JPH01264287A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH01264287A JPH01264287A JP9251088A JP9251088A JPH01264287A JP H01264287 A JPH01264287 A JP H01264287A JP 9251088 A JP9251088 A JP 9251088A JP 9251088 A JP9251088 A JP 9251088A JP H01264287 A JPH01264287 A JP H01264287A
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Links
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体発光装置に係り、特に可視光レーザに関゛シ。
発光効率の向上と閾値電流密度の低下を目的とし。
〔１〕一導電型の第１クラッド１３．一導電型の第１バ
リア層４．活性層５１反対導電型の第２バリアＭ６４反
対導電型の第２クラッド層７がこの順に積層された積層
構造を含み、該第１バリア層の禁制帯幅は該第１クラッ
ド層の禁制帯幅より大きく、該第２バリア層の禁制帯幅
は該第２クラッド層の禁制帯幅より大きい半導体発光装
置、及び〔２〕第１クラフトＮ３及び第１バリアＮ４を
一導電型のＩｎＧａＰ 、活性層５をＧａＡｓＰ 、第
２バリアＮ６及び第２クラッドＭ７を反対導電型のＩｎ
ＧａＰとする前記〔１〕記載の半導体発光装置により構
成する。
リア層４．活性層５１反対導電型の第２バリアＭ６４反
対導電型の第２クラッド層７がこの順に積層された積層
構造を含み、該第１バリア層の禁制帯幅は該第１クラッ
ド層の禁制帯幅より大きく、該第２バリア層の禁制帯幅
は該第２クラッド層の禁制帯幅より大きい半導体発光装
置、及び〔２〕第１クラフトＮ３及び第１バリアＮ４を
一導電型のＩｎＧａＰ 、活性層５をＧａＡｓＰ 、第
２バリアＮ６及び第２クラッドＭ７を反対導電型のＩｎ
ＧａＰとする前記〔１〕記載の半導体発光装置により構
成する。
本発明は半導体発光装置に係り、特に可視光半導体レー
ザに関する。
ザに関する。
近年、光ディスクやコンパクトディスクの記録読み取り
、レーザプリンタ、ＰＯ５（Ｕｉ売時点情報管理）用ス
キャナ、光計測、プラスチックファイバ伝送等の光源と
して、可視光領域で発振する半導体レーザへの要求が高
まっている。かかる要求に対して発光効率がよく闇値電
流密度の低い可視光半導体レーザを開発する必要がある
。
、レーザプリンタ、ＰＯ５（Ｕｉ売時点情報管理）用ス
キャナ、光計測、プラスチックファイバ伝送等の光源と
して、可視光領域で発振する半導体レーザへの要求が高
まっている。かかる要求に対して発光効率がよく闇値電
流密度の低い可視光半導体レーザを開発する必要がある
。
従来、可視光半導体レーザ用の材料として一般的に使用
されているものはｍ−ｖ族化合物半導体のＡＩＧａＩｎ
Ｐ四元系材料である。この系を用いる半導体レーザにお
いてはｒ ＧａＡｓを基板とし、 ＧａＡｓと格子整合
するＡｌＧａ１ｎＰ及びＡ１１ｎＰを、それぞれ活性層
及びクラッド層とすることにより、理論的には波長５８
０ｎ＋ｗ （黄色）程度まで短波長化が可能である。
されているものはｍ−ｖ族化合物半導体のＡＩＧａＩｎ
Ｐ四元系材料である。この系を用いる半導体レーザにお
いてはｒ ＧａＡｓを基板とし、 ＧａＡｓと格子整合
するＡｌＧａ１ｎＰ及びＡ１１ｎＰを、それぞれ活性層
及びクラッド層とすることにより、理論的には波長５８
０ｎ＋ｗ （黄色）程度まで短波長化が可能である。
しかし、実際には短波長化にともない。
ＡｌＧａ１ｎＰ活性層中のＡｔ含有量が多（なり１次の
ような問題が生じる。
ような問題が生じる。
（ａ）プロセスの途中でＡＩが酸化して、結晶品質が低
下する。
下する。
（ｂ）Ａｔ含有量の増加に伴い、 ＡｌＧａ１ｎＰ活性
層が間接遷移型半導体領域に近づく。
層が間接遷移型半導体領域に近づく。
（ｃ）Ａｔ含有量の増加に伴い、 ＡｌＧａ１ｎＰ活性
層とＡＩＩｎＰクラッド層の禁制帯幅の差が小さくなる
。
層とＡＩＩｎＰクラッド層の禁制帯幅の差が小さくなる
。
そのため９発光効率が低下し、閾直流電流密度が増加す
るという問題があった。
るという問題があった。
これらの問題点を除くため、 ＡＩを含まない系を使用
する短波長レーザが提案されている。
する短波長レーザが提案されている。
第３図にＡＩを含まな、い系を使用する従来の半導体発
光装置の断面構造を示す。第３図において。
光装置の断面構造を示す。第３図において。
１は半導体基板、２はバッファ層、３は第１クラツド層
、５は活性層、７は第２クラフト層、８は絶縁層、９及
び１０は電極を表す。
、５は活性層、７は第２クラフト層、８は絶縁層、９及
び１０は電極を表す。
半導体基板１としてＧａＡｓ、第１クラッド層３として
ＩｎＧａＰ ＊活性層５としてＧａＡｓＰ ＋第２クラ
ッドＮ７としてＩｎＧａＰを用いる。バッファ層２は。
ＩｎＧａＰ ＊活性層５としてＧａＡｓＰ ＋第２クラ
ッドＮ７としてＩｎＧａＰを用いる。バッファ層２は。
ＧａＡｓ基板１と、それより格子定数の小さいＩｎＧａ
Ｐ第１クラフト層３との間に生じる格子不整合を緩和し
、かつそれによって生じた転位が成長方向に伝搬するの
を防ぐために設けられたもので。
Ｐ第１クラフト層３との間に生じる格子不整合を緩和し
、かつそれによって生じた転位が成長方向に伝搬するの
を防ぐために設けられたもので。
Ｉｎ、ｌＧａ、ＸＰの組成をステップ状に変化させて格
子定数が平均的にＧａＡｓ基板１からＩｎＧａＰ第１ク
ラッド層３へ移るよう形成された歪超格子であり、格子
定数の違いによる歪みはそこで吸収される。
子定数が平均的にＧａＡｓ基板１からＩｎＧａＰ第１ク
ラッド層３へ移るよう形成された歪超格子であり、格子
定数の違いによる歪みはそこで吸収される。
かかる構造により、Ａ１を含まない混晶系で波長６５０
ｎｍの発光を実現している。
ｎｍの発光を実現している。
しかし、従来のＩｎＧａＰ第１クラフト層／ＧａＡｓＰ
活性層／ＩｎＧａＰ第２クラッド層なる組合わせのダブ
ルへテロ接合レーザでは、各層間の格子整合をとるよう
に組成が制限されるため、第１及び第２クラッド層と活
性層の禁制帯幅の差が０．３ ｅＶ程度となり、それ以
前のＡＩを含むＡ１１ｎＰ第１クラッド層／ＡｌＧａ１
ｎＰ活性層／ＡＩＩｎＰ第２クラフト層なる組合わせの
ダブルへテロ接合レーザにくらべて禁制帯幅の差が小さ
かった。
活性層／ＩｎＧａＰ第２クラッド層なる組合わせのダブ
ルへテロ接合レーザでは、各層間の格子整合をとるよう
に組成が制限されるため、第１及び第２クラッド層と活
性層の禁制帯幅の差が０．３ ｅＶ程度となり、それ以
前のＡＩを含むＡ１１ｎＰ第１クラッド層／ＡｌＧａ１
ｎＰ活性層／ＡＩＩｎＰ第２クラフト層なる組合わせの
ダブルへテロ接合レーザにくらべて禁制帯幅の差が小さ
かった。
従って、 ＡＩを含まない系を使用する従来の半導体発
光装置ではレーザ発振時に注入されたキャリヤが活性層
からクラッド層へオーバーフローして発光に有効に働か
ず２発光効率を低下させ、闇値電流密度を増加させると
いった問題があった。
光装置ではレーザ発振時に注入されたキャリヤが活性層
からクラッド層へオーバーフローして発光に有効に働か
ず２発光効率を低下させ、闇値電流密度を増加させると
いった問題があった。
本発明は活性層とクラッド層の禁制帯幅の差が小さいこ
とに起因するキャリヤのオーバーフローを抑え１発光効
率を上げ閾値電流密度を下げることを目的とする。
とに起因するキャリヤのオーバーフローを抑え１発光効
率を上げ閾値電流密度を下げることを目的とする。
第１図は本発明の半導体発光装置である。第１図におい
て、１は半導体基板、２はバッファ層。
て、１は半導体基板、２はバッファ層。
３は第１クラツド層、４は第１バリア層、５は活性層、
６は第２バリア層、７は第２クラッド層。
６は第２バリア層、７は第２クラッド層。
８は絶縁層、９及びｌＯは電極を表す。
〔１〕一導電型の第１クラツド層３．一導電型の第１バ
リア層４．活性層５９反対導電型の第２バリア層６１反
対導電型の第２クラッド層７がこの順に積層された積層
構造を含み、該第１バリア層の禁制帯幅は該第１クラフ
ト層の禁制帯幅より大きく、該第２バリア層の禁制帯幅
は該第２クラフト層の禁制帯幅より大きい半導体発光装
置、及び〔２〕第１クラッド層３及び第１バリア層４を
一導電型のＩｎＧａＰ 、活性層５をＧａＡｓＰ 、第
２バリア層６及び第２クラフト層７を反対導電型のＩｎ
ＧａＰとする前記〔１〕記載の半導体発光装置により上
記課題は解決される。
リア層４．活性層５９反対導電型の第２バリア層６１反
対導電型の第２クラッド層７がこの順に積層された積層
構造を含み、該第１バリア層の禁制帯幅は該第１クラフ
ト層の禁制帯幅より大きく、該第２バリア層の禁制帯幅
は該第２クラフト層の禁制帯幅より大きい半導体発光装
置、及び〔２〕第１クラッド層３及び第１バリア層４を
一導電型のＩｎＧａＰ 、活性層５をＧａＡｓＰ 、第
２バリア層６及び第２クラフト層７を反対導電型のＩｎ
ＧａＰとする前記〔１〕記載の半導体発光装置により上
記課題は解決される。
活性層５に注入されたキャリヤを第１クラフト層３及び
第２クラッド層７ヘオーバーフローさせないために該活
性層と該クラフト層の間に該クラッド層の禁制帯幅より
も大きい禁制帯幅を持つ層をバリア層として挿入する。
第２クラッド層７ヘオーバーフローさせないために該活
性層と該クラフト層の間に該クラッド層の禁制帯幅より
も大きい禁制帯幅を持つ層をバリア層として挿入する。
該バリア層として、該クラフト層と該活性層の両者に格
子整合し且つ禁制帯幅の大きいＡＩＧａＩｎＰ四元系の
層を挿入することができればよいのであるが１通常用い
る液相成長法や有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法で成
長する際、 ＡＩが酸化して良質のＡＩＧａＩｎＰを成
長するのが難しい。
子整合し且つ禁制帯幅の大きいＡＩＧａＩｎＰ四元系の
層を挿入することができればよいのであるが１通常用い
る液相成長法や有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法で成
長する際、 ＡＩが酸化して良質のＡＩＧａＩｎＰを成
長するのが難しい。
本発明はＩｒ＋ＧａＰクラフト層とＧａＡｓＰ活性層の
間に該クラフト層よりも格子定数が小さく該クラッド層
よりも禁制帯幅の大きいＩｎＧａＰバリア層を挿入する
ことによりキャリヤの該クラッド層へのオーバーフロー
を防ぐ。
間に該クラフト層よりも格子定数が小さく該クラッド層
よりも禁制帯幅の大きいＩｎＧａＰバリア層を挿入する
ことによりキャリヤの該クラッド層へのオーバーフロー
を防ぐ。
第２図に第１クラフト層３から第２クラッド層７に至る
エネルギー帯と格子定数の推移を示す。
エネルギー帯と格子定数の推移を示す。
第２図において、Ｅはエネルギー、３，４，５゜６．７
はそれぞれ、第１クラツド層３．第１バリア層４．活性
層５．第２バリア層６．第２クランド層７の部分の禁制
帯、Ｅｃ、ＥＦ、Ｅｖはそれぞれ、伝導帯下端のエネル
ギー、フェルミエネルギー、価電子帯上端のエネルギー
を表し、ａは格子定数、 （Δａ ／ ａ ）は格子不
整合度を表す。
はそれぞれ、第１クラツド層３．第１バリア層４．活性
層５．第２バリア層６．第２クランド層７の部分の禁制
帯、Ｅｃ、ＥＦ、Ｅｖはそれぞれ、伝導帯下端のエネル
ギー、フェルミエネルギー、価電子帯上端のエネルギー
を表し、ａは格子定数、 （Δａ ／ ａ ）は格子不
整合度を表す。
第２図に見るように第１バリア層４があるために、活性
層５に注入されるホールが第１クラフト層３にオーバー
フローすることが阻止され、一方。
層５に注入されるホールが第１クラフト層３にオーバー
フローすることが阻止され、一方。
第２バリア層６があるために、活性層５に注入される電
子が第２クラッド層７にオーバーフローすることが阻止
される。
子が第２クラッド層７にオーバーフローすることが阻止
される。
第１バリア層４の格子定数は第１クラッド層３及び活性
層５の格子定数と異なり、また、第２バリア層６の格子
定数は第２クラフトＮ７及び活性Ｎ５の格子定数と異な
るので格子不整合によるミスフィツト転位が発生する可
能性があるが、格子不整合度（Δａ ／ ａ ）と該バ
リア層の厚さを適当に選ぶことによりミスフィツト転位
の発生を防ぐようにする。
層５の格子定数と異なり、また、第２バリア層６の格子
定数は第２クラフトＮ７及び活性Ｎ５の格子定数と異な
るので格子不整合によるミスフィツト転位が発生する可
能性があるが、格子不整合度（Δａ ／ ａ ）と該バ
リア層の厚さを適当に選ぶことによりミスフィツト転位
の発生を防ぐようにする。
かくして第１クラッド層３及び活性Ｎ５と格子整合した
第１バリア層４と、第２クラッド層７及び活性Ｎ５と格
子整合した第２バリアＮ６は活性層５中に注入されたキ
ャリヤが第１クラッド層３及び第２クラフト層７ヘオー
バーフローしようとする時それを阻止する壁として働き
２発光効率の低下を防ぎ、閾値電流密度を下げる。
第１バリア層４と、第２クラッド層７及び活性Ｎ５と格
子整合した第２バリアＮ６は活性層５中に注入されたキ
ャリヤが第１クラッド層３及び第２クラフト層７ヘオー
バーフローしようとする時それを阻止する壁として働き
２発光効率の低下を防ぎ、閾値電流密度を下げる。
以下本発明の実施例について説明する。
Ｓｔをドープした（１００） ＧａＡｓ基板１上に有機
金属気相成長法により第１図に示す構造のバッファ層２
から第２クラフト層７までの層を積層する。
金属気相成長法により第１図に示す構造のバッファ層２
から第２クラフト層７までの層を積層する。
°各層の材料、膜厚、ドーパント、キャリヤ濃度。
格子定数（ｄ）、禁制帯幅（Ｅｇ ）を下に示す。
符号 材料 膜厚１、半導体基板
ＧａＡｓ ３５０９ｍ２、バッファ層
Ｉｎ、 Ｇａ、ＸＰ ６Ｂ００人（超格子構造）
（ｘ ＝０．２３〜０．５５）（１７層、各４００
人） ３、第１クラッド層 ＩｎＸＧａ、、Ｐ（ｘ＝０．２８
） １．５μ曙 ４、第１バリア層 −ＩｎｘＧａ、Ｐ （ｘ＝０．１５） ４００人 ５、活性層 ＧａＡｓｘ Ｐ 、−ｘ（ｘ −
０，５８） ０．２ ｐｔａ６ｏ第２バリア層 Ｉ
ｎＸＧａ、Ｐ （ｘ＝ｏ、１５） ４００人 ７、第２クラツドｉｉ Ｉｎｘ Ｇａ＝、Ｐ（ｘ＝０
．２８） １．５μ隋 符号 ドーパント キャリヤ濃度（ａｍ −
３） １、半導体基板 Ｓｉ （ｎ）ＩＸＩＯ”２、
バッファ層 −（ｎ） ３、第１クラフト層 Ｓｉ （ｎ）５ｘｌＯ”４、
第１バリア層 Ｓｉ （ｎ）５ｘｌＱ”５、活性
層 （ｎ）ＩＸＩＯ”６、第２バリア
層 Ｚｎ （ｐ）５Ｘ１０”７、第２クラッド層
Ｚｎ （ｐ）５Ｘ１０”符号 格
子定数 禁制帯幅ｄ （人） Ｅｇ （ｅＶ） １、半導体基板 ５．６５３３ １．４２２、
バッファ層 ５．６８１６〜５．５４５９３、第１
クラッド層 ５．５６Ｂ５ ２，２２４、第１バリ
ア層 ５．５１２０ ２．４７５、活性層
５．５６８５ １．９４６、第２バリア層
５．５１２０ ２．４７７、第２クラフト層 ５．
５６８５ ２．２２バッファ層２はＩｎＧａＰ ／
ＩｎＧａＰの歪超格子で。
ＧａＡｓ ３５０９ｍ２、バッファ層
Ｉｎ、 Ｇａ、ＸＰ ６Ｂ００人（超格子構造）
（ｘ ＝０．２３〜０．５５）（１７層、各４００
人） ３、第１クラッド層 ＩｎＸＧａ、、Ｐ（ｘ＝０．２８
） １．５μ曙 ４、第１バリア層 −ＩｎｘＧａ、Ｐ （ｘ＝０．１５） ４００人 ５、活性層 ＧａＡｓｘ Ｐ 、−ｘ（ｘ −
０，５８） ０．２ ｐｔａ６ｏ第２バリア層 Ｉ
ｎＸＧａ、Ｐ （ｘ＝ｏ、１５） ４００人 ７、第２クラツドｉｉ Ｉｎｘ Ｇａ＝、Ｐ（ｘ＝０
．２８） １．５μ隋 符号 ドーパント キャリヤ濃度（ａｍ −
３） １、半導体基板 Ｓｉ （ｎ）ＩＸＩＯ”２、
バッファ層 −（ｎ） ３、第１クラフト層 Ｓｉ （ｎ）５ｘｌＯ”４、
第１バリア層 Ｓｉ （ｎ）５ｘｌＱ”５、活性
層 （ｎ）ＩＸＩＯ”６、第２バリア
層 Ｚｎ （ｐ）５Ｘ１０”７、第２クラッド層
Ｚｎ （ｐ）５Ｘ１０”符号 格
子定数 禁制帯幅ｄ （人） Ｅｇ （ｅＶ） １、半導体基板 ５．６５３３ １．４２２、
バッファ層 ５．６８１６〜５．５４５９３、第１
クラッド層 ５．５６Ｂ５ ２，２２４、第１バリ
ア層 ５．５１２０ ２．４７５、活性層
５．５６８５ １．９４６、第２バリア層
５．５１２０ ２．４７７、第２クラフト層 ５．
５６８５ ２．２２バッファ層２はＩｎＧａＰ ／
ＩｎＧａＰの歪超格子で。
平均の格子定数がＧａＡｓ基板１側から第１クラッド層
３側へ徐々にマイナス側へずれるように各層の組成をス
テップ状に変化させる。
３側へ徐々にマイナス側へずれるように各層の組成をス
テップ状に変化させる。
第２クラッド層７までの積層構造を形成した後。
第２クラッド層７の上を絶縁層８で覆い、電極部に窓開
けして電極９を形成する。半導体基板１の下にもう一方
の電極１０を形成する。
けして電極９を形成する。半導体基板１の下にもう一方
の電極１０を形成する。
かかる構造の半導体発光装置の発振波長は６３９ｎｍで
あった。活性層５と第１バリア層４．及び活性層５と第
２バリア層６の禁制帯幅の差はどちらも５３０ ｍｅＶ
であり、−この値は従来の第１バリア層４及び第２バリ
ア層６のない場合の活性層５と第１クラツド層３．及び
活性層５と第２クラッド層７の禁制帯幅の差（２８０ｍ
ｅＶ）と比較して２５０ｍｅＶはど大きい。それゆえ、
活性層５から第１クラッド層３及び第２クラッド層７へ
のキャリヤのオーバーフローは阻止されて９発光効率が
向上し闇値電流密度が低下する。
あった。活性層５と第１バリア層４．及び活性層５と第
２バリア層６の禁制帯幅の差はどちらも５３０ ｍｅＶ
であり、−この値は従来の第１バリア層４及び第２バリ
ア層６のない場合の活性層５と第１クラツド層３．及び
活性層５と第２クラッド層７の禁制帯幅の差（２８０ｍ
ｅＶ）と比較して２５０ｍｅＶはど大きい。それゆえ、
活性層５から第１クラッド層３及び第２クラッド層７へ
のキャリヤのオーバーフローは阻止されて９発光効率が
向上し闇値電流密度が低下する。
以上説明した様に１本発明によれば、キャリヤのオーバ
ーフローを抑えて発光効率を上げ、閾値電流密度を下げ
て特性のよい可視光レーザを提供することができる。
ーフローを抑えて発光効率を上げ、閾値電流密度を下げ
て特性のよい可視光レーザを提供することができる。
第１図は本発明の半導体発光装置の断面構造。
第２図はエネルギー帯と格子定数。
第３図は従来の半導体発光装置の断面構造である。図に
おいて。 １は半導体基板。 ２はバッファ層。 ３は第１クラッド層。 ４は第１バリア層。 ５は活性層。 ６は第２バリア層。 ７は第２クラッド層。 ８は絶縁層。 ９及び１０は電極 ／１極 升・灸Ｂ月の′″？専イ！−溌ヲ１蓼ｊ」の餌向屓片造
１、半 １ は エネルＡ゛′−光ヒ字・δ−子足裏丸 事 ２ ■
おいて。 １は半導体基板。 ２はバッファ層。 ３は第１クラッド層。 ４は第１バリア層。 ５は活性層。 ６は第２バリア層。 ７は第２クラッド層。 ８は絶縁層。 ９及び１０は電極 ／１極 升・灸Ｂ月の′″？専イ！−溌ヲ１蓼ｊ」の餌向屓片造
１、半 １ は エネルＡ゛′−光ヒ字・δ−子足裏丸 事 ２ ■
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕一導電型の第１クラッド層（３）、一導電型の第
１バリア層（４）、活性層（５）、反対導電型の第２バ
リア層（６）、反対導電型の第２クラッド層（７）がこ
の順に積層された積層構造を含み、該第１バリア層の禁
制帯幅は該第１クラッド層の禁制帯幅より大きく、該第
２バリア層の禁制帯幅は該第２クラッド層の禁制帯幅よ
り大きいことを特徴とする半導体発光装置。 〔２〕第１クラッド層（３）及び第１バリア層（４）を
一導電型のＩｎＧａＰ、活性層（５）をＧａＡｓＰ、第
２バリア層（６）及び第２クラッド層（７）を反対導電
型のＩｎＧａＰとすることを特徴とする請求項１記載の
