップ層８メサ
状ｆこエツチングした。つづいて塩酸系のエツチング液
により、ｐ型Ｇａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ層７およびｐ
型（Ａｌ ｏ 、ｓ Ｇａｏ、ｓ ）ｏ、ｓ Ｉｎｏ、
ｓ Ｐ上部クラッド層６をメサ状にエツチングした。つ
ぎに５ｉ（ｈマスクをつけたまま減圧ＭＯＶＰＥにより
二回目の成長を行ないｎ型Ｇ ａＡ ｓ層９を形成した
。そしてＳｉ０ｇマスクを除去した後に、減圧ＭＯＶＰ
Ｅにより三回目の成長を行ないｐ型ＧａＡ ｓコンタク
ト層１０を形成した。最後に、ｐ＋ ｎ両電極を形成し
てキャピテイ長２５０Ａｍにへき開し、個々のチップに
分離した。
１／ｍ ｉ ｎとした。原料としては、トリメチルイン
ジウＡ（ＴＭＩ ：（ＣＨｓ）ｓＩｎ）、トリエチルガ
リウム（ＴＥＧ：（（ｌＨ５）３Ｇａ）、トリメチルア
ルミニウム（ＴＭＡ：（ＣＨｓ）ｓＡｌ）、アルシン（
Ａ ｓ Ｈａ ）、ホスフィン（ＰＨｓ）、ｎ型ドーパ
ント：セレン化水素（ＨｚＳｅ）％ ｐ型ドーパント：
シクロペンタジェニルマグネシウム（ＣｐｚＭｇ）
を用いた。こうして成長したウェハにフォトリングラ
フィζこより幅５μｍのストライプ状のＳｉ０ｇマスク
を形成した。次ｌここの５ｉＯｚマスクを用いてリン酸
系のエツチング液によりｐ型ＧａＡｓキャップ層８メサ
状ｆこエツチングした。つづいて塩酸系のエツチング液
により、ｐ型Ｇａｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ層７およびｐ
型（Ａｌ ｏ 、ｓ Ｇａｏ、ｓ ）ｏ、ｓ Ｉｎｏ、
ｓ Ｐ上部クラッド層６をメサ状にエツチングした。つ
ぎに５ｉ（ｈマスクをつけたまま減圧ＭＯＶＰＥにより
二回目の成長を行ないｎ型Ｇ ａＡ ｓ層９を形成した
。そしてＳｉ０ｇマスクを除去した後に、減圧ＭＯＶＰ
Ｅにより三回目の成長を行ないｐ型ＧａＡ ｓコンタク
ト層１０を形成した。最後に、ｐ＋ ｎ両電極を形成し
てキャピテイ長２５０Ａｍにへき開し、個々のチップに
分離した。
上述の制作工程においてはｐ型Ａｌ ｏ、７ Ｇａｏ、
３Ａｓ層５（こおけるエツチング停止時間は数十分以上
でありメサストライプ部のサイドエツチングのみを問題
にしてｐ型（Ａｌ ｏ、ｓＧ ａｏ、ｓ）ｏ、ｓ Ｉ
ｎ ｏ、ｓ Ｐ上部クラッド層６のエツチング時間を決
めることができる。これに対して従来の構造ではエツチ
ング停止時間は数十秒程度でありｐ型（Ａｌｏ、５Ｇａ
ｏ、ｓ ）０．５ Ｉ ｎ Ｏ，５Ｐ上部クラッド層６
のエツチング時間の制御に厳しい条件が課せられる。
３Ａｓ層５（こおけるエツチング停止時間は数十分以上
でありメサストライプ部のサイドエツチングのみを問題
にしてｐ型（Ａｌ ｏ、ｓＧ ａｏ、ｓ）ｏ、ｓ Ｉ
ｎ ｏ、ｓ Ｐ上部クラッド層６のエツチング時間を決
めることができる。これに対して従来の構造ではエツチ
ング停止時間は数十秒程度でありｐ型（Ａｌｏ、５Ｇａ
ｏ、ｓ ）０．５ Ｉ ｎ Ｏ，５Ｐ上部クラッド層６
のエツチング時間の制御に厳しい条件が課せられる。
以上述べた実施例では、活性層をＧａ ｏ、ｓ Ｉｎｏ
、ｓＰ、り２ラド層を（Ａｌｏ、５Ｇａｏ、ｓ）ｏ、ｓ
Ｉｎｏ、ｓＰとしたが、活性層組成は製作するレーザ
装置に要求される発振波長要件を満たす組成または量子
井戸１こすればよく、クラッド層組成は用いる活性層組
成ｌこ対して光とキャリヤの閉じ込めが十分にできる組
成を選べはよい。またレーザ装置に要求される特性によ
りＳＣＨ構造にするなどクラッド層をより多層化するこ
ともできる。上述の実施例ではｎ型ＧａＡ ｓを［流狭
窄と光吸収をさせる層に用いたが、この層は高低抗層で
も良く、またＧａＩｎＰやポリイミドなど本発明の要件
を満たすものであれば良い。
、ｓＰ、り２ラド層を（Ａｌｏ、５Ｇａｏ、ｓ）ｏ、ｓ
Ｉｎｏ、ｓＰとしたが、活性層組成は製作するレーザ
装置に要求される発振波長要件を満たす組成または量子
井戸１こすればよく、クラッド層組成は用いる活性層組
成ｌこ対して光とキャリヤの閉じ込めが十分にできる組
成を選べはよい。またレーザ装置に要求される特性によ
りＳＣＨ構造にするなどクラッド層をより多層化するこ
ともできる。上述の実施例ではｎ型ＧａＡ ｓを［流狭
窄と光吸収をさせる層に用いたが、この層は高低抗層で
も良く、またＧａＩｎＰやポリイミドなど本発明の要件
を満たすものであれば良い。
（発明の効果）
このように本発明により、メサストライプ形成時のエツ
チングの制御がたやすいＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
装置る得ることができる。
チングの制御がたやすいＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
装置る得ることができる。
Ｐ上部クラッド層、７はｐ型Ｇａ ｏ、５ Ｉｎ ｏ、
ｓＰ層、８はｐ ｍ ＧａＡｓキ＋ｙプ層、９はｎ型Ｇ
ａＡｓ層、１０はｐ型ＧａＡｓ ：ｒ ｙタクト層、１
１はＳ ｉｏｚ膜、１２はｐ型Ｇａｏ、ｓ Ｉｎｏ、５
Ｐ層である。
ｓＰ層、８はｐ ｍ ＧａＡｓキ＋ｙプ層、９はｎ型Ｇ
ａＡｓ層、１０はｐ型ＧａＡｓ ：ｒ ｙタクト層、１
１はＳ ｉｏｚ膜、１２はｐ型Ｇａｏ、ｓ Ｉｎｏ、５
Ｐ層である。
代理人 弁理士 本 庄 伸゛介
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図Ｇ）〜
