JPH06188513A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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- JPH06188513A JPH06188513A JP5175234A JP17523493A JPH06188513A JP H06188513 A JPH06188513 A JP H06188513A JP 5175234 A JP5175234 A JP 5175234A JP 17523493 A JP17523493 A JP 17523493A JP H06188513 A JPH06188513 A JP H06188513A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 可視光領域に発振波長を有する半導体レーザ
に関するもので、外部微分量子効率が高く、また横モー
ドの安定性の高い高出力の半導体レーザを提供する。 【構成】 半導体レーザのｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51
Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５の一部が台形状のストライプで
あり、ストライプの外部のｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0 .3）0.51
Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５上にｎ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）
0.51Ｉｎ0.49Ｐ層７、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ層８を積層した構造を有し、台形状のストライプ
の内部の実効屈折率がストライプの外部の実効屈折率よ
り０．０２低くなっている。
に関するもので、外部微分量子効率が高く、また横モー
ドの安定性の高い高出力の半導体レーザを提供する。 【構成】 半導体レーザのｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51
Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５の一部が台形状のストライプで
あり、ストライプの外部のｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0 .3）0.51
Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５上にｎ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）
0.51Ｉｎ0.49Ｐ層７、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ層８を積層した構造を有し、台形状のストライプ
の内部の実効屈折率がストライプの外部の実効屈折率よ
り０．０２低くなっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光効率が高く、基本
横モードの安定性に優れた高出力の半導体レーザおよび
その製造方法に関するものである。
横モードの安定性に優れた高出力の半導体レーザおよび
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】可視光領域でレーザ発振を生じて発光す
る半導体レーザは、レーザ・ビーム・プリンターや光デ
ィスク等の光情報処理用光源などの用途があり、最近そ
の重要性を増している。中でも、（ＡｌxＧａ1-x）0.5
Ｉｎ0.5Ｐ系の材料は、良質の基板材料であるＧａＡｓ
に対して格子整合し、組成ｘを変化させることで０．６
８μｍから０．５６μｍの範囲内の任意の波長を有する
レーザ光を得ることができるため注目されている。
る半導体レーザは、レーザ・ビーム・プリンターや光デ
ィスク等の光情報処理用光源などの用途があり、最近そ
の重要性を増している。中でも、（ＡｌxＧａ1-x）0.5
Ｉｎ0.5Ｐ系の材料は、良質の基板材料であるＧａＡｓ
に対して格子整合し、組成ｘを変化させることで０．６
８μｍから０．５６μｍの範囲内の任意の波長を有する
レーザ光を得ることができるため注目されている。
【０００３】以下、図１０を参照して従来のダブルヘテ
ロ構造の横モード制御型の赤色領域に発振波長を有する
半導体レーザについて説明する。この半導体レーザは、
図１０に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−Ｇａ
Ａｓバッファ層２、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ
0.49Ｐクラッド層３、Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層４、ｐ
− （Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５、
ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層６、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層１３、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９をこの順に備えて
いる。そのキャップ層９上にはｐ側電極１０が、また基
板１の裏面にはｎ側電極１１が形成されている。
ロ構造の横モード制御型の赤色領域に発振波長を有する
半導体レーザについて説明する。この半導体レーザは、
図１０に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−Ｇａ
Ａｓバッファ層２、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ
0.49Ｐクラッド層３、Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層４、ｐ
− （Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５、
ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層６、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層１３、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９をこの順に備えて
いる。そのキャップ層９上にはｐ側電極１０が、また基
板１の裏面にはｎ側電極１１が形成されている。
【０００４】この半導体レーザでは、有機金属気相成長
法（ＭＯＶＰＥ法）などの結晶成長技術が用いられる。
これらの結晶成長技術を用いて、ｎ−ＧａＡｓ基板１上
にｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）
0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層３、Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性
層４、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド
層５およびｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層６を順次堆積す
る。
法（ＭＯＶＰＥ法）などの結晶成長技術が用いられる。
これらの結晶成長技術を用いて、ｎ−ＧａＡｓ基板１上
にｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）
0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層３、Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性
層４、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド
層５およびｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層６を順次堆積す
る。
【０００５】次にホトリソグラフィー技術とエッチング
技術により、ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層６とｐ−（Ａｌ
0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５とを台形状に
エッチングしてストライプ状リッジをクラッド層５に形
成する。その後ＭＯＶＰＥ法などを用いてｎ−ＧａＡｓ
電流ブロック層１３をストライプの外部に選択的に堆積
し、さらにｐ−ＧａＡｓキャップ層９を堆積する。
技術により、ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層６とｐ−（Ａｌ
0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５とを台形状に
エッチングしてストライプ状リッジをクラッド層５に形
成する。その後ＭＯＶＰＥ法などを用いてｎ−ＧａＡｓ
電流ブロック層１３をストライプの外部に選択的に堆積
し、さらにｐ−ＧａＡｓキャップ層９を堆積する。
【０００６】このような半導体レーザの構造では、ｎ−
ＧａＡｓ電流ブロック層１３により電流の狭窄を行うこ
とができ、またｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ
クラッド層５を台形上にエッチングする際に、台形の高
さ及び幅を最適化することにより、単一横モードの条件
を満足する実効屈折率差を台形状のストライプの内外で
つけることができ、活性層４のうち、クラッド層５のス
トライプ状リッジ下部に光を効果的に閉じこめることが
できる。ストライプの幅は典型的には約５μｍである。
