JPH02172287A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH02172287A JPH02172287A JP32681388A JP32681388A JPH02172287A JP H02172287 A JPH02172287 A JP H02172287A JP 32681388 A JP32681388 A JP 32681388A JP 32681388 A JP32681388 A JP 32681388A JP H02172287 A JPH02172287 A JP H02172287A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、単一横モードで発振するＡｌＧａＩｎＰ系の
半導体レーザ装置に関する。
半導体レーザ装置に関する。
最近、有機金属熱分解法（以後ＭＯＶＰＥと略す）によ
る結晶成長により形成された単一横モードで発振するＡ
ｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ装置として、第３図に示
すような構造が報告されている（エレクトロニクス・レ
ターズ、２３゜１８、ｐｐ９３８−９３９．１９８７）
。この構造は第１回目の成長でｎ型ＧａＡｓ基板１上に
、ｎ型（Ａ １ ｏ、５Ｇ ａｏ、ｓ ） ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、５ Ｐクラッド層２．Ｇａ１ｎＰ活性層３．ｐ
型（Ａ１０．５０ａ（、，５） ０．５ Ｉ ｎｏ、５
Ｐ下部クラッド層４．９型Ｇａｌ ｎＰ層１３．ｐ型
（Ａ Ｉ ０．５ Ｇ ａＱ、５ ）０．５ Ｉ ｎＯ
，５Ｐ上部クラッドＪＩ７．ｐ型Ｇａ１ｎＰ層８．ｐ型
ＧａＡｓキャップ層９．を順次形成する。次にフォトリ
ソグラフィーにより５ｉ０２をマスクとしてキャップ層
９．ＧａＩｎＰ層８゜上記クラッド層７をエツチングし
、メサストライプを形成する。そして５ｉ０２マスクを
つけたまま、第２回目の成長を行ない、エツチングした
ところをｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ Ｎ １０で埋め込む０次
にＳｉＯ□マスクを除去し、ｐ側全面に電極が形成でき
るように第３回目の成長でｐ型ＧａＡｓコンタクト層１
１を成長する。
る結晶成長により形成された単一横モードで発振するＡ
ｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ装置として、第３図に示
すような構造が報告されている（エレクトロニクス・レ
ターズ、２３゜１８、ｐｐ９３８−９３９．１９８７）
。この構造は第１回目の成長でｎ型ＧａＡｓ基板１上に
、ｎ型（Ａ １ ｏ、５Ｇ ａｏ、ｓ ） ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、５ Ｐクラッド層２．Ｇａ１ｎＰ活性層３．ｐ
型（Ａ１０．５０ａ（、，５） ０．５ Ｉ ｎｏ、５
Ｐ下部クラッド層４．９型Ｇａｌ ｎＰ層１３．ｐ型
（Ａ Ｉ ０．５ Ｇ ａＱ、５ ）０．５ Ｉ ｎＯ
，５Ｐ上部クラッドＪＩ７．ｐ型Ｇａ１ｎＰ層８．ｐ型
ＧａＡｓキャップ層９．を順次形成する。次にフォトリ
ソグラフィーにより５ｉ０２をマスクとしてキャップ層
９．ＧａＩｎＰ層８゜上記クラッド層７をエツチングし
、メサストライプを形成する。そして５ｉ０２マスクを
つけたまま、第２回目の成長を行ない、エツチングした
ところをｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ Ｎ １０で埋め込む０次
にＳｉＯ□マスクを除去し、ｐ側全面に電極が形成でき
るように第３回目の成長でｐ型ＧａＡｓコンタクト層１
１を成長する。
この構造により電流はｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ ＮＪ ９
