JPH04162485A - 半導体レーザとその製造方法 - Google Patents
半導体レーザとその製造方法Info
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- JPH04162485A JPH04162485A JP28614490A JP28614490A JPH04162485A JP H04162485 A JPH04162485 A JP H04162485A JP 28614490 A JP28614490 A JP 28614490A JP 28614490 A JP28614490 A JP 28614490A JP H04162485 A JPH04162485 A JP H04162485A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、単一横モードで発振するＡ ＩＩ Ｇ ａＩ
ｎＰ系の半導体レーザ装置に関する。
ｎＰ系の半導体レーザ装置に関する。
最近、有機金属熱分解法（以後ＭＯＶＰＥと略す）によ
る結晶成長により形成された単一横モードで発振するＡ
ｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ装置として、第３図に示
すような構造が報告されている（第５０回応用物理学会
学術講演会講演予稿集 第３分冊 ｐ８９３ ２８ａ−
ＺＧ−４）。
る結晶成長により形成された単一横モードで発振するＡ
ｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ装置として、第３図に示
すような構造が報告されている（第５０回応用物理学会
学術講演会講演予稿集 第３分冊 ｐ８９３ ２８ａ−
ＺＧ−４）。
この構造は第一回目の成長でｎ型Ｇ ａ Ａ Ｓ基板１
上に、ｎ型（Ａｕｏ、ａＧａｏ４）０．５Ｉｎｏ、ｓＰ
クラッド層２、ＧａＩｎＰ活性層３＋ ｐ型（Ａｐｏ、
ａ Ｇ ａ Ｏ，４） ０．５Ｉｎｏ、ｓＰクラッド層
４．ｐ型Ｇａｏ、５Ｉｎｏ、ｓＰ層７、ｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層８を順次形成する。
上に、ｎ型（Ａｕｏ、ａＧａｏ４）０．５Ｉｎｏ、ｓＰ
クラッド層２、ＧａＩｎＰ活性層３＋ ｐ型（Ａｐｏ、
ａ Ｇ ａ Ｏ，４） ０．５Ｉｎｏ、ｓＰクラッド層
４．ｐ型Ｇａｏ、５Ｉｎｏ、ｓＰ層７、ｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層８を順次形成する。
次にフォトリソグラフィーによりＳｉＯ２をマスクとし
て、メサストライプを形成する。そしてＳｉＯ２マスク
をつけたまま、第二回目の成長を行ないエツチングした
ところをＡ ＩＩ ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐ層９、
ｎ型ＧａＡｓ層１０で埋め込む。次にＳｉＯ２マスクを
除去し、ｐａｎ各電極を形成しレーザチップに加工する
。
て、メサストライプを形成する。そしてＳｉＯ２マスク
をつけたまま、第二回目の成長を行ないエツチングした
ところをＡ ＩＩ ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐ層９、
ｎ型ＧａＡｓ層１０で埋め込む。次にＳｉＯ２マスクを
除去し、ｐａｎ各電極を形成しレーザチップに加工する
。
この構造により電流はＡ ｊ２ ｏ、ｓ Ｉ ｎ。５Ｐ
層９、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ層１０によりブロックされ、
メサストライプ部にのみ注入される。また、メサストラ
イプ形成のエツチングのときに、メサストライプ部以外
のｐ型クラッド層の厚みを光の閉じ込めには不十分な厚
みまでエツチングするのでＡ ｊ’ ｏ、ｓ Ｉ ｎ。
層９、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ層１０によりブロックされ、
メサストライプ部にのみ注入される。また、メサストラ
イプ形成のエツチングのときに、メサストライプ部以外
のｐ型クラッド層の厚みを光の閉じ込めには不十分な厚
みまでエツチングするのでＡ ｊ’ ｏ、ｓ Ｉ ｎ。
５Ｐ層９のある部分では、このＡ ｊ２ ｏ、ｓ Ｉ
ｎ ｏ、ｓ Ｐ層９に光が反射され、横方向に実屈折率
差がつきメサストライプ部にのみ光は導波される。この
ようにこの構造では、電流狭窄機構と光導波機構が同時