ＧａＡｓ電流ブロック層１３により電流の狭窄を行うこ
とができ、またｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ
クラッド層５を台形上にエッチングする際に、台形の高
さ及び幅を最適化することにより、単一横モードの条件
を満足する実効屈折率差を台形状のストライプの内外で
つけることができ、活性層４のうち、クラッド層５のス
トライプ状リッジ下部に光を効果的に閉じこめることが
できる。ストライプの幅は典型的には約５μｍである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来例の構
造では、電流ブロック層として、活性層よりも禁制帯幅
が小さいＧａＡｓを用いている。このため、このＧａＡ
ｓ層が光の吸収層として働く。そのために、吸収による
光の損失が大きく、半導体レーザの共振器内を光が導波
する時の導波損失αiが約１５ｃｍ-1と大きくなる。そ
の結果、半導体レーザの外部微分量子効率が約６０％と
小さくなる。また、この半導体レーザではキンク・レベ
ルは約１２ｍＷと小さい。キンクは横モードが変化する
ことにより生じるが、図１０の構造では基本モードと高
次のモードとの利得の差がさほど大きくなく、注入電流
の増加により容易にモードが変化しやすくなるためであ
る。外部微分量子効率が小さく、基本横モードの安定性
が低いことから、従来例の構造では高い光出力を持つ半
導体レーザが得にくい。
造では、電流ブロック層として、活性層よりも禁制帯幅
が小さいＧａＡｓを用いている。このため、このＧａＡ
ｓ層が光の吸収層として働く。そのために、吸収による
光の損失が大きく、半導体レーザの共振器内を光が導波
する時の導波損失αiが約１５ｃｍ-1と大きくなる。そ
の結果、半導体レーザの外部微分量子効率が約６０％と
小さくなる。また、この半導体レーザではキンク・レベ
ルは約１２ｍＷと小さい。キンクは横モードが変化する
ことにより生じるが、図１０の構造では基本モードと高
次のモードとの利得の差がさほど大きくなく、注入電流
の増加により容易にモードが変化しやすくなるためであ
る。外部微分量子効率が小さく、基本横モードの安定性
が低いことから、従来例の構造では高い光出力を持つ半
導体レーザが得にくい。
【０００８】この発明の目的は、このような課題を解決
し、高い外部微分量子効率を有する、基本横モードの安
定性の高い、高出力の半導体レーザおよびその製造方法
を提供することである。
し、高い外部微分量子効率を有する、基本横モードの安
定性の高い、高出力の半導体レーザおよびその製造方法
を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、半導体基板、及び、該半導体基板上に形成された積
層構造であって、活性層と、該活性層を挟む一対のクラ
ッド層と、該活性層のストライプ状所定領域に電流を注
入するための電流狭窄層とを有する積層構造、を備えた
半導体レーザであって、該電流狭窄層は、該活性層の該
所定領域に対応する領域以外の領域に形成された第１電
流ブロック層を備えており、該第１電流ブロック層は、
該一対のクラッド層の屈折率よりも高い屈折率を有する
半導体層であって、該活性層の禁制帯幅よりも広い禁制
帯幅を有しており、そのことにより、上記目的が達成さ
れる。
は、半導体基板、及び、該半導体基板上に形成された積
層構造であって、活性層と、該活性層を挟む一対のクラ
ッド層と、該活性層のストライプ状所定領域に電流を注
入するための電流狭窄層とを有する積層構造、を備えた
半導体レーザであって、該電流狭窄層は、該活性層の該
所定領域に対応する領域以外の領域に形成された第１電
流ブロック層を備えており、該第１電流ブロック層は、
該一対のクラッド層の屈折率よりも高い屈折率を有する
半導体層であって、該活性層の禁制帯幅よりも広い禁制
帯幅を有しており、そのことにより、上記目的が達成さ
れる。
【００１０】ある実施例では、前記一対のクラッド層の
うち、前記活性層よりも上方に位置するクラッド層は、
該半導体レーザの共振器方向に沿って延びるストライプ
状リッジを有しており、前記第１電流ブロツク層は、該
ストライプ状リッジを有する該クラッド層上において、
該ストライプ状リッジ以外の領域を覆っている。
うち、前記活性層よりも上方に位置するクラッド層は、
該半導体レーザの共振器方向に沿って延びるストライプ
状リッジを有しており、前記第１電流ブロツク層は、該
ストライプ状リッジを有する該クラッド層上において、
該ストライプ状リッジ以外の領域を覆っている。
【００１１】ある実施例では、前記電流狭窄層は、前記
第１電流ブロック層上に設けられた第２電流ブロック層
を更に備えており、該第２電流ブロック層は、前記活性
層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有している半導体層
である。
第１電流ブロック層上に設けられた第２電流ブロック層
を更に備えており、該第２電流ブロック層は、前記活性
層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有している半導体層
である。
【００１２】ある実施例では、前記共振器方向に垂直な
面に関する前記ストライプ状リッジの断面が、台形であ
る。
面に関する前記ストライプ状リッジの断面が、台形であ
る。
【００１３】ある実施例では、前記共振器方向に垂直な
面に関する前記ストライプ状リッジの断面が、長方形で
ある。
面に関する前記ストライプ状リッジの断面が、長方形で
ある。
【００１４】ある実施例では、前記半導体基板は、Ｇａ
Ａｓから形成されており、前記活性層は、ＧａＩｎＰか
ら形成されており、前記第１及び第２電流ブロツク層、
ならびに前記一対のクラッド層は、ＡｌＧａＩｎＰから
形成されている。
Ａｓから形成されており、前記活性層は、ＧａＩｎＰか
ら形成されており、前記第１及び第２電流ブロツク層、
ならびに前記一対のクラッド層は、ＡｌＧａＩｎＰから
形成されている。
【００１５】前記一対のクラッド層のうちの一方は、前
記第１電流ブロツク層を挟みこむ第１層部分及び第２層
部分を有していてもよい。
記第１電流ブロツク層を挟みこむ第１層部分及び第２層
部分を有していてもよい。
【００１６】ある実施例では、前記半導体基板はＧａＡ
ｓから形成されており、前記活性層はＩｎＧａＡｓ層を
含んでおり、前記一対のクラッド層はＧａＩｎＰから形
成されており、前記第１半導体層はＧａＡｓから形成さ
れている。
ｓから形成されており、前記活性層はＩｎＧａＡｓ層を
含んでおり、前記一対のクラッド層はＧａＩｎＰから形
成されており、前記第１半導体層はＧａＡｓから形成さ
れている。
【００１７】前記活性層は、多重量子井戸構造を有して
いてもよい。本発明の半導体レーザの製造方法は、半導
体基板上に積層構造を形成する工程を包含する半導体レ
ーザを製造する方法であって、該工程は、第１クラッド
層を形成する工程と、該第１クラッド層上に活性層を形
成する工程と、該活性層上に第２クラッド層となる膜を
形成する工程と、該膜の一部を選択的にエッチングする
ことにより、該半導体レーザの共振器方向に延びるスト
ライプ状リッジ部を該膜に形成して、それによって第２
クラッド層を形成する工程と、該第２クラッド層のうち
該ストライプ状リッジ部以外の部分の上に、該第２クラ
ッド層の屈折率よりも高い屈折率を有し、かつ、該活性
層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有している第１半導
体層を形成する工程と、該第１半導体層上に、該活性層
の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有している第２半導体
層を形成する工程と、を包含しており、そのことにより
上記目的が達成される。
いてもよい。本発明の半導体レーザの製造方法は、半導
体基板上に積層構造を形成する工程を包含する半導体レ
ーザを製造する方法であって、該工程は、第１クラッド
層を形成する工程と、該第１クラッド層上に活性層を形
成する工程と、該活性層上に第２クラッド層となる膜を
形成する工程と、該膜の一部を選択的にエッチングする
ことにより、該半導体レーザの共振器方向に延びるスト
ライプ状リッジ部を該膜に形成して、それによって第２
クラッド層を形成する工程と、該第２クラッド層のうち
該ストライプ状リッジ部以外の部分の上に、該第２クラ
ッド層の屈折率よりも高い屈折率を有し、かつ、該活性
層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有している第１半導
体層を形成する工程と、該第１半導体層上に、該活性層
の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有している第２半導体
層を形成する工程と、を包含しており、そのことにより
上記目的が達成される。
【００１８】
【作用】本発明の電流狭窄層は、活性層のストライプ状
所定領域に対応する領域以外の領域に形成された第１電
流ブロック層を備えている。この第１電流ブロック層
は、一対のクラッド層の屈折率よりも高い屈折率を有
し、かつ、該活性層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有
している。
所定領域に対応する領域以外の領域に形成された第１電
流ブロック層を備えている。この第１電流ブロック層
は、一対のクラッド層の屈折率よりも高い屈折率を有
し、かつ、該活性層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有
している。
【００１９】第１電流ブロック層は、電流が活性層に流
れ込むことを阻止する機能を有する。このため、第１電
流ブロック層が存在しない領域に対応する活性層の所定
領域にのみ、電流が選択的に注入される。その結果、活
性層のストライプ状所定領域においてのみレーザ光が発
生する。このレーザ光の一部は、活性層から上下方向に
もれ、クラッド層及び第１電流ブロック層に達する。第
１電流ブロック層は、活性層の屈折率よりも高い屈折率
を有しているため、レーザ光は、ストライプ状の所定領
域から横方向へ漏れる。この理由は、一般に、光は屈折
率の高い領域に集まるからである。
れ込むことを阻止する機能を有する。このため、第１電