、によりブロックされメサストライプ部にのみ注入され
る。また、メサストライプ形成のエツチングのときに、
メサストライプ部以外のｐ型クラッド層の厚みを光の閉
じ込めには不十分な厚みまでエツチングするのでｎ型Ｇ
ａＡｓ層８のある部分では、このｎ型ＧａＡｓ層８に光
が吸収され、メサストライプ部にのみ光は導波される。
、によりブロックされメサストライプ部にのみ注入され
る。また、メサストライプ形成のエツチングのときに、
メサストライプ部以外のｐ型クラッド層の厚みを光の閉
じ込めには不十分な厚みまでエツチングするのでｎ型Ｇ
ａＡｓ層８のある部分では、このｎ型ＧａＡｓ層８に光
が吸収され、メサストライプ部にのみ光は導波される。
このようにこの構造では、電流狭窄機構と光導波機構が
同時に作り付けられる。
同時に作り付けられる。
上述の構造では、メサストライプ形成時にｐ型Ｇａ１ｎ
Ｐ層１３を、ｐ型（Ａ Ｉ ０．５ Ｇ ａＱ、５ ）
。、５ Ｉ ｎＯ，５Ｐ上部クラッドＭ６との組成差に
よるエツチング速度の差を利用してエツチング停止層と
して用いている。そして組成差によるエツチング速度の
差を利用するためにｐ型Ｇａ１ｎＰ層１３は活性層と同
じ組成になっており、光の吸収を防ぐなめに数十オング
ストローム程度に薄膜化し、吸収端を量子化して高エネ
ルギーにしである。このエツチング停止層の薄さのため
、エツチング停止機能が十分ではないという問題点があ
った。また、この問題を解決するために、エツチング停
止層としてＡｌＧａＡｓを用いることが考えられる。こ
の場合、ＡｌＧａＩｎＰ系結晶とＡＩＱａＡＳ系結晶で
は、ＡｌＧａＩｎＰ系結晶の組成差を利用する以上にエ
ツチング速度の差の大きなエッチャントを利用できるの
で十分なエツチング停止機能が得られる。しかしながら
、この場合エツチング停止層での光の吸収を防ぐために
はこの層にＡ１を含まなければならない、ＡＩを含む層
のうえへの再成長では良質な結晶が得られない 本発明の目的は、この問題点を解決した半導体レーザ装
置を提供することにある。
Ｐ層１３を、ｐ型（Ａ Ｉ ０．５ Ｇ ａＱ、５ ）
。、５ Ｉ ｎＯ，５Ｐ上部クラッドＭ６との組成差に
よるエツチング速度の差を利用してエツチング停止層と
して用いている。そして組成差によるエツチング速度の
差を利用するためにｐ型Ｇａ１ｎＰ層１３は活性層と同
じ組成になっており、光の吸収を防ぐなめに数十オング
ストローム程度に薄膜化し、吸収端を量子化して高エネ
ルギーにしである。このエツチング停止層の薄さのため
、エツチング停止機能が十分ではないという問題点があ
った。また、この問題を解決するために、エツチング停
止層としてＡｌＧａＡｓを用いることが考えられる。こ
の場合、ＡｌＧａＩｎＰ系結晶とＡＩＱａＡＳ系結晶で
は、ＡｌＧａＩｎＰ系結晶の組成差を利用する以上にエ
ツチング速度の差の大きなエッチャントを利用できるの
で十分なエツチング停止機能が得られる。しかしながら
、この場合エツチング停止層での光の吸収を防ぐために
はこの層にＡ１を含まなければならない、ＡＩを含む層
のうえへの再成長では良質な結晶が得られない 本発明の目的は、この問題点を解決した半導体レーザ装
置を提供することにある。
本発明は、第１の導電型のＧａＡｓ基板上に、この基板
に格子整合する、エネルギーギャップが２− １ｅＶ以
下の（ＡＩ）（Ｇａｔ−Ｘ）ＷＩｎ１−ＷＰ （０≦Ｘ
≦０．３．Ｗ＞０．５１） もしくはＡｌＧａＩｎＰ
系の量子井戸からなる活性層を、互いに導電型が異なる
２つのＡｌＧａＩｎＰ系のクラッド層で挟んだダブルヘ
テロ構造を設け、前記基板がら遠い方に在る第２導電型
クラッド層上に第２導電型のＧａ ｌ ｎＰ層を設け、
この層上にメサストライプ状の第２導電型のＡｌＧａＡ
ｓ層を設け、この層上にメサストライプ状の第２導電型
ＡｌＧａＩｎＰ系のクラッド層を設け、このメサストラ
イプ状のクラッド層の両側に、前記第２導電型クラッド
層と屈折率が異なり第１導電型もしくは高抵抗な物質を