に作り付けられ、実屈折率導波型のレーザとなるため非
点収差も小さい。
ｎ ｏ、ｓ Ｐ層９に光が反射され、横方向に実屈折率
差がつきメサストライプ部にのみ光は導波される。この
ようにこの構造では、電流狭窄機構と光導波機構が同時
に作り付けられ、実屈折率導波型のレーザとなるため非
点収差も小さい。
上述の第３図の構造では、成長回数を二層にとどめて電
極を形成しているがこの方法だとｐ型コンタクト層と電
極の接触面積が小さく素子の電気特性を良好に再現性よ
く得ることが難しくなる。
極を形成しているがこの方法だとｐ型コンタクト層と電
極の接触面積が小さく素子の電気特性を良好に再現性よ
く得ることが難しくなる。
この問題を防ぐには、成長回数を一回増し全面にｐ型コ
ンタクト層を成長して全面電極とする方法があるがこれ
だと成長回数が増え煩雑になってしまう。また従来方法
は、Ａｆｌｏ、５Ｉｎｏ、ｓＰ層を誘電体膜をマスクと
して選択的に結晶成長しているが、Ａｐを含む混晶系は
誘電体膜上に析出しやすく適当な成長技術の確立が困難
であるという問題もある。
ンタクト層を成長して全面電極とする方法があるがこれ
だと成長回数が増え煩雑になってしまう。また従来方法
は、Ａｆｌｏ、５Ｉｎｏ、ｓＰ層を誘電体膜をマスクと
して選択的に結晶成長しているが、Ａｐを含む混晶系は
誘電体膜上に析出しやすく適当な成長技術の確立が困難
であるという問題もある。
本発明の目的は、上述の問題点を解決し、ＭＯＶＰＥ法
による非点収差の小さい横モード制御構造のＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザな簡便な手法で確実に提供すること
にある。
による非点収差の小さい横モード制御構造のＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザな簡便な手法で確実に提供すること
にある。
本発明の半導体レーザは、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、Ｇａ
ＩｎＰもしくはＡｔ１ＧａＩｎＰもしくはそれらの量子
井戸層からなる活性層と、この活性層を挾み活性層より
も屈折率の小さなＡｌＧａＩｎＰ系 ロ構造が形成してあり、前記活性層の上側のｐ型（Ａ
Ｉｌ ｘ Ｇ ａ ＋−ｘ） ａ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ
Ｐクラッド層は層厚が部分的に厚くなることにより形
成されるストライプ状の逆メサ構造を有し、この逆メサ
構造の上面および逆メサ構造以外の部分に量子準位が活
性層−５＝ のエネルギーギャップよりも大きくなる厚みのＧａＡｓ
層を有し、これらの構造の上全面にｐ型（Ａ４ ｙＧ
ａ １−ｙ） ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓＰ （Ｙ＞Ｘ）
層を有することを特徴とする。
ＩｎＰもしくはＡｔ１ＧａＩｎＰもしくはそれらの量子
井戸層からなる活性層と、この活性層を挾み活性層より
も屈折率の小さなＡｌＧａＩｎＰ系 ロ構造が形成してあり、前記活性層の上側のｐ型（Ａ
Ｉｌ ｘ Ｇ ａ ＋−ｘ） ａ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ
Ｐクラッド層は層厚が部分的に厚くなることにより形
成されるストライプ状の逆メサ構造を有し、この逆メサ
構造の上面および逆メサ構造以外の部分に量子準位が活
性層−５＝ のエネルギーギャップよりも大きくなる厚みのＧａＡｓ
層を有し、これらの構造の上全面にｐ型（Ａ４ ｙＧ
ａ １−ｙ） ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓＰ （Ｙ＞Ｘ）
層を有することを特徴とする。
また、本発明の半導体レーザの製造方法は、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板上に、ＧａＩｎＰもしくはＡ ｎ Ｇ ａＩｎＰ
もしくはそれらの量子井戸層からなる活性層と、この活
性層を挟み活性層よりも屈折率の小さなＡｊ２Ｇａ Ｉ
ｎＰからなるクラッド層とからなるダブルヘテロ構造
を形成する工程と、この前記ダブルヘテロ構造上にスト
ライプ状のエツチングマスクを形成し前記活性層の上側
のｐ型（Ａｐ８Ｇ＆＋−ｘ）。５Ｉｎｏ、ｓＰクラッド
層をエツチングによりストライプ状の逆メサ構造に形成
する工程と、前記ストライプ状のエツチングマスクを除
去する工程と、この逆メサ構造の上面および逆メサ構造
以外の部分に量子準位が活性層のエネルギーギャップよ
りも大きくなる厚みのＧ ａ Ａ ｓ層を形成する工程
と、これらの構造の上全面にｐ型（ＡＩ２ＹＧ ａ １
−Ｙ） ｏ５Ｉ ｎ ｏ５Ｐ （Ｙ ＞ Ｘ）層を形成
する工程＝６− とを有することを特徴とする。
ｓ基板上に、ＧａＩｎＰもしくはＡ ｎ Ｇ ａＩｎＰ
もしくはそれらの量子井戸層からなる活性層と、この活
性層を挟み活性層よりも屈折率の小さなＡｊ２Ｇａ Ｉ
ｎＰからなるクラッド層とからなるダブルヘテロ構造
を形成する工程と、この前記ダブルヘテロ構造上にスト
ライプ状のエツチングマスクを形成し前記活性層の上側
のｐ型（Ａｐ８Ｇ＆＋−ｘ）。５Ｉｎｏ、ｓＰクラッド
層をエツチングによりストライプ状の逆メサ構造に形成
する工程と、前記ストライプ状のエツチングマスクを除
去する工程と、この逆メサ構造の上面および逆メサ構造
以外の部分に量子準位が活性層のエネルギーギャップよ
りも大きくなる厚みのＧ ａ Ａ ｓ層を形成する工程
と、これらの構造の上全面にｐ型（ＡＩ２ＹＧ ａ １
−Ｙ） ｏ５Ｉ ｎ ｏ５Ｐ （Ｙ ＞ Ｘ）層を形成
する工程＝６− とを有することを特徴とする。
本発明の構造によれば、メサ構造の上面とメサ構造以外
の部分の、量子準位が活性層のエネルギーギャップより
も大きくなる厚みのＧａＡｓ層のある部分では、それを
挟み込んでいるｐ型（ＡρゆＧ ａ ＋−ｘ） ｏ、ｓ
Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐクラッド層とｐ型（Ａｎ ｙＧ
ａ ＋−ｙ） ｏ、ｓ Ｉ ｎ Ｏ，５Ｐ （Ｙ ＞
Ｘ）層に、Ｇ ａ Ａ ｓ層との大きなバンド不連続に
よるキャリヤー〇空乏層が広がり、素子にバイアスして
もその電圧は、ｐ型（Ａ ｊ２ ｘ Ｇ ａ ＋−ｘ）
ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐクラッド層中の空乏層に
かかり、ホールが流れることができなくなり電流のブロ
ック層として働く。これに対しメサの側面部分ではＧａ
Ａｓ層は存在しないのでホールはこの部分を流れること
ができる。そして本発明の構造とその製造方法ではメサ
には逆メサを用いている。ＭＯＶＰＥによる逆メサ構造
をもつ基板へのＧ ａ Ａ ｓの成長では、メサ側面に
は結晶は直後には成長しない。このため上述のようなメ
サ構造の上面とメサ構造以外の部分へのＧａＡｓの分離
成長が可能となる。このようにして電流はメサ部分のみ
に横方向から注入される。またＧａＡｓ層は、量子準位
が活性層のエネルギーギャップよりも大きくなる厚みと
規定しであるので活性層の光は吸収できない。そして構
造の上全面のｐ型（Ａｊｌ’ ｙＧ ａ ＋−ｙ） ｏ
、ｓ Ｉ ｎ ｏ５Ｐ （Ｙ＞ Ｘ）層は、ｐ型（Ａ
ｊ２ ｘ Ｇ ａ ＋−ｘ） ｏ、ｓ Ｉ ｎ Ｏ，５
Ｐクラッド層よりも屈折率が小さいので、光の吸収は用
いない実屈折率型の導波機構となり非点収差を小さく押
さえることができる。そしてこの構造では二層の少ない
成長回数で全面電極が形成でき、良好な電気特性を容易
に得ることができる。
の部分の、量子準位が活性層のエネルギーギャップより
も大きくなる厚みのＧａＡｓ層のある部分では、それを
挟み込んでいるｐ型（ＡρゆＧ ａ ＋−ｘ） ｏ、ｓ
Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐクラッド層とｐ型（Ａｎ ｙＧ
ａ ＋−ｙ） ｏ、ｓ Ｉ ｎ Ｏ，５Ｐ （Ｙ ＞
Ｘ）層に、Ｇ ａ Ａ ｓ層との大きなバンド不連続に
よるキャリヤー〇空乏層が広がり、素子にバイアスして
もその電圧は、ｐ型（Ａ ｊ２ ｘ Ｇ ａ ＋−ｘ）
ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐクラッド層中の空乏層に
かかり、ホールが流れることができなくなり電流のブロ
ック層として働く。これに対しメサの側面部分ではＧａ
Ａｓ層は存在しないのでホールはこの部分を流れること
ができる。そして本発明の構造とその製造方法ではメサ
には逆メサを用いている。ＭＯＶＰＥによる逆メサ構造
をもつ基板へのＧ ａ Ａ ｓの成長では、メサ側面に
は結晶は直後には成長しない。このため上述のようなメ
サ構造の上面とメサ構造以外の部分へのＧａＡｓの分離
成長が可能となる。このようにして電流はメサ部分のみ
に横方向から注入される。またＧａＡｓ層は、量子準位
が活性層のエネルギーギャップよりも大きくなる厚みと
規定しであるので活性層の光は吸収できない。そして構
造の上全面のｐ型（Ａｊｌ’ ｙＧ ａ ＋−ｙ） ｏ
、ｓ Ｉ ｎ ｏ５Ｐ （Ｙ＞ Ｘ）層は、ｐ型（Ａ
ｊ２ ｘ Ｇ ａ ＋−ｘ） ｏ、ｓ Ｉ ｎ Ｏ，５
Ｐクラッド層よりも屈折率が小さいので、光の吸収は用
いない実屈折率型の導波機構となり非点収差を小さく押
さえることができる。そしてこの構造では二層の少ない
成長回数で全面電極が形成でき、良好な電気特性を容易
に得ることができる。
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の半導体レーザの一実施例を示す断面図
であり、第２図はその製造工程図である。
であり、第２図はその製造工程図である。
まず−回目の減圧ＭＯＶＰＥによる成長で、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１（Ｓｉドープ： ｎ＝２Ｘ １０１８ｃｍ−３
）上に、ｎ型（Ａ ４ ｏ、ａ Ｇ ａ ０．４） ０
．５ Ｉ ｎ ０．５ Ｐクラッド層２ （ｎ＝ ５
Ｘ １０１７ｃｍ−３＋厚み１μｍ）、Ｇ ａ ０．５
Ｉ ｎ ０．５Ｐ活性層３（アンドープ；厚み０．１
μｍ）、ｐ型（Ａ ｊ２ ｏ、ｓ Ｇ ａ ０．４）
０．５ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐクララド層４ （ｐ＝ ５
Ｘ １０ ”Ｃｍ−３：厚み１．０μｍ）、を順次成
長した（第２図（ａ））。成長条件は、温度７００℃、
圧カフ ０Ｔｏｒｒ、 Ｖ／ ｍ ＝ ２００、キャリ
ヤガス（Ｈ２）の電流量１５ρ／ｍｉｎとした。原料と
しては、トリメチルインジウム（ＴＭＩ ： （ＣＨ
３） ３Ｉｎ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ： （
Ｃ２Ｈ５）３Ｇａ）、トリメチルアルミニウム（Ｔ Ｍ
Ａ ： （ＣＨ３）３Ａ、ｆ２）、アルシン（ＡＳＨ
３）、オスフィン（ＰＨｓ）、ｎ型ドーパント：セレン
化水素（Ｈ２Ｓｅ）、ｐ型トーハント：シクロペンタヂ
エニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）を用いた。こうして
成長したウニ／％にフォトリングラフィにより幅４μｍ
のストライプ状のＳ ｉ Ｏ２マスク１１を形成した（
第２図（ｂ））。
ｓ基板１（Ｓｉドープ： ｎ＝２Ｘ １０１８ｃｍ−３
）上に、ｎ型（Ａ ４ ｏ、ａ Ｇ ａ ０．４） ０
．５ Ｉ ｎ ０．５ Ｐクラッド層２ （ｎ＝ ５
Ｘ １０１７ｃｍ−３＋厚み１μｍ）、Ｇ ａ ０．５
Ｉ ｎ ０．５Ｐ活性層３（アンドープ；厚み０．１
μｍ）、ｐ型（Ａ ｊ２ ｏ、ｓ Ｇ ａ ０．４）
０．５ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐクララド層４ （ｐ＝ ５
Ｘ １０ ”Ｃｍ−３：厚み１．０μｍ）、を順次成
長した（第２図（ａ））。成長条件は、温度７００℃、
圧カフ ０Ｔｏｒｒ、 Ｖ／ ｍ ＝ ２００、キャリ
ヤガス（Ｈ２）の電流量１５ρ／ｍｉｎとした。原料と
しては、トリメチルインジウム（ＴＭＩ ： （ＣＨ
３） ３Ｉｎ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ： （
Ｃ２Ｈ５）３Ｇａ）、トリメチルアルミニウム（Ｔ Ｍ
Ａ ： （ＣＨ３）３Ａ、ｆ２）、アルシン（ＡＳＨ
３）、オスフィン（ＰＨｓ）、ｎ型ドーパント：セレン
化水素（Ｈ２Ｓｅ）、ｐ型トーハント：シクロペンタヂ
エニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）を用いた。こうして
成長したウニ／％にフォトリングラフィにより幅４μｍ
のストライプ状のＳ ｉ Ｏ２マスク１１を形成した（
第２図（ｂ））。
次にこのＳｉＯ２マスクを用いて臭化水素酸系のエツチ
ング液により、ｐ型（Ａ Ｉｌ ｏ、ｅ Ｇ ａ ０．
４） ０．５ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐクララド層４の途中
まで（ここでは０．８μｍとした）をメサ状にエツチン
グした（第２図（Ｃ））。つぎにＳｉＯ２マスクを除去
した（第２図（ｄ））。そして減圧ＭＯＶＰＥにより二
回目の成長を行ない、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層５、ｐ型（
Ａ Ｒｏ、ｓ Ｇ ａ Ｏ，２） ｏ５Ｉ ｎ ｏ５Ｐ
キャップ層６ （ｐ＝５Ｘ１０１７ｃｍ−３：厚み１．
Ｏｐｍ）、ｐ型Ｇ ａｏ、ｓ Ｉ ｎ ０．５ Ｐ層７
、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層８、を形成した（第
２図（ｅ）、 （ｆ））。
ング液により、ｐ型（Ａ Ｉｌ ｏ、ｅ Ｇ ａ ０．
４） ０．５ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐクララド層４の途中
まで（ここでは０．８μｍとした）をメサ状にエツチン
グした（第２図（Ｃ））。つぎにＳｉＯ２マスクを除去
した（第２図（ｄ））。そして減圧ＭＯＶＰＥにより二
回目の成長を行ない、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層５、ｐ型（
Ａ Ｒｏ、ｓ Ｇ ａ Ｏ，２） ｏ５Ｉ ｎ ｏ５Ｐ
キャップ層６ （ｐ＝５Ｘ１０１７ｃｍ−３：厚み１．
Ｏｐｍ）、ｐ型Ｇ ａｏ、ｓ Ｉ ｎ ０．５ Ｐ層７
、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層８、を形成した（第
２図（ｅ）、 （ｆ））。
最後に、ｐｒｎ両電極電極成してキャビティ長３００μ
ｍにへき開し、個々のチップに分離した。
ｍにへき開し、個々のチップに分離した。
こうして本発明の製造方法を用いて得られた本
゛発明のレーザの非点収差は４μｍ以下で、上述の製
作工程かられかるようにこの良好な特性の半導体レーザ
を得るための成長回数は二層でありかつ全面電極が形成
できる。
゛発明のレーザの非点収差は４μｍ以下で、上述の製
作工程かられかるようにこの良好な特性の半導体レーザ
を得るための成長回数は二層でありかつ全面電極が形成
できる。
以上述べた実施例では、活性層やクラッド層の組成を規
定したが、活性層組成は製作する半導体レーザに要求さ
れる発振波長要件を満たす組成、もしくは量子井戸にす
ればよく、クラッド層組成゛は用いる活性層組成に対し
て光とキャリヤの閉じ込めが十分にできる組成を選べば
よい。また半導体レーザに要求される特性によりＳＣＨ
構造にするなどクラッド層をより多層化することもでき
る。
定したが、活性層組成は製作する半導体レーザに要求さ
れる発振波長要件を満たす組成、もしくは量子井戸にす
ればよく、クラッド層組成゛は用いる活性層組成に対し
て光とキャリヤの閉じ込めが十分にできる組成を選べば
よい。また半導体レーザに要求される特性によりＳＣＨ
構造にするなどクラッド層をより多層化することもでき
る。
このように本発明により、非点収差の小さい半導体レー
ザが自己整合的に、少ない製作工程で製作できる。
ザが自己整合的に、少ない製作工程で製作できる。
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図（ａ）〜
（ｆ）は本発明の製作工程を示す断面図、第３図は従来
の半導体レーザの例を示す断面図である。 図において、１はｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２はｎ型（
Ａρｏ６Ｇ ａ ｏ４） ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐ
クラッド層、３はＧ ａ Ｏ，５Ｉ ｎ ０．５Ｐ活性
層、４はｐ型（Ａ Ｉｌｏ、６ Ｇ ａ ｏ４） ０．
５Ｉｎｏ５Ｐクラッド層、５はｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層、
６はｐ型（Ａ ４ ｏ、ｇ Ｇ ａ ０．２） ｏ、ｓ
Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐキーｔ’ツブ層、７はｐ型Ｇａｏ
５Ｉｎｏ５Ｐ層、８はｐ型Ｇ＆ＡＳコンタクト層、９は
Ａ Ｉ２０．５０ ａ ０．５ Ｐ層、１０はｎ型Ｇ
ａ Ａ ｓ層、１１はＳｉＯ２膜である。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１房
（ｆ）は本発明の製作工程を示す断面図、第３図は従来
の半導体レーザの例を示す断面図である。 図において、１はｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２はｎ型（
Ａρｏ６Ｇ ａ ｏ４） ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐ
クラッド層、３はＧ ａ Ｏ，５Ｉ ｎ ０．５Ｐ活性
層、４はｐ型（Ａ Ｉｌｏ、６ Ｇ ａ ｏ４） ０．
５Ｉｎｏ５Ｐクラッド層、５はｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層、
６はｐ型（Ａ ４ ｏ、ｇ Ｇ ａ ０．２） ｏ、ｓ
Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐキーｔ’ツブ層、７はｐ型Ｇａｏ
５Ｉｎｏ５Ｐ層、８はｐ型Ｇ＆ＡＳコンタクト層、９は
Ａ Ｉ２０．５０ ａ ０．５ Ｐ層、１０はｎ型Ｇ
ａ Ａ ｓ層、１１はＳｉＯ２膜である。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１房
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ＧａＩｎＰもしくはＡｌＧ
ａＩｎＰもしくはそれらの量子井戸層からなる活性層と
、この活性層を挟み活性層よりも屈折率の小さなＡｌＧ
ａＩｎＰからなるクラッド層とからなるダブルヘテロ構
造が形成してあり、前記活性層の上側のｐ型（Ａｌ＿ｘ
Ｇａ＿１＿−＿ｘ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐク
ラッド層は層厚が部分的に厚くなることにより形成され
るストライプ状の逆メサ構造を有し、この逆メサ構造の
上面および逆メサ構造以外の部分に量子準位が活性層の
エネルギーギャップよりも大きくなる厚みのＧａＡｓ層
を有し、これらの構造の上全面にｐ型（Ａｌ＿ＹＧａ＿
１＿−＿Ｙ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐ（Ｙ＞Ｘ
）層を有することを特徴とする半導体レーザ。 ２、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ＧａＩｎＰもしくはＡｌＧ
ａＩｎＰもしくはそれら量子井戸層からなる活性層と、
この活性層を挟み活性層よりも屈折率の小さなＡｌＧａ
ＩｎＰからなるクラッド層とからなるダブルヘテロ構造
を形成する工程と、この前記ダブルヘテロ構造上にスト
ライプ状のエッチングマスクを形成し前記活性層の上側
のｐ型（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）＿０＿．＿５Ｉｎ
＿０＿．＿５Ｐクラッド層をエッチングによりストライ
プ状の逆メサ構造に形成する工程と、前記ストライプ状
のエッチングマスクを除去する工程と、この逆メサ構造
の上面および逆メサ構造以外の部分に量子準位が活性層
のエネルギーギャップよりも大きくなる厚みのＧａＡｓ
層を形成する工程と、これらの構造の上全面にｐ型（Ａ
ｌ＿ＹＧａ＿１＿−＿Ｙ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿
５Ｐ（Ｙ＞Ｘ）層を形成する工程とを有することを特徴
とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28614490A JPH04162485A (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 半導体レーザとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28614490A JPH04162485A (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 半導体レーザとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162485A true JPH04162485A (ja) | 1992-06-05 |
Family
ID=17700507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28614490A Pending JPH04162485A (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 半導体レーザとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04162485A (ja) |
-
1990
- 1990-10-24 JP JP28614490A patent/JPH04162485A/ja active Pending
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