（ｆ）は本発明の制作工程を示す断面因、第３図は従来
の半導体レーザ装置の例を示す断面図である。
（ｆ）は本発明の制作工程を示す断面因、第３図は従来
の半導体レーザ装置の例を示す断面図である。
Claims (1)
- 第一導電型のＧａＡｓ基板上に、この基板に格子整合
する、エネルギーギャップが２．１ｅＶ以下である（Ａ
ｌ＿ＸＧａ＿１＿−＿Ｘ）＿ＷＩｎ＿１＿−＿ＷＰ（０
≦Ｘ≦０．３、Ｗ〜０．５１）又はＡｌＧａＩｎＰ系の
量子井戸からなる活性層と、この活性層を挾む第一導電
型および第二導電型のＡｌＧａＩｎＰ系のクラッド層と
により形成されたダブルヘテロ構造を設けてなる半導体
レーザ装置において、前記第一導電型クラッド層より前
記基板から遠い側の前記第二導電型クラッド層上に、前
記活性層よりもエネルギーギャップの大きな第二導電型
のＡｌＧａＡｓ層を設け、このＡｌＧａＡｓ層上にメサ
ストライプ状の第二導電型ＡｌＧａＩｎＰ系のクラッド
層を設け、このメサストライプ状のクラッド層が設けら
れている部分以外の前記ＡｌＧａＡｓ層上に、前記活性
層の上側の第二導電型クラッド層とは屈折率が異なる第
一導電型物質または高抵抗物質の層を設けたことを特徴
とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21115088A JPH0258883A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21115088A JPH0258883A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258883A true JPH0258883A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16601209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21115088A Pending JPH0258883A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258883A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH047885A (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-13 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH04106991A (ja) * | 1990-08-27 | 1992-04-08 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH04309281A (ja) * | 1991-04-08 | 1992-10-30 | Nec Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US5357535A (en) * | 1992-01-14 | 1994-10-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser including an aluminum-rich AlGaAs etch stopping layer |
| US5763291A (en) * | 1994-09-05 | 1998-06-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making semiconductor laser |
| US5982799A (en) * | 1994-09-14 | 1999-11-09 | Xerox Corporation | Multiple-wavelength laser diode array using quantum well band filling |
| US6200382B1 (en) | 1998-07-14 | 2001-03-13 | Nec Corporation | Method of manufacturing a semiconductor laser device and a crystal growth apparatus for use in a semiconductor laser device |
Citations (1)
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| JPS63179590A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Nec Corp | ＡｌＧａＩｎＰ半導体発光素子 |
-
1988
- 1988-08-25 JP JP21115088A patent/JPH0258883A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS63179590A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Nec Corp | ＡｌＧａＩｎＰ半導体発光素子 |
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