設けた積層構造を有し、前記Ｇａ ｌ ｎＰ層とＡｌＧ
ａＡｓ層の膜厚はその量子準位が活性層の発振エネルギ
ーよりも大きくなる厚みであることを特徴とする構成の
半導体レーザ装置である。
に格子整合する、エネルギーギャップが２− １ｅＶ以
下の（ＡＩ）（Ｇａｔ−Ｘ）ＷＩｎ１−ＷＰ （０≦Ｘ
≦０．３．Ｗ＞０．５１） もしくはＡｌＧａＩｎＰ
系の量子井戸からなる活性層を、互いに導電型が異なる
２つのＡｌＧａＩｎＰ系のクラッド層で挟んだダブルヘ
テロ構造を設け、前記基板がら遠い方に在る第２導電型
クラッド層上に第２導電型のＧａ ｌ ｎＰ層を設け、
この層上にメサストライプ状の第２導電型のＡｌＧａＡ
ｓ層を設け、この層上にメサストライプ状の第２導電型
ＡｌＧａＩｎＰ系のクラッド層を設け、このメサストラ
イプ状のクラッド層の両側に、前記第２導電型クラッド
層と屈折率が異なり第１導電型もしくは高抵抗な物質を
設けた積層構造を有し、前記Ｇａ ｌ ｎＰ層とＡｌＧ
ａＡｓ層の膜厚はその量子準位が活性層の発振エネルギ
ーよりも大きくなる厚みであることを特徴とする構成の
半導体レーザ装置である。
上述の本発明の構成ではエツチング停止層はＧａ１ｎＰ
とＡｌＧａＡｓの２層からなっており、その厚みは活性
層の光を吸収しないように薄膜化しである。エツチング
停止機能としては、組成差を利用せず、混晶系の違いを
利用して、まずＡｌＧａＡｓに対してＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層を選択的にエツチングし、その次にＧａ １
ｎＰに対してＡ Ｉ ＧａＡＳを選択的にエツチングす
るので十分なエツチング停止機能を得ることができる。
とＡｌＧａＡｓの２層からなっており、その厚みは活性
層の光を吸収しないように薄膜化しである。エツチング
停止機能としては、組成差を利用せず、混晶系の違いを
利用して、まずＡｌＧａＡｓに対してＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層を選択的にエツチングし、その次にＧａ １
ｎＰに対してＡ Ｉ ＧａＡＳを選択的にエツチングす
るので十分なエツチング停止機能を得ることができる。
このため本発明の製作過程ではメサストライプ形成時に
、メサストライプ以外の部分のクラッド層のエツチング
を、より制御性良く停止することができる。
、メサストライプ以外の部分のクラッド層のエツチング
を、より制御性良く停止することができる。
本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す断
面図である。
面図である。
第２図は本発明の半導体レーザ装置を製作する工程図を
示す、まず１回目の減圧ＭＯＶＰＥによる成長で、ｎ型
ＧａＡｓ基板１ （Ｓｉドープ；ｎ ＝ ２ Ｘ １０
１８ｃｍ−３）上に、ｎ型（ＡｌＯ，５ＧａＯ２５）０
５Ｉ ｎｏ、５Ｐクラッド層２ （ｎ＝５ＸＩ Ｑ １
７ｃｒａ −’ ；厚みｌ μｍ） 、 Ｇａ、）、５
Ｉ ｎ（１，５Ｐ活性層３（アンドープ；厚み０．１
μｍ）、ｐ型（Ａ ｌ Ｏ，５Ｇ ａＯ，５） １．５
Ｉ ｎ６．５ Ｐ下部クラッド層４（ｐ＝５ｘｌｏ１
７Ω−３；厚み０，３μｍ）−ｐ型Ｇａｏ、、 ■ｎｏ
、ｓ ２層５ （ｐ＝ＩＸＩ Ｑ １８ｃｍ −’ ；
厚み３０人）、ｐ型Ａｌ、）、７ＧａＯ，３ＡＳ層６
（ｐ＝Ｉ Ｘ １０１８Ｃ１ｌ−’：厚み３０人）、ｐ
型（Ａ １ ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ ） ０．５ Ｉ ｎ
ｏ、５ Ｐ上部クラッド層７ （ｐ＝ ５ Ｘ １０１
７ｃｍ−３；厚み０．８μｍ＞、ｐ型Ｇａｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、５ ＰＪ！１８． Ｐ型ＧａＡｓキャップ層９を
順次形成したく第２図（ａ））。成長条件は、温度７０