流ブロック層が存在しない領域に対応する活性層の所定
領域にのみ、電流が選択的に注入される。その結果、活
性層のストライプ状所定領域においてのみレーザ光が発
生する。このレーザ光の一部は、活性層から上下方向に
もれ、クラッド層及び第１電流ブロック層に達する。第
１電流ブロック層は、活性層の屈折率よりも高い屈折率
を有しているため、レーザ光は、ストライプ状の所定領
域から横方向へ漏れる。この理由は、一般に、光は屈折
率の高い領域に集まるからである。
【００２０】基本水平横モードにて発振するレーザ光
と、高次の水平横モードにて発振するレーザ光とを比較
して場合、高次の水平横モードにて発振するレーザ光の
方は、横方向により広く分布している。このため、本発
明の半導体レーザにおいては、高次の水平横モードにて
発振するレーザ光の方が、基本水平横モードにて発振す
るレーザ光よりも、ストライプ状の所定領域から横方向
へ漏れる程度が強い。このため、高次の水平横モードに
て発振するレーザ光は発散し、レーザ発振に寄与しなく
なる。言い替えると、第１電流ブロック層の存在によっ
て、高次の水平横モードにて発振するレーザ光は、基本
水平横モードにて発振するレーザ光に比較して、より高
い閾値利得を有することとなる。その結果、基本水平横
モードにて発振するレーザ光のみを選択的に得ることが
できる。
と、高次の水平横モードにて発振するレーザ光とを比較
して場合、高次の水平横モードにて発振するレーザ光の
方は、横方向により広く分布している。このため、本発
明の半導体レーザにおいては、高次の水平横モードにて
発振するレーザ光の方が、基本水平横モードにて発振す
るレーザ光よりも、ストライプ状の所定領域から横方向
へ漏れる程度が強い。このため、高次の水平横モードに
て発振するレーザ光は発散し、レーザ発振に寄与しなく
なる。言い替えると、第１電流ブロック層の存在によっ
て、高次の水平横モードにて発振するレーザ光は、基本
水平横モードにて発振するレーザ光に比較して、より高
い閾値利得を有することとなる。その結果、基本水平横
モードにて発振するレーザ光のみを選択的に得ることが
できる。
【００２１】また、第１電流ブロツク層が活性層の禁制
帯幅よりも広い禁制帯幅を有しているため、活性層で発
生したレーザ光は第１電流ブロック層に吸収されない。
このため、従来の半導体レーザに比較して、レーサ光の
伝播損失が低減される。
帯幅よりも広い禁制帯幅を有しているため、活性層で発
生したレーザ光は第１電流ブロック層に吸収されない。
このため、従来の半導体レーザに比較して、レーサ光の
伝播損失が低減される。
【００２２】以上説明したように、本発明の半導体レー
ザは、基本水平横モードのレーザ光を低い伝播損失にて
発振させることができる。
ザは、基本水平横モードのレーザ光を低い伝播損失にて
発振させることができる。
【００２３】
【実施例】（実施例１）以下、この発明の実施例を図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００２４】図１にこの発明の一実施例の横モード制御
型の赤色半導体レーザの断面図を示す。
型の赤色半導体レーザの断面図を示す。
【００２５】この半導体レーザは、図１に示すように、
例えばｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層
２を介してＧａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層４（厚さ６００オン
ク゛ストローム）をｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐク
ラッド層３およびｐ−（Ａｌ0 .7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49
Ｐクラッド層５で挟むダブルヘテロ構造を有している。
ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５の
上部には、ｐ−Ｇａ0. 51Ｉｎ0.49Ｐ層６（厚さ１０００
オングストローム）を有し、ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ 0.49Ｐ層
６およびｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッ
ド層５の一部は、台形状のストライプ状リッジに加工さ
れている。クラッド層５においてストライプ状リッジ部
分の厚さは１．３μｍ、ストライプ状リッジ部分以外の
部分の厚さは0.25μｍである。
例えばｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層
２を介してＧａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層４（厚さ６００オン
ク゛ストローム）をｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐク
ラッド層３およびｐ−（Ａｌ0 .7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49
Ｐクラッド層５で挟むダブルヘテロ構造を有している。
ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５の
上部には、ｐ−Ｇａ0. 51Ｉｎ0.49Ｐ層６（厚さ１０００
オングストローム）を有し、ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ 0.49Ｐ層
６およびｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッ
ド層５の一部は、台形状のストライプ状リッジに加工さ
れている。クラッド層５においてストライプ状リッジ部
分の厚さは１．３μｍ、ストライプ状リッジ部分以外の
部分の厚さは0.25μｍである。
【００２６】ストライプ状リッジの両脇のｐ−（Ａｌ
0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５の上には、７
００Åのｎ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層７と
０．７μｍのｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層
８が堆積されている。さらに、ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ
層６およびｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層８
の上部には、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９を有している。
0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５の上には、７
００Åのｎ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層７と
０．７μｍのｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層
８が堆積されている。さらに、ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ
層６およびｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層８
の上部には、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９を有している。
【００２７】上記ストライプ状リッジの幅は基本横モー
ドと高次のモードとの利得の差を大きくとれるような幅
になっており、その幅は約７μｍがよい。７μｍよりも
極端に細い場合、例えば約２μｍの場合には、ストライ
プ外への光の漏洩が大きくなりすぎて、レーザ発振に寄
与しない光が増加して、しきい値電流の上昇や、損失が
大きくなって外部微分量子効率の低下をもたらす。ま
た、ストライプ幅が大きくなりすぎると、基本横モード
と高次のモードとの利得の差が小さくなったり、Ｇａ
0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層４へのキャリアの注入の不均一が
水平方向で生じ、キンク・レベルの低下が発生して、実
用に耐えない。
ドと高次のモードとの利得の差を大きくとれるような幅
になっており、その幅は約７μｍがよい。７μｍよりも
極端に細い場合、例えば約２μｍの場合には、ストライ
プ外への光の漏洩が大きくなりすぎて、レーザ発振に寄
与しない光が増加して、しきい値電流の上昇や、損失が
大きくなって外部微分量子効率の低下をもたらす。ま
た、ストライプ幅が大きくなりすぎると、基本横モード
と高次のモードとの利得の差が小さくなったり、Ｇａ
0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層４へのキャリアの注入の不均一が
水平方向で生じ、キンク・レベルの低下が発生して、実
用に耐えない。
【００２８】また本実施例ではストライプ状リッジの断
面形状は台形であるが、この断面形状は長方形であって
もよい。その場合、リッジの側面上には層７および８を
形成しないことが望ましい。
面形状は台形であるが、この断面形状は長方形であって
もよい。その場合、リッジの側面上には層７および８を
形成しないことが望ましい。
【００２９】この半導体レーザの各層の構成によって決
まる水平方向の実効屈折率を図２に示す。ストライプ状
リッジの内部の実効屈折率は３．３０７、ストライプ状
リッジの外部の実効屈折率は３．３２９であり、外部の
方が０．０２２高い。この実効屈折率差は７００Åのｎ
−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層７と０．７μｍ
のｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層８によって
もたらされている。この実効屈折率差のために基本横モ
ードと高次のモードとの間に大きな利得の差が生じる。
このため、注入電流の量を大きくしてもキンクが発生し
