JPH09246664A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH09246664A JPH09246664A JP5313396A JP5313396A JPH09246664A JP H09246664 A JPH09246664 A JP H09246664A JP 5313396 A JP5313396 A JP 5313396A JP 5313396 A JP5313396 A JP 5313396A JP H09246664 A JPH09246664 A JP H09246664A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リッジ部を有するストライプ構造の半導体レ
ーザにおいて、単一基本モード発振する領域を高出力ま
で広げ、かつ高出力発振時の出射ビームを安定させる。 【解決手段】 半導体レーザのストライプ状リッジ部の
両側壁の導波方向中央部に凹凸状の粗面光導波機構１を
設け、導波方向両端部に平行滑面光導波機構２を設け
る。
ーザにおいて、単一基本モード発振する領域を高出力ま
で広げ、かつ高出力発振時の出射ビームを安定させる。 【解決手段】 半導体レーザのストライプ状リッジ部の
両側壁の導波方向中央部に凹凸状の粗面光導波機構１を
設け、導波方向両端部に平行滑面光導波機構２を設け
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ、特
に上面にリッジ状のクラッド層を有するストライプ構造
の半導体レーザに関するものである。
に上面にリッジ状のクラッド層を有するストライプ構造
の半導体レーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、情報・画像処理、通信、計測
および医療等の分野で光源として半導体レーザが用いら
れており、半導体レーザを利用して単一波長の高出力の
光ビームを得る試みが種々なされている。
および医療等の分野で光源として半導体レーザが用いら
れており、半導体レーザを利用して単一波長の高出力の
光ビームを得る試みが種々なされている。
【０００３】高出力発振時まで基本横モード制御された
半導体レーザとして、特開平６−216472号に示すよう
に、半導体レーザのリッジ側壁を粗面化して半導体レー
ザ導波管構造を形成し、基本モードより上位のモードの
散乱損失を大きくし、基本モードのみが高い出力まで維
持できるような構造が知られている。
半導体レーザとして、特開平６−216472号に示すよう
に、半導体レーザのリッジ側壁を粗面化して半導体レー
ザ導波管構造を形成し、基本モードより上位のモードの
散乱損失を大きくし、基本モードのみが高い出力まで維
持できるような構造が知られている。
【０００４】しかし上記構造では、高出力になった時に
は共振器内の基本モードの散乱損失も大きくなるので、
高出力を達成するために電流の注入量を多くせねばなら
ない。このため、半導体レーザ素子の温度が上昇し、端
面での光学損傷により劣化し、高出力発振時の信頼性が
悪いという欠点がある。
は共振器内の基本モードの散乱損失も大きくなるので、
高出力を達成するために電流の注入量を多くせねばなら
ない。このため、半導体レーザ素子の温度が上昇し、端
面での光学損傷により劣化し、高出力発振時の信頼性が
悪いという欠点がある。
【０００５】また、高出力発振時まで基本横モード制御
された別の半導体レーザとして、Applied Physics Lett
ers （アプライド・フィジックス・レターズ）Vol.50 N
o.5,(1986)pp.233〜235 において、基本横モード制御さ
れた導波管の端面近傍にテーパ状の導波領域を設け、端
面での光強度密度を低減し、光学損傷による劣化を防ぎ
信頼性を向上させた半導体レーザが知られている。
された別の半導体レーザとして、Applied Physics Lett
ers （アプライド・フィジックス・レターズ）Vol.50 N
o.5,(1986)pp.233〜235 において、基本横モード制御さ
れた導波管の端面近傍にテーパ状の導波領域を設け、端
面での光強度密度を低減し、光学損傷による劣化を防ぎ
信頼性を向上させた半導体レーザが知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記構造では、
高出力発振時には、基本横モード制御を行っている導波
管の幅が広いために、注入しているキャリアの空間的ホ
ールバーニングにより電流・光出力特性にキンクが生じ
る。このために、発振ビームの波長及び形状が安定しな
いという欠点がある。
高出力発振時には、基本横モード制御を行っている導波
管の幅が広いために、注入しているキャリアの空間的ホ
ールバーニングにより電流・光出力特性にキンクが生じ
る。このために、発振ビームの波長及び形状が安定しな
いという欠点がある。