０℃、圧カフ０Ｔｏｒｒ、Ｖ／ＩＩ［＝２００、キャリ
ヤガス（Ｈ２）の全流量１５．Ｒ／ｍｉｎとした。原料
としては、トリメチルインジウム（ＴＭＩ ： （Ｃ
Ｈ３）３ Ｉ ｎ）トリエチルガリウム（ＴＥＧ ：
（Ｃ２Ｈ５） ３Ｇａ）、）リメチルアルミニウム（
ＴＭＡ：（ＣＨ３）３Ａ１）、アルシン（ＡｓＨｑ）、
ホスフィン（ＰＨ，）、ｎ型ドーパントはセレン化水素
（Ｈ２Ｓｅ） 、ｐ型ドーパントはシクロペンタヂエニ
ルマグネシウム（Ｃｐ２ Ｍｇ＞を用いた。
示す、まず１回目の減圧ＭＯＶＰＥによる成長で、ｎ型
ＧａＡｓ基板１ （Ｓｉドープ；ｎ ＝ ２ Ｘ １０
１８ｃｍ−３）上に、ｎ型（ＡｌＯ，５ＧａＯ２５）０
５Ｉ ｎｏ、５Ｐクラッド層２ （ｎ＝５ＸＩ Ｑ １
７ｃｒａ −’ ；厚みｌ μｍ） 、 Ｇａ、）、５
Ｉ ｎ（１，５Ｐ活性層３（アンドープ；厚み０．１
μｍ）、ｐ型（Ａ ｌ Ｏ，５Ｇ ａＯ，５） １．５
Ｉ ｎ６．５ Ｐ下部クラッド層４（ｐ＝５ｘｌｏ１
７Ω−３；厚み０，３μｍ）−ｐ型Ｇａｏ、、 ■ｎｏ
、ｓ ２層５ （ｐ＝ＩＸＩ Ｑ １８ｃｍ −’ ；
厚み３０人）、ｐ型Ａｌ、）、７ＧａＯ，３ＡＳ層６
（ｐ＝Ｉ Ｘ １０１８Ｃ１ｌ−’：厚み３０人）、ｐ
型（Ａ １ ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ ） ０．５ Ｉ ｎ
ｏ、５ Ｐ上部クラッド層７ （ｐ＝ ５ Ｘ １０１
７ｃｍ−３；厚み０．８μｍ＞、ｐ型Ｇａｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、５ ＰＪ！１８． Ｐ型ＧａＡｓキャップ層９を
順次形成したく第２図（ａ））。成長条件は、温度７０
０℃、圧カフ０Ｔｏｒｒ、Ｖ／ＩＩ［＝２００、キャリ
ヤガス（Ｈ２）の全流量１５．Ｒ／ｍｉｎとした。原料
としては、トリメチルインジウム（ＴＭＩ ： （Ｃ
Ｈ３）３ Ｉ ｎ）トリエチルガリウム（ＴＥＧ ：
（Ｃ２Ｈ５） ３Ｇａ）、）リメチルアルミニウム（
ＴＭＡ：（ＣＨ３）３Ａ１）、アルシン（ＡｓＨｑ）、
ホスフィン（ＰＨ，）、ｎ型ドーパントはセレン化水素
（Ｈ２Ｓｅ） 、ｐ型ドーパントはシクロペンタヂエニ
ルマグネシウム（Ｃｐ２ Ｍｇ＞を用いた。
こうして成長した積層構造体にフォトリングラフィによ
り幅５μｍのストライプ状の５ｉ０２マスク１２を形成
したく第２図（ｂ））、次にこのＳ ｉ ０２マスク１
２を用いてリン酸系のエツチング液によりｐ型ＧａＡｓ
キャップ層９をメサストライプ状にエツチングした。つ
づいて塩酸系のエツチング液により、ｐ型ｃａｏ、５１
ｎｏ、５ ｐｆｆｉ８およびｐ型（Ａ Ｉ ０．５
ＧａＯ，５） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ上部クラッド
層７をメサストライプ状にエツチングしなく第２図（Ｃ
））、次にリン酸系のエツチング液により、ｐ型Ａ Ｉ
０．７ Ｇ ａ ｏ、 ３ Ａ ９層６をエツチング
で除去しな（第２図（ｄ））、つぎに５ｉ０２マスク１
２をつけたまま減圧ＭＯＶＰＥにより２回目の成長を行
ない、先のエツチング工程で形成したメサストライプの
両側にｎ型ＧａＡＳ層１０を形成した（第２図（ｅ））
、そして５ｉ０２マスクを除去した後に、減圧ＭＯＶＰ
Ｅにより３回目の成長を行ないｐ型ＧａＡｓコンタクト
層１１を形成した（第２図（ｆ））。最後に、ｐ、ｎ両
電極を形成してキャビティ長２５０μｍにへき関し、個
々に分離して第１図に示す半導体レーザ装置を得た。
り幅５μｍのストライプ状の５ｉ０２マスク１２を形成
したく第２図（ｂ））、次にこのＳ ｉ ０２マスク１
２を用いてリン酸系のエツチング液によりｐ型ＧａＡｓ
キャップ層９をメサストライプ状にエツチングした。つ
づいて塩酸系のエツチング液により、ｐ型ｃａｏ、５１
ｎｏ、５ ｐｆｆｉ８およびｐ型（Ａ Ｉ ０．５
ＧａＯ，５） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ上部クラッド