にくいので、キンクの無い状態で高い光出力を得ること
ができる。
まる水平方向の実効屈折率を図２に示す。ストライプ状
リッジの内部の実効屈折率は３．３０７、ストライプ状
リッジの外部の実効屈折率は３．３２９であり、外部の
方が０．０２２高い。この実効屈折率差は７００Åのｎ
−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層７と０．７μｍ
のｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層８によって
もたらされている。この実効屈折率差のために基本横モ
ードと高次のモードとの間に大きな利得の差が生じる。
このため、注入電流の量を大きくしてもキンクが発生し
にくいので、キンクの無い状態で高い光出力を得ること
ができる。
【００３０】ここでｎ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ層７とｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3） 0.51Ｉｎ0.49Ｐ層
８によってもたらされた実効屈折率差のために、基本モ
ードと高次モードとの間に大きな利得の差が生じている
ことを図１１に示す。図１１は、横軸にストライプ幅、
縦軸にしきい値利得ｇthをとったものである。この図に
基本モード（ｍ＝０）と、高次モードとして１次モード
（ｍ＝１）とのしきい値利得の差を（ａ）本発明、
（ｂ）従来例のそれぞれについて記載した。この図１１
からわかるように、（ｂ）の従来例のレーザは、基本モ
ードと１次モードとのしきい値利得の差が小さく１次モ
ードのような高次モードが生じやすい。これに対して本
発明のレーザ（ｂ）は、基本モードと１次モードとのし
きい値利得の差が大きく、１次モードのような高次モー
ドは生じにくい。
0.49Ｐ層７とｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3） 0.51Ｉｎ0.49Ｐ層
８によってもたらされた実効屈折率差のために、基本モ
ードと高次モードとの間に大きな利得の差が生じている
ことを図１１に示す。図１１は、横軸にストライプ幅、
縦軸にしきい値利得ｇthをとったものである。この図に
基本モード（ｍ＝０）と、高次モードとして１次モード
（ｍ＝１）とのしきい値利得の差を（ａ）本発明、
（ｂ）従来例のそれぞれについて記載した。この図１１
からわかるように、（ｂ）の従来例のレーザは、基本モ
ードと１次モードとのしきい値利得の差が小さく１次モ
ードのような高次モードが生じやすい。これに対して本
発明のレーザ（ｂ）は、基本モードと１次モードとのし
きい値利得の差が大きく、１次モードのような高次モー
ドは生じにくい。
【００３１】図１４は、本発明の半導体レーザについ
て、駆動電流（ＣＵＲＲＥＮＴ）と光出力（ＯＵＴＰＵ
Ｔ ＰＯＷＥＲ）との関係を示している。このグラフに
示されているデータは、出射端面が反射率６％の膜によ
ってコーテイングされ、他の端面が反射率８３％の膜に
よってコーテイングされた半導体レーザについて得られ
た。半導体レーザの共振器長は５００μである。光出力
が約６５ｍＷを越えるまで、光出力は駆動電流の増加に
従って直線的に増加しているが、光出力が約６５ｍＷを
越えた後、光出力の増加の程度は一時的に低下する。前
述したように、グラフにおいて、そのような部分を「キ
ンク」という。キンクが発生するのは、光出力があるレ
ベル以下にあるとき、基本モード（ｍ＝１）にあるレー
ザ光だけが発振していたのが、光出力がそのレベル
（「キンクレベル」という）を越えると、基本モード以
外のモード（高次のモード：ｍ≧２）にあるレーザ光と
基本モードにあるレーザ光とが混在しはじめるためであ
る。キンクレベルが高い半導体レーザほど、基本モード
にあるレーザ光を高い光出力にて安定して供給すること
ができる。基本モード（ｍ＝１）にあるレーザ光につい
ての閾値利得と他のモード（ｍ≧２）にあるレーザ光に
ついての閾値利得との差が大きいほど、キンくレベルは
高くなる。
て、駆動電流（ＣＵＲＲＥＮＴ）と光出力（ＯＵＴＰＵ
Ｔ ＰＯＷＥＲ）との関係を示している。このグラフに
示されているデータは、出射端面が反射率６％の膜によ
ってコーテイングされ、他の端面が反射率８３％の膜に
よってコーテイングされた半導体レーザについて得られ
た。半導体レーザの共振器長は５００μである。光出力
が約６５ｍＷを越えるまで、光出力は駆動電流の増加に
従って直線的に増加しているが、光出力が約６５ｍＷを
越えた後、光出力の増加の程度は一時的に低下する。前
述したように、グラフにおいて、そのような部分を「キ
ンク」という。キンクが発生するのは、光出力があるレ
ベル以下にあるとき、基本モード（ｍ＝１）にあるレー
ザ光だけが発振していたのが、光出力がそのレベル
（「キンクレベル」という）を越えると、基本モード以
外のモード（高次のモード：ｍ≧２）にあるレーザ光と
基本モードにあるレーザ光とが混在しはじめるためであ
る。キンクレベルが高い半導体レーザほど、基本モード
にあるレーザ光を高い光出力にて安定して供給すること
ができる。基本モード（ｍ＝１）にあるレーザ光につい
ての閾値利得と他のモード（ｍ≧２）にあるレーザ光に
ついての閾値利得との差が大きいほど、キンくレベルは
高くなる。
【００３２】図１５は、図１に示す構造を有する本発明
の半導体レーザについて、クラッド層４のストライプリ
ッジの幅と、キンクの発生する光出力のレベルとの関係
を示すグラフである。
の半導体レーザについて、クラッド層４のストライプリ
ッジの幅と、キンクの発生する光出力のレベルとの関係
を示すグラフである。
【００３３】測定のために使用した半導体レーザの共振
器長はいずれも３５０μｍで、各半導体レーザの両端面
には反射膜等はコーティングされていない。図１５から
わかるように、本発明の半導体レーザは、従来の半導体
レーザに比較して、キンクレベルが高い。このことは、
本発明の半導体レーザにおいて、基本モード（ｍ＝１）
の閾値利得と他のモード（ｍ≧２）の閾値利得との差
が、従来の半導体レーザにおけるよりも大きいことを示
している。
器長はいずれも３５０μｍで、各半導体レーザの両端面
には反射膜等はコーティングされていない。図１５から
わかるように、本発明の半導体レーザは、従来の半導体
レーザに比較して、キンクレベルが高い。このことは、
本発明の半導体レーザにおいて、基本モード（ｍ＝１）
の閾値利得と他のモード（ｍ≧２）の閾値利得との差
が、従来の半導体レーザにおけるよりも大きいことを示
している。
【００３４】また、ｎ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ層７とｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3） 0.51Ｉｎ0.49Ｐ層
８とは、ｐ側電極１０から流れる電流をブロックし、ク
ラッド層５のストライプ状リッジ内に電流を狭窄し、そ
れによって活性層４の所定の領域に電流を注入する働き
も具備している。
0.49Ｐ層７とｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3） 0.51Ｉｎ0.49Ｐ層
８とは、ｐ側電極１０から流れる電流をブロックし、ク
ラッド層５のストライプ状リッジ内に電流を狭窄し、そ
れによって活性層４の所定の領域に電流を注入する働き
も具備している。
【００３５】本発明では、台形状のストライプの内外に
屈折率差を設ける目的で、７００Åのｎ−（Ａｌ0.2Ｇ
ａ0.8）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層７と０．７μｍのｎ−（Ａｌ
0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層８の２種類の半導体層を
用いている。１層目の半導体層、すなわちｎ−（Ａｌ
0.2Ｇａ0.8）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層７の屈折率は、ｐ−（Ａ
ｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５の屈折率よ
り大きい。２層目にはクラッド層とほぼ屈折率の等しい
ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層８を用いてい
る。光は活性層４の近傍の材料のみの屈折率の影響を受
ける。ストライプの外部で安定な実効屈折率を得ること
ができる。所望のストライプ内外での実効屈折率差は、
ｎ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層７の厚さを変
化させることで容易に得られる。すなわち、ｎ−（Ａｌ
0.2Ｇａ0.8）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層７が厚くなると実効屈折
率差は大きくなり、薄くなると小さくなる。そのストラ
イプ内外での屈折率差は、ｎ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ層７の厚みの調整により、0.01〜0.05の範囲
で制御される。
屈折率差を設ける目的で、７００Åのｎ−（Ａｌ0.2Ｇ
ａ0.8）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層７と０．７μｍのｎ−（Ａｌ
0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層８の２種類の半導体層を
用いている。１層目の半導体層、すなわちｎ−（Ａｌ
0.2Ｇａ0.8）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層７の屈折率は、ｐ−（Ａ
ｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５の屈折率よ
り大きい。２層目にはクラッド層とほぼ屈折率の等しい
ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層８を用いてい
る。光は活性層４の近傍の材料のみの屈折率の影響を受
ける。ストライプの外部で安定な実効屈折率を得ること