【０００７】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、単一基本モード発振する領域を高出力まで広
げ、かつ、高出力発振時の出射ビームを安定させて、長
期の駆動時の信頼性を向上させた、光情報、画像処理の
高機能化に寄与する半導体レーザを提供することを目的
とするものである。
であり、単一基本モード発振する領域を高出力まで広
げ、かつ、高出力発振時の出射ビームを安定させて、長
期の駆動時の信頼性を向上させた、光情報、画像処理の
高機能化に寄与する半導体レーザを提供することを目的
とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、半導体基板上に少なくとも第一クラッド層、活性層
および第二クラッド層が順次形成され、前記第二クラッ
ド層が上方に延びるリッジ部を有するストライプ構造の
半導体レーザにおいて、前記リッジ部が、両側壁を粗面
とした粗面光導波機構と、前記両側壁を滑面とした滑面
光導波機構とを導波方向に交互に並べて有することを特
徴とするものである。
は、半導体基板上に少なくとも第一クラッド層、活性層
および第二クラッド層が順次形成され、前記第二クラッ
ド層が上方に延びるリッジ部を有するストライプ構造の
半導体レーザにおいて、前記リッジ部が、両側壁を粗面
とした粗面光導波機構と、前記両側壁を滑面とした滑面
光導波機構とを導波方向に交互に並べて有することを特
徴とするものである。
【０００９】前記半導体レーザにおいて、前記粗面光導
波機構が前記導波方向の中央部に形成され、前記導波方
向の両端部に前記滑面光導波機構が形成される構成をと
ることもできる。
波機構が前記導波方向の中央部に形成され、前記導波方
向の両端部に前記滑面光導波機構が形成される構成をと
ることもできる。
【００１０】この場合、前記粗面光導波機構の両側壁と
前記滑面光導波機構の両側壁とが前記導波方向に平行に
形成されていてもよい。さらに、粗面光導波機構が２以
上ありその２以上ある粗面光導波機構の間に滑面光導波
機構を有する構成をとることもできる。また、前記滑面
光導波機構の前記両側壁が前記導波方向両端部に近づく
につれて間隔の広がったテーパ状に形成されていてもよ
い。
前記滑面光導波機構の両側壁とが前記導波方向に平行に
形成されていてもよい。さらに、粗面光導波機構が２以
上ありその２以上ある粗面光導波機構の間に滑面光導波
機構を有する構成をとることもできる。また、前記滑面
光導波機構の前記両側壁が前記導波方向両端部に近づく
につれて間隔の広がったテーパ状に形成されていてもよ
い。
【００１１】さらに、前記滑面光導波機構の前記両側壁
が前記導波方向に平行に形成された第一の部分と前記導
波方向両端に近づくにつれて間隔の広がったテーパ状に
形成された第二の部分から成り、前記第一の部分が前記
粗面光導波機構に連続している構成であってもよい。
が前記導波方向に平行に形成された第一の部分と前記導
波方向両端に近づくにつれて間隔の広がったテーパ状に
形成された第二の部分から成り、前記第一の部分が前記
粗面光導波機構に連続している構成であってもよい。
【００１２】すなわち、本発明はリッジ部に粗面光導波
機構と滑面光導波機構とを設けることにより高出力時の
出射ビームを安定させ、リッジ両端部には滑面光導波機
構を設けることにより両端部での光散乱損失を低減でき
るものである。
機構と滑面光導波機構とを設けることにより高出力時の
出射ビームを安定させ、リッジ両端部には滑面光導波機
構を設けることにより両端部での光散乱損失を低減でき
るものである。
【００１３】
【発明の効果】本発明の半導体レーザはリッジ部の少な
くとも一部に粗面光導波機構を設けることにより高次モ
ードの利得を小さくし、リッジ内部での光密度を低減
し、注入しているキャリアの空間的ホールバーニングに
より電流・光出力特性に生じるキンクを抑制して高出力
時の出射ビームを安定させて、単一基本横モード制御を
可能にすることができる。また、リッジ部両端部に滑面
光導波機構を設けることにより、両端部での光散乱損失
を低減させることができる。さらに、リッジ部両端部を
テーパ状にすることにより端面における光密度を低減で
き、光学損傷による劣化を低減し、長期の駆動時の信頼
性を向上させることができる。
くとも一部に粗面光導波機構を設けることにより高次モ
ードの利得を小さくし、リッジ内部での光密度を低減
し、注入しているキャリアの空間的ホールバーニングに
より電流・光出力特性に生じるキンクを抑制して高出力
時の出射ビームを安定させて、単一基本横モード制御を
可能にすることができる。また、リッジ部両端部に滑面
光導波機構を設けることにより、両端部での光散乱損失
を低減させることができる。さらに、リッジ部両端部を
テーパ状にすることにより端面における光密度を低減で
き、光学損傷による劣化を低減し、長期の駆動時の信頼
性を向上させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に図面を用いて本発明の実施
の形態を説明する。
の形態を説明する。
【００１５】本発明の第一の実施の形態にかかる半導体
レーザを図１に示す。（ａ）は半導体レーザを半導体層
積層方向上方から見た概略図であり、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ｂ断面図である。ＭＯＣＶＤ成長によりn-GaAs基板
11上に、n-Alx1Ga1-x1Asクラッド層12、Alx2Ga1-x2As光
導波層13、Alx3Ga1-x3As活性層14、Alx2Ga1-x2As光導波
層15、ｐ-Alx1Ga1-x1Asクラッド層16、p-GaAs コンタク
ト層17を積層する。
レーザを図１に示す。（ａ）は半導体レーザを半導体層
積層方向上方から見た概略図であり、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ｂ断面図である。ＭＯＣＶＤ成長によりn-GaAs基板
11上に、n-Alx1Ga1-x1Asクラッド層12、Alx2Ga1-x2As光
導波層13、Alx3Ga1-x3As活性層14、Alx2Ga1-x2As光導波
層15、ｐ-Alx1Ga1-x1Asクラッド層16、p-GaAs コンタク
ト層17を積層する。
【００１６】その後、通常のリソグラフィーにより、幅
６μm 程度のストライプ状のリッジを形成する。リッジ
両側壁の導波方向中央部に１μm 程度の振幅の凹凸を有
する粗面光導波機構（凹凸光導波機構）１およびこれに
連続する両端部に幅６μm 程度の平行な滑面光導波機構
（平行滑面光導波機構）２を形成するための絶縁膜をパ
ターニングし、この絶縁膜をマスクとしてドライエッチ
ングによりp-GaAs コンタクト層17およびp-Alx1Ga1-x1A
sクラッド層16の途中まで除去してストライプ状のリッ
ジを形成する。p-Alx1Ga1-x1Asクラッド層16の残し厚
は、リッジ構造中央部の凹凸光導波機構１を形成された
導波路で単一モードによる屈折率導波が高出力まで達成
できるような厚みとする。
６μm 程度のストライプ状のリッジを形成する。リッジ
両側壁の導波方向中央部に１μm 程度の振幅の凹凸を有
する粗面光導波機構（凹凸光導波機構）１およびこれに
連続する両端部に幅６μm 程度の平行な滑面光導波機構
（平行滑面光導波機構）２を形成するための絶縁膜をパ
ターニングし、この絶縁膜をマスクとしてドライエッチ
ングによりp-GaAs コンタクト層17およびp-Alx1Ga1-x1A
sクラッド層16の途中まで除去してストライプ状のリッ
ジを形成する。p-Alx1Ga1-x1Asクラッド層16の残し厚
は、リッジ構造中央部の凹凸光導波機構１を形成された
導波路で単一モードによる屈折率導波が高出力まで達成
できるような厚みとする。
【００１７】次に、絶縁膜18を形成し、通常のリソグラ
フィーにより、凹凸光導波機構１および滑面光導波機構
２を有するリッジ上の中心から３μm 幅程度の絶縁膜を
除去し、ｐ側電極19を形成する。
フィーにより、凹凸光導波機構１および滑面光導波機構
２を有するリッジ上の中心から３μm 幅程度の絶縁膜を
除去し、ｐ側電極19を形成する。
【００１８】その後、基板の研磨を行いｎ側電極20を形
成する。
成する。
【００１９】全体の共振器長は750μm以上とし、凹凸光
導波機構１の長さは、共振器長の５０％以上で８０％以
下の範囲内で高次モードの利得が基本モードの利得より
小さくなる長さに設定する。
導波機構１の長さは、共振器長の５０％以上で８０％以
下の範囲内で高次モードの利得が基本モードの利得より
小さくなる長さに設定する。
【００２０】試料を劈開して形成した共振器面に高反射
率コート21、低反射率コート22によるコーティングを行
い、チップ化して半導体レーザ素子を形成する。
率コート21、低反射率コート22によるコーティングを行
い、チップ化して半導体レーザ素子を形成する。
【００２１】なお、図２に示すように、凹凸光導波機構
１と平行滑面光導波機構２を交互に組み合わせた構造を
採ってもよい。この場合、凹凸光導波機構１と平行滑面
光導波機構２との長さの比は、高次モードの利得が基本
モードの利得より小さくなる比に設定する。
１と平行滑面光導波機構２を交互に組み合わせた構造を
採ってもよい。この場合、凹凸光導波機構１と平行滑面
光導波機構２との長さの比は、高次モードの利得が基本
モードの利得より小さくなる比に設定する。
【００２２】上記構造により、単一横モードを保ったま
ま高レベルの光出力の光を発生させることができる。
ま高レベルの光出力の光を発生させることができる。
【００２３】本発明の第二の実施の形態を図３に示す。
層構成及び作製手順は第一の実施の形態と同様である。
層構成及び作製手順は第一の実施の形態と同様である。
【００２４】リッジは幅５μm 程度のストライプ状でそ
の両側壁の導波方向中央部に凹凸光導波機構１とこれに
連続する両端部にテーパ角度２°程度のテーパ状の滑面
光導波機構（テーパ滑面光導波機構）３が形成されてい
る。
の両側壁の導波方向中央部に凹凸光導波機構１とこれに
連続する両端部にテーパ角度２°程度のテーパ状の滑面
光導波機構（テーパ滑面光導波機構）３が形成されてい
る。
【００２５】全体の共振器長は750μm以上とし、凹凸光
導波機構１の長さは、共振器長の５０％以上で８０％以
下の範囲内で高次モードに利得が基本モードの利得より
小さくなる長さに設定する。またテーパ部の長さは100
μm程度とする。
導波機構１の長さは、共振器長の５０％以上で８０％以
下の範囲内で高次モードに利得が基本モードの利得より
小さくなる長さに設定する。またテーパ部の長さは100
μm程度とする。
【００２６】この構造により、単一横モードを保ったま
ま高いレベルの光出力のレーザ光を発生させる。
ま高いレベルの光出力のレーザ光を発生させる。
【００２７】本発明の第三の実施の形態を図４に示す。
層構成及び作製手順は前記第一の実施形態と同様であ
る。
層構成及び作製手順は前記第一の実施形態と同様であ
る。
【００２８】リッジは幅５μm 程度のストライプ状でそ
の両側壁の導波方向中央部に凹凸状光導波機構１とこれ
に連続する両端部に平行滑面光導波機構２さらにこの平
行滑面光導波機構２に連続してテーパ角度２°程度のテ
ーパ光導波機構３が形成されている。
の両側壁の導波方向中央部に凹凸状光導波機構１とこれ
に連続する両端部に平行滑面光導波機構２さらにこの平
行滑面光導波機構２に連続してテーパ角度２°程度のテ
ーパ光導波機構３が形成されている。
【００２９】全体の共振器長は750μm以上とし、凹凸光
導波機構１の長さは、共振器長の５０％以上で８０％以
下の範囲内で高次モードに利得が基本モードの利得より
小さくなる長さに設定する。またテーパ部の長さは100
μm程度とする。
導波機構１の長さは、共振器長の５０％以上で８０％以
下の範囲内で高次モードに利得が基本モードの利得より
小さくなる長さに設定する。またテーパ部の長さは100
μm程度とする。
【００３０】この構造により、単一横モードを保ったま
ま高いレベルの光出力のレーザ光を発生させる。
ま高いレベルの光出力のレーザ光を発生させる。
【００３１】上記実施の形態では、ｎ型基板を用いてい
るが、ｐ型基板を用いても同様のことができる。また、
活性層には量子井戸構造あるいは歪み量子井戸構造を用
いても良く、上記実施の形態では量子井戸は単一で光導
波層組成が一定のＳＱＷ−ＳＣＨと呼ばれる構造を示し
ているが、ＳＱＷの代わりに量子井戸を複数とするＭＱ
Ｗであっても良い。
るが、ｐ型基板を用いても同様のことができる。また、
活性層には量子井戸構造あるいは歪み量子井戸構造を用
いても良く、上記実施の形態では量子井戸は単一で光導
波層組成が一定のＳＱＷ−ＳＣＨと呼ばれる構造を示し
ているが、ＳＱＷの代わりに量子井戸を複数とするＭＱ
Ｗであっても良い。
【００３２】また、材料としては、GaAs基板に格子整合
するInAlGaAsP系でもよいし、InP基板に格子整合するIn
GaAsP 系でもよい。
するInAlGaAsP系でもよいし、InP基板に格子整合するIn
GaAsP 系でもよい。
【００３３】光導波路をリッジ構造で形成する場合に、
エッチング深さを制御するために、エッチング阻止層を
設けても良い。また、活性層を突き抜けてリッジを構成
し、ｐｎｐの埋め込み構造で光導波路ストライプを構成
しても良い。
エッチング深さを制御するために、エッチング阻止層を
設けても良い。また、活性層を突き抜けてリッジを構成
し、ｐｎｐの埋め込み構造で光導波路ストライプを構成
しても良い。
【００３４】成長法として、固体あるいはガスを原料と
する分子線エピタキシャル成長法を用いても良い。
する分子線エピタキシャル成長法を用いても良い。
【図１】本発明の半導体レーザの第一実施形態を示す素
子の概略図（その１）
子の概略図（その１）
【図２】本発明の半導体レーザの第一実施形態を示す素
子の概略図（その２）
子の概略図（その２）
【図３】本発明の半導体レーザの第二実施形態を示す素
子の概略図
子の概略図
【図４】本発明の半導体レーザの第三実施形態を示す素
子の概略図
子の概略図
１ 粗面光導波機構（凹凸光導波機構） ２ 平行滑面光導波機構 ３ テーパ滑面光導波機構 11 n-GaAs基板 12 n-Alx1Ga1-x1Asクラッド層 13 Alx2Ga1-x2As光導波層 14 Alx3Ga1-x3As活性層 15 Alx2Ga1-x2As光導波層 16 p-Alx1Ga1-x1Asクラッド層 17 p-GaAsコンタクト層 18 絶縁膜 19 ｐ側電極 20 ｎ側電極 21 高反射率コート 22 低反射率コート
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板上に少なくとも第一クラッド
層、活性層および第二クラッド層が順次形成され、前記
第二クラッド層が上方に延びるリッジ部を有するストラ
イプ構造の半導体レーザにおいて、 前記リッジ部が、両側壁を粗面とした粗面光導波機構
と、前記両側壁を滑面とした滑面光導波機構とを導波方
向に交互に並べて有することを特徴とする半導体レー
ザ。 - 【請求項２】 前記粗面光導波機構が前記導波方向の中
央部に形成され、前記導波方向の両端部に前記滑面光導
波機構が形成されていることを特徴とする請求項１記載
の半導体レーザ。 - 【請求項３】 前記粗面光導波機構の両側壁と前記滑面
光導波機構の両側壁とが前記導波方向に平行に形成され
ていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体
レーザ。 - 【請求項４】 前記滑面光導波機構の前記両側壁が前記
導波方向の両端部に近づくにつれて間隔の広がったテー
パ状に形成されていることを特徴とする請求項２記載の
半導体レーザ。 - 【請求項５】 前記滑面光導波機構の前記両側壁が前記
導波方向に平行に形成された第一の部分と、前記導波方
向の両端部に近づくにつれて間隔の広がったテーパ状に
形成された第二の部分から成り、前記第一の部分が前記
粗面光導波機構に連続していることを特徴とする請求項
２記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5313396A JPH09246664A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5313396A JPH09246664A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246664A true JPH09246664A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=12934329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5313396A Withdrawn JPH09246664A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246664A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000513882A (ja) * | 1998-04-20 | 2000-10-17 | ユニフェイズ レーザー エンタープライズ アーゲー | ノンシリコン技術および方法に用いる窒化チタン拡散障壁 |
| JP2021019040A (ja) * | 2019-07-18 | 2021-02-15 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| CN114696217A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-07-01 | 无锡市华辰芯光半导体科技有限公司 | 一种边发射发光器件及其形成方法 |
| CN116632648A (zh) * | 2023-07-19 | 2023-08-22 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种边发射半导体发光结构及其制备方法 |
-
1996
- 1996-03-11 JP JP5313396A patent/JPH09246664A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000513882A (ja) * | 1998-04-20 | 2000-10-17 | ユニフェイズ レーザー エンタープライズ アーゲー | ノンシリコン技術および方法に用いる窒化チタン拡散障壁 |
| JP2021019040A (ja) * | 2019-07-18 | 2021-02-15 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| CN114696217A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-07-01 | 无锡市华辰芯光半导体科技有限公司 | 一种边发射发光器件及其形成方法 |
| CN114696217B (zh) * | 2022-03-02 | 2023-11-14 | 无锡市华辰芯光半导体科技有限公司 | 一种边发射发光器件及其形成方法 |
| CN116632648A (zh) * | 2023-07-19 | 2023-08-22 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种边发射半导体发光结构及其制备方法 |
| CN116632648B (zh) * | 2023-07-19 | 2023-12-19 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种边发射半导体发光结构及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030603 |