層７をメサストライプ状にエツチングしなく第２図（Ｃ
））、次にリン酸系のエツチング液により、ｐ型Ａ Ｉ
０．７ Ｇ ａ ｏ、 ３ Ａ ９層６をエツチング
で除去しな（第２図（ｄ））、つぎに５ｉ０２マスク１
２をつけたまま減圧ＭＯＶＰＥにより２回目の成長を行
ない、先のエツチング工程で形成したメサストライプの
両側にｎ型ＧａＡＳ層１０を形成した（第２図（ｅ））
、そして５ｉ０２マスクを除去した後に、減圧ＭＯＶＰ
Ｅにより３回目の成長を行ないｐ型ＧａＡｓコンタクト
層１１を形成した（第２図（ｆ））。最後に、ｐ、ｎ両
電極を形成してキャビティ長２５０μｍにへき関し、個
々に分離して第１図に示す半導体レーザ装置を得た。
上述の製作工程においてはｐ型Ａ１ｇ、７ＧａＯ，３Ａ
Ｓ層６におけるエツチング停止時間は数分以上であり、
ｐ型Ｇａ□、５ Ｉ ｎｏ、５ Ｐ層５におけるエツチ
ング停止時間も数分以上であるのでメサストライプ部の
サイドエツチングのみを問題にしてｐ型（Ａ １ｏ、ｇ
Ｇａ０．５ ） ０．５ Ｉ ｎｏ５Ｐ上部クラッド
層７のエツチング時間を決めることができる。これに対
して従来の構造ではエツチング停止時間は数十秒程度で
ありｐ型（Ａｌｇ、５Ｇａ。、５ ） ０．５ Ｉ ｎ
Ｑ、５ Ｐ上部クラッド層７のエツチング時間の制御に
厳しい条件が課せられる。
Ｓ層６におけるエツチング停止時間は数分以上であり、
ｐ型Ｇａ□、５ Ｉ ｎｏ、５ Ｐ層５におけるエツチ
ング停止時間も数分以上であるのでメサストライプ部の
サイドエツチングのみを問題にしてｐ型（Ａ １ｏ、ｇ
Ｇａ０．５ ） ０．５ Ｉ ｎｏ５Ｐ上部クラッド
層７のエツチング時間を決めることができる。これに対
して従来の構造ではエツチング停止時間は数十秒程度で
ありｐ型（Ａｌｇ、５Ｇａ。、５ ） ０．５ Ｉ ｎ
Ｑ、５ Ｐ上部クラッド層７のエツチング時間の制御に
厳しい条件が課せられる。
以上述でた実施例では、活性層をＧａＯ，５ＩｎＯ，５
Ｐ、クラッド層を（Ａ １０．５０ａ□、５ ） ｏ、
ｓＩｎ。５Ｐとしたが、活性層組成は製作するレーザ装
置に要求される発振波長条件を満たす組成、もしくは量
子井戸にすればよく、クラッド層組成は用いる活性層組
成に対して光とキャリヤの閉じ込めが十分にできる組成
を選べばよい。なお、組成の選択基準、方法等は従来通
りであるので説明は省略する。また半導体レーザ装置に
要求される特性によりＳＣＨ構造にするなどクラッド層
をより多層化することもできる。上述の実施例ではｎ型
ＧａＡｓを電流狭窄と光吸収させる層に用いたが、この
層は高抵抗層でも良く、またＧａ１ｎＰやポリイミドな
ど電流狭窄作用、光吸収作用の条件を満たすものであれ
ば良い。
Ｐ、クラッド層を（Ａ １０．５０ａ□、５ ） ｏ、
ｓＩｎ。５Ｐとしたが、活性層組成は製作するレーザ装
置に要求される発振波長条件を満たす組成、もしくは量
子井戸にすればよく、クラッド層組成は用いる活性層組
成に対して光とキャリヤの閉じ込めが十分にできる組成
を選べばよい。なお、組成の選択基準、方法等は従来通
りであるので説明は省略する。また半導体レーザ装置に
要求される特性によりＳＣＨ構造にするなどクラッド層
をより多層化することもできる。上述の実施例ではｎ型
ＧａＡｓを電流狭窄と光吸収させる層に用いたが、この
層は高抵抗層でも良く、またＧａ１ｎＰやポリイミドな
ど電流狭窄作用、光吸収作用の条件を満たすものであれ
ば良い。
このように本発明により、メサストライプ形成時のエツ
チングの制御がたやすくなり、特性の良いＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザ装置を容易に得ることができる。
チングの制御がたやすくなり、特性の良いＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザ装置を容易に得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図（ａ）