ができる。所望のストライプ内外での実効屈折率差は、
ｎ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層７の厚さを変
化させることで容易に得られる。すなわち、ｎ−（Ａｌ
0.2Ｇａ0.8）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層７が厚くなると実効屈折
率差は大きくなり、薄くなると小さくなる。そのストラ
イプ内外での屈折率差は、ｎ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ層７の厚みの調整により、0.01〜0.05の範囲
で制御される。
【００３６】また、ここでは第１層目のＡｌ組成を０．
２としたが、このＡｌ組成を変化させても実効屈折率差
を変化させることができる。すなわち、Ａｌ組成が小さ
くなると実効屈折率差は大きくなり、Ａｌ組成が大きく
なると実効屈折率差は小さくなる。
２としたが、このＡｌ組成を変化させても実効屈折率差
を変化させることができる。すなわち、Ａｌ組成が小さ
くなると実効屈折率差は大きくなり、Ａｌ組成が大きく
なると実効屈折率差は小さくなる。
【００３７】１種類のみの半導体層で同様の実効屈折率
差をつけるためには、屈折率がｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）
0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５のそれより高く、かつ非常
に近い材料、例えば、ｎ−（Ａｌ0.55Ｇａ0.45）0.51Ｉ
ｎ0.49Ｐ層を組成の揺らぎが無く均一に、しかも厚く、
例えば１μｍ以上堆積する必要がある。この場合、ｎ−
（Ａｌ0.55Ｇａ0.45）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層の中へ光が深く
もれるため、光は活性層４から遠く離れた場所での屈折
率の影響を受ける。またｎ−（Ａｌ0.55Ｇａ0. 45）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ層の組成すなわち屈折率が、設定値からずれ
ると、ストライプの内外での実効屈折率がずれたりす
る。またその厚さが薄かったら、Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ活
性層４で生じた光がｐ−ＧａＡｓキャップ層９によって
吸収されて、光エネルギーの損失が生じる。したがっ
て、半導体レーザを作製する時の安定性、再現性が低く
なる恐れが生じる。所望の実効屈折率差を正確に、再現
性よく作るためには２種類以上の半導体層を設けること
が好ましい。
差をつけるためには、屈折率がｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）
0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５のそれより高く、かつ非常
に近い材料、例えば、ｎ−（Ａｌ0.55Ｇａ0.45）0.51Ｉ
ｎ0.49Ｐ層を組成の揺らぎが無く均一に、しかも厚く、
例えば１μｍ以上堆積する必要がある。この場合、ｎ−
（Ａｌ0.55Ｇａ0.45）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層の中へ光が深く
もれるため、光は活性層４から遠く離れた場所での屈折
率の影響を受ける。またｎ−（Ａｌ0.55Ｇａ0. 45）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ層の組成すなわち屈折率が、設定値からずれ
ると、ストライプの内外での実効屈折率がずれたりす
る。またその厚さが薄かったら、Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ活
性層４で生じた光がｐ−ＧａＡｓキャップ層９によって
吸収されて、光エネルギーの損失が生じる。したがっ
て、半導体レーザを作製する時の安定性、再現性が低く
なる恐れが生じる。所望の実効屈折率差を正確に、再現
性よく作るためには２種類以上の半導体層を設けること
が好ましい。
【００３８】この半導体レーザの光出力と半導体レーザ
に注入した電流の関係を図３に示す。この半導体レーザ
では約３０ｍＷまでキンクが無い状態で光出力を得るこ
とができる。また、この半導体レーザの外部微分量子効
率ηDは８５％と高い。それは、水平方向の実効屈折率
差をつけるために、ｎ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ層７とｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層
８を用いているためである。この２層の禁制帯幅はＧａ
0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層４のそれよりも大きい。そのため
に、Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層４で発生した光は吸収さ
れることがなく、したがって導波損失αiは小さく、そ
の結果高い外部微分量子効率を得ることができる。図４
は導波損失を調べるための実験結果で、外部微分量子効
率の逆数１／ηDと半導体レーザの共振器長の関係を示
す図である。１／ηDと共振器長の間には比例関係があ
り、この傾きから導波損失は４．２ｃｍ-1と導出でき
る。従来例の半導体レーザの導波損失は約１５ｃｍ-1で
あるから、本発明の半導体レーザは１／３〜１／４の値
をとることになる。したがって、本発明の半導体レーザ
の外部微分量子効率が高いことが説明できる。
に注入した電流の関係を図３に示す。この半導体レーザ
では約３０ｍＷまでキンクが無い状態で光出力を得るこ
とができる。また、この半導体レーザの外部微分量子効
率ηDは８５％と高い。それは、水平方向の実効屈折率
差をつけるために、ｎ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ層７とｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層
８を用いているためである。この２層の禁制帯幅はＧａ
0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層４のそれよりも大きい。そのため
に、Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層４で発生した光は吸収さ
れることがなく、したがって導波損失αiは小さく、そ
の結果高い外部微分量子効率を得ることができる。図４
は導波損失を調べるための実験結果で、外部微分量子効
率の逆数１／ηDと半導体レーザの共振器長の関係を示
す図である。１／ηDと共振器長の間には比例関係があ
り、この傾きから導波損失は４．２ｃｍ-1と導出でき
る。従来例の半導体レーザの導波損失は約１５ｃｍ-1で
あるから、本発明の半導体レーザは１／３〜１／４の値
をとることになる。したがって、本発明の半導体レーザ
の外部微分量子効率が高いことが説明できる。
【００３９】つぎに本発明の半導体レーザが良好な特性
をもつことの説明として、本発明の遠視野像を測定した
結果を図１２に示す。
をもつことの説明として、本発明の遠視野像を測定した
結果を図１２に示す。
【００４０】（ａ）は半導体レーザの各層に水平な方向
の角度に対する出力光の強度分布であり、（ｂ）は各層
に垂直な方向の角度に対する出力光の強度分布を示して
いる。
の角度に対する出力光の強度分布であり、（ｂ）は各層
に垂直な方向の角度に対する出力光の強度分布を示して
いる。
【００４１】（ａ）の各層に水平方向の遠視野像のメイ
ンのピークの横に小さなサイド・ロブが見られる。この
サイド・ロブは本発明の半導体レーザの特徴であるが、
この半導体レーザが高次モードで発振しているというこ
とではなく、リッジ・ストライプの外にもれた光のため
による。
ンのピークの横に小さなサイド・ロブが見られる。この
サイド・ロブは本発明の半導体レーザの特徴であるが、
この半導体レーザが高次モードで発振しているというこ
とではなく、リッジ・ストライプの外にもれた光のため
による。
【００４２】このように、本発明の半導体レーザは、そ
の遠視野像からともに基本モードで発振していることが
わかる。
の遠視野像からともに基本モードで発振していることが
わかる。
【００４３】なお、図１２に示したメインのピークとサ
イド・ロブをわかりやすく説明したのが図１３である。
半導体レーザの各層に水平な方向の光の強度分布であ
る。
イド・ロブをわかりやすく説明したのが図１３である。
半導体レーザの各層に水平な方向の光の強度分布であ
る。
【００４４】以上述べたように、高い基本横モード安定
性と高い外部微分量子効率から、高出力の半導体レーザ
を得ることができる。
性と高い外部微分量子効率から、高出力の半導体レーザ
を得ることができる。
【００４５】つぎに、この半導体レーザの作製方法を図
５から図９を用いて説明する。まず、ＭＯＶＰＥ法など
の結晶成長方法を用いて、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−
ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉ
ｎ0.49Ｐクラッド層３、Ｇａ 0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層４、
ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５、
ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層６をエピタキシャル成長する
（図５）。ＳｉＯ2１２をｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層６
上に堆積させた後、ホトリソグラフィー技術とエッチン
グ技術を用いて、ＳｉＯ2１２とｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49
Ｐ層６とｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッ
ド層５の一部を台形状のストライプに加工する（図
６）。台形状に加工した後、ＭＯＶＰＥ法の選択成長技
術を用いて、電流ブロック層としてｎ−（Ａｌ0.2Ｇａ
0.8）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層７とｎ−（Ａｌ 0.7Ｇａ0.3）
0.51Ｉｎ0.49Ｐ層８をＳｉＯ2１２上に堆積させること
なく、ストライプの両脇のｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51
Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５上に結晶成長させる（図７）。
その後、ＳｉＯ2１２を除去し、ｐ−ＧａＡｓキャップ
層９を結晶成長させる（図８）。最後にｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層９上にＣｒ／Ｐｔ／Ａｕを堆積してｐ側電極
１０とし、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉを
堆積してｎ側電極１１とする（図９）。
５から図９を用いて説明する。まず、ＭＯＶＰＥ法など
の結晶成長方法を用いて、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−
ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉ
ｎ0.49Ｐクラッド層３、Ｇａ 0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層４、
ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５、
ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層６をエピタキシャル成長する
（図５）。ＳｉＯ2１２をｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層６
上に堆積させた後、ホトリソグラフィー技術とエッチン
グ技術を用いて、ＳｉＯ2１２とｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49
Ｐ層６とｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッ
ド層５の一部を台形状のストライプに加工する（図
６）。台形状に加工した後、ＭＯＶＰＥ法の選択成長技
術を用いて、電流ブロック層としてｎ−（Ａｌ0.2Ｇａ
0.8）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層７とｎ−（Ａｌ 0.7Ｇａ0.3）
0.51Ｉｎ0.49Ｐ層８をＳｉＯ2１２上に堆積させること
なく、ストライプの両脇のｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51
Ｉｎ0.49Ｐクラッド層５上に結晶成長させる（図７）。
その後、ＳｉＯ2１２を除去し、ｐ−ＧａＡｓキャップ
層９を結晶成長させる（図８）。最後にｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層９上にＣｒ／Ｐｔ／Ａｕを堆積してｐ側電極
１０とし、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉを
堆積してｎ側電極１１とする（図９）。
【００４６】このような製造方法により、図１に示すよ
うな横モード制御型の赤色半導体レーザを作製すること
ができる。
うな横モード制御型の赤色半導体レーザを作製すること
ができる。
【００４７】なお、本実施例では台形状のストライプの
内外に実効屈折率差を設けるために、２種類の半導体層
を用いて説明したが、３種類以上用いても実効屈折差を
作ることができる。
内外に実効屈折率差を設けるために、２種類の半導体層
を用いて説明したが、３種類以上用いても実効屈折差を
作ることができる。
【００４８】上記実施例では台形状のストライプの内部
の実効屈折率をストライプの外部のそれよりも、０．０
２２低くしてあるが、この実効屈折率差は０．０１から
０．０５の範囲であれば、本発明の効果は大きい。ただ
し、実効屈折率差が変われば、それに合わせて、台形状
のストライプ幅も変化させなくてはならない。
の実効屈折率をストライプの外部のそれよりも、０．０
２２低くしてあるが、この実効屈折率差は０．０１から
０．０５の範囲であれば、本発明の効果は大きい。ただ
し、実効屈折率差が変われば、それに合わせて、台形状
のストライプ幅も変化させなくてはならない。
【００４９】なおクラッド層５のストライプ状リッジ外
部の厚さｈ、および層７の厚さを変化させることにより
ストライプ状リッジの外の部分の実効屈折率を制御する
ことができる。ｈの厚さの範囲は０．０５〜０．５μ
ｍ、層７の厚さの範囲は０．０２〜０．５μｍ、層８の
厚さの範囲は０．３〜１μｍが好ましい。
部の厚さｈ、および層７の厚さを変化させることにより
ストライプ状リッジの外の部分の実効屈折率を制御する
ことができる。ｈの厚さの範囲は０．０５〜０．５μ
ｍ、層７の厚さの範囲は０．０２〜０．５μｍ、層８の
厚さの範囲は０．３〜１μｍが好ましい。
【００５０】上記実施例では半導体レーザを構成する材
料を指定したが、クラッド層が（ＡｌyＧａ1-y）0.51Ｉ
ｎ0.49Ｐ、活性層が（ＡｌzＧａ1-z）0.51Ｉｎ0.49Ｐ
（ここで、０≦ｚ≦ｙ≦１）の場合でも、外部微分量子
効率が大きく、横モード安定性の高い、高出力の半導体
レーザを容易に作製することができる。
料を指定したが、クラッド層が（ＡｌyＧａ1-y）0.51Ｉ
ｎ0.49Ｐ、活性層が（ＡｌzＧａ1-z）0.51Ｉｎ0.49Ｐ
（ここで、０≦ｚ≦ｙ≦１）の場合でも、外部微分量子
効率が大きく、横モード安定性の高い、高出力の半導体
レーザを容易に作製することができる。
【００５１】また、上記実施例では材料にＡｌＧａＩｎ
Ｐを用いた半導体レーザについて説明したが、他の材料
でも本発明の効果が大きいことは言うまでもない。ＩＩ
Ｉ−Ｖ族の半導体レーザのみならず、ＩＩ−ＶＩ族の材
料から成る半導体レーザでもこの発明の効果は大きい。
Ｐを用いた半導体レーザについて説明したが、他の材料
でも本発明の効果が大きいことは言うまでもない。ＩＩ
Ｉ−Ｖ族の半導体レーザのみならず、ＩＩ−ＶＩ族の材
料から成る半導体レーザでもこの発明の効果は大きい。
【００５２】上記実施例の活性層は、ＡｌＧａＩｎＰ半
導体の単層によって形成されているが、多重量子井戸構
造を有する活性層が使用され得る。そのような活性層と
しては、例えば、、Ｇａ0.44Ｉｎ0.56Ｐウェル層（厚さ
８ｎｍ）、（Ａｌ0.45Ｇａ0. 55）0.51Ｉｎ0.49Ｐバリア
層（厚さ５ｎｍ）、Ｇａ0.44Ｉｎ0.56Ｐウェル層（厚さ
８ｎｍ）、（Ａｌ0.45Ｇａ0.55）0.51Ｉｎ0.49Ｐバリア
層（厚さ５ｎｍ）、及び、Ｇａ0.44Ｉｎ0.56Ｐウェル層
（厚さ８ｎｍ）含んだ活性層を使用してもよい。このよ
うな活性層は、３つのウェル層に０．５％の圧縮歪が生
じているため、歪多重量子井戸活性層と呼ばれる。この
多重量子井戸活性層は、クラッド層に接する一対の（Ａ
ｌ0.45Ｇａ0.55）0.51Ｉｎ0.49Ｐ光閉じ込め層（厚さ１
０ｎｍ）によって、挟まれる。
導体の単層によって形成されているが、多重量子井戸構
造を有する活性層が使用され得る。そのような活性層と
しては、例えば、、Ｇａ0.44Ｉｎ0.56Ｐウェル層（厚さ
８ｎｍ）、（Ａｌ0.45Ｇａ0. 55）0.51Ｉｎ0.49Ｐバリア
層（厚さ５ｎｍ）、Ｇａ0.44Ｉｎ0.56Ｐウェル層（厚さ
８ｎｍ）、（Ａｌ0.45Ｇａ0.55）0.51Ｉｎ0.49Ｐバリア
層（厚さ５ｎｍ）、及び、Ｇａ0.44Ｉｎ0.56Ｐウェル層
（厚さ８ｎｍ）含んだ活性層を使用してもよい。このよ
うな活性層は、３つのウェル層に０．５％の圧縮歪が生
じているため、歪多重量子井戸活性層と呼ばれる。この
多重量子井戸活性層は、クラッド層に接する一対の（Ａ
ｌ0.45Ｇａ0.55）0.51Ｉｎ0.49Ｐ光閉じ込め層（厚さ１
０ｎｍ）によって、挟まれる。
【００５３】（実施例２）図１６を参照して、本発明に
よる他の半導体レーザを説明する。
よる他の半導体レーザを説明する。
【００５４】この半導体レーザは、ｎ−ＧａＡｓ基板６
１、及びｎ−ＧａＡｓ基板６１上に形成された積層構造
を有している。積層構造は、ｎ−ＧａＡｓ基板６１に近
い側から順番に、ｎ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ第１クラッド
層（厚さ：１．５μｍ）６２、ＧａＡｓ第１光閉じ込め
層（厚さ：０．０１μｍ）６３、歪量子井戸活性層６
４、ＧａＡｓ第２光閉じ込め層（厚さ：０．０１μｍ）
６５、ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ 0.49Ｐ第２クラッド層６６、ｎ
−ＧａＡｓ電流ブロック層（厚さ：０．１５μｍ）６
７、ｐ−ＧａＡｓキャップ層（厚さ：３μｍ）６８を含
んでいる。積層構造のｐ−ＧａＡｓキャップ層６８上に
は、ｐ側電極６９が設けられており、ｎ−ＧａＡｓ基板
６１の裏面には、ｎ側電極７０が設けられている。
１、及びｎ−ＧａＡｓ基板６１上に形成された積層構造
を有している。積層構造は、ｎ−ＧａＡｓ基板６１に近
い側から順番に、ｎ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ第１クラッド
層（厚さ：１．５μｍ）６２、ＧａＡｓ第１光閉じ込め
層（厚さ：０．０１μｍ）６３、歪量子井戸活性層６
４、ＧａＡｓ第２光閉じ込め層（厚さ：０．０１μｍ）
６５、ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ 0.49Ｐ第２クラッド層６６、ｎ
−ＧａＡｓ電流ブロック層（厚さ：０．１５μｍ）６
７、ｐ−ＧａＡｓキャップ層（厚さ：３μｍ）６８を含
んでいる。積層構造のｐ−ＧａＡｓキャップ層６８上に
は、ｐ側電極６９が設けられており、ｎ−ＧａＡｓ基板
６１の裏面には、ｎ側電極７０が設けられている。
