JPH04180684A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH04180684A JPH04180684A JP30958590A JP30958590A JPH04180684A JP H04180684 A JPH04180684 A JP H04180684A JP 30958590 A JP30958590 A JP 30958590A JP 30958590 A JP30958590 A JP 30958590A JP H04180684 A JPH04180684 A JP H04180684A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、キャリアオーバーフローの少ない低閾電流値
のＡｌＧａＩｎＰｌＧａＩｎ−ザに関する。
のＡｌＧａＩｎＰｌＧａＩｎ−ザに関する。
近年、Ａ１７ＧａＩｎＰ系半導体レーザ装置は有機金属
熱分解法Ｃ以下ＭＯＶＰＥ法と略す）という気相結晶成
長法により形成され、長寿命可視光半導体レーザ装置が
実現している〔五明ら、エレクトロニクス レターズ
２３巻（１９８７年）８５ページ：Ａ、ＧＯＭＹＯｅｔ
ａｌ、ＥＬＥｃＴＲＯＮＩｃｓ ＬＥＴＴＥＲ５，ｖ
ｏｌ、２３．（１９８７）、Ｐ、８５参照〕。
熱分解法Ｃ以下ＭＯＶＰＥ法と略す）という気相結晶成
長法により形成され、長寿命可視光半導体レーザ装置が
実現している〔五明ら、エレクトロニクス レターズ
２３巻（１９８７年）８５ページ：Ａ、ＧＯＭＹＯｅｔ
ａｌ、ＥＬＥｃＴＲＯＮＩｃｓ ＬＥＴＴＥＲ５，ｖ
ｏｌ、２３．（１９８７）、Ｐ、８５参照〕。
ＭＯＶＰＥ法はトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｕ）、
トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）、トリメチルインジウ
ム（ＴＭＩｎ）などの有機金属蒸気及びホスフィン（Ｐ
Ｈ３）などの水素化物ガスを原料とした気相成長法で
あり、例えば、Ａｌ２ＧａＩｎＰの成長はこれらＴＭＡ
Ａ、ＴＥＧａ、ＴＭＩｎ蒸気及びＰ Ｈ３ガスをＧａＡ
ｓ基板の上に導入・加熱してエピタキシャル成長を行な
うものである。
トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）、トリメチルインジウ
ム（ＴＭＩｎ）などの有機金属蒸気及びホスフィン（Ｐ
Ｈ３）などの水素化物ガスを原料とした気相成長法で
あり、例えば、Ａｌ２ＧａＩｎＰの成長はこれらＴＭＡ
Ａ、ＴＥＧａ、ＴＭＩｎ蒸気及びＰ Ｈ３ガスをＧａＡ
ｓ基板の上に導入・加熱してエピタキシャル成長を行な
うものである。
Ａ１７ＧａＩｎＰ系半導体レーザをより短い波長で発振
させたり、より高温で連続発振させたりするためには、
活性層からクラッド層へのキャリアのオーバーフローを
減少させることが望ましい。
させたり、より高温で連続発振させたりするためには、
活性層からクラッド層へのキャリアのオーバーフローを
減少させることが望ましい。
そのために従来のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザは、第
４図に示すようにＧａ Ｉ ｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰ
からなる活性層３と、ｐ型（Ａ （ｌ ｘＧ ｉＬ ＋
−ｘ）ｏ、５Ｉｎｏ、ｓＰからなるクラッド層４および
ｎ型（ＡＡｘＧ ＆ ＋−ｘ） ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｗｓ
Ｐからなるクラッド層２で構成されるダブルヘテロ構造
において、前記ｐ型りラッド層４およびｎ型クラッド層
２のＡＩ！組成Ｘを大きくすることによりエネルギーキ
ャップを大きくしたり、前記ｐ型りラッド層４のキャリ
ア濃度を高め、比抵抗を小さくしたりする手法がとられ
てきた。