〜（ｆ）は本発明の製作工程を示す断面図、第３図は従
来の半導体レーザ装置の例を示す断面図である。 図において、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型（Ａ ｌ
ｏ、ｓ Ｇａ０．５ ） ０．５ Ｉ ｎｏ、５Ｐクラ
ッド層、３はＧａ、）、５ Ｉ ｎＱ、５ Ｐ活性層、
４はｐ型（Ａ Ｉｏ、５０ａ０．５ ） ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐ下部クラッド層、５はｐ型Ｇａ（１，５Ｉ
ｎｏ、５ Ｐ層、６はＡｌ０．７ Ｇ ａ Ｏ，３Ａ
Ｓ層、７はｐ型（Ａｌ、）、５Ｇａ０．５ ） ０．
５ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ上部クラッド層、８はｐ型Ｇａ（
、、ｇ Ｉ ｎＯ，５Ｐ層、９はｐ型ＧａＡｓキャップ
層、１０はｎ型ＧａＡｓ層、１１はｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層、１２は５ｉ０２膜である。
〜（ｆ）は本発明の製作工程を示す断面図、第３図は従
来の半導体レーザ装置の例を示す断面図である。 図において、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型（Ａ ｌ
ｏ、ｓ Ｇａ０．５ ） ０．５ Ｉ ｎｏ、５Ｐクラ
ッド層、３はＧａ、）、５ Ｉ ｎＱ、５ Ｐ活性層、
４はｐ型（Ａ Ｉｏ、５０ａ０．５ ） ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐ下部クラッド層、５はｐ型Ｇａ（１，５Ｉ
ｎｏ、５ Ｐ層、６はＡｌ０．７ Ｇ ａ Ｏ，３Ａ
Ｓ層、７はｐ型（Ａｌ、）、５Ｇａ０．５ ） ０．
５ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ上部クラッド層、８はｐ型Ｇａ（
、、ｇ Ｉ ｎＯ，５Ｐ層、９はｐ型ＧａＡｓキャップ
層、１０はｎ型ＧａＡｓ層、１１はｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層、１２は５ｉ０２膜である。
Claims (1)
- 第１の導電型のＧａＡｓ基板上に、この基板に格子整
合する、エネルギーギャップが２．１ｅＶ以下の（Ａｌ
＿ＸＧａ＿１＿−＿Ｘ）＿ＷＩｎ＿１＿−＿ＷＰ（０≦
Ｘ≦０．３、Ｗ≒０．５１）、もしくはＡｌＧａＩｎＰ
系の量子井戸からなる活性層を、互いに導電型が異なる
２つのＡｌＧａＩｎＰ系のクラッド層で挟んで形成され
たダブルヘテロ構造を設け、前記基板から遠い方に在る
第２導電型クラッド層上に第２導電型のＧａＩｎＰ層と
、メサストライプ状の第２導電型のＡｌＧａＡｓ層と、
メサストライプ状の第２導電型ＡｌＧａＩｎＰ系のクラ
ッド層を順次積層して設け、このメサストライプ状のク
ラッド層の両側に、前記第２導電型クラッド層と屈折率
が異なり第１導電型もしくは高抵抗な物質を設けた積層
構造を少くとも有し、前記ＧａＩｎＰ層とＡｌＧａＡｓ
層の膜厚はその量子準位が活性層の発振エネルギーより
も大きくなる厚みであることを特徴とする半導体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32681388A JPH02172287A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32681388A JPH02172287A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02172287A true JPH02172287A (ja) | 1990-07-03 |
Family
ID=18191995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32681388A Pending JPH02172287A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02172287A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04106991A (ja) * | 1990-08-27 | 1992-04-08 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH04147687A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-21 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
| US5357535A (en) * | 1992-01-14 | 1994-10-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser including an aluminum-rich AlGaAs etch stopping layer |
| GB2304454A (en) * | 1995-08-18 | 1997-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device and method of manufacture |
| US5763291A (en) * | 1994-09-05 | 1998-06-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making semiconductor laser |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP32681388A patent/JPH02172287A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04106991A (ja) * | 1990-08-27 | 1992-04-08 | Nec Corp | 半導体レーザ |
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| US5420066A (en) * | 1992-01-14 | 1995-05-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor laser device using etch stop layer |
| US5763291A (en) * | 1994-09-05 | 1998-06-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making semiconductor laser |
| GB2304454A (en) * | 1995-08-18 | 1997-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device and method of manufacture |
| US5706304A (en) * | 1995-08-18 | 1998-01-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| GB2304454B (en) * | 1995-08-18 | 1998-04-08 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device and method for fabricating semiconductor laser device |
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