【００５５】歪量子井戸活性層６４は、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8
Ａｓ第１ウェル層（厚さ：７ｎｍ）６４ａ、ＧａＡｓバ
リア層（厚さ：１０ｎｍ）６４ｂ及びＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａ
ｓ第２ウェル層（厚さ：７ｎｍ）６４ｃが形成する量子
井戸構造を有している。
Ａｓ第１ウェル層（厚さ：７ｎｍ）６４ａ、ＧａＡｓバ
リア層（厚さ：１０ｎｍ）６４ｂ及びＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａ
ｓ第２ウェル層（厚さ：７ｎｍ）６４ｃが形成する量子
井戸構造を有している。
【００５６】ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２クラッド層６
６は、光閉じ込め層に接する第１層部分（厚さ：０．２
μｍ）６６ａと、ｐ−ＧａＡｓキャップ層６８に接する
第２層部分（厚さ：１．５μｍ）６６ｂとに分かれてい
る。ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２クラッド層６６の第１
層部分６６ａと第２層部分６６ｂとの間に、ｎ−ＧａＡ
ｓ電流ブロック層６７が位置している。
６は、光閉じ込め層に接する第１層部分（厚さ：０．２
μｍ）６６ａと、ｐ−ＧａＡｓキャップ層６８に接する
第２層部分（厚さ：１．５μｍ）６６ｂとに分かれてい
る。ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２クラッド層６６の第１
層部分６６ａと第２層部分６６ｂとの間に、ｎ−ＧａＡ
ｓ電流ブロック層６７が位置している。
【００５７】ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層６７は、歪量
子井戸活性層６４のストライプ状の所定領域（電流注入
領域）に対応する領域以外の領域に形成されている。言
い替えると、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層６７は、歪量
子井戸活性層６４の電流注入領域に対応する領域にスト
ライプ状の開口部を有している。開口部の幅Ｗが電流注
入領域の幅を規定している。この幅ｗは典型的には６μ
ｍであるが、約３μｍから約８μｍの範囲において種々
の値が選択され得る。ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層６４
は、ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２クラッド層６６の屈折
率よりも高い屈折率を有し、かつ、活性層６４の禁制帯
幅よりも広い禁制帯幅を有している。
子井戸活性層６４のストライプ状の所定領域（電流注入
領域）に対応する領域以外の領域に形成されている。言
い替えると、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層６７は、歪量
子井戸活性層６４の電流注入領域に対応する領域にスト
ライプ状の開口部を有している。開口部の幅Ｗが電流注
入領域の幅を規定している。この幅ｗは典型的には６μ
ｍであるが、約３μｍから約８μｍの範囲において種々
の値が選択され得る。ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層６４
は、ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２クラッド層６６の屈折
率よりも高い屈折率を有し、かつ、活性層６４の禁制帯
幅よりも広い禁制帯幅を有している。
【００５８】ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２クラッド層６
６の第１層部分６６ａの厚さｈ、及びｎ−ＧａＡｓ電流
ブロック層６７の厚さｄを調整することにより、ストラ
イプ状電流注入領域の内外での実効屈折率差を制御する
ことができる。ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２クラッド層
６６の第１層部分６６ａの厚さは、約０．０５μｍから
約０．５μｍの範囲において選択され得、ｎ−ＧａＡｓ
電流ブロック層６７の厚さは、約０．０２μｍから約
０．５μｍの範囲内で選択され得る。
６の第１層部分６６ａの厚さｈ、及びｎ−ＧａＡｓ電流
ブロック層６７の厚さｄを調整することにより、ストラ
イプ状電流注入領域の内外での実効屈折率差を制御する
ことができる。ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２クラッド層
６６の第１層部分６６ａの厚さは、約０．０５μｍから
約０．５μｍの範囲において選択され得、ｎ−ＧａＡｓ
電流ブロック層６７の厚さは、約０．０２μｍから約
０．５μｍの範囲内で選択され得る。
【００５９】本実施例の半導体レーザにおいても、前述
した構造を有する本発明の半導体レーザと同様の効果が
得られる。
した構造を有する本発明の半導体レーザと同様の効果が
得られる。
【００６０】上記クラッド層としては、ＡｌxＧａ1-xＡ
ｓ（０．２≦ｘ≦０．７）層または（ＡｌxＧａ1-x）
0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦ｘ≦１）層を用いてもよい。（Ａ
ｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦ｘ≦１）層をクラッ
ド層に使用した場合、活性層とクラッド層との間のヘテ
ロ障壁の高さを、本実施例における高さよりも高くする
ことが可能となる。このため、そのようなクラッド層を
採用することにより、より高温で安定に動作し得る半導
体レーザが提供される。
ｓ（０．２≦ｘ≦０．７）層または（ＡｌxＧａ1-x）
0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦ｘ≦１）層を用いてもよい。（Ａ
ｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦ｘ≦１）層をクラッ
ド層に使用した場合、活性層とクラッド層との間のヘテ
ロ障壁の高さを、本実施例における高さよりも高くする
ことが可能となる。このため、そのようなクラッド層を
採用することにより、より高温で安定に動作し得る半導
体レーザが提供される。
【００６１】
【発明の効果】本発明の半導体レーザによれば、 （１）半導体レーザのクラッド層のストライプの外部
に、上記クラッド層より屈折率が高く、かつ活性層の禁
制帯幅よりも広い半導体層を少なくとも具備するため
に、吸収による光の損失が小さいことから導波損失を小
さくでき、外部微分量子効率が高く、また基本横モード
の安定性の高い高出力の半導体レーザを得ることができ
る。
に、上記クラッド層より屈折率が高く、かつ活性層の禁
制帯幅よりも広い半導体層を少なくとも具備するため
に、吸収による光の損失が小さいことから導波損失を小
さくでき、外部微分量子効率が高く、また基本横モード
の安定性の高い高出力の半導体レーザを得ることができ
る。
【００６２】本発明の半導体レーザの製造方法によれ
ば、 （２）半導体基板上に第１クラッド層、活性層、第２ク
ラッド層を順次積層する工程と、第２クラッド層の一部
を台形状のストライプに加工する工程と、該ストライプ
の外部の第２クラッド層上に、電流の注入を阻止するた
めに少なくとも２種類以上の半導体層を積層する工程を
有し、前記２種類以上の半導体層が異なる屈折率を有す
ることから、光の導波損失を小さくすることができ、外
部微分量子効率が高く、また基本横モードの安定性の高
い高出力の半導体レーザを容易に再現性よく作製するこ
とができる。
ば、 （２）半導体基板上に第１クラッド層、活性層、第２ク
ラッド層を順次積層する工程と、第２クラッド層の一部
を台形状のストライプに加工する工程と、該ストライプ
の外部の第２クラッド層上に、電流の注入を阻止するた
めに少なくとも２種類以上の半導体層を積層する工程を
有し、前記２種類以上の半導体層が異なる屈折率を有す
ることから、光の導波損失を小さくすることができ、外
部微分量子効率が高く、また基本横モードの安定性の高
い高出力の半導体レーザを容易に再現性よく作製するこ
とができる。
【図１】本発明の実施例の横モード制御型の赤色半導体
レーザの断面図
レーザの断面図
【図２】本発明の実施例の半導体レーザの層に水平方向
の実効屈折率を表す図
の実効屈折率を表す図
【図３】本発明の実施例の半導体レーザの光出力と電流
の関係を示す図
の関係を示す図
【図４】本発明の効果を説明するための図で、外部微分
量子効率の逆数１／ηDと共振器長の関係を示す図
量子効率の逆数１／ηDと共振器長の関係を示す図
【図５】本発明の半導体レーザの製造工程を表す第１の
工程順断面図
工程順断面図
【図６】本発明の半導体レーザの製造工程を表す第２の
工程順断面図
工程順断面図
【図７】本発明の半導体レーザの製造工程を表す第３の
工程順断面図
工程順断面図
【図８】本発明の半導体レーザの製造工程を表す第４の
工程順断面図
工程順断面図
【図９】本発明の半導体レーザの製造工程を表す第５の
工程順断面図
工程順断面図
【図１０】従来例の赤色半導体レーザの断面図
【図１１】本発明と従来例の基本モードと１次モードの
しきい値利得の差を説明する図
しきい値利得の差を説明する図
【図１２】本発明の半導体レーザの遠視野像を示す図
【図１３】本発明の半導体レーザの各層に水平な方向の
遠視野像を示す図
遠視野像を示す図
【図１４】本発明の半導体レーザの特性を示す図で、出
射端面に反射率６％のコーティング膜を、他の端面に８
３％のコーティング膜を設けた半導体レーザの駆動電流
と光出力の関係を示す図
射端面に反射率６％のコーティング膜を、他の端面に８
３％のコーティング膜を設けた半導体レーザの駆動電流
と光出力の関係を示す図
【図１５】本発明の半導体レーザについて、ストライプ
幅とキンクを発生する光出力の関係を示す図
幅とキンクを発生する光出力の関係を示す図
【図１６】本発明の別の実施例の横モード制御型の半導
体レーザの断面図
体レーザの断面図