４図に示すようにＧａ Ｉ ｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰ
からなる活性層３と、ｐ型（Ａ （ｌ ｘＧ ｉＬ ＋
−ｘ）ｏ、５Ｉｎｏ、ｓＰからなるクラッド層４および
ｎ型（ＡＡｘＧ ＆ ＋−ｘ） ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｗｓ
Ｐからなるクラッド層２で構成されるダブルヘテロ構造
において、前記ｐ型りラッド層４およびｎ型クラッド層
２のＡＩ！組成Ｘを大きくすることによりエネルギーキ
ャップを大きくしたり、前記ｐ型りラッド層４のキャリ
ア濃度を高め、比抵抗を小さくしたりする手法がとられ
てきた。
しかしながら従来の（Ａ １２ ｘ Ｇ ａ ＋−ｘ）
ｙ Ｉ ｎ ＋−ｙＰ（ｙ＝０．５）を用いた半導体
レーザでは、最大のエネルギーキャップはＡｎ ｏ、ｓ
Ｉ ｎｏ、ｓＰであり、それ以上のエネルギーキャッ
プは材料的に限界がある。また、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰは
ＡＩ組組成が大きいほどキャリア濃度が低く、比抵抗が
大きくなるため、そのｐ型ＡｌＧａＩｎＰをクラッド層
に用いると、素子抵抗が高く、またキャリアのオーバー
フローが顕著である。
ｙ Ｉ ｎ ＋−ｙＰ（ｙ＝０．５）を用いた半導体
レーザでは、最大のエネルギーキャップはＡｎ ｏ、ｓ
Ｉ ｎｏ、ｓＰであり、それ以上のエネルギーキャッ
プは材料的に限界がある。また、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰは
ＡＩ組組成が大きいほどキャリア濃度が低く、比抵抗が
大きくなるため、そのｐ型ＡｌＧａＩｎＰをクラッド層
に用いると、素子抵抗が高く、またキャリアのオーバー
フローが顕著である。
本発明の目的は、材料的限界を越えてキャリアオーバー
フローの少ない低閾電流値のＡｌＧａＩｎＰｌＧａＩｎ
−ザを提供することにある。
フローの少ない低閾電流値のＡｌＧａＩｎＰｌＧａＩｎ
−ザを提供することにある。
前述課題を解決するための本発明の半導体レーザは、Ｇ
ａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰを活性層とし、ＧａＡｓ
にほぼ格子整合するｐ型およびｎ型ＡｎＧａＩｎＰを光
閉じ込めクラッド層としたダフルへテロ構造において、
前記活性層と前記ｐ型光間じ込めクラッド層の間にエネ
ルギーギャップが前記ｐ型光間じ込めクラッド層もり大
きく、Ｇ ａ Ａ ｓより格子が短い、厚さ５ｎｍ以上
のｐ型Ａｊ７ＧａＩｎＰから成るキャリア閉じ込めを備
えていること、又、前記活性層の前記ｐ型光間じ込めク
ラッド層の間に、エネルギーギャップが前記ｐ型光間じ
込めクラッド層より大きく、ＧａＡｓより格子が短い、
厚さ５ｎｍ以上のｐ型ＡｆｆｌＧａＩｎＰから成るキャ
リア閉じ込め層を備え、かつ、前記活性層と前記ｎ型光
閉じ込めクラッド層の間に、エネルギーギャップが前記
ｎ型光閉じ込めクラッド層より大きく、Ｇ ａ Ａ ｓ
より格子が短い、厚さ５ｎｍ以上のｎ型ＡｌＧａＩｎＰ
かわ成るキャリア閉じ込め層を備えていることを特徴と
する構成である。
ａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰを活性層とし、ＧａＡｓ
にほぼ格子整合するｐ型およびｎ型ＡｎＧａＩｎＰを光
閉じ込めクラッド層としたダフルへテロ構造において、
前記活性層と前記ｐ型光間じ込めクラッド層の間にエネ
ルギーギャップが前記ｐ型光間じ込めクラッド層もり大
きく、Ｇ ａ Ａ ｓより格子が短い、厚さ５ｎｍ以上
のｐ型Ａｊ７ＧａＩｎＰから成るキャリア閉じ込めを備
えていること、又、前記活性層の前記ｐ型光間じ込めク
ラッド層の間に、エネルギーギャップが前記ｐ型光間じ
込めクラッド層より大きく、ＧａＡｓより格子が短い、
厚さ５ｎｍ以上のｐ型ＡｆｆｌＧａＩｎＰから成るキャ
リア閉じ込め層を備え、かつ、前記活性層と前記ｎ型光
閉じ込めクラッド層の間に、エネルギーギャップが前記
ｎ型光閉じ込めクラッド層より大きく、Ｇ ａ Ａ ｓ
より格子が短い、厚さ５ｎｍ以上のｎ型ＡｌＧａＩｎＰ
かわ成るキャリア閉じ込め層を備えていることを特徴と
する構成である。
ｐ型（Ａｎ 、Ｇ ａ １−Ｘ） ｙ Ｉ ｎ 、−、
Ｆ’は、ＧａＡｓより格子を短かくすると、すなわち、
組成パラメータｙの値を０．５より大きくすると、同じ
Ａｆｆｆｆ組成比べ、エネルギーギャップは大きいにも
拘らず、キャリア濃度と比抵抗は殆ど変わらない。
Ｆ’は、ＧａＡｓより格子を短かくすると、すなわち、
組成パラメータｙの値を０．５より大きくすると、同じ
Ａｆｆｆｆ組成比べ、エネルギーギャップは大きいにも
拘らず、キャリア濃度と比抵抗は殆ど変わらない。
このＧａＡｓより格子が短いｐ型ＡＩ！ＧａＩｎＰ（厚
さ５ｎｍ以上）をｐ型りラッド層として用いると、Ｇａ
Ａｓに格子整合したｐ型ＡｌＧａＩｎＰをｐ型りラッＦ
層として用いた場合に比べ、前記活性層からｐ型りラッ
ド層へのキャリア（電子）のオーバーフローを抑えるこ
とができ、有効なキャリア閉じ込め層として働く。しか
し、前記ＧａＡｓより格子が短いｐ型ＡｎＧａＩｎＰ層
は、臨界膜厚以上の厚さにすると結晶中に欠陥が入り半
導体レーザの寿命が短くなるため好ましくない。
さ５ｎｍ以上）をｐ型りラッド層として用いると、Ｇａ
Ａｓに格子整合したｐ型ＡｌＧａＩｎＰをｐ型りラッＦ
層として用いた場合に比べ、前記活性層からｐ型りラッ
ド層へのキャリア（電子）のオーバーフローを抑えるこ
とができ、有効なキャリア閉じ込め層として働く。しか
し、前記ＧａＡｓより格子が短いｐ型ＡｎＧａＩｎＰ層
は、臨界膜厚以上の厚さにすると結晶中に欠陥が入り半
導体レーザの寿命が短くなるため好ましくない。
光閉じ込めのためのクラッド層は臨界膜厚以上の厚さを
必要とするため、ＧａＡｓに格子整合するｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰ層を光閉じ込めのためのクラッド層として用いる
必要がある。そこで、前記活性層、前記ＧａＡｓより格
子が短いｐ型Ａ１ＧａＩｎＰ層（厚さ５ｎｍ以上）、前
記Ｇ ａ Ａ ｓに格子整合するｐ型ＡρＧａＩｎＰ層
の順に積層した構造をにすると、有効なキャリア閉じ込
め及び光閉じ込めができる。
必要とするため、ＧａＡｓに格子整合するｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰ層を光閉じ込めのためのクラッド層として用いる
必要がある。そこで、前記活性層、前記ＧａＡｓより格
子が短いｐ型Ａ１ＧａＩｎＰ層（厚さ５ｎｍ以上）、前
記Ｇ ａ Ａ ｓに格子整合するｐ型ＡρＧａＩｎＰ層
の順に積層した構造をにすると、有効なキャリア閉じ込
め及び光閉じ込めができる。
前記活性層と前記ｐ型光閉じ込めクラッド層の間に厚さ
５ｎｍ以上の前記ｐ型ギヤリア閉じ込め層を設け、さら
に前記活性層と前記ｎ型光閉じ込めクラッド層の間に、
ＧａＡｓより格子が短い、厚さ５ｎｍ以上のｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰから成るキャリくしたときに現九でくる正孔の
オーバーフローを抑えることができる。また、屈折率分
布は活性層を中心として対称になるため光も活性層を中
心に分布し、活性層で光強度がもっとも強くなり、閾電
流値をさらに低減できる。
５ｎｍ以上の前記ｐ型ギヤリア閉じ込め層を設け、さら
に前記活性層と前記ｎ型光閉じ込めクラッド層の間に、
ＧａＡｓより格子が短い、厚さ５ｎｍ以上のｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰから成るキャリくしたときに現九でくる正孔の
オーバーフローを抑えることができる。また、屈折率分
布は活性層を中心として対称になるため光も活性層を中
心に分布し、活性層で光強度がもっとも強くなり、閾電
流値をさらに低減できる。
次に、本発明について図面を参照して一層詳しく説明す
る。
る。
第１図は本願の第１の発明の一実施例である半導体レー
ザを示す断面図（切断面を示すハツチングは省略）であ
り、第２図はこの半導体レーザの製作工程図である。
ザを示す断面図（切断面を示すハツチングは省略）であ
り、第２図はこの半導体レーザの製作工程図である。
この実施例の製作においては、まず−回目の減圧ＭＯＶ
ＰＥ法による成長で、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型（
Ａｉ７ｗｓＧ ａ １４） ＩＬｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓＰ
光閉じ込めクラッド層２（厚さ１μｍ）、（Ａ Ｉ！
ｏ、＋ Ｇ ａ ｏ、ｅ）ａｓＩｎｗｓＰ活性層３（厚
さ０．０７μｍ）、ｐ型（Ａ Ａ’ Ｇ、＠Ｇ ａ ｏ
４．） ｏ、ｓ Ｉ ｎ Ｏ，４Ｐキャリア閉じ込め層
１０ （厚さ５ ｎｍ）、ｐ型（Ａｊ’ ＋ｕＧ ａ＋
ｕ） ｏ、ｓ Ｉ ｎａ、ｓＰ光閉じ込めクラッド層４
（厚さ１μｍ）、ｐ型Ｇａユ。
ＰＥ法による成長で、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型（
Ａｉ７ｗｓＧ ａ １４） ＩＬｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓＰ
光閉じ込めクラッド層２（厚さ１μｍ）、（Ａ Ｉ！
ｏ、＋ Ｇ ａ ｏ、ｅ）ａｓＩｎｗｓＰ活性層３（厚
さ０．０７μｍ）、ｐ型（Ａ Ａ’ Ｇ、＠Ｇ ａ ｏ
４．） ｏ、ｓ Ｉ ｎ Ｏ，４Ｐキャリア閉じ込め層
１０ （厚さ５ ｎｍ）、ｐ型（Ａｊ’ ＋ｕＧ ａ＋
ｕ） ｏ、ｓ Ｉ ｎａ、ｓＰ光閉じ込めクラッド層４
（厚さ１μｍ）、ｐ型Ｇａユ。
Ｉｎｏ、ｓＰ層５、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓギヤｙプ層６を
順次に形成した（第２図（ａ））。成長条件は、温度７
００℃、圧カフ ０ｔｏｒｒ、 Ｖ／ ［［［＝２００
である。原料としてはＴＭＡｕ、ＴＥＧａ％ＴＭＩｎ、
ホスフィン、アルシンを用い、ｎ型ドーパントとしてジ
シラン、ｐ型ドーパントとしてジメチルジンクを用いた
。こうして成長したウェハにフォトリソグラフィにより
幅５μｍのストライプ状のＳｉＯ２マスク９を形成した
（第２図（ｂ））。次にこの５ｉＯｚマスク９を用いて
ｐ型（Ａ Ｉ２ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ４） ｏ、ｓ Ｉ
ｎ ｏ、ｓ Ｐクラッド層４の途中までメサ状にエツチ
ングした（第２図（Ｃ乃。２回目のＭＯＶＰＥ成長によ
りｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層８をメサストライプの両脇に
選択的に形成した（第２図（ｄ乃。５ｉ０２マスク９を
除去した後（第２図（ｅ乃、３回目のＭＯＶＰＥ成長に
よりｐ型Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層７を形成した（第
２図（「））。この後電極を形成し、襞間して第１図に
示す半導体レーザとした。、第３図は本願の第２の発明
の一実施例を示す断面図である。この実施例は第１図と
ほぼ同じ構造であるが、（Ａ Ｉ！ ｏ、＋ Ｇ ａ
ａ、ｅ） ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐ活性層３成長前
にｎ型（Ａ ！ｌ ｏ、ｓ Ｇ ａ ０．４） ０．８
Ｉ ｎ ０．４ Ｐキャリア閉じ込め層１１（厚さ５
ｎｍ）の形成している。
順次に形成した（第２図（ａ））。成長条件は、温度７
００℃、圧カフ ０ｔｏｒｒ、 Ｖ／ ［［［＝２００
である。原料としてはＴＭＡｕ、ＴＥＧａ％ＴＭＩｎ、
ホスフィン、アルシンを用い、ｎ型ドーパントとしてジ
シラン、ｐ型ドーパントとしてジメチルジンクを用いた
。こうして成長したウェハにフォトリソグラフィにより
幅５μｍのストライプ状のＳｉＯ２マスク９を形成した
（第２図（ｂ））。次にこの５ｉＯｚマスク９を用いて
ｐ型（Ａ Ｉ２ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ４） ｏ、ｓ Ｉ
ｎ ｏ、ｓ Ｐクラッド層４の途中までメサ状にエツチ
ングした（第２図（Ｃ乃。２回目のＭＯＶＰＥ成長によ
りｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層８をメサストライプの両脇に
選択的に形成した（第２図（ｄ乃。５ｉ０２マスク９を
除去した後（第２図（ｅ乃、３回目のＭＯＶＰＥ成長に
よりｐ型Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層７を形成した（第
２図（「））。この後電極を形成し、襞間して第１図に
示す半導体レーザとした。、第３図は本願の第２の発明
の一実施例を示す断面図である。この実施例は第１図と
ほぼ同じ構造であるが、（Ａ Ｉ！ ｏ、＋ Ｇ ａ
ａ、ｅ） ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐ活性層３成長前
にｎ型（Ａ ！ｌ ｏ、ｓ Ｇ ａ ０．４） ０．８
Ｉ ｎ ０．４ Ｐキャリア閉じ込め層１１（厚さ５
ｎｍ）の形成している。
この他は第１の実施例と同じである。
従来の半導体レーザの閾電流値は、８０ｍＡであるのに
対して、本願の第１および第２の発明の半導体レーザは
それぞれ６８ｍＡ、６５ｍＡであり、従来の半導体レー
ザに較べ本発明の半導体レーザは閾電流値が小さくなっ
た。また、キャリア閉じ込め層の厚さをｐ型、ｎ型とも
にｌｏｎｍにすると、閾電流値は、５５ｍＡ、４５ｍＡ
となり、さらに閾電流値を低減することができた。
対して、本願の第１および第２の発明の半導体レーザは
それぞれ６８ｍＡ、６５ｍＡであり、従来の半導体レー
ザに較べ本発明の半導体レーザは閾電流値が小さくなっ
た。また、キャリア閉じ込め層の厚さをｐ型、ｎ型とも
にｌｏｎｍにすると、閾電流値は、５５ｍＡ、４５ｍＡ
となり、さらに閾電流値を低減することができた。
以上に説明してきたように、活性層に接してエネルギー
ギャップの大きい、ＧａＡｓより格子が短いＡＩ！Ｇａ
ＩｎＰ層を設けることにより、低閾電流値のＡｎＧａＩ
ｎＰｎＧａＩｎ−ザが得られた。
ギャップの大きい、ＧａＡｓより格子が短いＡＩ！Ｇａ
ＩｎＰ層を設けることにより、低閾電流値のＡｎＧａＩ
ｎＰｎＧａＩｎ−ザが得られた。
第１図は本願の第１の発明の一実施例を示す半導体レー
ザの断面図であり、第２図はこの半導体レーザの製作工
程図である。第３図は本願の第２の発明の一実施例を示
す半導体レーザの断面図である。また第４図は従来の半
導体レーザの断面図である。 ■・・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・・・
・ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、３・・・・・・Ａｆ
ｆＧａＩｎＰ活性層、４・・・・・・ｐ型ＡｎＧａＩｎ
Ｐクラッド層、５・・・・・・ｐ型ＧａＩｎＰ層、６・
・・・・・ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓキヤツプ層、７・・・・
・・ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層、８・・・・・・
ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層、９・・・・・・Ｓ ｉ
Ｏ２，１０・・・・・・ｐ型ＡｌＧａＩｎＰギヤリア閉
じ込め層、１１・・・・・・ｎ型ＡｌＧａＩｎＰギヤリ
ア閉じ込め層。 代理人 弁理士 内 原 晋 Ｍ１図 （ｅ）（−ｆ） 第２図 箭、３図
ザの断面図であり、第２図はこの半導体レーザの製作工
程図である。第３図は本願の第２の発明の一実施例を示
す半導体レーザの断面図である。また第４図は従来の半
導体レーザの断面図である。 ■・・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・・・
・ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、３・・・・・・Ａｆ