半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9251088A JPH01264287A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9251088A JPH01264287A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01264287A true JPH01264287A (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=14056309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9251088A Pending JPH01264287A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01264287A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04180684A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH04229686A (ja) * | 1990-06-12 | 1992-08-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体レーザ素子 |
| US5345464A (en) * | 1992-12-21 | 1994-09-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| WO2009113685A1 (ja) * | 2008-03-14 | 2009-09-17 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線発光素子 |
| EP3916817A1 (en) * | 2016-02-09 | 2021-12-01 | Lumeova, Inc | Ultra-wideband, wireless optical high speed communication devices and systems |
-
1988
- 1988-04-14 JP JP9251088A patent/JPH01264287A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04229686A (ja) * | 1990-06-12 | 1992-08-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体レーザ素子 |
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| US8309980B2 (en) | 2008-03-14 | 2012-11-13 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Infrared light emitting device |
| JP2014013944A (ja) * | 2008-03-14 | 2014-01-23 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線発光素子 |
| JP5526360B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2014-06-18 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線発光素子 |
| EP3916817A1 (en) * | 2016-02-09 | 2021-12-01 | Lumeova, Inc | Ultra-wideband, wireless optical high speed communication devices and systems |
| US11233172B2 (en) | 2016-02-09 | 2022-01-25 | Lumeova, Inc. | Ultra-wideband, free space optical communication apparatus |
| US11923478B2 (en) | 2016-02-09 | 2024-03-05 | Lumeova, Inc. | Ultra-wideband, free space optical communication apparatus |
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