１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層 ４ Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層 ５ ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層 ６ ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層 ７ ｎ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層 ８ ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層 ９ ｐ−ＧａＡｓキャップ層 １０ ｐ側電極 １１ ｎ側電極 １２ ＳｉＯ2 １３ ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層 ６１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ６２ ｎ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層 ６３ ＧａＡｓ光閉じ込め層 ６４ 歪量子井戸活性層 ６４ａ Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓウエル層 ６４ｂ ＧａＡｓバリア層 ６４ｃ Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓウエル層 ６５ ＧａＡｓ光閉じ込め層 ６６ ｐ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層 ６６ａ 光閉じ込め層に接する第１層部 ６６ｂ ｐ−ＧａＡｓキャップ層６８に接する第２層部 ６７ ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層 ６８ ｐ−ＧａＡｓキャップ層 ６９ ｐ側電極 ７０ ｎ側電極
Claims (11)
- 【請求項１】半導体基板、及び該半導体基板上に形成さ
れた積層構造であって、活性層と、該活性層を挟む一対
のクラッド層と、該活性層のストライプ状所定領域に電
流を注入するための電流狭窄層とを有する積層構造、 を備えた半導体レーザであって、 該電流狭窄層は、該活性層の該所定領域に対応する領域
以外の領域に形成された第１電流ブロック層を備えてお
り、該第１電流ブロック層は、該一対のクラッド層の屈
折率よりも高い屈折率を有する半導体層であって、該活
性層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有している半導体
レーザ。 - 【請求項２】請求項１に記載の半導体レーザであって、 前記一対のクラッド層のうち、前記活性層よりも上方に
位置するクラッド層は、該半導体レーザの共振器方向に
沿って延びるストライプ状リッジを有しており、 前記第１電流ブロツク層は、該ストライプ状リッジを有
する該クラッド層上において、該ストライプ状リッジ以
外の領域を覆っている半導体レーザ。 - 【請求項３】前記電流狭窄層は、前記第１電流ブロック
層上に設けられた第２電流ブロック層を更に備えてお
り、 該第２電流ブロック層は、前記活性層の禁制帯幅よりも
広い禁制帯幅を有している半導体層である請求項２に記
載の半導体レーザ。 - 【請求項４】前記共振器方向に垂直な面に関する前記ス
トライプ状リッジの断面が、台形である請求項３に記載
の半導体レーザ。 - 【請求項５】前記共振器方向に垂直な面に関する前記ス
トライプ状リッジの断面が、長方形である請求項３に記
載の半導体レーザ。 - 【請求項６】前記半導体基板は、ＧａＡｓから形成され
ており、 前記活性層は、ＧａＩｎＰから形成されており、 前記第１及び第２電流ブロツク層、ならびに前記一対の
クラッド層は、ＡｌＧａＩｎＰから形成されている請求
項３に記載の半導体レーザ。 - 【請求項７】前記活性層は、多重量子井戸構造を有して
いる請求項１に記載の半導体レーザ。 - 【請求項８】前記一対のクラッド層のうちの一方は、前
記第１電流ブロツク層を挟みこむ第１層部分及び第２層
部分を有している請求項１に記載の半導体レーザ。 - 【請求項９】前記半導体基板は、ＧａＡｓから形成され
ており、 前記活性層は、ＩｎＧａＡｓ層を含んでおり、 前記一対のクラッド層は、ＧａＩｎＰから形成されてお
り、 前記第１半導体層は、ＧａＡｓから形成されている請求
項８に記載の半導体レーザ。 - 【請求項１０】前記活性層は、多重量子井戸構造を有し
ている請求項８に記載の半導体レーザ。 - 【請求項１１】半導体基板上に積層構造を形成する工程
を包含する半導体レーザを製造する方法であって、該工
程は、更に、 第１クラッド層を形成する工程と、 該第１クラッド層上に活性層を形成する工程と、 該活性層上に第２クラッド層となる膜を形成する工程
と、 該膜の一部を選択的にエッチングすることにより、該半
導体レーザの共振器方向に延びるストライプ状リッジ部
を該膜に形成して、それによって第２クラッド層を形成
する工程と、 該第２クラッド層のうち該ストライプ状リッジ部以外の
部分の上に、該第２クラッド層の屈折率よりも高い屈折
率を有し、かつ、該活性層の禁制帯幅よりも広い禁制帯
幅を有している第１半導体層を形成する工程と、 該第１半導体層上に、該活性層の禁制帯幅よりも広い禁
制帯幅を有している第２半導体層を形成する工程と、 を包含する半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5175234A JP2702871B2 (ja) | 1992-07-16 | 1993-07-15 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18907492 | 1992-07-16 | ||
| JP4-285740 | 1992-10-23 | ||
| JP28574092 | 1992-10-23 | ||
| JP4-189074 | 1992-10-23 | ||
| JP5175234A JP2702871B2 (ja) | 1992-07-16 | 1993-07-15 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188513A true JPH06188513A (ja) | 1994-07-08 |
| JP2702871B2 JP2702871B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=27324069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5175234A Expired - Fee Related JP2702871B2 (ja) | 1992-07-16 | 1993-07-15 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2702871B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353566A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-12-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
| US6560260B1 (en) | 1998-11-30 | 2003-05-06 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Ridge waveguide semiconductor laser diode |
| US6618417B2 (en) | 1998-11-30 | 2003-09-09 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Ridge waveguide semiconductor laser diode |
| US7072373B2 (en) | 1998-11-30 | 2006-07-04 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Ridge waveguide semiconductor laser diode |
| JP2017005102A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
1993
- 1993-07-15 JP JP5175234A patent/JP2702871B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6560260B1 (en) | 1998-11-30 | 2003-05-06 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Ridge waveguide semiconductor laser diode |
| US6618417B2 (en) | 1998-11-30 | 2003-09-09 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Ridge waveguide semiconductor laser diode |
| US7072373B2 (en) | 1998-11-30 | 2006-07-04 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Ridge waveguide semiconductor laser diode |
| JP2002353566A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-12-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JP2017005102A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2702871B2 (ja) | 1998-01-26 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |