JPS59119783A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS59119783A JPS59119783A JP57234662A JP23466282A JPS59119783A JP S59119783 A JPS59119783 A JP S59119783A JP 57234662 A JP57234662 A JP 57234662A JP 23466282 A JP23466282 A JP 23466282A JP S59119783 A JPS59119783 A JP S59119783A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polarization
- layer
- laser
- gaas
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体発光装置、特にレーザ導波路に波長選択
性の強い回折格子を集積化した構造を有する半導体レー
ザに関するものである。
性の強い回折格子を集積化した構造を有する半導体レー
ザに関するものである。
従来のへき開面を共振器の反射端面とした半導体レーザ
は、多重縦モード（特に高速変調時に顕著）の発振特性
を有するため、光ファイバの分散によｌ） ／＜ルス幅
が広がシ、伝送帯域を低下させる欠点があった。また、
発振波長の温度によるシフト量が大きいことも、実用上
問題となっていた。
は、多重縦モード（特に高速変調時に顕著）の発振特性
を有するため、光ファイバの分散によｌ） ／＜ルス幅
が広がシ、伝送帯域を低下させる欠点があった。また、
発振波長の温度によるシフト量が大きいことも、実用上
問題となっていた。
このため、これらの欠点を解決するものとして、レーザ
導波路に波長選択性の強い回折格子を集積化した例えば
分布帰還形（ＤＦＢ）やブラッグ反射形（ＤＢＲ）とい
われる構造が考案され、ＧａＡｓ／ＡＡＧａＡｓやＩｎ
Ｐ／ｆｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザで実現されている
。
導波路に波長選択性の強い回折格子を集積化した例えば
分布帰還形（ＤＦＢ）やブラッグ反射形（ＤＢＲ）とい
われる構造が考案され、ＧａＡｓ／ＡＡＧａＡｓやＩｎ
Ｐ／ｆｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザで実現されている
。
ところが、これらのＤＦＢレーザやＤＢＲレーザ等は、
このように縦モードの単一性やレーザ発振波長の温度変
化に対する安定性の点で優れる一方で、ＴＥ、ＴＭ両両
波波反射率の差がわずかであるために偏向面が安定しな
いという問題を有している。すなわち、従来のへき開端
面の半導体レーザでは、例えばＧａＡｓからなる活性層
をＮ−ＡｌｙＧａ１−ｙ Ａｓ ＸＰ Ａ％Ｇａ １
−ｙ Ａｓからなる両クラッド層で挾んだＧａＡｓ Ｄ
Ｈレレーで活性層の厚み０２μｍ１同じく活性層の屈折
率ｎ ２ ＝３．６ 、活性層−クラッド層の屈折率差
比（ｎ ２−ｎ １）／ｎ ２ ＝３％ （旧はクラッ
ド層の屈折率）の場合で、ＴＥ偏波の反射率３４％に対
し７Ｍ偏波の反射率は２９ｑｂと相当程度異なシ、反射
率のよシ大きいＴＥ偏波でレーザ発振する。これに対し
ＤＦＢ、ＤＢＲレーザ等では反射率の差はＴＥ、ＴＭＭ
個波と回折格子との結合係数の差によって決まるのであ
るが、ＴＥ、ＴＭ偏波モードの解析によると一般にこの
結合係数の差はわずかであシ、このためにしばしば第１
図に示したようにある温度範囲でＴＭ偏波発振する場合
もあシ、光フアイバ伝送、画像処理等の実用上問題とな
る。第１図はＤＦＢレイについてのしきい値電流密度お
よび波長の温度特性を示したもので、図中ＴＥｏはｍ
＝ ＯのＴＥ偏波、ＴＥｌはｍ＝１のＴＥ偏波、ＴＭは
１Ｍ偏波を示し、破線がしきい値電流密度、ｒ ｔ ｈ
（Ａ／ｃＪ、実線が波長（Ｘ）を表わす。
このように縦モードの単一性やレーザ発振波長の温度変
化に対する安定性の点で優れる一方で、ＴＥ、ＴＭ両両
波波反射率の差がわずかであるために偏向面が安定しな
いという問題を有している。すなわち、従来のへき開端
面の半導体レーザでは、例えばＧａＡｓからなる活性層
をＮ−ＡｌｙＧａ１−ｙ Ａｓ ＸＰ Ａ％Ｇａ １
−ｙ Ａｓからなる両クラッド層で挾んだＧａＡｓ Ｄ
Ｈレレーで活性層の厚み０２μｍ１同じく活性層の屈折
率ｎ ２ ＝３．６ 、活性層−クラッド層の屈折率差
比（ｎ ２−ｎ １）／ｎ ２ ＝３％ （旧はクラッ
ド層の屈折率）の場合で、ＴＥ偏波の反射率３４％に対
し７Ｍ偏波の反射率は２９ｑｂと相当程度異なシ、反射
率のよシ大きいＴＥ偏波でレーザ発振する。これに対し
ＤＦＢ、ＤＢＲレーザ等では反射率の差はＴＥ、ＴＭＭ
個波と回折格子との結合係数の差によって決まるのであ
るが、ＴＥ、ＴＭ偏波モードの解析によると一般にこの
結合係数の差はわずかであシ、このためにしばしば第１
図に示したようにある温度範囲でＴＭ偏波発振する場合
もあシ、光フアイバ伝送、画像処理等の実用上問題とな
る。第１図はＤＦＢレイについてのしきい値電流密度お
よび波長の温度特性を示したもので、図中ＴＥｏはｍ
＝ ＯのＴＥ偏波、ＴＥｌはｍ＝１のＴＥ偏波、ＴＭは
１Ｍ偏波を示し、破線がしきい値電流密度、ｒ ｔ ｈ
（Ａ／ｃＪ、実線が波長（Ｘ）を表わす。
３００Ｋ 付近でＴＥ偏波よｊｌ）１Ｍ偏波の発振し
きい値電流密度が小さくなっていることがわかる。
きい値電流密度が小さくなっていることがわかる。
ＴＥ偏波の選択性を強くする方法としては、第偏波のそ
れよ）も大きくする方法が考えられる。
れよ）も大きくする方法が考えられる。
第２図はＤＢＲレーザに吸収媒質を装荷した例であシ、
図中１はＮ−ＧａＡｓ基板、２はＮ Ａ７ｙＧａｌ−
ｙＡｓクラッド層、３はＰ −Ａ４ｙＧａ １−ｙ Ａ
ｓクラッド層、４はＰ−ＧａＡｓコンタクト層、５は
Ｇ ａ Ａ ｓ活性層、６，７は電極、８，９がガイド
層に設けたＤＢＲ反射部、１０が吸収媒質である。しか
し、この方法では吸収媒質があるためにしきい値電流の
上昇を招くとともに、構造上複雑であるために製作が困
難であるＯ他の方法として、一端面をへき開面にするこ
とによってＴＥ偏波の反射率を上げる方法も考えられる
が、ｋｉそ一ドの単一化を実現するためにはへき開面の
位置を波長以下の精度で決める必要があシ、その製作は
非常に困難である。
図中１はＮ−ＧａＡｓ基板、２はＮ Ａ７ｙＧａｌ−
ｙＡｓクラッド層、３はＰ −Ａ４ｙＧａ １−ｙ Ａ
ｓクラッド層、４はＰ−ＧａＡｓコンタクト層、５は
Ｇ ａ Ａ ｓ活性層、６，７は電極、８，９がガイド
層に設けたＤＢＲ反射部、１０が吸収媒質である。しか
し、この方法では吸収媒質があるためにしきい値電流の
上昇を招くとともに、構造上複雑であるために製作が困
難であるＯ他の方法として、一端面をへき開面にするこ
とによってＴＥ偏波の反射率を上げる方法も考えられる
が、ｋｉそ一ドの単一化を実現するためにはへき開面の
位置を波長以下の精度で決める必要があシ、その製作は
非常に困難である。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的は導波路に回折格子を集積化した半導体レーザにお
いて、製作プロセスが容易でしかも発振しきい値電流の
上昇を招くことな（ＴＥ偏波の選択性を強くした半導体
発光素子を提供することにある。
目的は導波路に回折格子を集積化した半導体レーザにお
いて、製作プロセスが容易でしかも発振しきい値電流の
上昇を招くことな（ＴＥ偏波の選択性を強くした半導体
発光素子を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、活性層に
超格子構造を用いたものである。
超格子構造を用いたものである。
すなわち、通常のダブルへテロ接合ダイオードレーザ（
ＤＨレレー）では、活性層の利得にＴＥ。
ＤＨレレー）では、活性層の利得にＴＥ。
ＴＭ偏波依存性はなく、レーザ導波における閉込め係数
のＴＥ 、１Ｍ偏波での違いに起因する差がわずかに存
在するのみであシ、基本的にＴＥ 、 １Ｍ偏波はほぼ
同一の強さを有しそのために回折格子のピッチとの関係
でＴＭ偏波発信が生じ得たのに対し、超格子構造の活性
層では、例えばＧａＡｓとＡ７ＧａＡｓのきわめて薄い
層が交互に積層しであるため、ＧａＡｓ井戸層が上下の
Ａ７ｘＧａｔ−ｘＡｓバリア層の影響を受けて光の電界
の偏波方向が超格子と平行（ＴＥ偏波）な場合と垂直（
１Ｍ偏波）な場合とでその利得係数に相当の差が生じる
。第３図に、へき開端面の半導体レーザについて、利得
特性の偏波面による差を実験的に求めた結果を示す。
のＴＥ 、１Ｍ偏波での違いに起因する差がわずかに存
在するのみであシ、基本的にＴＥ 、 １Ｍ偏波はほぼ
同一の強さを有しそのために回折格子のピッチとの関係
でＴＭ偏波発信が生じ得たのに対し、超格子構造の活性
層では、例えばＧａＡｓとＡ７ＧａＡｓのきわめて薄い
層が交互に積層しであるため、ＧａＡｓ井戸層が上下の
Ａ７ｘＧａｔ−ｘＡｓバリア層の影響を受けて光の電界
の偏波方向が超格子と平行（ＴＥ偏波）な場合と垂直（
１Ｍ偏波）な場合とでその利得係数に相当の差が生じる
。第３図に、へき開端面の半導体レーザについて、利得
特性の偏波面による差を実験的に求めた結果を示す。
図において、横軸は注入電流■をしきい値電流Ｉｔｈ
との比で示し、縦軸は利得Ｉ−αｌを示す。
との比で示し、縦軸は利得Ｉ−αｌを示す。
またＴＥがＴＥ偏波、ＴＭが１Ｍ偏波についての結果を
示す。図から明らかなように、レーザが発振するしきい
値電流近傍（■／ｘｔｈ＝ｔ、ｏ ）でＴＥ偏波の利得
が１Ｍ偏波のそれと比較して１４０（ｔＭ）も大きく、
利得係数（直線の傾き）も３倍以上大きい。このＴＥ、
１Ｍ偏波の利得の差はきわめて大きく、１Ｍ偏波で発振
するためにはじきい値電流の２倍以上の電流が必要であ
る（もちろん、実際にはＴＥ偏波でレーザ発振するため
に利得が飽和し、１Ｍ偏波の発振は起こらない。）以下
、実施例について説明する。
示す。図から明らかなように、レーザが発振するしきい
値電流近傍（■／ｘｔｈ＝ｔ、ｏ ）でＴＥ偏波の利得
が１Ｍ偏波のそれと比較して１４０（ｔＭ）も大きく、
利得係数（直線の傾き）も３倍以上大きい。このＴＥ、
１Ｍ偏波の利得の差はきわめて大きく、１Ｍ偏波で発振
するためにはじきい値電流の２倍以上の電流が必要であ
る（もちろん、実際にはＴＥ偏波でレーザ発振するため
に利得が飽和し、１Ｍ偏波の発振は起こらない。）以下
、実施例について説明する。
第４図は、本発明をＤＢＲレーザに適用した場合の一実
施例を示す断面図である。図において、１１はＧａＡｓ
／ Ａ／ＧａＡｓの超格子層から構成される活性層で、
第５図に示したように数１００Ｘ以下のＧａＡｓ井戸層
１２とＡｌｘＧａｔ−ｘ Ａｓ ／リア層１３とを交互
に多層に積上げた超格子構造を有している。
施例を示す断面図である。図において、１１はＧａＡｓ
／ Ａ／ＧａＡｓの超格子層から構成される活性層で、
第５図に示したように数１００Ｘ以下のＧａＡｓ井戸層
１２とＡｌｘＧａｔ−ｘ Ａｓ ／リア層１３とを交互
に多層に積上げた超格子構造を有している。
その他は第２図と同様で、２，３はそれぞれＮ形。
Ｐ形のＡＪｙＧａｌ−ｙ Ａｓ フジラド層（ｙ≧Ｘ）
、１はＮ−ＧａＡｓ基板、４はＰ−ＧａＡｓコンタクト
層、６．７は電極、８．−９はＤＢＲ形の反射部である
０また、第６図は本発明をＤＦＢレーザに適用した場合
の一実施例を示す断面図であシ、図中１４は分布帰還形
の光ガイド層である０本実施例においても、活性層１１
は第５図に示したと同様の超格子構造を有している。
、１はＮ−ＧａＡｓ基板、４はＰ−ＧａＡｓコンタクト
層、６．７は電極、８．−９はＤＢＲ形の反射部である
０また、第６図は本発明をＤＦＢレーザに適用した場合
の一実施例を示す断面図であシ、図中１４は分布帰還形
の光ガイド層である０本実施例においても、活性層１１
は第５図に示したと同様の超格子構造を有している。
このように活性層に超格子構造を用いたことによｊｌ）
、ＤＢＲ，ＤＦＢレーザが有する優れた特徴、すなわち
縦モードの単一性に優れ、レーザ発振波長の温度安定性
に優れるという特徴を損なうことなく、超格子構造に起
因するＴＥ偏波、１Ｍ偏波の利得の大きな差によって、
ＴＥ偏波の選択性を強クシ、偏光面を安定にできること
が確認された。
、ＤＢＲ，ＤＦＢレーザが有する優れた特徴、すなわち
縦モードの単一性に優れ、レーザ発振波長の温度安定性
に優れるという特徴を損なうことなく、超格子構造に起
因するＴＥ偏波、１Ｍ偏波の利得の大きな差によって、
ＴＥ偏波の選択性を強クシ、偏光面を安定にできること
が確認された。
ところで、従来変調時における縦モードの単一性および
温度変化に対する波長の安定性の向上を目的として、へ
き開端面の半導体レーザにおいて１００Ｘ程度のＧａＡ
ａ井戸層とｔｏｏＸ程度のＡ／ｘＧａ １ ＋ ２ Ａ
ｓ バリア層の多層構造からなる超格子構造を活性
層に内蔵した多量子井戸レーザがあり（例えば米国特許
第３，９８２，２０７号（１９７６年９月２１日参照）
、２次元的な井戸に閉込められた電子の状態密度は階段
状になることからこの階段状の状態密度を反映して発振
スペクトルが通常のＤＨレレーに比較して狭く、レーザ
発振しきい値電流密度Ｊｔｈが小さくなシ、また井戸層
の厚みを変えるだけで容易にレーザ発振波長を考えるこ
とができるという特徴を有している。とのような通常の
多量子井戸構造においては、バリア層のＡＩ組成Ｘおよ
び層厚ＬＢを変えることによ多量子井戸間の相互作用の
強さが変化し、一般にＸが大きいほど、またＬＢが大き
いほど相互作用の強さは小さくなる。この量子井戸間の
相互作用は、弱すぎると電流の注入効率が下がるためし
きい値電流密度ＪＨ，を上げ、他方強すぎても電子の量
子井戸への閉込め係数が小さくなるために２次元化した
効果が小さくなってやはｉ） Ｊｔｈを上げる。このだ
め、実験的にはＡＪｉ！ＸＧａ １−ｚ Ａｓバリア層
のＡ７組成Ｘは０．２、層厚ＬＢは３０Ｘが最適値とさ
れている（例えばＡｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、 ３
９（１０） 、 １９８１゜ｐ７８６−７８８参照）。
温度変化に対する波長の安定性の向上を目的として、へ
き開端面の半導体レーザにおいて１００Ｘ程度のＧａＡ
ａ井戸層とｔｏｏＸ程度のＡ／ｘＧａ １ ＋ ２ Ａ
ｓ バリア層の多層構造からなる超格子構造を活性
層に内蔵した多量子井戸レーザがあり（例えば米国特許
第３，９８２，２０７号（１９７６年９月２１日参照）
、２次元的な井戸に閉込められた電子の状態密度は階段
状になることからこの階段状の状態密度を反映して発振
スペクトルが通常のＤＨレレーに比較して狭く、レーザ
発振しきい値電流密度Ｊｔｈが小さくなシ、また井戸層
の厚みを変えるだけで容易にレーザ発振波長を考えるこ
とができるという特徴を有している。とのような通常の
多量子井戸構造においては、バリア層のＡＩ組成Ｘおよ
び層厚ＬＢを変えることによ多量子井戸間の相互作用の
強さが変化し、一般にＸが大きいほど、またＬＢが大き
いほど相互作用の強さは小さくなる。この量子井戸間の
相互作用は、弱すぎると電流の注入効率が下がるためし
きい値電流密度ＪＨ，を上げ、他方強すぎても電子の量
子井戸への閉込め係数が小さくなるために２次元化した
効果が小さくなってやはｉ） Ｊｔｈを上げる。このだ
め、実験的にはＡＪｉ！ＸＧａ １−ｚ Ａｓバリア層
のＡ７組成Ｘは０．２、層厚ＬＢは３０Ｘが最適値とさ
れている（例えばＡｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、 ３
９（１０） 、 １９８１゜ｐ７８６−７８８参照）。
これに対し、ＤＦＢ、ＤＢＲ等の構造を有する半導体レ
ーザに超格子構造を導入した本発明においては、前述し
たようにＴＥ、ＴＭ両両波波利得の差が重要となる。こ
のＴＥ、１Ｍ偏波の利得差を表わす１つの指標として、
ＴＥ、１Ｍ偏波の発光波長差、換言すれば１Ｍ偏波の発
光ピークエネルギーＥＴＭとＴＥ偏波の発光ピークエネ
ルギーＥＴＥとの差がある。第７図に、このエネルギー
差ＥＴＭ−ＥＴＥのｘ 、 ＬＢ依存性を示す。図にお
いてイがＸ＝０．２０゜口がＸ＝０．３０、ハがｚ＝Ｑ
、４５の場合を示す。点Ａが、上述した通常の多量子井
戸レーザにおける最適値を示すが、これに対し本発明の
半導体発光素子においては、ＴＥ、１Ｍ偏波の利得差を
十分にと多安定にＴＥ偏波の発振を行なわせるために、
図中斜線で示したようにバリア層厚ＬＢは点Ａの３０Ｘ
よシむしろ大きく、また量子化レベルが存在するために
はＸの値は同じく点Ａの０．２０よシ大きい領域にある
ことが好ましい。
ーザに超格子構造を導入した本発明においては、前述し
たようにＴＥ、ＴＭ両両波波利得の差が重要となる。こ
のＴＥ、１Ｍ偏波の利得差を表わす１つの指標として、
ＴＥ、１Ｍ偏波の発光波長差、換言すれば１Ｍ偏波の発
光ピークエネルギーＥＴＭとＴＥ偏波の発光ピークエネ
ルギーＥＴＥとの差がある。第７図に、このエネルギー
差ＥＴＭ−ＥＴＥのｘ 、 ＬＢ依存性を示す。図にお
いてイがＸ＝０．２０゜口がＸ＝０．３０、ハがｚ＝Ｑ
、４５の場合を示す。点Ａが、上述した通常の多量子井
戸レーザにおける最適値を示すが、これに対し本発明の
半導体発光素子においては、ＴＥ、１Ｍ偏波の利得差を
十分にと多安定にＴＥ偏波の発振を行なわせるために、
図中斜線で示したようにバリア層厚ＬＢは点Ａの３０Ｘ
よシむしろ大きく、また量子化レベルが存在するために
はＸの値は同じく点Ａの０．２０よシ大きい領域にある
ことが好ましい。
なお、以上の説明はＤＦＢレーザ、ＤＢＲレーザの場合
を例に行なったが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、同様にレーザ導波路に波長選択性の強い回折格子
を集積化した他の半導体レーザ、例えばテーパ結合ＤＢ
Ｒレーザ、ＤＢＲ−ＩＴＧ （二重導波路形）レーザ等
に適用しても同様の効果を得ることができる。
を例に行なったが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、同様にレーザ導波路に波長選択性の強い回折格子
を集積化した他の半導体レーザ、例えばテーパ結合ＤＢ
Ｒレーザ、ＤＢＲ−ＩＴＧ （二重導波路形）レーザ等
に適用しても同様の効果を得ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、ＤＦＢ。
ＤＢＲレーザ等の導波路に回折格子を□集積化した半導
体レーザにおいて活性層に超格子構造を用いたことによ
シ、これらＤＦＢ、ＤＢＲレーザ等がへき開端面を用い
たレーザに対して本来有する優れた特徴に加え、導波路
上部に吸収媒質を装荷したシ一端面をへき開面にする場
合のようなしきい値電流の上昇や製造プロセス上の困難
を伴なうことなくＴＥ偏波の選択性を強め、偏光面を安
定にすることができるという優れた効果を有する。
体レーザにおいて活性層に超格子構造を用いたことによ
シ、これらＤＦＢ、ＤＢＲレーザ等がへき開端面を用い
たレーザに対して本来有する優れた特徴に加え、導波路
上部に吸収媒質を装荷したシ一端面をへき開面にする場
合のようなしきい値電流の上昇や製造プロセス上の困難
を伴なうことなくＴＥ偏波の選択性を強め、偏光面を安
定にすることができるという優れた効果を有する。
第１図はＤＦＢレーザのしきい値電流密度および波長の
温度特性を示す図、第２図は従来のＤＢＲレーザに吸収
媒質を装荷してＴＥ偏波の選択性を強めた例を示す断面
図、第３図はへき開端面の超格子レーザの利得特性の偏
波面による差を示す図、第４図は本発明の一実施例を示
す断面図、第５図はその活性層の構造を示す詳細図、第
６図は本発明の他の実施例を示す断面図、第７図はＴＥ
、１Ｍ偏波の発光ピークエネルギー差のＡ７ｘＧａ１．
−ｚＡｓバリア層Ａ１組成Ｘおよびバリア層厚ＬＢ依存
性を示す図である。 １ ・・＊ ｍ Ｎ−ＧａＡｓ基板、２・・・・Ｎ−Ａ
ｌｙＧａｘ−ｙＡｓクラッド層、３ ＠ ＠ ＠ １１
Ｐ−ＡｌｙＧａｌ −ｙＡｓクラッド層、４ ＊ ｅ
＃ ＠ Ｐ−ＧａＡｓ７ンククト層、５・・・・Ｇａ
Ａｓ活性層、６，７・・・・電極、８，９・・・−ＤＢ
Ｒ反射部、１１・・・・超格子構造を有する活性層、１
２・−・・ＧａＡｇ井戸層、１３＠・ｅ＠ＡｌｘＧａ１
−ＸＡＳバリア層、１４・・・・分布帰還形の光ガイド
層。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 山 川 政 樹 第１図 温度ＩＫＩ 第２図 ３８０− 第３図 ０．６ ０．８ １．０ Ｃ王入電ｓｆ、 ｉ／ｉｔｈ 第４図 バリア層厚Ｌｅ （Ｘ）
温度特性を示す図、第２図は従来のＤＢＲレーザに吸収
媒質を装荷してＴＥ偏波の選択性を強めた例を示す断面
図、第３図はへき開端面の超格子レーザの利得特性の偏
波面による差を示す図、第４図は本発明の一実施例を示
す断面図、第５図はその活性層の構造を示す詳細図、第
６図は本発明の他の実施例を示す断面図、第７図はＴＥ
、１Ｍ偏波の発光ピークエネルギー差のＡ７ｘＧａ１．
−ｚＡｓバリア層Ａ１組成Ｘおよびバリア層厚ＬＢ依存
性を示す図である。 １ ・・＊ ｍ Ｎ−ＧａＡｓ基板、２・・・・Ｎ−Ａ
ｌｙＧａｘ−ｙＡｓクラッド層、３ ＠ ＠ ＠ １１
Ｐ−ＡｌｙＧａｌ −ｙＡｓクラッド層、４ ＊ ｅ
＃ ＠ Ｐ−ＧａＡｓ７ンククト層、５・・・・Ｇａ
Ａｓ活性層、６，７・・・・電極、８，９・・・−ＤＢ
Ｒ反射部、１１・・・・超格子構造を有する活性層、１
２・−・・ＧａＡｇ井戸層、１３＠・ｅ＠ＡｌｘＧａ１
−ＸＡＳバリア層、１４・・・・分布帰還形の光ガイド
層。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 山 川 政 樹 第１図 温度ＩＫＩ 第２図 ３８０− 第３図 ０．６ ０．８ １．０ Ｃ王入電ｓｆ、 ｉ／ｉｔｈ 第４図 バリア層厚Ｌｅ （Ｘ）
Claims (1)
- レーザ導波路に波長選択性の強い回折格子を集積化した
半導体レーザにおいて、活性層に超格子構造を用いたこ
とを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57234662A JPS59119783A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57234662A JPS59119783A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119783A true JPS59119783A (ja) | 1984-07-11 |
Family
ID=16974513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57234662A Pending JPS59119783A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119783A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045084A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レ−ザ |
| JPS60128690A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS61236186A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レ−ザ装置 |
| EP0201930A2 (en) * | 1985-05-15 | 1986-11-20 | Sumitomo Electric Industries Limited | Light emitting semiconductor device |
| US4733114A (en) * | 1985-10-07 | 1988-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Stepping motor |
| JPS6392076A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
| JPH01500787A (ja) * | 1986-07-01 | 1989-03-16 | ヒユーズ・エアクラフト・カンパニー | 増大した電荷キャリア濃度を有する量子井戸レーザ |
| WO1990009047A1 (en) * | 1989-02-02 | 1990-08-09 | Fujitsu Limited | Integrated optical semiconductor device and method of producing the same |
| KR100650996B1 (ko) | 2005-01-17 | 2006-11-29 | 주식회사 이츠웰 | 미세 돌기를 형성한 표면부를 포함하는 질화물 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조방법 |
-
1982
- 1982-12-25 JP JP57234662A patent/JPS59119783A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045084A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レ−ザ |
| JPS60128690A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS61236186A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レ−ザ装置 |
| EP0201930A2 (en) * | 1985-05-15 | 1986-11-20 | Sumitomo Electric Industries Limited | Light emitting semiconductor device |
| JPS6254489A (ja) * | 1985-05-15 | 1987-03-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子 |
| US4733114A (en) * | 1985-10-07 | 1988-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Stepping motor |
| JPH01500787A (ja) * | 1986-07-01 | 1989-03-16 | ヒユーズ・エアクラフト・カンパニー | 増大した電荷キャリア濃度を有する量子井戸レーザ |
| JPS6392076A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
| WO1990009047A1 (en) * | 1989-02-02 | 1990-08-09 | Fujitsu Limited | Integrated optical semiconductor device and method of producing the same |
| KR100650996B1 (ko) | 2005-01-17 | 2006-11-29 | 주식회사 이츠웰 | 미세 돌기를 형성한 표면부를 포함하는 질화물 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조방법 |
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