ｆＧａＩｎＰ活性層、４・・・・・・ｐ型ＡｎＧａＩｎ
Ｐクラッド層、５・・・・・・ｐ型ＧａＩｎＰ層、６・
・・・・・ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓキヤツプ層、７・・・・
・・ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層、８・・・・・・
ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層、９・・・・・・Ｓ ｉ
Ｏ２，１０・・・・・・ｐ型ＡｌＧａＩｎＰギヤリア閉
じ込め層、１１・・・・・・ｎ型ＡｌＧａＩｎＰギヤリ
ア閉じ込め層。 代理人 弁理士 内 原 晋 Ｍ１図 （ｅ）（−ｆ） 第２図 箭、３図
Claims (2)
- （１）ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰを活性層とし、
ＧａＡｓにほぼ格子整合するｐ型およびｎ型ＡｌＧａＩ
ｎＰを光閉じ込めクラッド層としたダブルヘテロ構造に
おいて、前記活性層と前記ｐ型クラッド層の間に、エネ
ルギーギャップが前記ｐ型クラッド層より大きく、Ｇａ
Ａｓより格子が短い、厚さ５ｎｍ以上のｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰから成るキャリア閉じ込め層を備えていることを特
徴とする半導体レーザ。 - （２）請求項（１）記載の半導体レーザにおいて、請求
項（１）記載の活性層と請求項（１）記載のｐ型光閉じ
込めクラッド層の間に、エネルギーギャップが請求項（
１）記載のｐ型光閉じ込めクラッド層より大きく、Ｇａ
Ａｓより格子が短い、厚さ５ｎｍ以上のｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰから成るキャリア閉じ込め層を備え、かつ、請求項
（１）記載の活性層と請求項（１）記載のｎ型光閉じ込
めクラッド層の間に、エネルギーギャップが請求項（１
）記載のｎ型光閉じ込めクラッド層より大きく、ＧａＡ
ｓより格子が短い、厚さ５ｎｍ以上のｎ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐから成るキャリア閉じ込め層を備えていることを特徴
とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30958590A JPH04180684A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30958590A JPH04180684A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04180684A true JPH04180684A (ja) | 1992-06-26 |
Family
ID=17994808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30958590A Pending JPH04180684A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04180684A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04229686A (ja) * | 1990-06-12 | 1992-08-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体レーザ素子 |
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-
1990
- 1990-11-15 JP JP30958590A patent/JPH04180684A/ja active Pending
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